UNIDADE II - Ee PDF

PUCMINAS – Pontifícia Universidade Católica de Minas Gerais
Instituto Politécnico – IPUC

Curso: Eng. Elétrica
Prof. Flávio Maurício de Souza
NOTAS DE AULAS
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA I
UNIDADE II – CONVERSORES CC/CA

INVERSORES

2/2017
1
2.1 - GENERALIDADES SOBRE CONVERSORES CC/CA
A função de um inversor é converter um sinal contínuo de entrada para um

sinal alternado de saída de amplitude e frequência desejada.
A amplitude do sinal de saída poderá ser fixa ou variável a uma frequência
fixa ou variável.
A variação da amplitude da tensão de saída pode ser obtida pela variação da
tensão contínua de entrada mantendo o ganho do inversor constante. De
outro modo, se a tensão de entrada é fixa e não controlada, a tensão de
saída pode ser variada pela variação do ganho do inversor, que é
normalmente conseguido por um controle por modulação de largura de pulso,
PWM. O ganho do inversor pode ser definido como a razão da tensão CA de
saída pela CC de entrada.
Esta conversão, realizada por dispositivos semicondutores de potência

(tiristores e transistores) encontra vasta aplicação na atualidade como:
 Acionamento de máquinas elétricas - controle de velocidade de motores

de indução e síncronos através da variação da frequência e tensão de
alimentação;
 Transmissão de energia elétrica por corrente contínua - são utilizados

para conversão em CA nas frequências de 50 ou 60 Hz;
 Sistemas ou instalações elétricas de elevada confiabilidade - são

empregados para suprir alimentação de emergência, tendo como fonte
um conjunto de baterias (No-break e UPS);
 Aquecimento indutivo - para forjamento de peças em ferro e aço;
 Aplicações de baixa e média potência - são de grande utilidade na

alimentação de equipamentos portáteis, onde a conversão é feita a partir
de baterias de 12 ou 24 volts;
 Equipamentos que operam com tensão alternada de frequência diferente

da disponível - equipamentos aeronáuticos com frequência de 400 Hz.
A forma de onda ideal de saída deve ser senoidal. Todavia, as formas de

ondas de inversores práticos são não senoidais e contêm harmônicos. Para
aplicações de baixa e média potência, forma de onda de saída quadrada ou
quase-quadrada são aceitáveis. Porém para aplicações de altas potências,
são requeridas formas de ondas senoidais com baixa distorções.
Com a disponibilidade atual de semicondutores de potência de alta
velocidade, os harmônicos contidos na tensão de saída podem ser
minimizados ou reduzidos significativamente pelas técnicas de chaveamento.
2
2.2 - PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Os circuitos inversores ou conversores cc/ca realizam a operação inversa à

retificação, ou seja, fazem a conversão da energia elétrica sob a forma de
corrente contínua para corrente alternada. Para explicar o funcionamento
básico de qualquer conversor cc/ca, foi escolhida a topologia conhecida
como ponte H nas configurações monofásica e trifásica.
a) Inversor Monofásico em Ponte - Ponte H monofásica
O esquema de um circuito inversor em ponte é mostrado a seguir. As chaves

S1 a S4 representam tiristores ou transistores de potência (interruptores
estáticos)
Fechando e abrindo as chaves em uma sequência adequada, poderemos

obter na saída (Vo) uma forma de onda de tensão alternada.
Forma de onda de Vo:
Ou seja, durante T1  S1 e S4 fechadas e S2 e S3 abertas

E durante T2  S1 e S4 abertas e S2 e S3 fechadas
Se desejarmos obter uma tensão senoidal em uma determinada frequência e

amplitude, basta projetarmos o filtro adequado.
3
Naturalmente, quando substituirmos as chaves por tiristores deve-se associar

a eles os circuitos de comutação forçada, procedimento que não é necessário
ao utilizar transistores.
A escolha entre a utilização do tiristor ou do transistor nos circuitos
inversores, deve estar fundamentada em fatores tais como, frequência de
operação, facilidade de comutação, potência convertida, custo por KW
convertido e forma de onda desejada de saída.
Com o objetivo de ilustrar o funcionamento descrito acima utilizaremos o

software PSIM para simular a ponte H monofásica. Os arquivos criados com
esta finalidade tem os seguintes nomes: Inversor_mono_smorto_s_filtro 1. e
Inversor_mono_c_filtro 2.
1º EXERCÍCIO
Determine a expressão de VORMS em função de E
Operação com tempo morto - Tm
O Tm é definido pelo intervalo de tempo durante o período de funcionamento

do inversor no qual todos interruptores estão abertos. O valor eficaz da
tensão de saída do inversor pode variar em função de Tm.
Observe a figura abaixo que é a tensão de saída de uma ponte H monofásica
com tempo morto, Tm.
4
2º EXERCÍCIO
Para T1=T2, provar que VORMS = E √2𝐷

𝑇1
Onde D = (ciclo de trabalho)
𝑇
Ou em termos de diagrama de blocos
Também com o mesmo objetivo de ilustrar o funcionamento descrito acima

utilizaremos o software PSIM para simular a ponte H monofásica com tempo
morto. Os arquivos criados com esta finalidade tem o seguinte nome:
inversor_mono_morto_c_filtro 3
b) Inversor Trifásico – Ponte H trifásica
5
Funcionamento: Comando 180
Para tensão simétrica na saída cada chave fecha 60 após a outra
permanecendo neste estado durante ½ período (180).
Este procedimento garante que as chaves S1 e S4, S3 e S6, S5 e S2 não são

fechadas simultaneamente (curto na fonte).
Formas de onda:
6
Determinação da tensão fase-neutro:
 Circuito Equivalente - 0 a 60
VRN = ?
Req = r//r+r = (r/2) + 2 = (3/2).r
I = E / (3r/2) = (2E / 3r)
VRN = I .( r/2) = (2E / 3r) . r/2
VRN = E/3
 Circuito Equivalente - 60 a 120
VRN = (2.E)/3
VRN = E/3
7
VRN = - E/3
3º EXERCÍCIO
Complete a análise
VRN = ?
VRN = ?

