1.

- FUNDAMENTOS TEORICOS DE LA CONDUCCION EN

SEMICONDUCTORES:
Los semiconductores son materiales que ocupan una posición intermedia entre los aislantes y
los conductores.

Los semiconductores están hechos de Ge y Si , ya que estos elementos pueden alcanzar un

grado alto de pureza aproximadamente (1:10,000,000, 000) , porque algún indicio de impureza
puede cambiar las propiedades eléctricas del materiales volviéndole un buen conductor como
también un deficiente conductor .

En un semiconductor puro la conductividad depende de la cantidad de electrones libres y

huecos, en este caso cuando se aplica un campo eléctrico los huecos se mueven en sentido
opuesto a los electrones. En un semiconductor puro el número de huecos y electrones son
iguales a temperatura ambiente.

Los semiconductores suelen ser aislantes a cero grados Kelvin, y permiten el paso de corriente
a la temperatura ambiente. Esta capacidad de conducir corriente puede ser controlada
mediante la introducción en el material de átomos diferentes al del semiconductor,
denominados impurezas.

Un átomo de un semiconductor posee niveles de energía, en

el caso para la conducción existen dos Banda de valencia y
Banda de conducción (Para un semiconductor es 1.1 ev Si y
0.67ev Ge), entre estas bandas existe la región prohibida, para
que se dé la conducción, un electrón de valencia tiene que
alcanzar la suficiente energía para poder llegar a la banda de
conducción.

Al proceso de añadir impurezas se le llama dopado a este material se le llama extrínseco (tipo
n y tipo p), el material tipo n se forma cuando se añade elementos impuros que cuentan con
cinco electrones o pentavalentes como es el caso del arsénico, antimonio o el fósforo y el
material tipo p se forma cuando se añaden elementos con tres electrones de valencia.

FLUJO DE ELECTRONES VS FLUJO DE HUECOS:

El efecto hueco se muestra cuando un electrón adquiere suficiente energía cinética para romper
el enlace covalente llenando el vacío creado por un hueco, a la vez que hay un desplazamiento
de huecos en el sentido contrario, el material tipo n (los electrones son portadores mayoritarios
y los huecos minoritarios) y el en tipo p es todo lo contrario.

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La unión de los materiales n y p dan origen a los dispositivos semiconductores como (el diodo ,
transistor , fotorresistencia , etc) , esta unión es muy importante porque gracias a ello se puede
dar un desplazamiento de electrones y huecos , generando corriente eléctrica.

2.- VARIACIÓN DE LA RESISTENCIA DEL FILAMENTO CONDUCTOR

EN EL FOCO INCANDESCENTE:
En el caso de un foco incandescente se utiliza un filamento (Wolframio, tungsteno) con una
resistencia muy elevada que está al vacío dentro del vidrio. Cuando circula la corriente por la
resistencia, comienza el calentamiento y su respectivo aumento en la resistencia (que ya de por
si es alta). Ahí te dejo una fórmula que relaciona la resistencia con la temperatura y puedes
ponerla en práctica con cualquier elemento resistivo.

Este efecto de cambio de valor de la resistencia y la temperatura ocurre porque el foco

incandescente no es un material óhmico eso quiere decir que la relación entre el voltaje y la
cantidad de corriente no es lineal.

3.-RESISTENCIAS SEMICONDUCTORAS:
LDR:

El LDR (Light Dependent Resistor) o resistencia dependiente de la luz o también foto resistor, es
una resistencia que varía su resistencia en función de la luz que incide sobre su superficie.
Cuanto mayor sea la intensidad de la luz que incide en la superficie del LDR menor será su

resistencia y cuanto menos luz incida mayor será su resistencia.

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APLICACIONES:

Las aplicaciones prácticas son los interruptores y alarmas activados por la luz o por la oscuridad,
alarmas de barrera luminosa, alarmas de humo por reflexión, Relé controlado por luz, donde el
estado de iluminación de la fotorresistencia, activa o desactiva un Relay (relé), que puede tener
un gran número de aplicaciones, etc.

