UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS - EXPERIENCIA N°5

MERJILDO ALANIA LUÍS DAVID 17190122

DAVILA ESPINOZA PEDRO YEREMI 15190006

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN: CARACTERISTICOAS BASICAS

RESUMEN
En este informe se presenta el
desarrollo de la experiencia n°4 el
La prueba estática de un transmisor se
transistor bipolar npn: características
realiza mediante el uso del ohmímetro
básicas, se muestra los resultados
obtenidos en el laboratorio mediante la Con los reconocimientos siguientes:
medición de diversos circuitos
Polarización directa:
respecto al tema , se analizas
resultados , se muestran simulaciones La resistencia entre BE debe ser
de los circuitos experimentados ligeramente mayor respecto a la BC
,gráficos errores porcentuales etc., los
La resistencia entre CE ya sea directa o
instrumentos más usados son el
inversa debe ser muy grande.
osciloscopio multímetro conectores
diodos etc. Así cuyos objetivos 1.
planteados al desarrollar son: Determina qué plomos son la base, el
emisor y el colector. Los plomos son
Verificación de las condiciones del cables redondos o planos que se extienden
transistor PNP y características de desde el fondo del transistor. En algunos
funcionamiento transistores, están etiquetados o sino
podrías analizar el diagrama del circuito
para averiguar cuál de los plomos es la
base.
I. INTRODUCCIÓN
El uso del osciloscopio y el generador
de señales son vitales para este informe
Prueba estática del transistor
2
Sujeta la sonda negra a la base del
transistor.

5
Retira la sonda negra y ahora sujeta la
3 base con la sonda roja.

Toca el emisor con la sonda roja. Lee la

pantalla del multímetro y fíjate si la
resistencia es alta o baja.

4 Toca el emisor y el colector con la sonda
Ahora toca el colector con la sonda
roja. La pantalla debería dar la misma
medición que cuando tocaste el emisor con
la sonda roja.
6
negra. Compara la medición del
multímetro con las mediciones que
obtuviste anteriormente.
● Si ambas mediciones previas eran altas y
ahora ambas mediciones son bajas, el
transistor está en buenas condiciones.
● Si las mediciones previas eran bajas, y las
mediciones actuales son altas, el transistor
está en buenas condiciones.
● Si ambas mediciones que obtienes con la
sonda roja no son iguales, ambas
mediciones con la sonda negra no son
iguales o las mediciones no cambian
cuando cambias de sonda, el transistor está
dañado.

II. MATERIALES Y MÉTODOS

A. EQUIPOS MATERIALES Y
HERRAMIENTAS UTILIZADOS

● Osciloscopio
● Multímetro
● Generador de señales
● Fuente de poder DC
● Punta de prueba de osciloscopio
● Transformador de 220V/12V
● Resistores
● Potenciómetros
● Capacitor
Todos estos materiales se muestran en
el diseño del circuito con sus
respectivas medidas.

B. ESQUEMAS
Figura 5.1

C. Procedimientos
1. Considerando los
valores nominales de los
componentes utilizados,
 realizar la simulación del e. Aumentar las
circuito mostrado en la resistencias de P1
figura 5.1. Considere a 100KΩ, 250KΩ,
todos los casos indicados 500KΩ, 1MΩ.
en el paso 3. Llenar los Observar lo que
valores sucede con las
correspondientes en las corrientes Ib y
tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5 con la tensión Vc
2. Verificar el estado (usar Re=0) llenar
operativo del transistor, la tabla 5.4.
usando la función f. Ajustar el

Ve

0
0.314 0
11.2 0

0
0
0
0
ohmímetro del generador de

0.446

0.735
0.735
multímetro. Llene la señales a

0.71
0.682

0.1
Vbe
tabla 5.1 50mVpp, 1KHz,

0.7
3. Implementar el circuito onda sinusoidal.

0.163
0.163
11.9
0.86mA 0.88mA 31.5nA 11.9
11.2

11.6

0.37
de la figura 5.1 Observarla salida

9.48

10.2
Vce
a. Medir las Vo con el

51.2nA
corrientes que osciloscopio.

132uA
132uA
137uA
0.52mA 0.5mA 2uA

114
circulan por el Anotar en la

12.9

9uA
colector (Ic), el Ib tabla 5.5.

9.56mA
11.9mA
11.9mA
1.27uA
emisor (Ie) y la

2.19mA

9.20
base (Ib) cuando 2.07
Ie

el potenciómetro

9.70mA
11.8mA
11.8mA
1.09uA
P1 está ajustado III. RESULTADOS
2.25mA

9.31
para tener una Tabla 5.1
2.06
Ic

resistencia de
resistencia directa Inversa
0Ω.

