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LABORATORIO 1: APLICACIÓN DE FUENTE DE CORRIENTE

(POLARIZACIÓN Y CARGA ACTIVA)

PRESENTADO POR:

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS


FACULTAD DE INGENÍERIA
INGENÍERIA ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA II
BOGOTÁ
2019

INTRODUCCION:
La polarización de un transistor es un tema importante en la amplificación dado que existen varios

métodos de polarización de transistores desde los resistivos hasta los activos.

En el presente informe de laboratorio diseñamos tres formas de polarización con transistores

bipolares npn, y así observar, analizar el comportamiento de cada una, respecto a su precisión,

implementación y aplicación.

OBJETIVOS:

Objetivo general:

 Polarizar un transistor para unos valores específicos de corriente usando varios tipos de polarización.

Objetivos específicos:

 Diseñar polarización de red resistiva clásica a un integrado CA3086 con un solo transistor.

 Aplicar espejo de corriente para polarizar el transistor, para ello se usa el CA3086.

 Polarizar mediante espejo de corriente y además utilizar carga activa con transistores para el

CA3086.

MARCO TEORICO:

Polarización transistor bipolar:

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada , comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

El transistor es considerado una fuente de corriente dependiente de la corriente de base, podemos

deducir que la malla de base es la que polariza al transistor para obtener ciertas características de
corriente y voltaje en la malla de salida, que es donde se obtiene la amplificación. Existen distintos

tipos de polarización, cada uno con distintas características.

 Polarización con medios resistivos:

Este tipo de polarización se diferencia del anterior en que en el emisor se coloca una resistencia RE,

con esta resistencia se logra que el circuito sea más estable en comparación con el de la polarización

fija.

Se asume que VCC y el β son valores que se conocen, luego de la malla de entrada por LVK se

tiene:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸𝑅𝐸 ; IE ≈ IC


𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶𝑅𝐸; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵𝑅𝐵 + 0,7 + 𝛽𝐼𝐵𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 0,7
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽𝑅𝐸
.

De la malla de salida se tiene:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸𝑅𝐸; 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶


𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸) Viene a ser la ecuación de la recta de carga para este circuito.

Es con las ecuaciones obtenidas y con la curva característica de salida con las que se pueden

resolver y diseñar este tipo de circuitos para la polarización del BJT en la región activa.

En el siguiente vídeo se diseña un circuito de polarización estabilizado en el emisor, se supone que

se necesita un circuito en el cual la ICQ y la VCEQ son conocidos, por lo que se busca cuáles son

las resistencias adecuadas a utilizar para lograr el circuito adecuado, luego los resultados se

comprueban en un circuito real.


Figura 1: Polarización con medio resistivo.

 Fuente de corriente:

Fuente de corriente Widlar En muchos amplificadores integrados se requieren fuentes de corriente

con niveles de polarización muy bajos (del orden de 5µA) y alta impedancia de salida. Generar estos

valores con fuentes de corriente basadas en espejos de corriente exige que la resistencia de

polarización sea del orden de 600kΩ; estas resistencias son muy costosas de integrar porque ocupan

demasiada área. Estos valores de corriente se pueden generar con un coste más bajo en la fuente

de corriente Widlar. Esta fuente utiliza una resistencia de emisor de pequeño valor de forma que los

transistores están trabajando con diferentes valores de VBE

Figura 2: espejos de corriente.

