Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente

interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de
unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET). Son
dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada (1012Ω). Ambos
dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como conmutador.
Sus características eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura física son totalmente
diferentes.

Existen dos grupo de FET: JFET y MOSFET.

Ventajas del FET:

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a
1012Ω).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un C1, pudiéndose incluir un mayor número de FET en un solo
chip (requieren menor área), de aquí que memorias y microprocesadores se implementen
únicamente con MOSFET.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de
tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
8) Debido a que los FET son dispositivos sensibles al voltaje, con una gran impedancia de entrada
(del orden de 10 Mohm a 1 Gohm). Al ser mucho más alta que la correspondiente a los BJT, se
prefieren como etapa de entrada en amplificadores multietapa.
9) Los FET de potencia controlan potencias elevadas y conmutan grandes corrientes. 10) Los FET
no son tan sensibles a la radiación como los BJT.

Desventajas que limitan la utilización de los FET:

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

Diferencias entre FET y BJT:

Comparación entre el FET y BJT:

Aplicación principal, ventaja y usos

Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de salida baja, uso general, equipo de
medida, receptores.
Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones.
Mezclador, baja distorsión de intermodulación, receptores de FM y TV, equipos para
comunicaciones.
Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia receptores, generadores de señales.
Amplificador cascode, baja capacidad de entrada, instrumentos de medición, equipos de prueba.
Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores operacionales, control de
tono en órganos.
Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequeña de acoplamiento, audífonos para sordera,
transductores inductivos.
Oscilador, mínima variación de frecuencia, generadores de frecuencia patrón, receptores.
Circuito MOS digital, pequeño tamaño, integración en gran escala, computadores, memorias.

CONCLUSION:

Son dispositivos de estado solido que tienen tres o cuatro terminales, el flujo de cargas es
controlado por el campo eléctrico, el flujo de portadores es de un único tipo (electrones o huecos),
pueden funcionar en diferentes regiones de polarización y según en que región de polarización se
encuentren, funcionan como:

-Resistencias controladas por tensión

-Amplificadores de corriente o tensión, característica principal debido a su alta impedancia de

entrada con niveles que pueden ser de uno hasta varios cientos de mega ohmios, en comparación
con los transistores BJT

-Fuentes de corriente
Ve = 0 v
Lo primero es conocer el estado en que se encuentra el Transistor, para ello hallamos Vgs.
-Ve + Ig*Rg + Vgs = 0
Como Rgs = ᴔ Tiende a infinito Ig = 0 siempre.
Ve = Vgs = 0
Como Vgs < Vf ; Vf = 1 v; Entonces se encuentra en el estado de Corte, donde por tabla
sabemos que se Id = 0 A.
Aplico LKV en la trayectoria D S
- Vdd + Id*Rd + Vds = 0
Vds = Vdd – 0*Rd
Vds = Vdd = 30
Esto nos muestra que para una entrada nula Ve = 0 v, la salida del transistor es Vdd

Ve = 3 v
Lo primero es conocer el estado en que se encuentra el Transistor, para ello
hallamos Vgs.
-Ve + Ig*Rg + Vgs = 0
Como Rgs = ᴔ Tiende a infinito Ig = 0 siempre.
Ve = Vgs = 3v
Como Vgs ≥ Vf ; Vf = 1 v; Entonces se encuentra en el estado de Conducción, donde
podremos encontrar dos regiones la Óhmica y la de Saturación. Se escoge la de
Saturación y se comprueba, de no estar en esta se toma la Óhmica y se comprueba.
En esta región Id = k(Vgs – Vf)² = 2,5(3 - 1)² = 10 mA
Por el lado del drenador se tiene
- Vdd + Id*Rd + Vds = 0
Vds = 30 – 10mA*2KΩ = 10 v
Vds = Vout = 10 v
Para que cumpla el estado de saturación Vds > Vgs – Vf ; 10 > 3 – 1 Si cumple.

Ve = 12 v
Lo primero es conocer el estado en que se encuentra el Transistor, para ello hallamos
Vgs.
-Ve + Ig*Rg + Vgs = 0
Como Rgs = ᴔ Tiende a infinito Ig = 0 siempre.
Ve = Vgs = 12v
Como Vgs ≥ Vf ; Vf = 1 v; Entonces se encuentra en el estado de Conducción, donde
podremos encontrar dos regiones la Óhmica y la de Saturación. Se escoge la de
Saturación y se comprueba, de no estar en esta se toma la Óhmica y se comprueba.
En esta región Id = k(Vgs – Vf)² = 2,5(12 - 1)² = 302,5 mA
Por el lado del drenador se tiene
- Vdd + Id*Rd + Vds = 0
Vds = 30 – 302,5mA*2KΩ = - 575 v
Vds = - 575 v
Para que cumpla el estado de saturación Vds > Vgs – Vf ; -575 > 3 – 1 No Cumple.
Nos toca verificarlo en la zona Óhmica.
Estado de Conducción Óhmica y se comprueba.
Ve = Vgs = 3v
Para este caso se tiene aparece una resistencia Rds según el circuito de la tabla.
Rds = 1 / k(Vgs – Vf) = 1 / 2,5(12 – 1) = 0,036 KΩ
-Vdd + Id*Rd + Id*Rds = 0
Id = Vdd / (Rd + Rds) = 30 / (2 + 0,036) = 14,73 mA
Como Vds = Id*Rds = 14,73*0,036 = 0,53 v
Para que cumpla el estado Óhmico Vds < Vgs – Vf ; 0,53 > 3 – 1 Si cumple.