Diodos de potência. Autor: Leonardo Barbosa Lima Gouvea.

Este trabalho se trata de um estudo comparativo das características de condução e chaveamento dos
diodos de potência SK 95 D 12 e SK 80 D 12F, as diferenças serão analisadas a partir de dados
fornecidos por informações do fabricante e por características físicas.
Dados de mesma natureza que serão comparados e outros dados específicos de cada diodo serão
também analisados.
A ponte retificadora SK 95D 12 é apropriada á utilização em retificadores na entrada de fontes,
enquanto a ponte SK 80 D 12F é destinada para uso em aplicações de chaveamento como nobreak e
fontes chaveadas.
O diodo SK 95D 12 para aplicação em retificação é destinado para o uso com fontes onde a tensão
de entrada é de frequência baixa, ou seja, e com baixa taxa de variação dv/dt.
Enquanto o diodo SK 80 D 12F para uso em chaveamento é capaz de operar submetido em
frequências altas e até de rápida variação dv/dt, e opera de forma distinta de um diodo ideal, havendo
elevadas taxas de modulação da região de deriva e capacidades ligadas a tempos de operação que
dever ser observados.

A tabela 01 mostra os limites citados nos datasheets, onde cada linha contém valores para o SK 95D
12 e para o SK 80D 12 F. Os parâmetros relacionados ao regime de condução estão em verde e os
parâmetros relacionados ao regime de chaveamento estão em azul.
Diodo SK 95D 12 SK 80D 12 F
Símbolo Condição Valor Condição Valor Unidade
VRRM Ts= 80 ºC; ID=80 A 1200 Ts= 80 ºC; ID=95 A 1200 V
ID Ts= 80 ºC 95 mesma 80 A
IRRM n/a n/a Tvj= 125 ºC 40 A
Qrr n/a n/a Tvj= 25 (125) ºC 3 (8) 𝜇C
IR n/a n/a Tvj= 25 (150) ºC; 0,2 (4) mA
VR=VRRM
IFSM Tvj= 25 / 150 ºC; 10 ms 700 / 560 Tvj= 150 ºC; 10 ms 550 A
i2 t Tvj= 25 / 150 ºC; 10 ms 2450 / 1370 Tvj= 150 ºC; 10 ms 1500 A2s
VF Tvj= 25 ºC; IF= 35 A max 1,2 Tvj= 25 ºC; IF= 75 A max 2,5 V
V(TO) Tvj= 150 ºC max 0,8 Tvj= 125 ºC max 1,2 V
rT Tvj= 150 ºC max 11 Tvj= 125 ºC max 22 m
IRD Tvj= 150 ºC; VDD= max 4 n/a n/a mA
VDRM; VRD= VRRM
Rth(j-s) Por diodo / 1,2 / 0,2 mesma 0,9 / 0,15 K/W
por módulo
Tsolder 10 s 260 mesma mesmo ºC
Tvj -40 ... +150 mesmo ºC
Tstg -40 ... +125 mesmo ºC
Visol a.c. 50Hz; 1s / 1min 3000 (2500) mesma mesmo V
m 19 30 g
Tabela 01
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Nos datasheets ainda são encontrados gráficos com curvas para o SK 95D 12 e para o SK 80D 12 F
em referência a: PTOT x ID ; IT(OV)/ITSM x t ; IF x VF ; Zth(j-s) x t ;
Para o SK 80D 12 F é mostrado o gráfico com características de chaveamento contendo a curvas
Qrr x diF/dt em função de IFM e fornecido medidas das condições para parâmetros de chaveamento
sendo IF= 50 A VR= 600 V –di/dt= 800 𝜇A.
1) - Os principais parâmetros de condução são: ID; VF; V(TO); rT; PTOT; VRRM;
IR (SK 80); IRD (SK 95);
- Os principais parâmetros de chaveamento são: IRRM; Qrr;

2) A análise comparativa detalhada das características de condução e chaveamento será feita entre os
dois diodos sendo explicado o porquê das diferenças de limites de valores.
Um diodo de potência tem a estrutura básica mostrada na figura 01, havendo uma região p+
densamente dopada, uma região n- levemente dopada e uma região n+ densamente dopada.