En este circuito, si se suma las tensiones en la base de los transistores, y asumiendo que ß >>1, se

obtiene
Sustituyendo las tensiones VBE por las expresiones de las ecuaciones de Ebers-Moll indicadas en

la ecuación 1 y suponiendo transistores idénticos I S1=IS2=IS, resulta

Al simplificar y agrupar la anterior ecuación y teniendo en cuenta que IC2=Io se obtiene la ecuación

característica de la fuente Widlar

La impedancia de salida se puede aproximar a

 Polarización con fuente de corriente en el emisor y carga activa:

Se define carga activa como un componente que se comporta como resistencia no lineal estable

contra corriente, la carga activa es un elemento de circuito compuesto de dispositivos activos, como

los transistores, diseñado para poseer una impedancia alta a señales pequeñas evitando una caída

de voltaje considerable, como ocurriría si se utilizaran resistencias de gran valor. El análisis de una

carga activa es muy similar al del espejo de corriente básico, donde la corriente de salida es

equivalente a la de referencia. Además que proporcionan resistencias

de alto valor resultando etapas amplificadoras con elevada ganancia

operando incluso con bajos niveles de voltaje de polarización, con

las cargas activas se pueden lograr ganancias elevadas.


Figura 3: Polarización con fuente de corriente en el emisor y carga activa.

MATERIALES

Los componentes usados para el desarrollo de la práctica fueron:

 Transistor (CA-3086

 Transistores (2N-3906 PNP) dos con similares hfe para realizar la carga activa.

 Resistencias comerciales

1. Montar el diseño de la red resistiva clásica de polarización para I CQ= 0.5 mA, VCC = ± (escoger

valor). Verificar voltajes y corriente IC. (Polarizar para VRC≈VCE≈VRE en malla salida)

(Utilizar arreglo de transistores CA3086)

Sabiendo que 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸+𝑉𝑅𝐸 − 𝑉 = 0. Sustituyendo el voltaje en RB como corriente por resistencia

nos quedaría

𝐼𝑏𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉 = 0 De donde despejamos RB y tendríamos

𝑉 − 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝑏

Debemos averiguar Ib que se puede hallar ya que tenemos ic de la siguiente manera

𝐼𝑐 0.5𝑚𝐴
𝐼𝑏 = = = 5𝜇𝐴
ℎ𝑓𝑒 100
6−4−0.7
𝑅𝐵 = = 350𝐾Ω
5𝜇𝐴

Ahora sabiendo que 𝐼𝑐 ≈ 𝐼𝑒 resulta sencillo el cálculo de RC y RE de la siguiente manera:

𝑉𝑅𝑐 4𝑉 𝑉𝑅𝐸 𝑉𝑅𝐵 4𝑉


𝑅𝐶 = = = 10𝑘Ω , 𝑅𝐸 = = = = 10𝑘Ω
𝐼𝐶 0.4𝑚𝐴 𝐼𝐸 𝐼𝐶 0.4𝑚𝐴

Además se puede calcular RB1 y RB2 para una polarización por divisor de voltaje con las siguientes

ecuaciones:

𝑅𝐵1 𝑅𝐵2 𝑅𝐵1 𝑉𝑐𝑐


𝑅𝐵 = 𝑦 𝑉𝑡ℎ =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2

Dando como resultado: 𝑅𝐵1 = 𝑅𝐵2 = 700𝑘

𝑉𝐶𝐶 12𝑉
𝑟0 = = = 30𝑘Ω luego (30kΩ ∥ 10kΩ) = 7.5kΩ luego la ganancia sera:
𝐼𝐶 0.4𝑚𝐴

𝐴𝑉 = −𝑔𝑚(𝑅𝑐 ∥ 𝑟0 ) = 26𝑚𝑠(7.5𝑘Ω) = −195


Polarizado con fuente de corriente en Emisor:

Podemos hallar el valor de la R de referencia que

necesitamos para cumplir con las especificaciones del

circuito. Notemos que el espejo de corriente está en el emisor

y lo que se desea es mantener constante la corriente de

emisor, ya que, esta corriente es aproximadamente la misma

corriente de colector (Ic), la cual debe ser fijada en el punto

Q de trabajo, que para este laboratorio es IcQ = 0.4 mA y por

tanto el valor de I0 = 0.4 mA. Observamos ahora que I0 es

igual a: IRef debido a que, como antes se mencionó, los transistores son idénticos; para hallar R Ref

entonces aplicamos la ley de nodos de Kirchhoff y hallamos que:

(𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏𝑒 ) (6𝑣 − 0.7𝑣)


𝑅𝑅𝑒𝑓 = = = 13.25 𝐾Ω
𝐼𝑅𝑒𝑓 0.4 𝑚𝐴
Para hallar la ganancia del circuito miramos ahora su comportamiento en AC, y reemplazamos el

equivalente del transistor en análisis de Giacoletto. Debido al acople del circuito en AC el espejo de

corriente queda en paralelo con un corto circuito por tanto observamos que:

𝑣𝐸𝑛𝑡 = 𝑣𝜋
𝑣𝑆𝑎𝑙 = −𝑔𝑚𝑣𝜋 𝑅𝑐
Entonces tenemos que:
−𝑔𝑚 𝑣𝜋 𝑅𝑐
𝐴𝑣 = = −(0.01538𝑠)(5000Ω) = −76.92
𝑣𝜋
CA3086 polarizado utilizando una carga activa:
Para este caso, al transistor amplificador solo está la resistencia de base, y las correspondientes

resistencias de referencia, tanto para la carga activa (PNP), como para el espejo de corriente.
La resistencia de base se puede hallar de la siguiente

forma :

VCC
VCC  RB (I B ) V BE   0 , ahora se procede a
3

calcular

VCC
VCC V BE 
RB  3  6v  0,7v  2v  825k 
IB 4 A

Con respecto al punto anterior la corriente deseada en el

espejo no ha variado, por ende debe ser la misma

Rref  13,25k  . Para el caso de la carga activa I ref  I , y cuya resistencia se halla analizando

la malla, con la siguiente relación:

VCC V BE V V BE 6v  0,7v
IX   R X  CC   13,25K 
RX IX 0,4mA

La ganancia del circuito está determinada por los parámetros del circuito que para este caso es el

hoe que para este caso el hoe es 15,6 S , esta se rige por la formula deducida en clase

I C 1
AV   RNL RNL  , entonces,
VT 2hoe

0.4 1
AV    493.09
26 2(15,6S )

DESARROLLO DE LA PRÁCTICA:
Los datos en la tabla corresponden a cada uno de los montajes: 1) polarización resistiva, 2)

polarización con fuente de corriente (Espejo de Corriente), y 3) Polarización con fuente de corriente

y carga.

4) ¿Es sencillo lograr que la diferencia de potencial se distribuya equitativamente entre los

transistores de malla de salida?

En teoría si, al no usar fuentes de corriente ni carga activa se hace más sencillo lograr una

distribución equitativa de diferencia de potencial, ya que es un diseño basado en polarización por

voltaje, pero al momento de analizar y de lograr distribuir el diferencial de potencial usando la fuente

de corriente, se hace más complejo ya que el factor más importante al tener en cuenta son los valores

del transistor a usar, ya que no son predecibles ni iguales, se presenta el problema de variación

respecto a los cálculos de las corrientes, por ende se puede decir que no es como la teoría lo

propone (aclarando que teniendo los valores exactos y transistores con similares valores, se puede

lograr una distribución equitativa). Otro de los factores tales como él  y la resistividad de otros

materiales afectan el montaje, variando significativamente los valores con los calculados

teóricamente y claro la tolerancia de cada elemento usado, ya que al ser elementos comerciales su

grado de tolerancia es bastante grande. Y finalmente influye respecto a la configuración que usan

los espejos de corriente, ya que la región en la cual trabaja el transistor afecta la distribución del

potencial, como en algunos casos el transistor entra en zona de corte, debido a la impedancia y

corriente del circuito a polarizar.

