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Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja señal con

JFET

Presentado a:
JAIRO LUIS GUTIERREZ
Tutor

Entregado por:
CESAR AUGUSTO SANCHEZ SANCHEZ
Código: 86072520
JESUS ALFONSO MANRIQUE ARDILA
1122126788
JUAN CARLOS PAVA
Código. 1105673775
MARIED FERNANDA ESLAVA ARROYAVE
Código: 1.121.948.379

Grupo: 243006A_611

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA - UNAD


ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA
CEAD ACACIAS
2019
OBJETIVO

Conocer el funcionamiento del transistor jfet de canal 2N3819 a través de la


conceptualización teorica, argumentación matemática y simulación practica
en un circuito de amplificación de señales bajas.
INTRODUCCIÓN

El estudio de la electrónica continúa con el conocimiento de


los transistores JFET. Para el caso de los transistores de efecto de campo
más conocidos como JFET la relación entre las variables de entrada y salida
es no lineal debido a la ecuación de Shockley.
Para el cálculo de éstos se usa el método matemático, además también se
utiliza el método grafico el cual es el más utilizado.
Destacando que la ecuación mencionada anteriormente es la misma para
todas las configuraciones de red del JFET siempre y cuando el dispositivo se
encuentre en la región activa. La red define el nivel de corriente y voltaje
asociado con el punto de operación mediante su propio conjunto
de ecuaciones.
Este tipo de transistor se lo puede configurar de diferentes formas como son
polarización con dos fuentes, auto polarización; con resistencia de source y
sin ella, y polarización con dos fuentes. Además, estos transistores FET
existen de dos tipos que son de tipo n y p, que en su simbología se lo
reconoce por el signo de la flecha.
Actividades a desarrollar

Individuales:

Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador

Fuente Autor.

1. Fundamentación Teórica:

Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad


2, Cada estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de
funcionamiento del circuito anterior.
Estudiante 1. Juan carlos pava

a teoría de funcionamiento del circuito, puedo decir que el circuito


amplificador JFET como su nombre lo dice es un amplificador de señal de
bajo potencia o amplificación de señales débiles, el cual permite restaurarlas
por medio de la amplificación en lo diferentes circuitos de trasmisión y
recepción, la resistencia en paralelo antes de la compuerta Gate debe ser
alta para controlar el voltaje, con este control también se puede utilizar el
circuito como un interruptor controlado de voltaje, una forma de
polarización mas estable para este amplificador JFET es por divisor de
tensión.
este circuito ingresa la señal debil ( 300mV a 1 Khz) y la amplifica a la
ganancia especifica del transistor.

Estudiante 2. Cesar Sánchez

El circuito anterior hace referencia a la amplificación de una señal débil para


lo cual debemos utilizar un transistor Jfet de canal N con la referencia
2N3819. Lo primero que debemos hacer para amplificar la señal es llevar a
cabo la polarización del transistor, es decir llevarlo a un punto de operación
estable, la cual nos indica en que zona esta trabajando; en este caso sería la
zona de amplificación.
Asi mismo como en el circuito solo tenemos una fuente de alimentación se
dice que el transistor esta auto polarizado es decir que una misma fuente
nos sirve para alimentar el drenaje y fuente.
De la misma manera al ser un circuito auto polarizado la corriente que
circula por el drenaje, el mismo transistor y la resistencia rs o el
potenciómetro es igual. Asi mismo es importante estar seguro que la tensión
de polarización llegue a la compuerta y no se pierda a la tierra para esto hay
que utilizar una resistencia con un homniaje muy elevado.
Estudiante 3. Jesús Manrique

Tenemos un circuito de un amplificador de baja señal la cual es de 300 mV a


1kh de frecuencia,
para la cual se una un transistor jfet de ref 2n3819 con sus respectivas
resistencias y condensadores de acople en cada pin, y sumado a ello una
batería de 20v como fuente de alimentación dc para nuestra amplificación.
Inicialmente Rg que es la resistencia de la compuerta debe ser muy alta
tratando de igualar la resistencia interna del transistor, y un condensador de
acople para filtrar nuestras señales y hacerla por decir mas limpias. Esta
tensión de entrada de 0.3v en ac será la tensión entre compuerta (gate) y
fuente (source) que regule el flujo de corriente entre drenaje (drain) y
fuente que es nuestra señal de salida, y esta señal esta dada en el valor de
la tensión Vgs y su variación según la frecuencia de entrada. Es decir que la
señal de salida será de la misma frecuencia que la señal de entrada pero con
una amplitud mayor dada por la alimentación de la batería y el flujo Ids.
Entonces decimos que la señal de salida seria la tensión Vds tomado
después del capacitor de acople que filtre las señales.

Figura No 2 entrada y salida de señal

Estudiante 4. Maried Eslava


Para el presente circuito amplificador de baja señal tenemos un transistor de
referencia JFET 2N3819 el cual se comporta como un interruptor controlado
por tensión y el voltaje aplicado a la puerta (Gate) permite que fluya la
corriente hacia el drenador (Drain) y hacia la fuente.

Argumentación.

(Segunda Semana).

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los


siguientes cálculos.

-Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor
de RG debe ser alto?
-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
 Estudiante 1. Juan carlos pava

a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

RD = (VCC – VD) / ID RD = (20v – 10v) / 3 mA

RD = 3.33 k

 Estudiante 2. Cesar sanchez

b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.

RS = VGS (off) / IDSS


RS = -8 v / 16 mA
RS = -500 

Estudiante 3 Jesús Manrique

c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor


de RG debe ser alto?
Figura No 3. Características del transistor jfet

Como podemos ver este transistor es de canal n, y con un Vgs off maximo
de valor negativo, lo que nos dice que es de polarizacion inversa, quiere
decir que actuara como un circuito abierto entre la fuente y el drenaje
cuando Vgs=-8.

La resistencia de Rg debe ser alta porque al mirar la resistencia interna del


transistor que existe entre la compuerta y la fuente es naturalmente muy
alta. Esto lo podemos comprobar con el valor de Igss=210nA a un voltaje
Vgs=15v y si aplicamos ley de hom:

V GS 15 v
RGS= = =75 Mhom
I GSS 2.1∗10−7 A
Entonces si le damos a Rg un valor relativamente bajo esto haría que Rgs,
que esta en paralelo se divida causándonos un circuito casi que cerrado y no
funcionaria correctamente nuestro amoplisicador, por eso el valor de Rg
debe estar cerca al valor que tendrá Rgs con respecto a la señal de entrada.
Esto hallamos con la anterior ecuación pero esta vez usando el valor de
nuestra señal de entrada.
V 0.3 v
RGS= GS = =1.5 Mhom
I GSS 2.1∗10−7 A

Estudiante 4 maried eslava


d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

C1 y C 2

1
X C=
2 π∗f∗c
1
X C= −6
=15.91Ω
2 π∗1000 Hz∗10∗10 μF

C3

1
X C=
2 π∗f∗c
1
X C= =1591.54 Ω
2 π∗1000 Hz∗0.1∗10−6 μF

Estudiante 5

e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

Solución.
(Tercera semana)
Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en
la que se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.


- Valor de VGS.
- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.

 Estudiante 1. Juan carlos pava

 Estudiante 2. Cesar sanchez


Figura No 4. Simulación proteus cesar sanchez

 Estudiante 3. Jesús Manrique

Figura No 5. Simulación proteus Jesús Manrique

 Estudiante 4. Maried eslava


 Estudiante 5.
CONCLUSIONES

 Podemos concluir que el rol de amplificador del transistor


logrando amplificar una señal AC con una ganancia de 16 veces
más de voltaje,

 Se pudo comprobar que la corriente de drain que depende del


voltaje gate source, obedece casi exactamente a la ecuación de
shockley. Id=Idss1-VGSVp2
BIBLIOGRAFIAS

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para


Ingenieros (pp. 37-51). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?
ppg=48&docID=10498503&tm=1482090196645

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos.(pp. 127-166). Recuperado


de https://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2538/lib/unadsp/reader.action?
ppg=127&docID=4499427&tm=1547220910363

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