INFORME IV Nombre del profesor: Raúl Cadena. Fecha de presentación: Enero 29 de 2014.

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto

LABORATORIO DE ANALÓGICA
INFORME PRÁCTICA IV
Hojas de datos transistor BJT
Daniel Pulido, Fabián Ortiz, José Escalante.

INTRODUCCIÓN ACTIVIDADES DE LABORATORIO

Para la cuarta practica de laboratorio de Parámetros de un transistor: Existen tres

electrónica analógica, se quiere profundizar el
los transistores de unión bipolar (BJT). La hoja
de datos de un BJT es importante ya que nos
brinda información sobre sus características de
fabricación que se deben tener en cuanta a la
hora de trabajar con estos dispositivos ya que si
no tenemos en cuenta estas especificaciones
corremos el riesgo de hace mal uso de ellos.
MARCO TEÓRICO
parámetros de gran importancia que son
temperatura, potencia máxima de disipación y
beta o hfe.
Uno de e los principales parámetros a tener en
cuenta es la temperatura a la cual se tomaron
esos datos ya que los datos esta susceptibles a
cambian si varia la temperatura esta
temperatura normalmente es de T=25 C.
hfe o el parámetro beta que nos indica la
relación entre la corriente de colector y la
corriente de base viene dado en un amplio
rango que puede ser desde los 20 o 30 hasta
Varios miles.
La potencia que disipa el transistor que se
calcula con el voltaje entre el colector emisor
multiplicado por intensidad de corriente del
colector. Una recomendación en este caso es
tener en cuenta que no se puede utilizar el valor
máximo de los parámetros de voltaje colector
emisor y corriente de colector para trabajar ya
que estos fácilmente sobrepasan la potencia
máxima que puede disipar el dispositivo, razón
por la cual es necesario hacer un balance entre
tensión y corriente adecuados para no dañar el
dispositivo

En general la hoja de datos nos indica valores

de tensión ente colector emisor, colector base,
corriente de colector, y variaciones de estos
datos dependiendo de la forma que queramos
usar el transistor ya sea en corte saturación.

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INFORME IV Nombre del profesor: Raúl Cadena. Fecha de presentación: Enero 29 de 2014.

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Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto