Licenciatura Em Engenharia Eléctrica

3o Ano

Eletrônica de Potência

Grupo 2

Tema: Díodo e Transístores de Efeito de Campo (FET)

Discentes: Docente:

Adil dos Santos MSc. Engº . Anacleto Albino

Adilson J. Chijua

Eliseu A. Adamuge

Manuel J. Baptista

Manuel N. F. Machava

Mauro M. Jotamo

Songo, Abril de 2019

 Licenciatura Em Engenharia Eléctrica

3o Ano

Eletrônica de Potência

Grupo 2

Tema: Díodo e Transistores de Efeito de Campo (FET)

Discentes: Docente:

Adil dos Santos António MSc. Eng.º . Anacleto Albino

Adilson J. Chijua

Eliseu A. Adamuge

Manuel J. Baptista Trabalho da Cadeira Eletrônica

de Potência, elaborado pelos
Manuel N. F. Machava
estudantes do Instituto Superior
Mauro M. Jotamo Politécnico de Songo de caracter
avaliativo

Songo, Abril de 2019

 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

Índice
1. Introdução ...........................................................................................................................1
1.1. Objectivo geral..............................................................................................................1
1.2. Objectivos específicos ...................................................................................................1
2. Conceitos fundamentais .......................................................................................................2
2.1. Díodo Características construtivas .................................................................................2
2.1.1. Díodo de junção PN...................................................................................................2
2.2. Modo de operação e curvas caraterísticas de um díodo de potência ...............................2
2.2.1. Junção PN diretamente polarizada .............................................................................3
2.2.2. Junção PN inversamente polarizada ...........................................................................3
2.2.3. Associação de díodos.................................................................................................5
2.2.3.1. Díodos associados em série ................................................................................5
2.2.3.2. Díodos associados em paralelo ...........................................................................6
2.3. Tipos dedíodos de potência ...........................................................................................7
2.4. Parâmetros de operação de díodos .................................................................................7
2.5. Aplicações dedíodos .....................................................................................................9
2.6. Exemplo de um Dados de catalogo do Fabricante ..........................................................9
2.6.1. Características ...........................................................................................................9
2.6.2. Dados mecânicos .......................................................................................................9
2.6.3. Códigos/opções de embalagem: .................................................................................9
2.6.4. Mesa de peças ...........................................................................................................9
2.6.5. Classificação máxima absoluta ................................................................................ 10
2.6.7. Características eléctricas .......................................................................................... 11
2.6.8. Dimensão do pacote em mm polegadas.................................................................... 11
2.6.9. Características típicas .............................................................................................. 12
3. Transístor Efeito de Campo (FET) ..................................................................................... 13
3.1. Transístor Efeito de Campo de Junção (JFET) ............................................................. 13
3.1.1. Características físicas e construtivas ..................................................................... 14
3.1.2. Modo de operação e curvas características ........................................................... 15
3.1.3. Símbolos básicos ................................................................................................. 16

ELECTRONICA DE POTÊNCIA I
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

3.1.4. Parâmetros de Operações ..................................................................................... 17

3.1.5. Polarização do JFET ............................................................................................ 17
3.1.6. Vantagens e Desvantagens FETs .......................................................................... 22
3.1.7. Principais aplicações ............................................................................................ 22
3.1.8. Dados do Catalogo do Fabricante ......................................................................... 23
4. Conclusão.......................................................................................................................... 24
5. Recomendações ................................................................................................................. 25
6. Bibliografia ....................................................................................................................... 26

ELECTRONICA DE POTÊNCIA II
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

Índice de figura

Figura 1: Estrutura e símbolo de um Díodo. Fonte: (AHMED, 2000) ..........................................2

