TRANSISTORES

El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues

inició una auténtica revolución en la electrónica que ha superado cualquier
previsión inicial.

Con el transistor vino la miniaturización de los componentes y se llegó al

descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos
milímetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el
origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales.

Por otra parte, la sustitución en los montajes electrónicos de las clásicas y

antiguas válvulas de vacío por los transistores, reduce al máximo las pérdidas
de calor de los equipos.

Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos funciones:

- Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de

mando.
- Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de señales.

¿Cómo es físicamente un transistor?

Hay dos tipos básicos de transistor:

a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)

b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar

A) Transistor bipolar

Consta de tres cristales semiconductores

(usualmente de silicio) unidos entre sí. Según
como se coloquen los cristales hay dos tipos
básicos de transistores bipolares.

- Transistor NPN: en este caso un cristal P está

situado entre dos cristales N. Son los más
comunes.
- Transistor PNP: en este caso un cristal N está
situado entre dos cristales P

La capa de en medio es mucho más estrecha que las

otras dos.

En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metálico, lo que da origen

a tres terminales:

· Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.

· Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
 · Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el
cristal de en medio.
El conjunto se protege con una funda de plástico o metal.

Nos centraremos en el transistor NPN:

B) Polarización del transistor

Se entiende por polarización del transistor las

conexiones adecuadas que hay que realizar con
corriente continua para que pueda funcionar correctamente.

Si se conectan dos baterías al transistor como se ve en la figura, es decir, con

la unión PN de la base-emisor polarizada directamente y la unión PN de la
base-colector polarizado inversamente. Siempre que la tensión de la base-
emisor supere 0,7 V, diremos que el transistor está polarizado, es decir, que
funciona correctamente.

Este montaje se llama con emisor común.

En este caso, el hecho de que el transistor esté en funcionamiento significa

que es capaz de conducir la corriente desde el terminal colector hasta el
terminal emisor. Se cumplen dos expresiones para este caso:

La primera…
 IE= IB + IC
Donde…

IE es la corriente que recorre el terminal emisor.

IC es la corriente que recorre el terminal colector.
IB es la corriente que recorre el terminal base.

Como la corriente de base resulta siempre MUY PEQUEÑA, se puede decir

que la corriente del colector y la del emisor prácticamente coinciden.

IE ≈ IC
La segunda expresión dice

IC= β·IB
Donde β es una constante que depende de cada transistor llamado ganancia
que puede valer entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a 1000).

La ganancia de un transistor nos habla de la capacidad que tiene para

amplificar la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un transistor, más
puede amplificar la corriente.

Se concluye que la corriente por el colector de un transistor bipolar es

proporcional a la corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base,
mayor corriente en el colector.

En la práctica no se utilizan dos baterías, sino

una sola.

Según estas dos expresiones el transistor bipolar puede tener tres estados
distintos de funcionamiento:

a) Corte: En este caso la corriente de base es nula (o casi), es decir, IB = 0,

por lo tanto, IC= β·IB= β·0 = 0  IC= 0
En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No está
funcionando. Se dice que el transistor se comporta como un interruptor
abierto.
b) Activa: En este caso el transistor conduce parcialmente siguiendo la
segunda expresión (IC= β·IB). La corriente del colector es directamente
proporcional a la corriente de la base. Ejemplo: Si β = 100, la corriente
del colector es 100 veces la corriente de la base. Por eso se dice que el
transistor amplifica la corriente.

c) Saturación: En este caso, el transistor conduce totalmente y se comporta

como un interruptor cerrado. Este estado se alcanza cuando la corriente por
la base (IB) alcanza un valor alto. En este caso la expresión ( IC= β·IB) ya
no tiene sentido pues, por mucho que aumente el valor de la corriente de
base (IB), no aumenta el valor de la corriente de colector.

Veamos un cuadro resumen con las tensiones de trabajo en los diferentes

estados de funcionamiento, así como las corrientes de un transistor conectado
a una pila cuya tensión es V

Estados de funcionamiento de un transistor

Corte Activa Saturación

VCE VCE = V 0< VCE < V VCE ≈ 0
IC= β·IB
IE ≈ I C
IC IC≈ IE = 0 IE ≈ IC

IB
I
en cualquier caso B
siempre es una
corriente pequeña, es
IB≈0 IB>0 IB con máximo valor
I << IC
decir, B

Conduce
No conduce (se
totalmente (se
Conducción del comporta como Conduce
comporta como
transistor un interruptor parcialmente
un interruptor
abierto) cerrado)

Donde VCE es la tensión que existe entre el colector y el emisor.

