UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO

FACULTAD DE INGENIERÍA

RESISTENCIAS SEMICONDUCTORAS

PROFESOR: ING. OSCAR MORALES GONZAGA

CURSO: CIRCUITOS ANALOGICOS I

INTEGRANTES:

 HARO TANTAJULCA, JOAO

 MORENO BARRIENTOS, LUIS

 ÑAÑEZ RUIZ, FRANK

 POMATANTA RODRIGUEZ, CYNTHIA

 VASQUEZ CRUZ, VICTOR

TRUJILLO – PERÚ

2019
RESISTENCIAS SEMICONDUCTORAS
OBJETIVO: Mostrar al alumno las características no lineales de las resistencias
semiconductoras. Utilizar los instrumentos electrónicos y desarrollar habilidades de armar
circuito y en la construcción de curvas características de elementos.

MATERIALES Y EQUIPO:

1 Fuente doble DC 1 foco de 120mA - 12v (ó equivalente)

1 Multímetro 1 Termistor NTC - 470 Ω
1 Protoboard 1 Fotorresistencia LDR
Cables de conexión R: 100 Ω (2W), 1K, 470 Ω, 5K, 10K , 270K

PROCEDIMIENTO:

a) Curva característica de un foco de filamento.

Armar el circuito de la figura, verificando la correcta conexión y el valor de la

resistencia del foco, que debe ser del mismo rango que la resistencia serie.

Variando la tensión de la fuente V1, medir los valores de Vf y VR, llenando la tabla
adjunta y si es necesario, otros valores intermedios.

V1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 V (DC)
VF 0.233 0.644 1.738 2.933 4.070 5.200 6.430 7.630 8.920 10.230 V (DC)
VR 1.720 2.866 3.750 4.750 5.630 6.430 7.200 7.920 8.590 9.290 V (DC)
I=VR/R 17.200 28.660 37.500 47.500 56.300 64.300 72.000 79.200 85.900 92.900 mA
RF=VF/I 0.014 0.022 0.046 0.062 0.072 0.081 0.089 0.096 0.104 0.110 Ohms

Completar el cuadro por cálculo de la corriente I = VR / R

No medir corrientes

Calcular el valor de la resistencia del foco Rf = Vf / I

Trazar la curva Rf - vs - Vf ,
 Donde Vf representa proporcionalmente a la temperatura

Rf

Vf(volt)
0 2 4 6 8 10 12 14

b) Curva característica de un termistor NTC

Armar el circuito de la figura adjunta

Verificar que la resistencia serie R1 sea del mismo rango que el termistor y que en ningún caso
se exceda de 20 mA, de corriente de polarización.

En este caso, el foco trabajará como una fuente térmica, conectado directamente a V.

Variar la tensión V1 y tomar las lecturas de VR y VT en el termistor. Cuidar de no exceder al

voltaje de trabajo del foco

V1 0 2 4 6 8 10 12 V (DC)
VR 1.634 1.652 1.790 1.902 1.946 2.013 2.205 V (DC)
VT 3.489 3.474 3.331 3.224 3.194 3.106 2.905 V (DC)
I=VR/R 0.082 0.083 0.090 0.095 0.097 0.101 0.110 mA
RT=VT/I 42.705 42.058 37.218 33.901 32.826 30.859 26.349 Ohms
- Calcular el valor de la corriente en el termistor I = VR / R

- Calcular el valor de la resistencia RT = VT / I

- Construir la curva de RT - vs - V considerando que V, la tensión en el foco, será

proporcional a la temperatura.
RT

V(volt)
0 2 4 6 8 10 12 14
c) Curva característica de una fotorresistencia LDR

Con el mismo circuito anterior, colocar una LDR en el lugar del termistor y en
serie colocar una resistencia de 270K

Proceder con los mismos pasos del caso anterior. En este caso el foco será una
fuente de luz para la fotorresistencia.

V1 0 2 4 6 8 10 12 V (DC)
VR 4.190 4.170 4.220 4.550 4.780 4.900 4.960 V (DC)
VL 0.932 0.984 0.977 0.607 0.379 0.266 0.185 V (DC)
I=VR/R 0.210 0.209 0.211 0.228 0.239 0.245 0.248 mA
RL=VL/I 4.449 4.719 4.630 2.668 1.586 1.086 0.746 Ohms

CUESTIONARIO

1.- Hacer una introducción teórica del fundamento de conducción de los

semiconductores.

Los semiconductores son materiales solidos que poseen propiedades de conducción y

aislamiento en un nivel intermedio. Molecularmente, los semiconductores se cristalizan
en forma de “Red centrada en las caras”.
Forma de conducción: Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos.
Dependiendo de ello, varía su forma de conducción. En este caso, los semiconductores
que usamos son de silicio o de germanio, por esta razón, se hará mención de los
semiconductores intrínsecos.