Figura 2: Junção PN diretamente polarizada ................................................................................3
Figura 3:Junção PN inversamente polarizada ..............................................................................3
Figura 4:: curvas características (V-I) de um díodo......................................................................4
Figura 5:Dois díodos conectados em série com polarização reversa. Fonte: MUHAMMED, 1999
...................................................................................................................................................5
Figura 6:Diodos conectados em série com as curvas características de divisão de tensão de
regime permanente. Fonte: MUHAMMED, 1999 ........................................................................6
Figura 7:: Díodos conectados em paralelos. Fonte: MUHAMMED, 1999 ....................................6
Figura 8:características da recuperação reversa. Fonte: ASFAQ, 2000 .........................................8
Figura 9:díodode comutação rápida . Fonte: VISHAY ............................................................... 11
Figura 10:Corrente de avanço vs Tensão de avanço Figura 11:Corrente inversa vs
Tensão inversa .......................................................................................................................... 12
Figura 12:estrutura do FET de canal n. ...................................................................................... 14
Figura 13:Representação esquemática do JFET de canal N (esquerda) e canal P (direita). ......... 14
Figura 14:Curva característica do JFET. .................................................................................... 16
Figura 15: representação simbólica do JFET de canal N e canal P ............................................. 16
Figura 16:Polarização Fixa[Fonte : boylestad, 2004] ................................................................. 18
Figura 17:curva de transferencia com pontos quiescentes [Fonte : boylestad, 2004] .................. 19
Figura 18:Autopolarização [Fonte : boylestad, 2004] ................................................................ 20
Figura 19:curva de transferencia com pontos quiescentes [Fonte : boylestad, 2004] .................. 20
Figura 20:Polarização por Divisor de Tensão [Fonte : boylestad, 2004] ..................................... 21
Figura 21:curva de transferencia com pontos quiescentes [Fonte : boylestad, 2004] .................. 21

ELECTRONICA DE POTÊNCIA III

 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

Índice de Tabelas
Tabela 1: Mesa de peças ..............................................................................................................9
Tabela 2:Classificação máxima absoluta ................................................................................... 10
Tabela 3:Características térmicas .............................................................................................. 10
Tabela 4:Características eléctricas ............................................................................................. 11
Tabela 5: Dados de catálogo do fabricante [Fonte : boylestad, 2004] ......................................... 23

ELECTRONICA DE POTÊNCIA IV
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

1. Introdução
O presente trabalho fala sobre díodos de potência e transístores de efeito de campo (FET), que
são dispositivos construídos na base de materiais semicondutores. Esses dispositivos são
utilizados nos circuitos de electrónica de potência aplicados em sistemas de comando eléctrico e
controlo automático. Em relação aos dispositivos supracitados ao longo do desenvolvimento
deste trabalho, encontram-se destacados temas tais como: características construtivas; parâmetros
de operação; dados dos catálogos, entre outros, que devem proporcionar um conhecimento sólido
sobre esses dois dispositivos.

1.1. Objectivo geral

Falar sobre os díodos de potência e transistores de efeito de campo

1.2. Objectivos específicos

 Apresentar os conceitos fundamentas sobre díodos e transistores de efeito de campo
 Explicar através de diagramas e curvas caraterísticas a operação de umdíodode potência e
de um transistor de efeito de campo
 Descrever as aplicações e as vantagens e desvantagens de cada dispositivo
 Apresentar exemplo de um catálogo de díodo de potência e transistor de efeito de campo

Electronica de Potência 1
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

2. Conceitos fundamentais
Um material semicondutor que sofreu o processo de dopagem (adição de impurezas) é chamado
material extrínseco. Existem dois tipos de materiais extrínsecos, que são: tipo N e tipo P.

Material extrínseco tipo N é formado pela adicção de elementos de impurezas pentavalentes,

como o Antimônio, o Arsênico e o Fósforo; sendo que o do tipo P é formado dopando-se um
cristal de Germânio ou Silício puro com átomos de impureza trivalentes, como o Boro e o Gálio.

2.1. Díodo Características construtivas

De acordo com FLOYD (2008), um díodo é um dispositivo que conduz corrente eléctrica em
uma só direção. Por essa carateristica de operação são geralmete desisgnados dispositivos
semicondutores.

2.1.1. Díodo de junção PN

Segundo (AHMED, 2000) os materiais utilizados na fabricação de díodos podem ser de Silício
ou Germânio. Os díodos de potência são normalmente produzidos com Silício, pois podem
operar com correntes e temperaturas maiores e temperaturas de junção mais altas, além de ter
uma resistência reversa maior. A figura 1 representa um díodo semicondutor e seu símbolo.
Onde A é o ânodo e K o cátodo.

Figura 1: Estrutura e símbolo de um Díodo. Fonte: (AHMED, 2000)

2.2. Modo de operação e curvas caraterísticas de um díodo de potência

De acordo com a polaridade da junção PN tem-se um comportamento diferente da mesma. A
junção PN pode ser polarizada de duas maneiras: direta ou inversa.

Electronica de Potência 2
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

2.2.1. Junção PN diretamente polarizada

Diz-se que a junção PN está directamente polarizada quando tem-se o positivo da fonte de tensão
ligado ao elemento P e o negativo ao elemento N, e nessas condições o díodo conduz como
mostra a figura 2.

Figura 2: Junção PN diretamente polarizada

2.2.2. Junção PN inversamente polarizada

Diz-se que a junção PN está inversamente polarizada quando tem-se o positivo da fonte de
tensão no lado N e o negativo no lado P, como mostra a figura 3.

