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JFET
Presentado a:
JAIRO LUIS GUTIERREZ
Tutor
Entregado por:
CESAR AUGUSTO SANCHEZ SANCHEZ
Código: 86072520
JESUS ALFONSO MANRIQUE ARDILA
1122126788
JUAN CARLOS PAVA
Código. 1105673775
MARIED FERNANDA ESLAVA ARROYAVE
Código: 1.121.948.379
Grupo: 243006A_611
Individuales:
Fuente Autor.
1. Fundamentación Teórica:
Argumentación.
(Segunda Semana).
-Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor
de RG debe ser alto?
-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
Estudiante 1. Juan carlos pava
RD = 3.33 k
Como podemos ver este transistor es de canal n, y con un Vgs off maximo
de valor negativo, lo que nos dice que es de polarizacion inversa, quiere
decir que actuara como un circuito abierto entre la fuente y el drenaje
cuando Vgs=-8.
V GS 15 v
RGS= = =75 Mhom
I GSS 2.1∗10−7 A
Entonces si le damos a Rg un valor relativamente bajo esto haría que Rgs,
que esta en paralelo se divida causándonos un circuito casi que cerrado y no
funcionaria correctamente nuestro amoplisicador, por eso el valor de Rg
debe estar cerca al valor que tendrá Rgs con respecto a la señal de entrada.
Esto hallamos con la anterior ecuación pero esta vez usando el valor de
nuestra señal de entrada.
V 0.3 v
RGS= GS = =1.5 Mhom
I GSS 2.1∗10−7 A
C1 y C 2
1
X C=
2 π∗f∗c
1
X C= −6
=15.91Ω
2 π∗1000 Hz∗10∗10 μF
C3
1
X C=
2 π∗f∗c
1
X C= =1591.54 Ω
2 π∗1000 Hz∗0.1∗10−6 μF
Estudiante 5
Solución.
(Tercera semana)
Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en
la que se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.