NTC:

Un termistor NTC es un resistor cuya resistencia térmicamente sensible exhibe una disminución
grande, precisa y predecible como la temperatura del núcleo de la resistencia aumenta con el
rango de temperatura de funcionamiento.

APLICACIONES:

Se utilizan para medir la temperatura, la temperatura de control y para la compensación de

temperatura. También pueden ser utilizados para detectar la ausencia o presencia de un líquido,
como dispositivos de limitación de corriente en los circuitos de suministro de energía,
monitorización de la temperatura en aplicaciones de automoción y muchos más.

PTC:

Un termistor PTC es un resistor sensible térmicamente cuya resistencia aumenta

significativamente con la temperatura.

APLICACIONES:

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Las aplicaciones prácticas son la protección contra sobre corriente, el arranque del motor,
detección del nivel del líquido, calentadores de autorregulación, etc.

5-APRECIACIONES Y CONCLUSIONES:
La conducción en los semiconductores depende mucho de la temperatura y la pureza del
material se p o n además no tienen un comportamiento lineal, esta característica influye en la
reacción de las Resistencias semiconductoras, ya que a diferencia del filamento incandescente
no solo reaccionan a la temperatura sino también a la cantidad de luz.

6.-CIRCUITOS INTEGRADOS MOC

El circuito integrado Moc es un octoacoplador, un octoacoplador es la asociación de la parte
luminosa con uno o varios receptores sensibles en un solo encapsulado Fundamentalmente
está formado por una fuente emisora de luz y una foto sensor de silicio que se adapta a la
sensibilidad espectral del emisor luminoso.

FUNCIONAMIENTO:

El octoacoplador cuenta con un led, cuando la corriente del circuito digital llega al led este se
prende emitiendo una luz infrarroja que es detectada por el foto detector, en este momento se
genera una tensión entre los bornes del foto detector, la tensión generada es la misma tensión
que se transformó en luz.

Hay algunos octoacopladores que cuenta con una cámara de aire para la transmisión de la luz,
en este caso si algún objeto se interpone entre el led y el foto detector automáticamente es un
circuito abierto. (1)

TIPOS DE OCTOACOPLADORES:
Foto - Triac: MOC 3020 , MOC3021, MOC3022 , MOC 3023

Foto transistor

Foto triac paso por cero

MOC 3021:

Características técnicas son:

 Presenta un diodo emisor de luz visible
 Tensión máxima de bloqueo de 400V
 Tensión de aislamiento de 4.17KV
 VISO Tensión de aislamiento 7500 V de pico
Rango de temperatura de funcionamiento de -40 ° C a 85 ° C
MOC 3022:

 Excelente estabilidad IFT

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  Diodo emisor de infrarrojos tiene baja degradación
 Modo de funcionamiento: Paso por no cero
 Número de canales: 1
 Tensión máxima de apagado repetitivo Vdrm: 400 V
 Tensión de aislamiento: 5.3 kV
 Voltaje reversa: 3 V
 Rango temperatura de operación: -40°C a 100°C

LA OPTOELECTRÓNICA:
La optoelectrónica es el nexo de unión entre los sistemas ópticos y los sistemas electrónicos. Los
componentes optoelectrónicos son aquellos cuyo funcionamiento está relacionado
directamente con la luz.
DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS:

Los dispositivos optoeléctronicos se fabrican con materiales semiconductores , ya que estos

presentan sensibilidad a la luz .

FOTODETECTORES:

FOTODIODOS:

Un fotodiodo es un diodo PN construido de modo tal que la luz pueda alcanzar la juntura
PN y generar portadores debido al efecto fotoeléctrico. De este modo, se producirá una
corriente eléctrica proporcional a la intensidad de la luz incidente. El símbolo del fotodiodo se
ilustra en la figura de la derecha. Los materiales del cual esta hecho son Silicio , Germanio Sulfuro

de Plomo , Indio , Galio y Arzénico.

FOTOTRANSISTOR:

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz

incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el
transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el
efecto de ganancia propio del transistor.

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FOTORESISTENCIA:

Una fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento

de intensidad de luz incidente. Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta
resistencia. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, El electrón libre que resulta
(y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.

SENSORES DE IMAGEN :

Se utilizan como parte de cámara de fotos digitales para Astronomía , su velocidad es mucho
menor a la de los fotodiodos , pero sus características permiten una fácil integración en
detectores de muchos píxeles .

SENSOR CCD:

Un CCD (Charge-Coupled Device, ‘dispositivo de cargas interconectadas’) es un capacitor

MOS que almacena carga eléctrica generada a partir del efecto fotoeléctrico.

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SENSOR CMOS:

Los llamados sensores de imagen CMOS son sensores en los cuáles la conversión de carga a
voltaje se realiza en cada pixel y además se integran un mayor número de funciones al chip. En
consecuencia se obtiene un sensor de menor sensibilidad, pero que en general es más
conveniente para la mayoría de las aplicaciones comerciales.

DISPOSITIVOS GENERADORES DE LUZ

DIODO LED:

El diodo emisor de luz, también conocido como LED (acrónimo del inglés de Light-Emitting
Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz cuando se polariza de forma
directa. El color (longitud de onda) depende del material semiconductor empleado en la
construcción del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el
infrarrojo.

DISPLAYS LCD:

Una pantalla de cristal líquido o LCD (Liquid crystal display) es una pantalla delgada y plana
formada por un número de píxeles en color o monocromos colocados delante de una fuente de
luz o reflectora. Cada píxel de un LCD típicamente consiste de una capa de moléculas de un
cristal líquido especial colocadas entre dos electrodos de vidrio y dos filtros de polarización

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AMPLIFICADOR ÓPTICO:

TIPOS:

AMPLIFICADORES DE FIBRA DOPADA:

Estos tipos de amplificadores usan lo que se conoce como fibra dopada, este tipo de fibras
posee compuestos de tierras de difícil adquisición, como la mayoría de amplificadores se
requiere de un bombeo externo proveniente de un láser e onda continua a una frecuencia

óptica ligeramente superior a la que amplifican. Las longitudes de onda de bombeo suelen
entrar en un rango de 980 nm a 1480 nm(siendo estas las más comunes). Para obtener
mejores resultados con estos tipos de amplificadores se recomienda realizarse el
procedimiento en la misma dirección que la señal.

AMPLIFICADOR ÓPTICO DE SEMICONDUCTOR (SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER, SOA):

En su momento este amplificador llego para suplir a los amplificadores EDFA, esto debido a su
bajo costo, a su tamaño reducido, a su tipo de bombeo y puede ser combinado con otros
dispositivos para añadirle nuevas características.

Para alta potencia de salida, se utilizan amplificadores ópticos con estructura cónica. El rango de
longitud de onda es de 633 nm a 1480 nm.

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AMPLIFICADORES RAMAN:

Utiliza el efecto Raman y basa su funcionamiento en la interacción no lineal ente la señal

óptica y de bombeo.

Es que la señal de bombeo puede mandar de manera lineal o contradireccional, en los

amplificadores Raman es más común el bombeo contradireccional puesto que esto evita la
amplificación de componentes no lineales. El máximo de ganancia se consigue 13 THz (unos 100
nm) por debajo de la longitud de onda de bombeo.

7.-OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:
Los materiales semiconductores son la base de la electrónica moderna, los elementos más
importante (Ge y Si) por medio del proceso de dopado lograron crear el primer diodo.-La
mayoría de dispositivos semiconductores varían con la temperatura, pero en el caso de las
resistencias semiconductoras lo que varía es la resistencia.

Con la utilización de optoelectrónicos se facilita la conexión entre un circuito digital (Dc) y un

circuito de potencia (Ac).

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