Figura 3:Junção PN inversamente polarizada

Sob condições de polarização inversa, uma pequena corrente reversa (também conhecida como
corrente de fuga) na faixa de micro a miliampères flui e esta corrente de fuga aumenta
lentamente em amplitudes com a tensão inversa até que se atinja a tensão de avalanche, ou
tensão Zener.

A figura 4a) mostra a curva características, Tensão e Corrente (V-I), em regime permanente de
um díodo. Para maioria dos propósitos práticos um díodo pode ser considerado uma chave ideal
em que a diferenca de tensão entre o ânodo e cátodo é nula.

Electronica de Potência 3
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

Figura 4:: curva característica (V-I) de um díodo

As curvas em 4 podem ser expressas pela equação conhecida como equação Shockly, que é dada
por:

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (ℯ 𝑛𝑉𝑇 − 1) (Equação 1)

Em que 𝐈𝐃 é a corrente através do díodo em Amperes, [A];

𝐕𝐃 é a tensão do díodo, com o ânodo positivo em relação ao cátodo dado em Volt, [V];

Corrente de fuga (ou de saturação reversa), tipicamente na faixa de 10−6 a 10−5 A;

𝒏 é a constante empírica conhecida como coeficiente emissão ou coeficiente de idealidade cujo o

valor varia de 1 a 2 e

𝑽𝑻 é uma tensão chamada tensão térmica e dada por:

𝐾𝑇
𝑉𝑇 = (Equação 2)
𝑞

Em que 𝒒 é a carga do eletrao ; T- temperatura Absoluta em Kelvin [K]; K- constante de

Boltzman.

As curvas características do dodío da figura 4 podem ser divididas em três regiões: região de
polarização directa, onde 𝑉𝐷 > 0; região de polarização inversa, onde 𝑉𝐷 < 0; região de ruptura
reversa, onde 𝑉𝐷 < −𝑉𝑍𝐾 .

Electronica de Potência 4
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

2.2.3. Associação de díodos

Em muitas aplicações de alta tensão, um díodo fornecido comercialmente pode não oferecer a
especificação de tensão ou corrente necessária e os díodos são ligados em série ou em paralelo
para incremento de tensão ou corrente.

2.2.3.1. Díodos associados em série

Os díodos são associados em série para aumentar a capacidade de bloqueio reverso. A figura 5
mostra duas curvas características (V-I) para dois díodos do mesmo tipo que diferem devido às
tolerâncias no seu processo de fabricação.

Figura 5:Dois díodos conectados em série com polarização reversa. Fonte: MUHAMMED, 1999

Com vista a corrigir a diferenças da tensão reversa, notável na figura 5(b), força-se uma divisão
de tensão igual através da conexão de duas resistências com cada díodo e consequentemente as
correntes de fuga para cada díodo serão diferentes como mostra a figura 6(b).

Electronica de Potência 5
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

Figura 6:Diodos conectados em série com as curvas características de divisão de tensão de regime permanente. Fonte:
MUHAMMED, 1999

2.2.3.2. Díodos associados em paralelo

Osdíodos são conectados em paralelo para aumentar a capacidade de condução de corrente e
alcançar as exigências desejadas de corrente.

A figura 7 apresenta os diagramas de dos circuitos de díodos associados em paralelo para os

regimes permanente, figura 7 (a), e dinâmico figura (7b). Os indutores e resistências nos
circuitos servem para a limitação e condicionamento da corrente a fim de se alcançar os valores
desejados da mesma em cada ramo.

Figura 7:: Díodos conectados em paralelos. Fonte: MUHAMMED, 1999

Electronica de Potência 6
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

2.3. Tipos de díodos de potência

Segundo MUHAMMED (1999: 29), dependendo das características de recuperação reversa e
técnicas de fabricação, os díodos podem ser classificados em três categorias: díodos padrão ou
genéricos, díodos de recuperação rápida e díodos Schottky. As características e limitações
práticas de cada tipo restringem suas aplicações.

2.4. Parâmetros de operação de díodos

Na obtenção de um díodo, geralmente eles já vêm com parâmetros dados pelo fabricante que é
para se conhecer quais são os limites de operação do respectivo díodo e até que ponto podemos
usar o díodo sem que ele danifique-se.

As principais especificações, ou seja, os principais parâmetros do díodo são os seguintes:

 Tensão directa (VD) – é a tensão sobre o díodo na polarização directa. Sempre que VD
não é informado, assume-se seu valor como sendo igual a 𝑉𝛾 (0,3V no caso de Germano
e 0,7V para Silício).
 O 𝑉𝛾 é a tensão na qual o díodo começa a conduzir a corrente. A tensão directa VD é
normalmente maior ou igual ao 𝑉𝛾.
 Tensão de pico inversa (PIV) – o valor nominal da tensão de pico inversa (peak inverse
voltage) é a tensão inversa máxima que se pode ligar nos terminais do dispositivo sem
que haja uma roptura. Caso se exceda o valor da tensão de pico reversa nominal, o
dispositivo começará a conduzir na direcção inversa podendo assim danificar o
dispositivo. Os valores nominais da PIV vão de dezenas a milhares de volts, dependendo
do tipo de dispositivo. Os valores nominais da PIV são também denominados tensão de
roptura (breackdown voltage – V(BK)).
 Corrente directa média máxima (𝑰𝒇(𝒂𝒗𝒈)𝒎𝒂𝒙 ) – a corrente directa média máxima é a
corrente máxima que um díodo pode aguentar com segurança quando estiver
directamente polarizado. Os díodos de potência estão disponíveis na praça com valores
nominais que vão de alguns poucos a centenas de amperes. Se a utilização de um díodo
deve atender a critérios econômicos, é preciso operá-lo perto de seu valor de corrente
directa máxima.

Electronica de Potência 7
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

 Corrente máxima da junção (𝐈𝐅𝐒𝐌 ) – o valor nominal da corrente directa máxima de

surto é a corrente máxima que o díodo pode suportar durante um transitório imprevisto ou
diante de um defeito no circuito.
 Tempo de recuperação reverso (𝒕𝒓𝒓 ) – o tempo de recuperação reverso de um díodo é
bastante significativo em aplicações de chaveamento em alta velocidade. A passagem do
estado de condução para o de não condução do díodo leva um certo tempo e nesse
momento uma corrente inversa flui por um breve período, e o díodo não desliga até que a
corrente inversa caia a zero, como mostra a figura 8. O díodo inicialmente conduz uma
corrente 𝑰𝑭 , a mesma irá decrescer até que passe a fluir, então, a corrente 𝑰𝑹 , e nesse
momento o díodo está inversamente polarizado. O intervalo durante o qual a corrente
inversa flui é denominado tempo de recuperação reverso.

Com base no seu tempo de recuperação os díodos podem ser classificados como:

 Díodo de recuperação rápida

 Díodo de recuperação lenta.

Esses tempos vão da faixa dos microssegundos, nos díodos de junção PN, a várias centenas de
nanossegundos em díodos de recuperação rápida, como o Shottky. Os díodos de recuperação
rápida com 𝒕𝒓𝒓 baixos são utilizados em aplicações de alta frequência, tais como inversores,
fontes de alimentação de funcionamento contínuo entre outros.

Figura 8:características da recuperação reversa. Fonte: ASFAQ, 2000

 Temperatura máxima da junção (𝑻𝒋(𝒎𝒂𝒙) ) – o parâmetro define a temperatura máxima

que o dispositivo pode suportar, na junção, sem apresentar defeito. As temperaturas

Electronica de Potência 8
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

nominais de díodos de silício estão normalmente na faixa de -40oC a +200oC. A operação

em temperaturas mais baixas costuma resultar em um desempenho melhor. Os díodos são
em geral montados em dispositivos dissipadores de calor para que haja melhora nas
condições nominais de temperatura.

2.5. Aplicações de díodos

A aplicação mais importante é a retificação em fontes de alimentação contínua (meia onda e
onda completa), multiplicadores de tensão, limitadores de tensão, grampeadores CC, em
instrumentos de medida etc. Entre outras aplicações, podemos citar: como chave, em circuitos
lógicos usados em computadores digitais; em circuitos limitadores e grampeadores; em circuitos
de polarização de transistores.

2.6. Exemplo de um Dados de catalogo do Fabricante

Díodo de comutação rápida

2.6.1. Características
 Velocidade de comutação rápida
 Alta fiabilidade
 Alta condutância
 Usado para aplicações de comutação de uso geral

2.6.2. Dados mecânicos

Caixa: DO-35 Glass Case

Peso: approx. 130 mg

2.6.3. Códigos/opções de embalagem:

TR / 10 k per 13 * reel (52 mm tape), 50 k/box

TAP / 10 k per Ammopack (52 mm tape), 50 k/box

2.6.4. Mesa de peças

Peça Diferencição de tipos Código ordenado Observações

1N914 VRRM= 75V 1N914-TAP / 1N914- Pacote de Munição /

TR Fita e reporte
Tabela 1: Mesa de peças

Electronica de Potência 9
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

2.6.5. Classificação máxima absoluta

Tamb= 25oC, Não existindo outras Especificações

Parâmetros Condição de teste Simbologia Valor Unidade

Tensão reversa de pico VRM 100 V
Tensão reversa de pico VRRM 75 V
repetitivo
Tensão reversa de pico de VRWM 75 V
trabalho
Tensão de bloqueio DC VR 75 V
Voltagem reversa RMS VR(RMS) 53 V
Corrente de avanço IF 300 mA
Corrente retificada média Rectificação de meia IFAV 200 mA
onda com carga
resistiva e f > 50
MHz
Corrente de surto de pico t = 1s IFSM 1 A
não repetitivo
t = 1 𝜇𝑠 IFSM 4 A

Dissipação de energia L = 4 mm, TL 25oC Pd 500 mW

Tabela 2:Classificação máxima absoluta

2.6.6. Características térmicas

Tamb= 25oC, Não existindo outras Especificações

Parâmetros Condição de teste Simbologia Valor Unidade

Junção ambiental L=4mm, RthJA 300 K/W
TL=constante
o
Faixa de temperatura de TJ, Tstg -65 a +175 C
operação e armazenamento
Tabela 3:Características térmicas

Electronica de Potência 10
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

2.6.7. Características eléctricas

Tamb= 25oC, Não existindo outras Especificações

Parâmetros Condição de Simbologia Min tipo Max Unidade

teste
Tensão de avanço IF = 10mA VF 1 V
Queda de tensão IR = 100 𝜇𝐴 VR 100 V
Corrente reversa VR = 20V, Tj = IR 50 𝜇𝐴
de pico 150oC
VR = 20V IR 25 n𝐴

VR = 75V IR 5.0 𝜇𝐴
Capacitância de VR = 0, f=1 MHz CD 4 p𝐴
díodo
Tempe de IF = 10mA até IR trr 4 ns
recuperação = 1mA, VR = 6V,
reversa RL = 100Ω

Tabela 4:Características eléctricas

2.6.8. Dimensão do pacote em mm polegadas

Figura 9:díodode comutação rápida . Fonte: VISHAY

Electronica de Potência 11
 Diodos E Transistor De Efeito De Campo

2.6.9. Características típicas

Tamb=25oC, Não existindo outras Especificações

Figura 10:Corrente de avanço vs Tensão de avanço Figura 11:Corrente inversa vs Tensão inversa

Electronica de Potência 12
3. Transístor Efeito de Campo (FET)
Os Transístores efeito de campo (FET - Field Effect Transistor) são dispositivos unipolares
de três terminais controlados por tensão, isto é, o seu parâmetro de controlo é o campo
eléctrico. Em outras palavras o FET controla uma corrente principal (corrente de dreno) a
partir de uma tensão (tensão porta fonte). Portanto estes transístores apresentam apenas um e
único tipo de portadores de carga, que são Lacunas (P) ou electrão livre (N).

O seu princípio de funcionamento baseia-se em controlo de uma carga móvel associada a

uma camada muito fina de semicondutor, designada por Canal, à custa de um campo
eléctrico perpendicular à camada e que é criado por um terminal designado por Porta (Gate).
Nas extremidades do canal existem dois contactos metálicos associados a dois terminais
designados por Dreno (Drain) e Fonte (Source).

Existem basicamente dois tipos de FET:

 JFET (Transístor Efeito de Campo de Junção – Junction Field Effect Transistor)

 MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor – Transístor Metal-
Óxido-Semicondutor), também chamado de IGFET (Insulated Gate Field Effect
Transistor – Transístor Efeito de Campo de Porta Isolada).

3.1. Transístor Efeito de Campo de Junção (JFET)

O JFET é um tipo de transístor unipolar denominado de junção devido as suas características
e apresenta na sua parte superior do canal conectada por meio de um contacto ohmico ou
terminal chamado dreno (D), enquanto extremidade do mesmo material esta ligada a um
material ohmico chamada fonte (S) os dois matérias do mesmo tipo (parte inferior e parte
superior), estão conectados entre se e também ao terminal chamado porta (G).

Electronica de Potência 13
A figura 12 mostra a estrutura física de um FET (canal n) com os seus respectivos terminais:

Figura 11:estrutura do FET de canal n.