utilizaremos o software PSIM para simular a ponte H trifásica. O arquivo
criado com esta finalidade tem o seguinte nome: Inversor_tri_smorto 4
2.3 - TÉCNICAS DE CONTROLE DA TENSÃO E FREQUÊNCIA DE SAÍDA
a) Introdução
Como dito anteriormente, a tensão de saída CA do inversor pode ter a

amplitude e/ou a frequência, fixas ou variáveis. Caso o inversor apresente as
duas grandezas, constantes é conhecido com CVCF (tensão constante,
frequência constante). Se forem variáveis, é chamado de VVVF (tensão
variável, frequência variável).
A necessidade do controle da tensão produzida pelo inversor ocorre

principalmente quando são utilizados no controle de velocidade de motores
de indução ou motores síncronos. Em tais aplicações, quando a frequência
aumenta, para aumentar a rotação do motor, é necessário um aumento
proporcional na tensão, a fim de manter uma densidade de fluxo magnético
8
constante nos enrolamentos da máquina. Se isso não ocorresse, sua

capacidade de acionamento, torque, seria sensivelmente reduzida, uma vez
que em frequências mais elevadas, a maior reatância apresentada pelos
enrolamentos provoca uma redução da corrente sobre os mesmos. Um efeito
contrário ocorreria com a redução da frequência. Dessa forma, quando os
inversores são utilizados para o controle de velocidade de motores de
indução, é imprescindível manter constante a relação tensão/freqüência do
sinal de saída.
Para melhor demonstrar as técnicas de controle da tensão e frequência da

onda de saída em inversores, observe a figura abaixo, onde está
representado o esquema simplificado de um inversor industrial utilizado para
acionamento de motores de indução assíncronos, tipo gaiola.
A corrente alternada da rede é retificada por um conversor cc/ca e a seguir as

ondulações são filtradas por um circuito de filtro. O circuito inversor converte
novamente a corrente para alternada com frequência e amplitude ajustadas
através do regulador.
O inversor produz um sinal alternado com frequência e potencial variáveis,

através do chaveamento dos interruptores estáticos de potência (transistores
ou tiristores). O período deste ciclo de chaveamento define a frequência de
saída. Este período é controlado pelo regulador microprocessado, que calcula
o valor correspondente à frequência de saída desejada.
Uma vez definida a frequência de saída, resta definir o valor da sua amplitude
(valor eficaz). Esta variação produzida pelos inversores pode ser conseguida
pelos seguintes processos:
 controle da tensão produzida pelo inversor - ajuste na saída

 controle da tensão CC que alimenta o inversor - ajuste na entrada
9
 controle da tensão através de técnicas de chaveamento - ajuste

dentro do próprio inversor - técnica PWM
A técnica mais adequada e, portanto mais utilizada é a PWM sendo assim

será estudada detalhadamente nos próximos itens.
b) Técnica PWM
Definições
É uma técnica de modulação onde um sinal modulador (aR) e um sinal

portador (aC) são comparados. O resultado da comparação gera os sinais de
comando para os transistores ou interruptores estáticos (Ie´s) que compõem
o inversor.
A freqüência do sinal aR deve ser a mesma freqüência do sinal alternado
desejado na saída isto é, a freqüência de aR determina a freqüência do sinal
de saída. Por outro lado a freqüência do sinal aC determina a freqüência de
1
chaveamento, fs ( fs=𝑇 ) dos pulsos de comando aplicados aos Ie´s. A
𝑆
𝑨𝑹
amplitude (ou valor eficaz) do sinal de saída depende da relação: M = ,
𝑨𝑪
onde M é denominado de índice de modulação. AR e AC representam a
amplitude dos respectivos sinais.
Tipos
 PWM pulso único ou pulso simples
Caracterização:
 O comando dos Ie´s estáticos é gerado por comparação de um

sinal de referência retangular com amplitude aR com uma onda
10
portadora triangular com amplitude aC. Ambas com a mesma

freqüência;
 A amplitude de aR é sempre menor que a amplitude de aC

Então: 0 < M < 1;
 A variação da freqüência do sinal de saída pode ser obtida com

a variação da freqüência de aR;
 A variação da amplitude (valor RMS) do sinal de saída é obtida

pela variação do índice M. Normalmente aC tem amplitude fixa e
portanto, a variação da amplitude de aR implica na variação de
M e conseqüentemente na variação de VORMS.
Exemplo de geração do comando PWM para uma ponte H monofásica
11
𝜋 ∆
1 +
VORMS=√2𝜋 ∫ 2 2
𝜋 ∆ 𝐸2 𝑑𝜔𝑡
−
2 2
1 1
VORMS = √𝜋 𝐸2 ∆ ou VORMS = 𝐸√𝜋 ∆
𝐴𝐶 𝜋 𝐴𝐶 −𝐴𝑅
= ∆ = 𝜋 ou ∆ = (1 − 𝑀) 𝜋
𝐴𝐶 −𝐴𝑅 ∆ 𝐴𝐶
Onde  é a largura do pulso
12
Finalmente,
VORMS = E√1 − 𝑀

utilizaremos o software PSIM para simular a ponte H monofásica com
comando PWM pulso único. O arquivo criado com esta finalidade tem o
seguinte nome: inv_mono_pwmunico_novo 5
4º EXERCÍCIO
Considerando a ponte H abaixo com a representação do comando aplicado aos Mosfets,