Simulados
Simulados

Simulados

Simulados
Base - emisor 567Ω Muy alta
medidos

medidos

medidos

medidos
Teóricos

Teóricos
teóricos

teóricos

b. Medir las
Base – colector 565Ω
tensiones entre
Base – emisor
el colector–
emisor (Vce),
valores

500kΩ
100kΩ

250kΩ

1MΩ
entre base–
P1
P1

P1

P1

emisor (Vbe) y
Tabal 5.2
entre emisor–
tierra (Ve). R1(56kΩ) Ic(mA Ie(mA Ib(uA Vce Vbe Ve
) ) )
c. Colocar los datos Teóricos 8.34 8.39 51.6 1.81 0.72 1.8
obtenidos en la 6 3 5
Simulado 8.34 8.39 51.6 1.81 0.72 1.8
tabla 5.2 s 6 3 5
d. Cambiar R1 a Medidos 9.7 9.8 36 1.38 0.71 2.1
68KΩ, repetir los
pasos (a) y (b), y
anotar los datos
en la tabla 5.3 Tabla 5.3
R1(68kΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos 6.87 6.91 41.8 3.6 0.717 1.52
Simulados 6.87 6.91 41.8 3.6 0.717 1.52
Medidos 6.2 7.3 38.3 3.8 0.7 1.45

Tabla 5.4

Tabla 5.5
Av(sinCe)

4.34

4.32
Ai

16.
Av

17
96
848mV

848mV

850mV
850mV
Vo

50mV
50mV

50mV

50mV
Vi

Simulados
Simulados

medidos

medidos
teóricos

teóricos
R1(56KΩ)

R2(68KΩ)

IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS

CUESTIONARIO
1. Explicar el comportamiento del
transistor al hacer su
verificación operativa con el
multímetro en función
ohmímetro.
Observamos que en un transistor de
tipo NPN la resistencia de base - emisor
es ligeramente mayor que la base –
colector, la resistencia de colector
emisor es muy alta.
 2. Representar la recta de carga en 𝑄2 = {𝐼𝑐𝑄 = 6.87𝑚𝐴 𝑉𝑐𝑒 = 3.6𝑉
un gráfico Ic vs Vce del circuito
4. ¿Qué sucedería con el punto de
del experimento. Ubicar los
operación si cambiamos R1 a
puntos correspondientes a las
150KΩ? Explicarlos valores e
tablas 5.2, 5.3 y 5.4.
indicar el valor simulados.
Para las tablas 5.2 y 5.3 tememos Q1 y
Obteniendo asi:
Q2 respectivamente

Q1
Q2

3. ¿En qué regiones de trabajo se

encuentran los puntos de la
tabla 5.2 y 5.3?

R1(150kΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve

Teóricos 2.5 2.5 15.4 9 0.7 252mV

Los puntos de trabajo son: Simulados 2.49 2.51 15.4 8.957 0.687 252mV
Medidos
𝑄1 = {𝐼𝑐𝑄 = 8.34𝑚𝐴 𝑉𝑐𝑒 = 1.8𝑉

𝑄3 = {𝐼𝑐𝑄 = 2.49𝑚𝐴 𝑉𝑐𝑒 = 8.9𝑉


5. Indicar las diferencias más
importantes entre el circuito
este experimento (transistor
NPN) con respecto al anterior
(transistor PNP).
Diferencia Entre Los Transistores NPN y
PNP
Antes de hablar de las diferencias entre NPN y
PNP transistores, primero vamos a discutir lo
que son y sus similitudes.
Ambos NPN y PNP son transistores de unión
bipolar (BJTs). Los BJT son transistores
controlados por corriente que permiten la
amplificación de corriente.
Una corriente en la base del transistor permite
una corriente mucho mayor a través de los
cables del emisor y del colector. NPN y PNPs
son exactamente iguales en su función:
proporcionan la capacidad de la amplificación y
/ o de la conmutación.
Tan técnicamente, alcanzan y hacen la misma
cosa exacta.
Cómo difieren es cómo la energía se debe
asignar a los pernos terminales para que
proporcionen esta amplificación o traspuesta.
Dado que se construyen internamente de
manera muy diferente, corriente y voltaje
deben ser asignados de manera diferente para
que puedan trabajar. Un transistor NPN recibe
voltaje positivo al terminal de colector y voltaje
positivo al terminal de base para un
funcionamiento correcto. Un PNP transistor
recibe un voltaje positivo al terminal emisor y
un voltaje negativo en el terminal base (o, más
bien, un voltaje más negativo o más bajo que el
suministrado en el terminal del emisor).
Dado que la asignación de tensión es diferente,
la forma en que funciona el flujo de corriente
para activarlos es diferente. Un transistor NPN
está alimentado cuando se suministra una
corriente suficiente a la base del transistor. Por
lo tanto, la base de un transistor NPN debe
estar conectada a una tensión positiva para
corriente a flujo en la base. Un transistor PNP
es lo opuesto. En un transistor PNP, la corriente
fluye fuera de la base (corriente negativa a la
base) dando a la terminal de base una más
negativa (una inferior) tensión que lo que es
suministrado al terminal emisor. Mientras el
voltaje en el terminal base es menor que en el
terminal emisor en un transistor PNP, la
polarización correcta y la corriente negativa
efecto se logrará.
Así que sabiendo esto, con un transistor NPN, la
corriente necesita ser originada a la base del
transistor para su funcionamiento. Esto
significa que las necesidades actuales deben
fluir hacia la base. En un transistor PNP, la
corriente se obtiene o se hunde desde la base
del transistor a tierra para el funcionamiento.
Esto significa que la corriente deben salir de la
base. Así que un enfoque simple de pensar en
ello es un transistor NPN requiere una corriente
positiva a la base, mientras que un PNP
requiere corriente negativa a la base (la
corriente debe salir de la base a tierra). Así que
sabiendo esto, con un transistor NPN, la
corriente necesita ser originada a la base del
transistor para su funcionamiento. Esto
significa que la corriente deben fluir hacia la
base. En un transistor PNP, la corriente se
obtiene o se hunde de la base del transistor a
tierra para su funcionamiento. Esto significa
que la corriente deben salir de la base. Así que
un enfoque simple de pensar en ello es que un
transistor NPN requiere una corriente positiva a
la base, mientras que un PNP requiere una
corriente negativa a la base (la corriente debe
fluir desde la base a tierra).
Otro concepto que diferencia los transistores
NPN y PNP es que dado que el voltaje se asigna
de manera diferente, tienen corrientes de
corriente opuestas en la salida. En un transistor
NPN, la corriente de salida fluye desde el
colector al emisor. En un transistor PNP, la
corriente de salida fluye desde el emisor al
colector.