Onde:

 D (Drain/Dreno) – onde os portadores majoritários saem;

 S (Source/Fonte) – é o terminal no qual os portadores majoritários entram;
 G (Gate/Porta) – são as regiões fortemente dopadas em ambos os lados do canal
(quando o canal é n o gate é p;
 𝑉𝐷𝐷 – é a tensão aplicada entre o dreno e a fonte;
 𝑉𝐺𝐺 - é a tensão medida entre o gate e a fonte;
 𝑉𝐷𝑆 – é a tensão medida entre o dreno e a fonte;
 𝑉𝐺𝑆 – é a tensão madida entre o gate e a fonte.

3.1.1. Características físicas e construtivas

Figura 12:Representação esquemática do JFET de canal N (esquerda) e canal P (direita).

O dreno e a fonte estão conectados aos extremos do canal principal e a porta estas conectadas
as duas camadas que se encontram nas partes laterais. Na ausência de um potencial aplicado,

Electronica de Potência 14
ao JFET possui duas junções p-n não polarizadas. O resultado e uma região de depleção em
cada junção, semelhante a uma região de díodo não polarizado.

A região de depleção não possui portadores livres e, não permite, a condução através da
região. Portanto, fisicamente podem ser encontrados dois tipos de JFET: JFET-Canal N e
JFET Canal-P (figura 13).

O objetivo é controlar a corrente 𝐼𝐷 que circula entre a fonte e o dreno. Isto pode ser feito
aplicando-se uma tensão na porta. (𝑉𝐷 ou 𝑉𝐷𝑆 ), surge uma corrente 𝐼𝐷 , como indica a figura
13. Com o potencial de porta igual a zero (𝑉𝐺 = 0 ou 𝑉𝐺𝑆 = 0), aplicando-se uma tensão
entre o dreno e a fonte. A dopagem da região da porta é muito maior do que a do canal, desta
forma a região de depleção (região de carga espacial) será muito maior do lado do canal.

3.1.2. Modo de operação e curvas características

Consideremos inicialmente 𝑉𝐷𝑆 = 0 e apliquemos uma tensão 𝑉𝐺𝑆 com a polaridade indicada
na figura 1 e que polariza reversamente a junção PN. O canal estará todo aberto e entre e
dreno e fonte existirá um canal com uma determinada resistência. Como a tensão aplicada na
resistência é zero a corrente resultante será zero (𝐼𝐷 = 0).

Se a tensão de porta for aumentada, aumenta a polarização reversa o que faz a região de carga
espacial avançar mais no canal até fechá-lo totalmente A tensão de porta que provoca o
fechamento total do canal é chamada de tensão de pinçamento (pinch-off em inglês), 𝑉𝑃𝑂 ,
sendo uma quantidade negativa no caso de canal N e positiva para o canal P. Agora
consideremos 𝑉𝐺𝑆 = 0 e apliquemos uma tensão entre dreno e fonte com a polaridade
indicada na figura .

Quando corrente 𝑉𝐷𝑆 varia inicialmente com o 𝑉𝐷𝑆 pequeno o canal praticamente não se
altera e dentro de certos limites o dispositivo se comporta como uma resistência. À medida
que 𝑉𝐷𝑆 aumenta, a corrente de dreno aumenta provocando uma queda de tensão ao longo do
canal que faz com que o estreitamento não seja uniforme. Na figura a corrente de dreno
provoca entre o ponto A e a fonte uma tensão 𝑉𝐴 e entre o ponto B e a fonte uma tensão 𝑉𝐵
estando claro que 𝑉𝐴 > 𝑉𝐵 .

Estas tensões são aplicadas na junção de forma reversa e no ponto onde a tensão reversa é
maior a região de carga espacial avança mais no canal,isto é, o estreitamento é maior próximo
do dreno.

Electronica de Potência 15
O estreitamento é máximo quando a tensão de dreno for igual à tensão de pinçamento em
modulo. Se a tensão de dreno aumentar mais ainda, as regiões de carga espacial não se
tocam, ao invés disso o estreitamento aumenta ao longo do canal conforme figura e a
corrente de dreno se mantém aproximadamente constante em 𝐼𝐷𝑆𝑆 , isto é, o dispositivo passa
a se comportar como uma fonte de corrente constante.

Na pratica existe um pequeno aumento em 𝐼𝐷 quando 𝑉𝐷𝑆 aumenta além de 𝑉𝑃 . Se a tensão de

dreno aumentar mais ainda, eventualmente será atingida uma tensão que provocará a ruptura
da junção (figura 14), destruindo o dispositivo. Esta tensão é designada por BVDSS.

Figura 13:Curva característica do JFET.

Onde:

 𝐼𝐷𝑆𝑆 é a corrente de curto circuito entre dreno e fonte ou drain-source shorted current
e corresponde à corrente máxima de dreno que o JFET pode produzir

3.1.3. Símbolos básicos

Canal N canal P
Figura 14: representação simbólica do JFET de canal N e canal P

Electronica de Potência 16
 3.1.4. Parâmetros de Operações
 𝐼𝐷𝑆𝑆 - corrente máxima que o JFET pode produzir, na qual ocorre o estrangulamento
do canal quando 𝑉𝐺𝑆 = 0.
 𝑉𝑃𝑂 – tensão máxima de saturação ou de estrangulamento (pinch-off).
 𝑉𝑃 – tensão na qual ocorre o corte do dispositivo.
 𝐵𝑉𝐷𝑆𝑆 – tensão de ruptura do dispositivo para 𝑉𝐺𝑆 .

3.1.5. Polarização do JFET

Pode-se definir 3 tipos básicos de polarização do JFETs:

 Polarização Fixa;
 Autopolarização;
 Polarização por Divisor de Tensão.

Algorítimo de Determinação da Polarização

De maneira geral, a solução de qualquer uma das configurações de polarização parte da

determinação da equação da tensão de controle do JFET, isto é, 𝑉𝐺𝑆 . Conhecida a equação de
𝑉𝐺𝑆 , o passo seguinte é a escolha de um dos dois métodos básicos de resolução:

Método matemático: consiste em aplicar a equação de 𝑉𝐺𝑆 na equação de Shockley e

soluciona-la. Para algumas configurações pode não haver resolução analítica.

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) equacao de shockley (Equacao 3)
𝑉𝑝

Onde:

 𝐼𝐷 - corrente no dreno;
 𝑉𝐺𝑆 - tensao na porta ( variavel de controle).

Método gráfico: consiste em traçar a curva característica do circuito de polarização

diretamente sobre a curva de transferência do JFET. O ponto de operação é então
determinado pela interseção entre as curvas.

Electronica de Potência 17
 3.1.5.1. Polarização Fixa
Caracteriza-se pela presença de uma fonte DC fixa dedicada a polarização da porta (G). É
tipo mais simples de polarização do JFET. Pode ser solucionada tanto pelo método
matemático quanto pelo método gráfico (curva de transferência).

Uma vez que os capacitores são “circuitos abertos” em análise DC, podemos eliminá-los do
circuito para determinar a polarização. A determinação da equacao de 𝑉𝐺𝑆 , pode ser feita
através da análise de malha do circuito da figura 16:

−𝑉𝐺𝐺 + 𝑅𝐺 𝐼𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 = 0 mas 𝐼𝐺 = 0, logo: −𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 = 0, ou seja: 𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺

A solução matemática pode ser encontrada simplesmente aplicando a equação acima à Eq. de
Shockley:

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝

Figura 15:Polarização Fixa[Fonte : boylestad, 2004]

A solução gráfica parte da determinação da curva de transferência do JFET, com a curva de

transferência traçada basta traçar sobre ela a curva de 𝑉𝐺𝑆 , que neste caso é
simplesmenteuma reta vertical em: 𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺 .

Electronica de Potência 18
A interseção entre as curvas determina o ponto de operação do JFET, também chamado de
ponto quiescente (Q). A partir do ponto Q encontra-se o valor de 𝐼𝐷𝑄 .

Figura 16:curva de transferencia com pontos quiescentes [Fonte : boylestad, 2004]

3.1.5.2. Autopolarização

A autopolarização obedece os seguintes passos:

 Elimina a necessidade de uma fonte dedicada à polarização do gate.

 Polarização através da tensão sobre o resistência 𝑅𝑠 .
 𝑉𝐺𝑆 torna-se uma função da corrente de saída 𝐼𝐷 , e da resistência 𝑅𝑠 .
 Assim como na análise anterior, podemos eliminar os capacitores do circuito para
determinar a polarização.
 A determinação da 𝑉𝐺𝑆 , pode ser feita através da análise de malha do circuito da
figura 18:

𝑅𝐺 𝐼𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 − 𝑅𝑆 𝐼𝑆 = 0 mas 𝐼𝐺 = 0 e 𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 , logo: 𝑉𝐺𝑆 = −𝑅𝑆 𝐼𝐷

Electronica de Potência 19
 Figura 17:Autopolarização [Fonte : boylestad, 2004]