Pede-se:
a) Desenhe a forma de onda de tensão obtida na saída
b) Determine o VORMS para AR = 3 Volts e AC = 5 Volts
Resposta: VORMS = 63,24 V
13
FATOR DE DISTORÇÃO HARMÔNICA TOTAL – THD
É a razão da soma de todas as componentes harmônicas pela componente

fundamental.
Em termos de potência pode ser expresso em porcentagem ou dB

(atenuação)
∑ 𝑝𝑜𝑡ê𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑜𝑠 ℎ𝑎𝑟𝑚ô𝑛𝑖𝑐𝑜𝑠

THD = 𝑥 100%
𝑝𝑜𝑡ê𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑎 𝑓𝑢𝑛𝑑𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙
Em termos de tensão eficaz
∑ 𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 𝑑𝑒 𝑡𝑜𝑑𝑜𝑠 𝑜𝑠 ℎ𝑎𝑟𝑚ô𝑛𝑖𝑐𝑜𝑠

THD = 𝑥 100%
𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 𝑑𝑎 𝑓𝑢𝑛𝑑𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙
Assim,
𝑃2+𝑃3+𝑃4+⋯+𝑝𝑛
THD = 𝑋 100%
𝑃1
Ou
𝑉22 +𝑉32 +𝑉42 +⋯+𝑉𝑛2

THD = 𝑥 100%
𝑉12
Vn significa o valor RMS do enésimo harmônico onde n=1 indica o harmônico

fundamental ou 1oharmônico.
Ou
√ 𝑉2+𝑉2 𝑉2 𝑉2
2 3+ 4+⋯ 𝑛
THD = x100%
𝑉1
2 −𝑉 2
√𝑉𝑟𝑚𝑠 1𝑟𝑚𝑠
THD = x100%
𝑉1𝑟𝑚𝑠
Onde VRMS é a soma dos valores RMS de todas as harmônicas (TRUE RMS)
e V1RMS é o valor RMS da 1º harmônica
Valor ideal: THD = 0%  VRMS = V1RMS onda perfeitamente senoidal.
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Uma onda quadrada como obtida em um inversor monofásico com comando

pwm pulso único pode ser expandida empregando a série de Fourier da
seguinte maneira:
Onda com simetria ímpar  possui somente termos em seno e termos

impares  harmônicos pares nulos.
4𝑋 ∆
Vo(wt) = ∑∞
𝑛=1,3,5,… 𝑛𝜋 𝑆𝑒𝑛 𝑛 2 𝑆𝑒𝑛 𝑛𝜔𝑡  série de Fourier simplificada após as
considerações acima.
4𝑋 ∆
Onde ∑∞
𝑛=1,3,5,… 𝑛𝜋 𝑆𝑒𝑛 𝑛 2  Amplitude do harmônico de ordem n
5º EXERCÍCIO
Considerando os resultados do 4º exercício determine o espectro harmônico da onda de

saída até o 7º harmônico e calcule o seu THD. Comprove os resultados utilizando o PSIM.
Respostas:
n = 1  V1max =74,8v e V1RMS = 53 v
n = 3  V3max =40,4v e V3RMS = 28,55 v
n = 5  V5max =0 v e V1RMS = 0 v
n = 7  V7max = -17,3v e V7RMS = 12,23 v
THD = 65%
6º EXERCÍCIO
Determine uma expressão genérica que pode ser utilizada para eliminação de
harmônicos em função do , largura do pulso da onda de saída.
15
Resposta
 = 360°/ n ; onde n é o harmônico que se deseja eliminar
 PWM múltiplos pulsos
Em vez de reduzir a largura do pulso para controlar a tensão, a saída do

inversor pode ser rapidamente comutada para os estados ligado e
desligado por diversas vezes durante cada semiciclo para fornecer um
trem de pulsos de amplitude constante.
Características:
- Redução do THD;
- A freqüência do sinal de referência, fR estabelece a freqüência de

saída, fO;
- A freqüência da portadora, fC determina o n° de pulsos por

semiciclos, p;
- M controla o VORMS de saída
Exemplo:
Ponte H monofásica, p = 2
16
𝜋 ∆
1 +
VORMS=√2𝜋 2 ∫𝜋4 ∆
2
𝐸2 𝑑𝜔𝑡
−
4 2
2
VORMS = 𝐸√𝜋 ∆
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6º EXERCÍCIO
Refaça o diagrama para obter 3 pulsos por semiciclos, ou seja p=3
Pela análise dos dois diagramas, pode-se concluir:

𝑇
p = 2𝑇𝑅
𝐶
𝜋
e ∆= (1 − 𝑀) 𝑝
∆
VORMS = E√𝑝 𝜋 ou VORMS = E√1 − 𝑀
Observações:
- Mesma expressão para PWM pulso simples ou único
- Para o mesmo valor de M  Mesmo valor de VORMS,
- THD menor.
Também com o objetivo de ilustrar o funcionamento descrito acima

utilizaremos o software PSIM para simular a ponte H monofásica com
comando PWM pulsos múltiplos. O arquivo criado com esta finalidade tem o
seguinte nome: inv_mono_pwmmultiplo 6.
Observação: Um número elevado de pulsos em um ciclo pode aumentar o

número de harmônicos de ordem superior, as quais são muito mais simples
para filtrar que as harmônicas de ordem inferior, além disso, uma carga
indutiva atenua radicalmente essas harmônicas.
7º EXERCÍCIO
Um inversor monofásico em ponte (ponte H) controla a potência em uma carga resistiva. O

valor nominal da fonte de tensão contínua de entrada é 220 Volts sendo utilizado um
comando PWM com 5 pulsos por semiciclos. Para o controle de potência necessário, a
largura de cada pulso é de 30°. Pede-se:
a) Determine o valor de VORMS ;
b) Se a tensão contínua de entrada aumentar 10%, determine a largura do pulso para
manter a mesma potência na carga;
c) Se a largura máxima possível do pulso for de 35°, determine o limite mínimo
permissível da fonte contínua de entrada.
RESPOSTAS:
a) VORMS = 200,8 volts
b)  = 24,8°
c) E = 203,64 V
18
 PWM senoidal – SPWM
Características:
 Em vez de manter constante a largura de todos os pulsos como no
PWM múltiplos, ela é variada proporcionalmente a amplitude de uma
onda senoidal.
 Os sinais de comando são gerados através da comparação de um
sinal de referência senoidal com uma onda portadora triangular.
 A frequência da senóide define a frequência desejada na saída (60 Hz,
geralmente);
 A frequência da onda triangular é normalmente acima de 20 KHz
Tipos:
SPWM a dois níveis

 É a técnica mais simples e mais fácil de se implementar.
 Nesta técnica segue-se a regra (em relação a ponte H monofásica):
Vseno> Vtri  S1 e S4 fechados

Vseno< Vtri  S2 e S3 fechados
 A primeira componente harmônica (além da fundamental) aparece

em torno da frequência de chaveamento;
 Quanto maior a frequência de chaveamento, menor será o filtro LC
de saída, mas as perdas em comutação dos transistores
aumentarão.
Exemplo:
Ponte H com Mosfet e comando SPWM a dois níveis
19
Arquivo do PSIM para simulação: inv_mono_pwmsenoidal_2ni 7
20
SPWM a três níveis
 A implementação desta técnica é mais complexa do que a anterior;

 A primeira componente harmônica(além da fundamental) aparece em
torno do dobro frequência de chaveamento;
 O filtro de saída requerido é menor;
 Há necessidade de geração de duas senóides defasadas de 180°
entre si;
 A triangular gerada é única para as duas senóides;
 Cada senóide gera sinais complementares para cada braço;
 Para a mesma frequência de chaveamento utilizada no SPWM a dois
níveis o número de pulsos aparece dobrado;
 Possibilidade de construção de filtros menores sem aumento das
perdas de comutação nos transistores;
Exemplo:
Ponte H com Mosfet e comando SPWM a três níveis
Arquivo do PSIM para simulação: inv_mono_pwmsenoidal 8
21
22
FILTRAGEM DA TENSÃO DE SAÍDA
 Independentemente do tipo de comando PWM aplicado, a forma de

onda de saída de um inversor é constituída de pulsos retangulares 
grande distorção harmônica  necessidade de utilização de filtros para
diminuir ou eliminar as componentes harmônicas indesejadas.
 Desde que seja feita de forma adequada, a modulação PWM não

introduz frequências harmônicas inferiores à fundamental  o tipo de
filtro mais adequado aos inversores é o passa-baixas (filtro LC passa-
baixas)  eliminação das frequências harmônicas superiores à
fundamental.
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 Fatores importante para o projeto do Filtro

o Frequência de corte
o Regulação de tensão
o Corrente a vazio
 Frequência de corte
Deve ser a mais baixa possível porém superior à frequência de saída
para que o filtro não atenue a própria tensão de saída.
 Projeto do filtro
1
𝑣𝑜(𝑠) 𝐿𝐶
=
𝑣𝑖(𝑠) 1 1
𝑆 2 + 𝑅𝐶 𝑆 + 𝐿𝐶
𝑣𝑜(𝑠) 𝜔𝑜2
= 𝑆 2 +2𝜀𝜔𝑜𝑆+ 𝜔𝑜2
𝑣𝑖(𝑠)
Por comparação
1
 𝜔𝑜 =  Frequência de corte (radianos)
√𝐿𝐶
𝜔𝑜
Ou 𝑓𝑜 =  Frequência de corte (hertz)
2𝜋
1 1 1
 2𝜀𝜔𝑜 = 𝑅𝐶
𝜀= 2𝜔𝑜𝑅𝐶
ou 𝜀 = 2𝑅𝐶
√𝐿𝐶 ou ainda
24
1 𝐿
 𝜀 = 2𝑅 √𝐶
  Fator de amortecimento
0,7<  < 1  valor prático

1
 𝐶= 2𝑅𝜀𝜔𝑜
1
 𝐿= 𝜔𝑜2 𝐶
2.4 – PONTE H MONOFÁSICA ALIMENTANDO CARGA R+L
FUNCIONAMENTO
1ª ETAPA – Acionamento de T1 e T4
A corrente io que circula pela carga tem comportamento exponencial

crescente a uma taxa dada pela constante de tempo da carga  = L/R.
Nesta etapa a tensão de saída é igual a +E.
Cortando T1 e T4 e em seguida acionando T2 e T3 inicia-se a 2ª etapa
2ª ETAPA – Condução de D2 e D3
Mesmo com o acionamento de T2 e T3 eles não irão conduzir

imediatamente porque a corrente na carga não pode se inverter
instantaneamente (presença de indutância). Este fato leva os diodos D2 e
D3 a ficarem polarizados diretamente e conseqüentemente a entrarem
25
em condução. A corrente na carga decresce exponencialmente, mas

continua circulando no mesmo sentido, porém agora fluirá em direção a
fonte E. Este ciclo é denominado de recuperação de energia, pois o fluxo
de energia não é mais da fonte para a carga e sim da carga para a fonte.
Os diodos são denominados de “diodos de recuperação”.
Quando a corrente na carga zerar, D2 e D3 cortarão e T2 e T3
conduzirão iniciando a 3ª etapa.
3ª ETAPA – Condução de T2 e T3
A corrente io circula pela carga agora em sentido contrário em relação a 1ª

etapa e também tem comportamento exponencial crescente a uma taxa dada
pela constante de tempo da carga  = L/R. Nesta etapa a tensão de saída é
igual a -E.
Cortando T2 e T3 e em seguida acionando novamente T1 e T4 inicia-se a 4ª
etapa
26
4ª ETAPA – Condução de D1 e D4
Mesmo com o novo acionamento de T1 e T4 eles não irão conduzir

imediatamente porque a corrente na carga não pode se inverter
instantaneamente (presença de indutância). Este fato leva os diodos D1 e D4
a ficarem polarizados diretamente e conseqüentemente a entrarem em
condução. A corrente na carga decresce exponencialmente, mas continua
circulando no mesmo sentido, porém agora fluirá em direção a fonte E. Este
ciclo também é denominado de recuperação de energia, pois o fluxo de
energia não é mais da fonte para a carga e sim da carga para a fonte. Os
diodos são denominados de “diodos de recuperação”.
Quando a corrente na carga zerar, D1 e D4 cortarão e T1 e T4 conduzirão
reiniciando o ciclo de funcionamento (1ª etapa).
FORMAS DE ONDAS
27
28
2.5 - CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES DE POTÊNCIA – BJT,

MOSFET e IGBT
a) Transistor bipolar de potência
Durante muito tempo o transistor bipolar foi o único transistor de potência

disponível, tendo sido fabricados BJTs para suportar até 1400V e 600A,
aproximadamente. Com o surgimento dos transistores MOSFET de
potência e IGBT, seu uso em conversores estáticos vem se reduzindo
gradativamente: hoje os transistores bipolares somente competem com os
MOSFETs em aplicações de baixa potência e tensões acima de 400 ou
500V, devido ao seu menor custo. De qualquer forma, é importante
conhecer o dispositivo em função do grande número de equipamentos
ainda em operação que o utilizam.
O símbolo do transistor bipolar de potência juntamente com sua

característica estática idealizada estão mostrados na figura abaixo.
iC iC
C
ON ON/OFF
B +v
- CE 0
v CE
iB OFF
a) BJT b) Característica Estática
O BJT é um dispositivo de três camadas (N-P-N ou P-N-P) controlado por

corrente: a corrente de base é utilizada para variar a corrente de coletor,
que é a corrente principal (corrente de carga). Os transistores NPN de
potência são os mais utilizados, tanto por serem mais rápidos como por
atingirem maiores especificações de tensão e corrente.
Como pode ser observado na característica v x i, o BJT somente é capaz

de bloquear tensões positivas e somente pode conduzir correntes
positivas. A aplicação de tensão negativa VCE leva à destruição do
componente. A queda de tensão direta no estado de condução vCE(sat) é
pequena, tipicamente de 1V a 3V.
Para ser utilizado como chave nos conversores estáticos, a corrente de

base deve ser suficientemente grande para fazer com que o BJT entre na
região de saturação (chave ligada), ou suficientemente pequena (na
realidade negativa) para provocar o corte do BJT (chave desligada).
29
O desligamento do BJT é realizado forçando-se uma corrente negativa na

base (através da aplicação de tensão negativa). A corrente negativa na
base é essencial para garantir um desligamento rápido. Se a corrente de
base fosse apenas anulada, o tempo de desligamento seria
excessivamente elevado. Além disso, mantendo tensão negativa na junção
base–emissor a capacidade de bloqueio de tensão coletor–emissor é
aumentada. Entretanto, uma corrente negativa excessiva pode provocar o
aparecimento de uma "cauda" na forma de onda da corrente no processo
de desligamento, o que eleva consideravelmente as perdas por
chaveamento.
A corrente mínima de base para o ligamento depende da corrente de
coletor a ser conduzida, de acordo com a relação: I C  H FE  I B , onde HFE
é o ganho de corrente DC do BJT. A corrente de base deve ser mantida
continuamente para que o dispositivo mantenha seu estado de condução.
Um dos maiores problemas do BJT de potência o HFE é baixo, tipicamente
de 3 a 10 nos BJTs de maior potência, o faz com que os circuitos de
acionamento de base tenham que fornecer correntes consideráveis,
elevando o custo do sistema.
Por isso, às vezes é utilizada a conexão "Darlington" onde o HFE total é
aumentado às custas de uma menor velocidade de desligamento e de uma
maior queda de tensão direta vCE(sat). Os transistores darlington que são
construídos num único cristal semicondutor são chamados "darlingtons
monolíticos".
C
iC
B
iB +v
- CE
O diodo mostrado na figura é normalmente utilizado para permitir a

circulação da corrente negativa na junção base-emissor do transistor
principal durante o desligamento.
A maior parte das perdas por chaveamento do BJT ocorre durante o
desligamento, mais especificamente durante o tfi, ou tempo de queda da
corrente. Esse é um importante parâmetro a ser observado na escolha de
um BJT em aplicações de chaveamento.
30
As curvas de operação segura (SOA – "Safe Operating Area") de um

transistor indicam os limites IC x VCE que devem ser observados para um
funcionamento confiável, isto é, o transistor não deve ser submetido a
condições de IC e VCE que extrapolem o limite imposto pelas curvas SOA.
Para transistores bipolares normalmente são especificadas duas SOAs: a
FBSOA – "Forward Bias SOA" ou área de operação segura no ligamento, e
a RBSOA – "Reverse Bias SOA", ou área de operação segura no
desligamento.
As especificações de operação segura vêm em forma de um gráfico IC x