 ID: a corrente de saída direta ou corrente nominal do diodo tem limites especificados para o
diodo SK 95D 12 em 95 A, e o SK 80D 12 F tem capacidade de 80 A.
Quando o diodo é diretamente polarizado, a tensão direta se elevará até um valor V FRM e esse valor
vai se estabilizar em um valor VF , sendo que a corrente direta irá também subir um intervalo de tempo
menor que o tempo tfr que VF demorou a ir entre 10 a 110%. Isto ocorre devido a que a região n- que
é menos dopada vai sendo inundada de portadores de carga a partir de um momento da aplicação da
polarização direta. Na figura 02 vemos o gráfico do comportamento da ligação do diodo em condução.

Fig. 01 Fig. 02

O limite da intensidade de corrente direta em cada diodo é devido á capacidade de dissipação de calor
em cada um deles. Através dos gráficos PTOT x ID dos dois datasheets podemos observar que o diodo
SK 95 dissipa bem mais calor que o diodo SK 80 para uma mesma corrente ID, e por isso a capacidade
de dissipação de calor do SK 95 deverá ser maior que a do SK 80. O SK 95 dissipa 360W quando ID=
95 A e o SK 80 dissipa 160 W quando ID= 80 A.
O SK 80 por ser um diodo rápido e ser demandado melhor controle da temperatura devido aos efeitos
negativos do calor nas característica de chaveamento deve então operar em temperaturas mais amenas
que o SK95, por isso sua resistência térmica entre a junção e o dissipador de calor (Rth(j-s) = 0,9 K/W
por diodo) é feita menor que a resistência térmica do SK 95 (Rth(j-s) = 1,2 K/W por diodo).
O diodo SK 95 tem a resistência inclinada de condução de rT= 11 m e o Sk 80 tem rT= 22 m
devido suas concentrações específicas de dopagem para regime de trabalho em chaveamento e por
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suas dimensões de pastilha serem diferentes, e devido á essa resistência rT maior o SK 80 deve ser
dotado de menor resistência térmica Rth.
Sabendo que a densidade de corrente é dada por J = (dQ/dt)/A , podemos chegar á conclusão que o
diodo SK 95 poderia supostamente ter área de seção reta na pastilha maior que do SK 80, mas se a
dopagem de impurezas no SK 80 for bem menor na região n- então este teria área maior de seção reta
e também maior comprimento que o SK 95. Através dos valores fornecidos de VF= 1,2 V para o SK
95 e de VF= 2,5 V para o SK 80, podemos concluir que o Sk 80 deva ter menor nível de dopagem na
região n- que o SK 95 tenha, e por isso o comprimento da região n- do K 80 seria maior e sua área de
seção reta seria portanto maior que a do SK 95, para produzir menos calor.

No equilíbrio térmico e sem excitação a corrente de deriva gerada devido ao campo elétrico, é para
cada tipo de portador, igual á corrente de difusão devido ao gradiente de concentração.
A polarização direta faz com que lacunas sejam injetadas na região de deriva a partir da camada p + ,
e também ocorre a atração de elétrons na região de deriva a partir da camada n+ , sendo chamado de
injeção dupla. Haverá um equilíbrio entre o excesso de portadores do tipo n e tipo p injetados na
região de deriva e uma corrente fluirá. A polarização direta reduz o potencial eletrostático na região
de depleção e na temperatura ambiente a polarização direta com tensão reduzida faz que a corrente
de recombinação domine, e para tensão de polarização direta alta haverá corrente de difusão
dominante.

E sabemos que J = Jdrift + Jdiff = (q μn n E + q p μp E) + (q Dndn/dx - q Dp dp/dx) sendo μn= 1500

cm2/V-sec e μp= 500 cm2/V-sec , devido à mobilidade dos elétrons ser maior que das lacunas, a região
de deriva é normalmente feita do tipo n-.
Na polarização direta, a corrente de difusão é mais intensa que a corrente de deriva, ocorre a injeção
de podadores minoritários em ambos os lados da região de deriva, sendo os comprimentos da região
com portadores minoritários dados por Ln = [Dn𝛕n]0.5 e Lp = [Dp𝛕p]0.5 sendo que o tempo de vida
dos portadores 𝛕 aumenta com a temperatura e diminui com o aumento da densidade de
portadores.

A corrente direta dos diodos pode ser explicada pela equação IF = (q.na.A.Vd/Wd).μo/(1+na/nb) e
sendo a mobilidade μo inversamente proporcional á concentração de impurezas como mostrado na
figura 03, o diodo SK 95 teria maior dopagem que o SK 80 e portanto o SK 80 possui maior
mobilidade de cargas com menores níveis de dopagem nb na sua região n- e o SK 80 para compensar
o maior comprimento da sua região de deriva teria maior área de seção reta.