A solução matemática pode ser encontrada substituindo na equação de Shockley

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝

A resolução pelo método gráfico, consiste simplesmente em traçar a curva de 𝑉𝐺𝑆 sobre a
curva de transferência do JFET, previamente esboçada. A 𝑉𝐺𝑆 neste caso é uma reta 𝑉𝐺𝑆 =
−𝑅𝑆 𝐼𝐷 , cuja inclinação é dada por 𝑅𝑆 . Para traça-la basta determinar 2 pontos (figura 19):

 Se 𝐼𝐷 = 0, entao 𝑉𝐺𝑆 = 0
 Se 𝐼𝐷 = 𝐼𝑎𝑟𝑏𝑖𝑡𝑟𝑎𝑟𝑖𝑜 , entao 𝑉𝐺𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝑎𝑟𝑏𝑖𝑡𝑟𝑎𝑟𝑖𝑜

Figura 18:curva de transferencia com pontos quiescentes [Fonte : boylestad, 2004]

Electronica de Potência 20
 3.1.5.3. Polarização por Divisor de Tensão
Caracteriza-se por fixar a polarização do gate sem a necessidade de uma fonte dedicada e de
forma mais independente dos parâmetros de saída do JFET. Através dessa configuração é
possível ajustar o ponto de operação do JFET sem variar a resistência 𝑅𝑆 , como ocorre na
autopolarização.

Eliminando os capacitores para a análise de polarização, pode-se determinar 𝑉𝐺 diretamente

através do divisor de tensão (figura 20) formado por 𝑅1 e 𝑅2 , ou seja:

𝑅2
𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 (𝑅 ) , por outro lado, 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 , logo : 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑅𝑆 𝐼𝐷
1 +𝑅2

Figura 19:Polarização por Divisor de Tensão [Fonte : boylestad, 2004]

O procedimento para determinar o ponto de operação deste tipo de circuito de polarização é

muito semelhante ao de autopolarização, com a diferença que neste caso a reta de polarização
não parte mais da origem dos eixos e sim do ponto 𝐼𝐷 = 0, 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺

Outro ponto notável da reta descrita pode ser obtido fazendo-se 𝑉𝐺𝑆 = 0, oque resulta em 𝐼𝐷 =
𝑉𝐺
𝑅𝑆

Figura 20:curva de transferencia com pontos quiescentes [Fonte : boylestad, 2004]

Electronica de Potência 21
 3.1.6. Vantagens e Desvantagens FETs

3.1.6.1. Vantagens
 Impedância de entrada elevada;
 Relativamente imune à radiação;
 Produz menos ruído;
 Possui melhor estabilidade térmica.
 Ganho de tensão Menor;
 Portador de Carga, lacunas ou electrões livre;
 A tensão é o seu elemento de controlo;
 Maior estabilidade;
 Maior tamanho em relação ao BJT

3.1.6.2. Desvantagens
 Banda de ganho relativamente pequena
 Maior risco de dano quando manuseado.

3.1.7. Principais aplicações

 Chave analógica: Multiplexador analógico

 Limitador de corrente

 Amplificadores de frequências altas com ganho superior

Electronica de Potência 22
 3.1.8. Dados do Catalogo do Fabricante

Tabela 5: Dados de catálogo do fabricante [Fonte : boylestad, 2004]

Electronica de Potência 23
4. Conclusão
Findo o trabalho cuja vocação era abordar sobre díodos de potência e FETs e tendo alcançado
os objectivos específicos identificados na introdução do mesmo, chegou – se às seguintes
conclusões: Os díodos de potenciais diferem dos díodos de junção devido a capacidade muito
maior de potência. Os díodos de potência são classificados em três categorias definidas pelo
seu tempo de recuperação reversa. O transístor de efeito de campo é uma aplicação das
combinações de matérias semicondutores, que possibilita a existência de três pinos.

Electronica de Potência 24
5. Recomendações
Concluído o trabalho e em função das limitações faciadas pelo grupo é oportuno deixar as
seguintes recomendações aos leitores.

1. Leitura dos livros MUHAMMED E ASHFAQ.

2. Utilização de softwares de simulação aplicando díodos e FETs.

Electronica de Potência 25
6. Bibliografia
[1] FLOYD, THOMAS L. Dispositivos electrónicos. 8ª ed. PEARSON EDUCACIÓN,
México, 2008

[2] ASHFAQ, Ahmed. Electrónica de Potência. Ed. Afiliada, 2000, São Paulo.

[3] MUHAMMAD, H. Rashid. Eletrônica de Potência. Editora Afiliada, 2ª ed. 1999.

[4] BOYLESTAD, Robert L; NASHELSKY, Louis, “Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos”, 8ª ed. Prentice Hall, 2004.

[5] ... www.Vishay.com -Vishay Semiconductors- 1N914

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