VCE contendo diversas curvas, cada uma válida para dada duração do
pulso.
A região de operação segura dos BJTs é limitada pelas curvas de corrente
máxima de coletor, potência máxima dissipada, tensão de ruptura e tensão
de ruptura secundária - "second breakdown", que é inferior ao valor da
tensão de ruptura primária. O fenômeno de segunda avalanche é típico
dos BJTs, e ocorre devido a pontos sobreaquecidos causados pelo rápido
crescimento da corrente de coletor sob condições de elevadas tensões, e
esses pontos causam a falha do dispositivo.
IC
IC M
10us
100us
1ms
DC
VCE
VCEO
Para fins ilustrativos a tabela abaixo traz os dados de alguns transistores

bipolares de potência.
Tabela
Código VCEV IC hFE VCE(sat) tc
/VCEX
BUV48A 1000V 15A 8 2V 600ns
BUL45F 700V 5A 14 0.25V 350ns
Darlingtons
MJ10023 600V 40A 50 2,2V 2s
31
b) Transistor MOSFET de potência
MOSFETs (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) com consideráveis

capacidades de condução de correntes e bloqueio de tensão surgiram no
início dos anos 80. Eles se tornaram largamente utilizados, e vêm
substituindo os BJTs em inúmeras aplicações, especialmente nas de alta
frequência. Isto porque os MOSFETs, ao contrário dos BJTs, são
dispositivos de portadores majoritários, o que lhes confere uma velocidade
dezenas de vezes maiores. Aliás, os MOSFETs são os mais rápidos
transistores de potência hoje disponíveis, possuindo baixas perdas por
comutação. Além disso, necessitam de muito pouca potência no terminal
de controle. A Figura abaixo mostra o símbolo do MOSFET e sua
característica estática v x i idealizada.
iD iD iD
D D
+ - ON ON/OFF
vDS vDS v DS
G G
0
+
vGS - -
vGS + + OFF
-
S S
a) MOSFET (canal N) b) MOSFET (canal P) c) Característica Estática
Os três terminais do MOSFET são o gate (G), dreno (D), e source (S),
também chamados porta, dreno, e fonte. Os MOSFETS de canal N são os
mais utilizados e os que possuem as maiores capacidades de tensão e
corrente.
É importante notar que, devido ao processo de fabricação do MOSFET de
potência, existe um diodo "parasita" entre os terminais dreno e source.
Esse diodo, conhecido como diodo de corpo ("body diode") ou diodo
intrínseco, possui características de um diodo PN rápido (mas não ultra-
rápido), e pode ser útil como proteção do dispositivo ou pode entrar na
constituição do circuito de potência de muitos conversores estáticos,
tomando parte no processo de funcionamento.
Uma grande vantagem do MOSFET é ser um dispositivo controlado por
tensão isto é, a corrente de carga (de dreno) pode ser variada através da
tensão gate-source, que atua abrindo ou fechando o canal (devido ao
efeito de campo), ou seja, a resistência rDS é controlada pela tensão VGS.
32
Daí o fato de quase nenhuma potência ser necessária para comandar o

MOSFET: no ligamento basta apenas carregar a capacitância gate-source,
e descarregá-la no desligamento. Apenas flui corrente no terminal de gate
quando o dispositivo está sendo ligado ou desligado, o que equivale dizer
que o dispositivo possui alta impedância de entrada. Desta forma, os
circuitos de acionamento de gate dos MOSFETs de potência são mais
simples e mais baratos do que aqueles utilizados nos BJTs.
A tensão de limiar VGS(th) é aquela abaixo da qual o MOSFET entra na

região de corte. Aumentando progressivamente VGS acima da tensão de
limiar, o MOSFET entra na região linear e posteriormente na região de
saturação, na qual aumentos em VGS não provocam alterações
significativas na corrente de dreno. O valor da resistência dreno-source
rds(on) é definido na região de saturação. Valores típicos de VGS para o
funcionamento como chave são 0 e 15V ou –15 e +15V, de modo a operar
em corte e saturação, respectivamente. Tipicamente a junção gate-source
não suporta valores maiores do que +20V ou menores do que –20V.
Construtivamente, à medida que a capacidade de bloqueio de tensão
aumenta, a resistência rds(on) também aumenta, de forma que os MOSFETs
com maior capacidade de condução de corrente (menor rds(on)) possuem
pequena capacidade de bloqueio de tensão. Desta forma, as perdas por
condução podem atingir valores elevados nos MOSFETs de maior tensão
devido ao alto valor de rds(on).
Existem MOSFETs com de rds(on) tão reduzidos quanto 5m.
O coeficiente de temperatura dos MOSFETs é positivo, de forma que a

ligação de vários dispositivos em paralelo é possível e até muito comum.
Assim como nos transistores bipolares, as regiões de operação segura –
SOAs – também são especificadas para os MOSFETs. As folhas de dados
do componente geralmente somente trazem a FBSOA, uma vez que a
RBSOA é a mesma.
Para fins ilustrativos a tabela abaixo traz os dados de alguns transistores
MOSFETs de potência.
Tabela
Código rds(on) V(BR)D ID PD tf
SS
IRF3205 0.008 55V 90A 150W 70ns