A aproximação da junção pn do diodo por características ideais dá o resultado

J = Js [exp(qV/kT) -1] onde Js= qni2[Ln/(Na𝛕n) + Lp/(Nd𝛕p)] é a corrente reversa do diodo devida
aos portadores produzidos termicamente e quando esta polarizado reversamente, portanto Js vai ser
ser exponencialmente proporcional a ni sendo que ni decai com a temperatura, como mostrado na
figura 04. A polarização direta faz LP aumentar mas 𝛕p diminui muito rápido pois
𝛕 = to/[1+(δn/nb)2]. A corrente pode ser aproximada então por .

Mobilidade
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Os efeitos da rede cristalina são incorporados na massa efetiva dos elétrons em condução, no
equilíbrio térmico a energia térmica de um elétron em condução é ½ KT por grau de liberdade, e o
elétron no semicondutor tem três graus de liberdade. O movimento térmico dos elétrons ocorre em
uma sucessão de espalhamento e com colisões com a rede cristalina, átomos de impureza, e
espalhamento dos centros de distribuição. A distância entre colisões é clamada “meio caminho livre”
onde l= vth. 𝛕c= -𝜇nE. 𝛕c, e o tempo entre colisões é chamado “meio tempo livre” 𝛕c .
Quando um campo elétrico é aplicado no semicondutor, cada elétron vai experimentar uma força
-qE e vai acelerar tendencialmente ao longo do campo e em direção oposta e haverá um tempo entre
colisões. A componente de velocidade sobreposta ao movimento térmico é chamada velocidade de
deriva e depende do meio tempo entre colisões e da massa efetiva do elétron, sendo para o
elétron por 𝜇n= q𝛕c/mn sendo 1/𝛕c= (𝛕c,laticce + 1/𝛕c,impureza) e mn= m/mo= 1/(d2E/dp2). A alta mobilidade
do elétron é devida principalmente á sua pequena massa efetiva.

Na figura 03 é mostrado que a mobilidade varia com a temperatura e com o espalhamento das
impurezas e com o espalhamento da rede cristalina. Para baixas concentrações o efeito da rede
cristalina é dominante e a mobilidade diminui com a temperatura. Para dopagens com concentrações
elevadas o efeito do espalhamento das impurezas é mais pronunciado e a mobilidade neste caso
especial vai aumentar até determinada temperatura.

Fig 03 Fig 04

 VF: A tensão direta indica que para específico valor de corrente, a tensão sobre o diodo não
excede o valor especificado por VF, sendo especificado para o diodo SK 95 em max 1,2 volts para IF
de 95 A, e para o SK 80 é max 2,5 volts quando IF de 75 A, ambos á 25 ºC.
Conforme mostrado na figura 02, quando o diodo é diretamente polarizado, a tensão direta se elevará
até um valor VFRM e esse valor vai se estabilizar em um valor VF, o intervalo de tempo entre 10 % e
110 % da tensão VF é chamado tfr. Somente quando a região n- que é menos dopada fica inundada de
portadores de carga a tensão VF cai e se estabiliza.
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VF é dado por VF= Vdiff + Vdrift . A tensão de difusão Vdiff depende da quantidade de impurezas em
ambos os lados da junção pn, e a parcela da tensão de deriva depende do comprimento da região de
depleção WB e da densidade de carga de portadores.
Nos diodos rápidos com tensão de bloqueio maior que 600 V, como é o caso do SK 80, a parcela
da tensão de voltagem de deriva domina. O tempo de vida dos portadores de carga tem que ser
feito curto. Aproximando Vdrift = WB2/[(𝜇n +𝜇p)𝛕elf], sendo 𝛕elf o tempo de vida efetivo dos
portadores, a tensão de ligação do diodo vai ser proporcional ao quadrado de W B e inversamente
proporcional ao tempo de vida dos portadores de carga injetados. 𝜇n e 𝜇p se referem á mobilidade na
região n- que fica inundada de portadores. Na prática a tensão Vdrift aumenta em maior proporção
com a corrente direta. A tensão de difusão Vdrift possui coeficiente negativo de temperatura, enquanto
𝜇n e 𝜇p diminuem com a temperatura como mostrado na figura 05.
Dependendo de qual parte é dominante, Vdiff ou Vdrift , a corrente poderá assumir diferentes valores

