1.

¿Definir las bandas de valencia de los materiales

aislantes, semiconductores y metal?
 Aislantes:
Se lo denomina como un mal conductor.
Tiene una gran Banda Prohibida (Eg ≈ 6eV), que
separa la Banda de Valencia llena de la Banda
de Conducción Vacía. La energía que se le
podría suministrar desde un campo exterior es
demasiado pequeña para llevar la partícula
desde la Banda llena a la vacía. Como el electrón
no puede adquirir la suficiente Energía, la
conducción es imposible.

 Semiconductores:
Los semiconductores más conocidos
son: Silicio (Eg ≈ 1.21eV) Germanio (Eg ≈
0.785eV) Arseniuro de Galio (Eg ≈ 1.38eV)
Cuya energía, a bajas temperaturas, no se
puede adquirir normalmente desde un campo
aplicado exteriormente. Por ello, la banda de
valencia permanece llena y la de conducción
vacía, comportándose como un aislante. A
medida que la temperatura aumenta, algunos
de estos electrones de valencia adquieren
una energía térmica mayor que Eg, y por lo
tanto se mueven en la banda de conducción.
A partir de este momento, son electrones
libres en el sentido de que pueden moverse
bajo la influencia de cualquier campo exterior aplicado.
Conductores:
Con la influencia de un campo eléctrico
los electrones pueden adquirir una energía
adicional y cambiar a etapas más elevadas.
Ya que estos electrones móviles constituyen
una corriente, estos materiales son
conductores y la región parcialmente llena es
la banda de conducción.
 2. ¿Analizar las características de los semiconductores
intrínseco (puro) y describir de la tabla periódica que
materiales son de este tipo?
 Semiconductor intrínseco (puro):

Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se

denomina semiconductor intrínseco.
Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y
el silicio (Si); siendo éste último el más empleado (por ser mucho más abundante
y poder trabajar a temperaturas mayores que el
germanio).

Cada átomo de un semiconductor tiene 4

electrones en su órbita externa (electrones de
valencia), que comparte con los átomos
adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De
esta manera cada átomo posee 8 electrones en
su capa más externa., formando una red
cristalina, en la que la unión entre los electrones
y sus átomos es muy fuerte. Por consiguiente,
en dicha red, los electrones no se desplazan
fácilmente, y el material en
circunstancias normales se comporta como un
aislante.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por

lo que algunos pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica.
De esta manera, la resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura
(su conductividad aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de
valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y
moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos
electrones, se les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo de una pila, se
dirigen al polo positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de
silicio, deja en la red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría
una carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La

conducción eléctrica a través de un semiconductor es el resultado del movimiento
de electrones (de carga negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones
opuestas al conectarse a un generador. Si se somete el cristal a una diferencia de
potencial se producen dos corrientes eléctricas: una debida al movimiento de los
electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos,
originando una corriente de huecos. Los electrones libres se dirigen hacia el polo
positivo de la pila (cátodo), mientras que los huecos pueden considerarse como
portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila, llamado
ánodo (hay que considerar que por el conductor exterior sólo circulan los electrones
que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos sólo existen en el seno del cristal
semiconductor).

3. ¿Repetir la pregunta anterior para semiconductores

extrínsecos (Dopados o impurificados)?
 Semiconductor extrínseco (dopado):

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un

proceso de impurificación (llamado dopaje), consistente en introducir átomos de
otros elementos con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor
obtenido se denominará semiconductor extrínseco. Según la impureza (llamada
dopante) distinguimos:

 Semiconductor tipo P: se
emplean elementos trivalentes (3
electrones de valencia) como el Boro (B),
Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes.
Puesto que no aportan los 4 electrones
necesarios para establecer los 4 enlaces
covalentes, en la red cristalina éstos átomos
presentarán un defecto de electrones (para
formar los 4 enlaces covalentes). De esa
manera se originan huecos que aceptan el
paso de electrones que no pertenecen a la
red cristalina. Así, al material tipo P también
se le denomina donador de huecos (o
aceptador de electrones).

 Semiconductor tipo N: Se emplean

como impurezas elementos
pentavalentes (con 5 electrones de
valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico
(As) o el Antimonio (Sb). El donante
aporta electrones en exceso, los cuales
al no encontrarse enlazados, se moverán
fácilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese
modo, el material tipo N se denomina
también donador de electrones.
 4. ¿Analizar la estructura interna del diodo
semiconductor; así mismo sus características y
funcionamiento?