5) Las mediciones en la polarización por divisor de tensión como se puede observar fue aproximada

a la teoría, sin embargo estos voltajes cambian en los otros tipos de polarización, pero la corriente

𝐼𝐶 se mantiene relativamente constante lo que nos muestra la utilidad de estos métodos de

polarización.
ANALISIS

1) En el caso del primer montaje, polarizado por (Divisor de voltaje), los errores no pasaron más del 5

%, estos errores se atribuyen a las tolerancias presentadas tanto por las resistencias,

condensadores, frente a las mediciones se tomaron valores ideales, pero si miramos está dentro de

un margen de error considerable.

2) Notamos que para la polarización con fuente de corriente en el emisor los márgenes de error

obtenidos son bastante aceptables aunque cabe resaltar el 8% de error en la Ic es debido a las

diferentes tolerancias de los componentes.

3) En esta polarización fue donde los porcentajes de errores fueron los más altos en todas las

mediciones, esto a causa de la variación de los parámetros en el caso de la carga activa la variación

del beta en los transistores PNP (2N3906), así mismo los parámetros de impedancia y la una carga

activa no ecuánime, con parámetros distintos al CA3086. Cabe aclarar que la zona de trabajo de

cada transistor en el caso de la carga activa era diferente a la zona de trabajo del espejo de corriente.

CONCLUSIONES

• Para el montaje polarizado por divisor de voltaje se pudo verificar que los cálculos hechos fueron

correctos ya que los voltajes, y en la teoría eran de 4v y al medir en el laboratorio, los valores de

voltaje respectivos fueron cercanos a 4v además se puedo comprobar que la corriente de colector

es 0.4 mA en el montaje.

• Al polarizar aplicando fuente de corriente los voltajes no se distribuyen igual en los puntos medidos

ya que como los betas de los transistores no son exactamente los mismos generan esta variación

según las mediciones. Por lo tanto la polarización con fuente de corriente no funciona (en este caso

en que los parámetros de los componentes son casi iguales) como se espera cuando las

características de los transistores no son las mismas y más aún si no se tienen en cuenta algunas

características propias de los transistores.


• En la polarización con carga activa las mediciones no fueron las esperadas ya que los parámetros

propios de cada transistor no son idénticos al otro haciendo que las lecturas se vean afectadas con

lo que se evidencia que para hacer de esta polarización efectiva en la práctica se necesitaría

conseguir elementos que no tengan tantas diferencias entre sí.

• La resistencia de base en los tres montajes cumple un papel bastante importante, ya que esta se

encarga de estabilizar la corriente, en los tres casos la resistencia varia al incrementar un nuevo

elemento al circuito, como vemos en la polarización con carga activa, el valor se hace demasiado

grande en comparación con el divisor de voltaje (universal) y la fuente de corriente.

ANEXOS:

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

 http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/0471200689.app6/pdf; Consultado:

28/Agosto/2015.

 www.soft-data.com/utn/Apuntes/EAI/5-Cap5a-EAI.pdf; nombre del documento: Carga

Activa y Amplificador Operacional; Consultado: 28/Agosto/2015

 http://www4.tecnun.es/asignaturas/circelectron/Archivos/Tema_II_2.pdf; nombre del

documento: FUENTES DE CORRIENTE Y CARGAS ACTIVAS; Consultado:

28/Agosto/2015

 http://users.ece.gatech.edu/mleach/ece3050/notes/ISources/isources.pdf; nombre del

documento: Current Sources; Consultado: 29/Agosto/2015


 http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/electronic-componen ts-and-circuits/exercises-

projects/OCW-ECC_S12_Analysis_of_ DC _circuits_with_transistors_(BJT).pdf nombre

del documento: Analysis of DC circuits with BJT; Consultado: 28/Agosto/2015

 http://acacia.pntic.mec.es/~cvillora/teoria/frame.htm; Consultado: 29/Agosto/2015

 Louis Nashelsky, Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos; Octava Edición;

Pearson

 Gustavo Camps Valls,José Espí López,Jordi Muñoz Marí, Fundamentos de electrónica

analógica; PUV

 Tomasi; Sistemas de comunicaciones electrónicas; Prentice Hall

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