- Como o diodo SK 80 é construído para trabalhar em alta velocidade, terá mobilidade maior ao custo
de menor concentração de impurezas na região n- que no diodo SK 95, e sua tensão Vdrift será maior
que no caso do diodo SK 95devido a que WB será maior devido á baixa concentração de impurezas.
E ainda para que o diodo SK 80 armazene menos carga Qrr e funcione bem em condição de
chaveamento, é necessário fazer o tempo de vida dos portadores do SK 80 seja o maior que no SK
95, e isso é conseguido fazendo a concentração de impurezas dopantes menor na região n-,
acarretando em aumentando Lp que se relaciona com Xp no valor do potencial de contado da junção,
e ainda ajudando na diminuição da capacitância de depleção no diodo SK 80.
O potencial de contado é dado pela equação Øc = -(qNaxp2+qNdxn2)/ 2ɛ e Lp = [Dptp]0.5
O diodo Sk 80 tem tensão VF maior que a do Sk 95 porque possui maiores mobilidades, tempo de
vida dos portadores, largura Lp e consequentemente maior potencial de contato.

 V(TO): a tensão direta de limiar do SK 95 é de max 1,2 V á temperatura virtual de junção de

125 ºC e para o SK 80 é de max 0,8 V á 150 ºC.
Através dos gráficos de VF x IF nos datasheets dos dois diodos é possível ver que o diodo SK 95
apesar de começar a conduzir em uma tensão direta maior que o SK 80, tem a inclinação da curva de
corrente mais inclinada verticalmente e consequentemente resistência de inclinação menor. Na figura
06 é mostrado que a tensão de limiar V(TO) significa a tensão onde rT toca o eixo da tensão.
- Da equação J = Js [exp(qV/kT) -1] onde Js= qni2[Ln/(Na𝛕n) + Lp/(Nd𝛕p)] vemos que a tensão de
limiar do diodo SK 95 é maior que do Sk 80 porque a corrente direta do diodo depende de J S e o
diodo Sk 95 teria maior concentração de impurezas na região n- e por isso teria menor comprimento
Lp na região de depleção e consequentemente terá menor Js que o diodo SK 80. Js é praticamente
independente da tensão reversa aplicada.

Fig 05 Fig 06
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 rT: a resistência de inclinação de diodo ligado para o SK 95 é de rT de 11 m para Tvj= 150

ºC, enquanto o Sk 80 é de rT de 22 m para Tvj= 125 ºC. A resistência de inclinação rT representa a
resistência calculada pela inclinação da curva VF x IF para as condições do diodo operando com a
máxima tensão VF á 25 ºC, e deve interceptar os pontos com corrente 1.IF e 3.IF. O significado de rT
é mostrado pela reta em vermelho na figura 06.
Os gráficos VF X IF nos datasheets dos diodos estudados não fornecem o ponto onde de 3IF , mas é
possível ver que a inclinação vertical do crescimento da corrente no diodo SK 95 é maior que a
inclinação para o diodo SK 80 e que o diodo Sk 95 tem sua curva de corrente tendendo a ser reta mais
rápido que no Sk 80.

Se o comprimento Wd da região n- for bem menor que o comprimento de difusão La, então a
distribuição de portadores será quase plana. Quando ficar o número de portadores n a injetados bem
maior que a concentração de impurezas Nd , a região de deriva fica com resistência bem baixa.
- A resistência do diodo em condução pode ser aproximada pela equação Rd =Wd/(q𝜇nNdA) e que o
diodo SK 95 possui concentração maior de impurezas Nd que o diodo SK 80 e por isso o SK 95
apresenta resistência rT menor. Pela figura 05 é possível ver que a variação da mobilidade é muito
mais lenta que a variação da concentração de impurezas. O SK 80 por ser um diodo para chaveamento
terá menor concentração de impurezas e por isso sua resistência rT é maior que a do SK 95.
Um dos motivos do aumento da queda de tensão direta sobre o diodo é que o aumento da corrente
causa aumento da temperatura do diodo e a densidade de portadores intrínseca do diodo ni diminui
com a elevação da temperatura como é mostrado na figura 04. Além disso o tempo de vida livre dos
portadores injetados na região n- diminui com a elevação de corrente

- A condutividade é dada por e sendo a concentração de impurezas maior no

SK 95 do que no SK 80, então a condutividade será maior, pois a mobilidade é pouco afetada para
variação da concentração de impurezas em torno de baixos valores de dopagem, como mostrado na
figura 05.

 PTOT: a potência dissipada é mostrada nos datasheets dos dois diodos através de gráficos ID x
Ptot sendo observado que Sk 95 talvez dissipa 360 W na sua corrente nominal de 95 A, e o SK 80
dissipa 160 W quando ID é nominal de 80 A. Os valores de PTOT no datasheet do SK 95 D não
coincidem com os cálculos de PF. Quando não temos dados da potência dissipada podemos estimar o
seu valor instantâneo pela equação PF= V(TO) if + rF.iF2 enquanto o seu valor médio é calculado por
PFAV= V(TO) IFAV + rF.IFMS2 , onde if é o valor instantâneo e IFAV o valor médio e IFMS o valor RMS.
O SK 80 por ter menor resistividade supostamente dissiparia menos potência que o SK 95.

- Os datasheets fornecem gráficos com a impedância térmica Zth(j-s) x t sendo observado que o SK 95
tende a se estabilizar em 1,2 ºC/W enquanto o Sk 80 tende a 0,9 ºC/W. Zth é calculado por
Zth(t)= [T1(t)-T2(t)]/ Pdissipada e seu valor é útil para estimar a temperatura da junção para específicas
condições de flutuação de temperatura ou para operação em frequência, ou para saber a temperatura
depois de dado tempo. O SK 95 é encapsulado em formato Semitop 2 e o Sk 80 em um formato
Semitop 3 que é de maior dimensão e por isso sua impedância térmica é menor.
Temperatura
A temperatura afeta profundamente a operação do dispositivo, em ambas polarização direta e reversa,
pois a magnitude da difusão e da recombinação são fortemente dependentes da temperatura. Havendo
a relação Idifusão/ Irecombinação ≈ exp[(Eg –qV)/(2KT)]
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Para fictício gráfico de IF(V) x VF(V) sendo IF baixo, o aumento da temperatura faz aumentar IF ; e
para gráfico de IR(V) x VR(V) sendo IR baixo, o aumento da temperatura aumenta IR.
A energia cinética corresponde á energia para a banda da borda da banda de condução para os elétrons,
e quando um elétron colide, suas perdas ou mesmo toda sua energia cinética vai para a rede cristalina
e a tendência é para um equilíbrio térmico. Após colidir e perder energia, o elétron vai se mover
novamente em direção contrária ao campo e repetir as colisões.

 VRRM: a tensão reversa de pico repetitivo especificada nos datasheets é de 1200 V para
ambos os diodos, mas é sabido que esta é uma tensão com valor de segurança e que os diodos devem
ser fabricados para suportar um valor maior.
Quando uma tensão reversa é aplicada no diodo ela aparece quase inteiramente através o espaço de
carga devido a que a alta resistência da região de depleção em comparação ao restante do material.
A polarização reversa faz com que a altura da barreira seja de Øc + VR e a largura da barreira vai ser
maior porque a região de depleção (espaço de carga) vai ter a densidade de portadores minoritários
diminuída em cada lado da junção. Haverá a neutralidade carga com qNaxp(V) = qNdxn(V) onde o
comprimento da região de portadores minoritários de cada lado da junção será de tamanho
inversamente proporcional á concentração de impurezas dopantes.
O diodo inversamente polarizado terá o potencial de contado Øc + V e a nova largura da região de
depleção será W(V) = Wo√1 + V/∅𝑐 , onde Wo = √2ɛØc(Na + Nd)/(qNaNd) , mas como os
diodos de potência possuem Na>>Nd, e a largura da região de carga na região n- é bem maior que na
região p+, então Wo2= 2ɛØc/ q Nd e o campo elétrico que causaria a ionização por impacto seria
𝑬𝑩𝑫 = √𝟐𝑬𝑮 𝒎/𝒒𝒕𝟐𝒄 enquanto que a tensão de ruptura seria também aproximada, devido a Na>>Nd,
por BVBD= ɛEBD2/2qNd e por fim o cálculos do comprimento da região de depleção que seria
necessário para que o diodo funcione com dada tensão reversa sem haver risco de avalanche é
Wd≥W(BVBD) ≈ 2BVBD/EBD. Para fazer o controle da fronteira da região de depleção, devido ao
efeito da não uniformidade da concentração de impurezas, anéis de guarda são possíveis para o
aumento do raio da região de depleção. Devido á curvatura na camada de depleção, causada pela
difusão lateral de impurezas dopantes, existem técnicas de correção para a distribuição da camada de
depleção que podem usar anéis de guarda, placas condutoras, ou tratamento da superfície lateral com
SiO2 para diminuição dos campos elétricos na superfície e prevenir a tração de impurezas.

- Os dois diodos indicam no datasheet VRRM de 1200 V, o diodo Sk 80 apesar de ter menor dopagem
na região n- e ter Wo maior que no SK 95, o valor de W(BVBD) do SK 80 também seria maior pois o
tempo de vida dos portadores devido á menor concentração causaria diminuição do seu valor de EBD.
A elevada velocidade de deriva no Sk 80 é fator que causa mais fácil ionização por impacto que no
SK 95, por isso VRRM se mantem de valor igual para os dois diodos.

 IR (SK 80) ; IRD (SK 95): a corrente reversa IR é descrita para o SK 80 como sendo 0,2 mA e 4
mA para temperatura de junção de 25 ºC e 150 ºC ambas para VR= VRRM. Enquanto a corrente inversa
IRD de condução do Sk 95 é de 4 mA para temperatura e junção de 150 ºC e VRD=VRRM
As correntes reversas destes diodos são devidas á corrente reversa de saturação reversa dada pela
equação Js= qni2[Ln/(Na𝛕n) + Lp/(Nd𝛕p)] ou mesmo sendo JS proporcional á
temperatura da junção pois ni creste com aumento da temperatura como visto na figura 04. O pequeno
gradiente de portadores minoritários durante a polarização reversa faz com que haja um pequeno
fluxo de difusão em direção á região de depleção e devido ao campo elétrico forte nesta região, fará
que elétrons e lacunas cruzem a região de depleção, sendo JS independente do valor da tensão reversa.
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Haveria também a contribuição da corrente de fuga criada no espaço de carga devido ao processo de
ionização térmica.
- Os diodos Sk 95 e SK 80 possuem o mesmo valor de corrente reversa porque a maior concentração
de dopagem no SK 95 também causa diminuição na concentração intrínseca ni e do tempo de vida
dos portadores, e também o ajuste do comprimento da região de carga devido ao efeito da neutralidade
de carga na junção fará os dois diodo terem JS parecidos nos dois diodos.

Parâmetros de chaveamento: IRRM; Qrr;

O diodo Sk 95 é para uso em baixas frequências e durante o corte haverá um tempo elevado para que
o excesso de portadores minoritários se retire das bordas da região de depleção e Qrr não é importante
apesar da alta capacitância de depleção e de difusão, além de que IRRM pode ser desprezada.

O tempo de desligamento é dependente da taxa de derivada da corrente direta e da corrente reversa.

O tempo de desligamento é dependente do tempo de difusão dos portadores minoritários.
Quando o diodo é polarizado reversamente aumenta uma camada de cargas que é chamada
capacitância de depleção dada por Cj=dQ/dV= dQ/(W.dQ/ɛs)= (ɛs/W) = √𝒒𝜺𝒔 𝑵𝒃 /𝟐(𝑽𝒃𝒊 − 𝑽) .
Quando a tensão reversa aumenta, a distribuição de carga Q e campo vão expandir em ambos lados
da região de depleção.
- O diodo SK 95 terá maior capacitância de depleção que o SK 80 e por isso armazenará mais carga
na região de depleção, que dificulta o processo de condução do diodo, e por isso o Sk 80 será o diodo
apropriado para funcionar em regime de chaveamento pois tem Cj menor devido á sua baixa
concentração de dopantes NB na região n-.

Na polarização direta e havendo a injeção de portadores minoritários de ambos tipos através da região
de depleção criará uma recombinação com os portadores majoritários e o minoritários decairão
exponencialmente com a distância, sendo que essa distribuição de portadores minoritários levam á
condução e á formação de carga armazenada na junção pn. A carga armazenada pode ser aproximada
pela equação Qp=𝛕pJp(Xn).
A corrente elevada fluindo pela região de depleção correspondendo ao número elevado de portadores
móveis dentro da região neutra. A carga que se armazenará na região neutra se refere á capacitância
de difusão, sendo que os portadores minoritários se movem através da região neutra por difusão. A
contribuição da lacunas é muito mais significante que dos elétrons e a capacitância de difusão pode
ser aproximada por 𝐶𝑑 = [𝐴𝑞 2 𝐿𝑝 𝑝𝑛𝑜 /𝐾𝑇]𝑒 𝑞𝑉/𝐾𝑇
- O diodo SK 95 por ter maior densidade de dopagem na região n- com pno maior e tendo Lp maior,
então terá maior capacitância de difusão que o SK 80.
A ponte retificadora Sk 80 D 12 F utiliza a tecnologia Controlled Axial Lifetime (CAL), que
proporciona uma maior capacidade de corrente por área do chip. Esta tecnologia é baseada em um
dispositivo planar PIN- onde o tempo de vida dos portadores é controlado pela irradiação de elétrons
e e íons de hélio, criando um nível homogêneo de recombinação, e alta densidade de
recombinação na região central perto da junção PN.

- O diodo Sk 80 é mais rápido que o SK 95, porque além de possuir maior mobilidade por ter menor
nível de dopagem na região n-, utiliza também a tecnologia de fabricação CAL.
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As características de chaveamento de um diodo sofrem influência das indutâncias que podem ser
parasitas ou dos componentes do circuito e isso interfere nas taxas di/dt, havendo os formatos de
tensão e corrente como mostrado na figura 07.
Estando o diodo inicialmente reversamente polarizado haverá cargas armazenadas principalmente na
região de deriva, que serão descarregadas durante o crescimento da corrente direta, passada a descarga
total da região de depleção então a junção se tornará diretamente polarizada e começa o crescimento
da injeção de excesso de portadores através de ambos lados das junções e percorrendo a região de
deriva, chegando no fim ao estado estacionário da corrente direta IF. Os tempos t1 e t2 se referem ao
transiente de ligamento do diodo.
O crescimento da tensão até VFP se dá devido ao efeito da resistência ôhmica da região de deriva e á
indutância do waffer de silício (eté IF estabilizar) e dos fios conectados e ele.

Fig 07 Fig 08
A porção do gráfico que corresponde ao transiente de desligamento do diodo inclui t3 t4 t5, antes da
junção metalúrgica ser polarizada inversamente é necessário retirar o excesso de portadores
minoritários que estão na região de deriva. O decaimento de portadores presentes tem a característica
de ocorrer de forma que seu valor caia a zero na junção pn, enquanto que na área central da região de
deriva fique armazenado um remanescente número de portadores ao final da polarização reversa do
diodo.
O excesso de portadores seria removido por recombinação e pela corrente negativa faz que a região
de deriva adquira um espaço de carga devido á tensão de polarização reversa que também causará a
expansão da região de deriva.

Durante t4 uma tensão negativa provocaria uma corrente negativa devido a que seria um período de
empobrecimento do excesso de portadores injetados.
No início de t5 a densidade de excesso de portadores em uma ou ambas junções seria tão baixa que a
condutividade não seria mantida e então a corrente negativa iria parar de crescer, e a junção se torna
reversamente polarizada e adquire um valor negativo de tensão grande, a corrente reversa mantida
pelas indutâncias não é mais mantida devidos aos poucos portadores remanescentes. No final de t5
não haveria mais corrente mas haveria uma grande quantidade de carga armazenada no diodo.
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A velocidade de comutação dir/dt depende do circuito onde o diodo está ligado e inclusive das
indutâncias parasitas do fio do que liga á pastilha semicondutora e indutância no semicondutor.
Valores elevados de dir/dt causam valor elevado de corrente reversa IRRM.
As perdas por chaveamento são calculadas multiplicando a parcela negativa da tensão quando o diodo
não mais mantém o crescimento da corrente reversa pelo valor da corrente negativa.

O tempo de recuperação reversa é dado por trr = t4+t5. No caso especial de da taxa de decaimento da
corrente for baixa, então tf será bem menor que trr então tf nas duas equações acima pode ser
desprezado.
O tempo de recuperação reversa é calculado por

O valor do pico de corrente de recuperação reversa IRRM pode ser aproximado por

O valor máximo da tensão de recuperação reversa é dado por Vrr = IrrRd + LdiR/dt. O diodo SK 80
é fabricado com a tecnologia CAL e isso reduz sobre-tensões no chaveamento.