Semiconductores intrínsecos

Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina

semiconductor intrínseco. Los más empleados son el germanio (Ge) y el silicio (Si).
Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa (electrones de
valencia), que comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De
esta manera cada átomo posee 8 electrones en su capa más externa, formando una red
cristalina, en la que la unión entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por
consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fácilmente, y el material en
circunstancias normales se comporta como un aislante.
Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que
algunos pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta
manera, la resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su
conductividad aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia
absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a
través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, se les
somete al potencial eléctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo positivo.
Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red
cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría una carga positiva.
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción eléctrica a
través de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga
negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un
generador. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes eléctricas: una debida al movimiento de los electrones libres de la estructura
cristalina, y otra debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que
tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de huecos. Los
electrones libres se dirigen hacia el polo positivo de la pila (cátodo), mientras que los
huecos pueden considerarse como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila, llamado ánodo (hay que considerar que por el conductor exterior
sólo circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos sólo existen
en el seno del cristal semiconductor).

2.- Explicar la variación de la resistencia del filamento conductor en el foquito

incandescente

La variación de la temperatura produce una variación en la resistencia y en la mayoría de

los metales aumenta su resistencia al aumentar la temperatura, por el contrario, en otros
elementos, como el carbono o el germanio la resistencia disminuye. En el caso del
filamento no se puede expresar de forma simplista el comportamiento de su valor
resistivo, diciendo que "aumenta"; por las razones que se explican a continuación:

 El filamento de tungsteno de una lámpara incandescente está formado por un

alambre extremadamente fino, mucho más que el de un cable cualquiera. Por
ejemplo, en una lámpara de 60 watt, el filamento puede llegar a medir alrededor
de 2 metros de longitud y de grueso solamente 3 x 10-3 = 0,003 mm. Para que la
longitud total del filamento ocupe el menor espacio posible, el alambre se reduce
por medio de un doble enrollado.

 El filamento de tungsteno presenta un problema y es que el metal se evapora al

alcanzar temperaturas tan altas como la que produce la incandescencia. En ese
estado, algunos átomos de tungsteno se excitan tan violentamente que saltan al
vacío dentro de la bombilla y se depositan en la pared interna del cristal,
ennegreciendo y volviéndolo opaco a medida que más se utiliza la lámpara.

 Debido al propio proceso de evaporación, el filamento de tungsteno se va

desintegrando con las horas de uso y la vida útil de la lámpara se reduce. Cuando
ese proceso llega a su límite, el filamento se parte por el punto más débil y deja
de alumbrar, decimos entonces que la lámpara se ha fundido.

3.- Enumerar las resistencias semiconductoras y sus aplicaciones en electrónica.

El LDR o fotorresistencia es una resistencia que varía su valor dependiendo de la
cantidad de luz que la ilumina. Este dispositivo tiene una gran variedad de aplicaciones
desde hacer un panel solar seguidor de luz(busca la mejor posición para recibir la mayor
cantidad de luz) hasta activar una o más luces al llegar la noche(detecta la ausencia de
luz de día).

El VRD o varistor es un componente electrónico que modifica su resistencia eléctrica en

función de la tensión que se aplica en sus extremos o patillas. Este dispositivo es
utilizado en los estabilizadores, corta los picos de voltaje.

El termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la

variación de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. Existen
dos tipos de termistor:

NTC (Negative Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura negativo

Aplicaciones para NTC: Modelos de Trenes. Acción retardada del reles. El tren se para
al llegar al tramo interrumpido del riel de alimentación. Al calentarse la resistencia NTC
el modelo arranca de nuevo gradualmente. Debido a la inercia térmica del NTC el relé se
tarda en activarse. Cortocircuitando el NTC con un par de contactos, permite el
enfriamiento de termistor y la reactivación del ciclo.
PTC (Positive Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura positivo
Aplicaciones para PTC: Se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, incluyendo
limitación de corrientes, como sensor de temperatura, para desmagnetización y para la
protección contra el recalentamiento de equipos tales como motores eléctricos.

Cuando la temperatura aumenta, los tipo PTC aumentan su resistencia y los NTC la
disminuyen.

4.- Dibujar las curvas de cada elemento y explicar la dependencia. Utilizar el eje
horizontal con el voltaje del foco, para todos los casos, y poder comparar las
variaciones considerando la tensión V1 proporcional a la temperatura y a la luz.

a) Curva característica de un foco de filamento

b) Curva característica de un termistor NTC

c) Curva característica de una fotorresistencia LDR

5.- Dar algunas apreciaciones y conclusiones de la experiencia realizada.

Ing, Oscar Morales Gonzaga