Si la corriente de base es muy alta, el transistor puede estropearse, por eso, la

base del transistor debe protegerse SIEMPRE con una resistencia de una valor
alto.

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CLASIFICACIÓN
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SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES
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EL TRANSISTOR POLARIZADO

Si se conectan fuentes de tensión externas para pol arizar al transistor, se obtienen resultados nuevos
e inesperados. Hay 3 configuraciones:

B Base común (BC).

C Emisor común (EC).
D Colector común (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona ACTIVA: UE en Directa y UC en Inversa. AMPLIFICADORES

Zona de SATURACIÓN: UE en Directa y UC en Directa. CONMUTACIÓN
Zona de CORTE: UE en Inversa y UC en Inversa. CONMUTACIÓN
Zona ACTIVA INVERTIDA: UE en Inversa y UC en Directa. SIN UTILIDAD
ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES

· El TO-92: Para la amplificación de pequeñas señales. La asignación de patitas

(emisor - base - colector) no está estandarizado.

· El TO-18: Es metálico. En la carcasa hay un pequeño saliente que

indica que la patita más cercana es el emisor

· El TO-39: tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es mas grande, pero
también tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de
disipación de calor.

b) El TO-126: En aplicaciones de pequeña a mediana potencia.

Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicación en se este
utilizando.

Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se

debe utilizar una mica aislante

d) El TO-220: Debe disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-
3, y al igual que el TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado
por un tornillo debidamente aislado.

e) El TO-3: En transistores de gran potencia. Como se puede ver en el gráfico es

de gran tamaño debido a que tiene que disipar bastante calor. Está fabricado de metal y
es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energía que este genera en
calor.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues
este estaría conectado directamente con el colector del transistor. Para evitar el
contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor
térmico.

El emisor y la base se encuentran ligeramente a un lado y si se pone el transistor

como se muestra en la figura, al lado izquierdo estará el emisor y la derecha la base.

IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES y estado DE UN TRANSISTOR

Para los dos valores mas bajos(200Ω): patilla 3 se

repite=>3=BASE
Patilla3 positiva=>Tipo: NPN
Patilla3 negativa=>Tipo: PNP

Para el siguiente valor mas bajo (8KΩ):

Tipo NPN : Patilla2 positiva=>2=COLECTOR
Tipo PNP : Patilla2 positiva=>2=EMISOR.

Esto ayuda a determinar tambien el estado del

transistor.

Con un polímetro que disponga de opción HFE se

puede determinar :
El patillaje.
El tipo
La ganancia en corriente Contínua HFE
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Hoja de características de un transistor

Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.

VCB....................................60 V (máximo valor en inversa)

VCEo...................................40 V (máximo valor en inversa con la base abierta)
VEB.......................................6 V (máximovalor en inversa)

En realidad en la hoja de características tenemos que diferenciar los transistores en:

· Transistores de pequeña señal (IC pequeña), por ejemplo: 2N3904.

· Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

Corriente y potencia máxima s

En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unión más problemática la unión CB, porque
es la que más se calienta.

En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:

· Tj = Temperatura de la unión.
· TC = Temperatura de la capsula.
· TA = Temperatura del ambiente.

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente
interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos:

Transistor de efecto de campo de unión o JFET

Transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).

Son dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada (1012K).
Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como
conmutador.
Sus características eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura física son totalmente
diferentes.

Ventajas del FET:

1. Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107a
1012K).
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar
más dispositivos en un C1.
5. Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de
tensión drenaje-fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir operaciones de muestreo en conversores A/D y memorias.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilización de los FET:
1) Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada, y en general son menos
lineales que los BJT.
2) Se pueden dañar debido a la electricidad estática.

Características eléctricas del JFET

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|VGS|<|VP|
|VDS|=<|VP|-|VGS|

|VGS|<|VP|
|VDS|>|VP|-|VGS|
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RECTA DE CARGA Y PUNTO DE TRABAJO:

PARÁMETROS COMERCIALES

Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las
hojas de datos:

· IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y
se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que puede ci rcular
por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este
valor.
· VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes
dispersiones en su valor.
· RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene
constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento.

TRANSISTOR MOSFET

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus ecuaciones analíticas son muy
similares.
NMOS de Enriquecimiento:
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