A carga armazenada no diodo será o valor da integração da corrente negativa a partir do momento
que o diodo não mais consegue manter o crescimento da corrente negativa até o ponto onde a corrente
negativa se reduziu a 0,2 IRRM, e é dada por

- No datasheet do SK 80 são dados o gráfico diF/dt x Qrr e m função de vários valores de IFM; e é
descrita uma condição específica para medida de parâmetros de chaveamento com IF= 50 A ; VR=
600 V; -di/dt= 800 A/𝜇s.
Os cálculos para o SK 80 levaram ao valores de trr= 19,3 𝜇s e Irr= 77,45 A, fazendo a suposição
que tf = tr

Uma técnica de criação do silício policristalino é através da técnica de crescimento Czochralski. Antes
o silício relativamente puro é misturado com gazes em etapas, e depois é submetido á corrente elétrica
em ambiente controlado, produzindo o silício policristalino ultrapuro. A seguir este silício puro é
submetido á técnica de crescimento , onde será primeiramente aquecido em uma atmosfera controlada
e depois uma amostra de adequada orientação ( <111>) é baixada e o restante do silício ao final do
processo terá a mesma orientação da amostra.

Os semicondutores possuem a rede cristalina parecida com a do diamante, sendo uma estrutura
pertencente á família dos cristais com distribuição fcc (face centered cubic), com distância entre
átomos de 𝑎√3/4 ,onde 𝑎= 5,43.10-8 m á 300 k.
Para uma dada estrutura cúbica de átomos, as características elétricas podem ser dependentes da
orientação do cristal e um método de definir os planos do cristal é através dos índices de Miller.
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As forças de atração e repulsão entre átomos aliados aos espaços interatômicos do cristal definem os
níveis da banda de valência e da banda de condução, e entre estes níveis esta Eg representando a
energia necessária levar um elétron da banda e valência á de condução. O máximo da banda de
valência esta onde o momento é zero e o mínimo da banda de condução esta ao longo da direção
[111].

O silício é um semicondutor indireto e por isso quando um elétron vai do máximo ponto da banda de
valência para o mínimo ponto da banda de condução, ele requer a energia de E g somada com a
mudança do momento quântico, enquanto aquele que é semicondutor direto não requer mudança do
momento quântico. A massa efetiva do elétron depende das propriedades do semicondutor e é
calculada pelo inverso da segunda derivada de E (energia do elétron) com o respectivo p (momento).
Os semicondutores possuem Eg baixo sendo a temperatura ambiente já é suficiente para excitar certo
número de elétrons da banda de valência á de condução, e assim há estados energéticos vazios na
banda de condução que podem facilmente serem ocupados e dar início a correntes elevadas.

O cálculo a concentração de portadores n(E) e p(E) pode ser feito graficamente pelo produto da
densidade de estados permitidos N(E) pela distribuição Fermi-Dirac. O nível de Fermi EF sempre fica
na metade da distribuição de Fermi. Na figura 01 é vista a concentração de portadores n e p de um
semicondutor intrínseco, sendo neste caso a energia intrínseca Ei= EF. A distribuição de Fermi é
calculada pela equação sendo observado que a distribuição terá
inclinação dependente da temperatura. Para semicondutor do tipo n teremos EF mais próximo da
banda de condução e para semicondutor tipo p teremos EF mais próximo da banda de valência.

Fig. 09

A partir de equações existentes das densidades efetivas de estado e das densidades de elétrons e
lacunas, chegamos á equação da densidade de portadores intrínseca np= ni2 e ainda que ni é
dependente da temperatura, como visto na figura 02, pois
A ionização térmica no semicondutor intrínseco gera um número igual de elétrons e lacunas p= n=
ni(T) e Eg= 1,1 eV á 300 K.
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Quando o semicondutor é dopado com impurezas ele se torna extrínseco sendo mudada a densidade
de elétrons e lacunas. A energia das impurezas é introduzida e (EC- ED) na rede Cristalina é obtida
trocando a massa do elétron pela massa efetiva do grupo de elétrons (mce) e

O semicondutor não degenerado é aquele em que a concentração de elétrons ou lacunas é muito menor
que a efetiva densidade de estados na banda de condução ou de valência. Para dopagem superficial,
a energia térmica ambiente é suficiente suprir ED sendo ionizados todos doadores (n= ND). Sabendo
que EC - EF= (KT/q).ln(NC/ND), se conclui que para alta concentração de doadores o nível de Fermi
mostrado na figura 01 se move para próximo da parte de baixo da banda de condução enquanto para
alta concentração de aceptores o nível de Fermi se moverá para próximo do topo da banda de valência.
Então n ou p será alto na banda específica de acordo onde o nível de Fermi se aproxima, sendo
calculados por n= ni.exp[(EF-Ei)/KT] e p= ni.exp[(Ei-EF)/KT]. Na figura 03 é visto que o nível de
Fermi é em função da temperatura e da concentração de impurezas.

Fig. 10