BUZ32 0.4 200V 9.5A 75W 35ns
IRF840 0.85 500V 8A 125W 30ns
33
IRFP460 0.27 500V 20A 280W 58ns

MTP3N100 4 1000V 3A 125W 55ns
34
c) Transistor bipolar de gate isolada – IGBT
O surgimento do "Insulated Gate Bipolar Transistor" – IGBT – no final dos

anos 80 representou um enorme avanço na área da eletrônica de potência.
Embora com velocidades menores do que as do MOSFET, o IGBT é mais
rápido do que o transistor bipolar, e pode controlar potências muito mais
elevadas do que o MOSFET. Há disponíveis hoje IGBTs com capacidades
de tensão de 1700V e 600A, e mais recentemente dispositivos de 3,3kV e
1000A. Os tempos de comutação variam desde 0,2s nos IGBTs de menor
potência até 2s nos de maior potência, aproximadamente.
A Figura abaixo mostra os símbolos mais usuais do IGBT, juntamente com

sua característica estática idealizada.
C iC C iC iC
+ + ON ON/OFF
vCE G vCE
G v CE
+ - + - 0 OFF
vGE - vGE -
E
E
a) IGBT b) Característica Estática
Os terminais do IGBT são: gate, coletor e emissor. Como pode ser notado
nos símbolos, o IGBT, assim como o MOSFET, possui o terminal de
controle (gate) isolado, ou seja, é um dispositivo controlado por tensão.
Isto significa circuitos de acionamento de gate menores, mais simples e
mais baratos do que os utilizados nos BJTs.
Há duas tecnologias de IGBT: PT ("punch-through") e NPT ("non punch-

through"). Os IGBTs tipo PT possuem quedas de tensão vCE(sat) menores
do que os da tecnologia NPT. Por outro lado, os IGBTs NPT possuem
coeficiente de temperatura positivo, o que propicia a ligação em paralelo.
Além disso, possuem capacidade de bloqueio de tensão em ambos os
sentidos, o que não ocorre nos IGBTs da tecnologia PT. Normalmente os
catálogos dos fabricantes informam qual a tecnologia utilizada.
O IGBT reúne características do transistor bipolar e do MOSFET. Na

realidade, a característica de entrada do IGBT é a mesma do MOSFET,
enquanto a característica de saída é similar à do BJT. Esta última confere
35
ao IGBT quedas de tensão coletor-emissor pequenas (1.5 a 3.5V), mesmo

nos dispositivos com maior capacidade de bloqueio de tensão.
Ao contrário do MOSFET, IGBT não possui internamente o diodo

intrínseco. Pode-se adquirir IGBTs com ou sem o diodo anti-paralelo. Por
outro lado, o IGBT possui internamente um tiristor parasita. Caso esse
tiristor entre em condução, o controle do IGBT será perdido, o que pode
levá-lo à destruição. Esse fenômeno é conhecido por "latch-up", e pode ser
provocado por excesso de corrente de coletor ou dvCE/dt excessivo. Nas
gerações atuais de IGBT esse problema foi minimizado: o latch-up
dificilmente ocorre. São os chamados "latch-up free IGBTs".
O ligamento do IGBT é feito de maneira similar à do MOSFET: deve-se

carregar a capacitância gate-emissor com uma tensão suficiente. O
desligamento é efetuado fazendo-se VGE inferior ao valor de limiar VCE(th).
Normalmente se utilizam as tensões 0 e 15V ou –15 e +15V para efetuar o
comando do IGBT.
No IGBT, não há o fenômeno de segunda avalanche ("second breakdown")

como nos BJTs, o que aumenta a área de operação segura (SOA). Além
das áreas de operação segura FBSOA e RBSOA, é também comum a
apresentação da SCSOA – "Short Circuit SOA" ou área de operação
segura em curto circuito. Esse diagrama é útil no dimensionamento da
proteção do IGBT. O formato quadrado das curvas de SOA do IGBT
permitem muitas vezes a operação sem snubbers, o que simplifica os
circuitos. A capacidade de suportar pulsos de corrente é maior do que a do
MOSFET, o que é um outro fator que faz o uso de snubbers desnecessário
em muitas aplicações.
Os IGBTs são os dispositivos mais utilizados em inversores e choppers de

pequena e média potência, existindo módulos de IGBTs com uma ponte
trifásica completa integrada, além de módulos meia-ponte ("half- bridge"),
etc. Esses módulos facilitam a montagem e levam a indutâncias parasitas
menores, entretanto, caso um dos IGBTs se danifique, todo o módulo é
perdido. Há também os chamados IPMs – módulos de potência
inteligentes ("Inteligent Power Modules"), que integram o circuito de
potência, circuitos de proteção e os drives de gate dos IGBTs.
Para fins ilustrativos a tabela a seguir traz os dados de alguns transistores