A continuación se revisan los conceptos

explicados anteriormente con más detalle, con
diagramas, para ilustrar mejor las diferencias
entre los transistores NPN y PNP.

La Asignación De Tensión Y El flujo De

Corriente Se Conmutan

Un transistor NPN recibe tensión positiva en el

Dado que los transistores PNP y NPN están
compuestos de diferentes materiales, la forma
en que el voltaje está sesgado a ellos para
producir el flujo de corriente es diferente, y su
flujo de corriente es opuesto también.
terminal del colector. Este voltaje positivo al
colector permite que la corriente fluya a través
del colector al emisor, dado que hay una
suficiente corriente base para encender el
transistor.

Los transistores PNP están formados por dos Transistor PNP

capas de material P intercalando una capa de
material N, mientras que los transistores NPN
están formados por dos capas de material N
que emparedan una capa de material P.
Realmente opuestos.

Por lo tanto, para producir flujo de corriente en

un transistor NPN, se da una tensión positiva al
terminal de colector y la corriente fluye desde
el colector al emisor. Para un transistor PNP, se
da un voltaje positivo al terminal del emisor y la
corriente fluye desde el emisor al colector.

Esto se resume a continuación.

Polarización De Voltaje y Corriente Un transistor PNP recibe tensión positiva en el

terminal emisor. El voltaje positivo al emisor
permite que la corriente fluya desde el emisor
Transistor NPN al colector, dado que hay una corriente
negativa a la base (corriente que fluye desde la
base a tierra).
Cómo funcionan (Encender y Apagar) observamos que la mejor zona
de trabajo se encuentra en Q1
con una mayor amplificación de
corriente.
Transistor NPN
● Se puedo verificar
experimentalmente y de
forma simulada las formas
Así es como funciona un transistor NPN:
de onda que cada circuito
A medida que aumenta la corriente a la base de proporcionaba.
un transistor NPN, el transistor se activa cada
● Siempre es recomendable
vez más hasta que se conduce completamente
desde el colector al emisor. colocar de buena forma las
puntas de prueba del
Y a medida que disminuye la corriente a la base
osciloscopio para evitar
de un transistor NPN, el transistor se enciende
cada vez menos, hasta que la corriente es tan distorsiones en la obtención
baja, el transistor ya no conduce a través del de las ondas.
colector al emisor y se apaga.

VI. REFERENCIA BIBLIOGRÁFICAS

Transistor PNP
● https://www.equiposylabor
atorio.com/sitio/contenidos
Un transistor PNP funciona de manera
_mo.php?it=1484
totalmente opuesta.
● https://www.ecured.cu/Rec
A medida que la corriente se hunde desde la tificadores
base (fluye desde la base hasta la tierra), el
● https://hetpro-
transistor está encendido y conduce a través de
la alimentación en la carga de salida. store.com/TUTORIALES/tran
sistor-bjt/
● https://es.scribd.com/docu
La diferencia está en el tipo de resistor ment/381762589/Circuitos-
que usamos al momento de polarizar al Electronicos-I-Informe-
transistor FINAL-5-FIEE-UNMSM
● https://www.millerwelds.co
Buscar o ver cuál es el caso donde el m/files/owners-
transistor entra al estado de manuals/o150853_spa.pdf
amplificación esto se explica mejor en
la parte de conclusiones.
(Transistor NPN) con respecto al
anterior (transistor PNP).
V. CONCLUSIONES
● Según las gráficas mostradas
obtenemos distintos resultados
donde el transistor muestra
distintas operación y