IGBTs.
36
Código VCES IC @ (oC) VCE(o PD E(on)+E(off)

n) @25oC
IRG4BC30W 600V 12A 2.7V 100W 0.35mJ
@100oC
IRG4PC50KD 600V 30A 1.84 104W 3.0mJ
@100oC V
IRG4PH50KD 1200V 24A 2.77 200W 8.36mJ
@100oC V
APT60GF120JRD 1200V 60A 4.1V 520W 19mJ
@90oC
SKM500GA123D 1200V 400A 3.7V 2700W 53mJ
@80oC
CM1200HB-66H 3300V 1200A 3.6V 15630
@25oC W
D) COMPARAÇÃO ENTRE OS INTERRUPTORES ESTÁTICOS DE POTÊNCIA
Para cada aplicação há uma chave eletrônica de potência que é mais

indicada, oferecendo uma melhor performance. A Figura abaixo mostra as
aplicações dos dispositivos de potência escalonados em função da
frequência de trabalho e da potência envolvida.
37
A tabela abaixo efetua uma comparação entre os interruptores de potência

controláveis
MOSFET IGBT BIPOLAR GTO

COMANDADO TENSÃO TENSÃO CORRENTE CORRENTE
POR:
POTÊNCIA MÍNIMA MÍNIMA ELEVADA ELEVADA
NECESSÁRIA
PARA
COMANDAR
CIRCUITO DE SIMPLES SIMPLES COMPLEXO MUITO
DISPARO COMPLEXO
elevadas
correntes de elevados
base positivas e pulsos de
negativas corrente
positivas e
negativas
CAPACIDADE ELEVADA MÉDIA/ALTA MÉDIA MUITO ALTA
DE em baixas
pequeno severo
CORRENTE tensões
compromisso compromisso
BAIXA em com os tempos com os tempos
altas tensões de comutação de comutação
PERDAS POR MUITO BAIXA/MÉDIA MÉDIA/ALTA ALTA
COMUTAÇÃO BAIXAS
depende do depende do
compromisso compromisso
com as perdas com as perdas
de condução de condução
VELOCIDADE MUITO ALTA ALTA MÉDIA/ALTA BAIXA
DE
CHAVEAMEN
TO
38

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PUCMINAS – Pontifícia Universidade Católica de Minas Gerais

Instituto Politécnico – IPUC

UNIDADE II – CONVERSORES CC/CA

Prof. Flávio Maurício de Souza

2.1 - GENERALIDADES SOBRE CONVERSORES CC/CA

A função de um inversor é converter um sinal contínuo de entrada para um

Esta conversão, realizada por dispositivos semicondutores de potência

 Acionamento de máquinas elétricas - controle de velocidade de motores

 Transmissão de energia elétrica por corrente contínua - são utilizados

 Sistemas ou instalações elétricas de elevada confiabilidade - são

 Aquecimento indutivo - para forjamento de peças em ferro e aço;

 Aplicações de baixa e média potência - são de grande utilidade na

 Equipamentos que operam com tensão alternada de frequência diferente

A forma de onda ideal de saída deve ser senoidal. Todavia, as formas de

2.2 - PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

Os circuitos inversores ou conversores cc/ca realizam a operação inversa à

a) Inversor Monofásico em Ponte - Ponte H monofásica

O esquema de um circuito inversor em ponte é mostrado a seguir. As chaves

Fechando e abrindo as chaves em uma sequência adequada, poderemos

Forma de onda de Vo:

Ou seja, durante T1  S1 e S4 fechadas e S2 e S3 abertas

Se desejarmos obter uma tensão senoidal em uma determinada frequência e

Naturalmente, quando substituirmos as chaves por tiristores deve-se associar

Com o objetivo de ilustrar o funcionamento descrito acima utilizaremos o

Determine a expressão de VORMS em função de E

Operação com tempo morto - Tm

O Tm é definido pelo intervalo de tempo durante o período de funcionamento

Para T1=T2, provar que VORMS = E √2𝐷

Ou em termos de diagrama de blocos

Também com o mesmo objetivo de ilustrar o funcionamento descrito acima

b) Inversor Trifásico – Ponte H trifásica

Funcionamento: Comando 180

Este procedimento garante que as chaves S1 e S4, S3 e S6, S5 e S2 não são

Determinação da tensão fase-neutro:

 Circuito Equivalente - 0 a 60

Req = r//r+r = (r/2) + 2 = (3/2).r

I = E / (3r/2) = (2E / 3r)

VRN = I .( r/2) = (2E / 3r) . r/2

 Circuito Equivalente - 60 a 120

 Circuito Equivalente - 120 a 180

 Circuito Equivalente - 180 a 240

 Circuito Equivalente - 240 a 300

 Circuito Equivalente - 300 a 360

Também com o mesmo objetivo de ilustrar o funcionamento descrito acima

2.3 - TÉCNICAS DE CONTROLE DA TENSÃO E FREQUÊNCIA DE SAÍDA

Como dito anteriormente, a tensão de saída CA do inversor pode ter a

A necessidade do controle da tensão produzida pelo inversor ocorre

constante nos enrolamentos da máquina. Se isso não ocorresse, sua

Para melhor demonstrar as técnicas de controle da tensão e frequência da

A corrente alternada da rede é retificada por um conversor cc/ca e a seguir as

O inversor produz um sinal alternado com frequência e potencial variáveis,

 controle da tensão produzida pelo inversor - ajuste na saída

 controle da tensão através de técnicas de chaveamento - ajuste

A técnica mais adequada e, portanto mais utilizada é a PWM sendo assim

É uma técnica de modulação onde um sinal modulador (aR) e um sinal

 PWM pulso único ou pulso simples

 O comando dos Ie´s estáticos é gerado por comparação de um

portadora triangular com amplitude aC. Ambas com a mesma

 A amplitude de aR é sempre menor que a amplitude de aC

 A variação da freqüência do sinal de saída pode ser obtida com

 A variação da amplitude (valor RMS) do sinal de saída é obtida

Exemplo de geração do comando PWM para uma ponte H monofásica