Estructura Interna del diodo:

El diodo consiste
fundamentalmente en la unión
de dos piezas de cristal
semiconductor compuestas por
átomos de silicio puro,
procesadas cada una de una
forma diferente, de forma que
una sea de tipo P (con carga
positiva) y otra tipo N (con carga
negativa). Para lograr esto, a
las piezas se les añade algunas
moléculas de otro elemento
semiconductor, denominadas
impurezas. Este proceso se
denomina dopado. Al final del
proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de
electrones en su estructura atómica (lo que produce la aparición de “huecos”) y otra
pieza negativa (N) con exceso de electrones.
Para finalizar el diodo, se añaden unos contactos a los extremos de la unión
P-N que facilitarán la conexión al circuito donde vaya a ser utilizado. Por último se
les introduce en un encapsulado de cristal o resina sintética para proteger la unión.
Sin embargo, este proceso de construcción del diodo es utilizado solo en la teoría,
ya que industrialmente se fabrican de una sola pieza formada por dos regiones con
cargas opuestas. De esta forma se evita tener que unirlos posteriormente.

Principio de funcionamiento del diodo:

Diodo de unión PN
Al unir estas dos piezas obtenemos el
diodo de unión PN. La región cargada
positivamente y la cargada negativamente
(figura 2) conforman la región de
agotamiento de la unión PN, en la que
esencialmente no hay electrones o huecos
en movimiento. De esta forma, se obtiene un
diodo semiconductor de silicio de unión PN,
en el que la parte positiva (P) constituye el
ánodo (A) y la parte negativa (N) el cátodo
(K).
 Diodo polarizado en inversa
Se dice que el diodo está polarizado en inversa cuando se aplica un voltaje
positivo a la región N o cátodo (y por lo tanto un voltaje negativo a la región P o
ánodo). Esto provoca la aparición de un campo eléctrico que detiene a los huecos
de la región P y a los electrones de la región N, por lo que no existe ninguna corriente
que cruce la unión PN. A medida que aumenta este campo eléctrico, el número de
cargas positivas y negativas aumenta, lo que provoca un ensanchamiento de la
región de agotamiento. Valores muy elevados del campo eléctrico pueden dar lugar
al efecto avalancha, que se produce cuando se llega a la tensión de ruptura.
Diodo polarizado en directa
Se dice que el diodo está polarizado en directa cuando se aplica una tensión
positiva en el ánodo, se generando un campo eléctrico que desplazará la carga
positiva hacia la unión de las piezas, provocando un estrechamiento de la región de
agotamiento. Esta zona impedirá la conducción hasta que no se supere la tensión
de barrera o de codo. Una vez superada esta tensión, desaparece la región de
agotamiento y el dispositivo conduce. Cuando esto ocurre se dice que el diodo esta
en polarización directa.

5. ¿Describa y analice todos los tipos de diodo

semiconductor y analice su funcionamiento?
 DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL

Los diodos detectores también denominados

diodos de señal o de contacto puntual, están hechos
de germanio y se caracterizan por poseer una unión
PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas
frecuencias y con señales pequeñas. Se emplea por
ejemplo, en receptores de radio para separar la
componente de alta frecuencia (portadora) de la
componente de baja frecuencia (información
audible). Esta operación se denomina detección.
  DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos
dispositivos semiconductores que solo conducen en
polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización
inversa no conducen. Estas características son las que
permite a este tipo de diodo rectificar una señal. Los
hay de varias capacidades en cuanto al manejo de
corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema
americano, la referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de serie, por ejemplo:
1N4004. La “N” significa que se trata de un semiconductor, el “1” indica el número de
uniones PN y el “4004” las características o especificaciones exactas del dispositivo. En el
sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En
este caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el tipo (rectificador). Sin embargo muchos
fabricantes emplean sus propias referencias, por ejemplo: ECG581.
 DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se
distingue por su capacidad de mantener un voltaje
constante en sus terminales cuando se encuentran
polarizados inversamente, y por ello se emplean como
elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y para
tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se
comporta como un diodo normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 o
BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia
máxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ)
 DIODO VARACTOR
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o
diodo de sintonía. Es un dispositivo semiconductor que
trabaja polarizado inversamente y actúan como
condensadores variables controlados por voltaje. Esta
característica los hace muy útiles como elementos de sintonía en receptores de radio y
televisión. Son también muy empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores,
generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los
diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.
  DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)
Es un diodo que entrega luz al aplicársele un
determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una
recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP;
si este se ha polarizado directamente la luz que emiten
puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo
de su composición.
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída de
voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente directa (IF) y la
intensidad luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con
valores de IF desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades desde menos de
0.5 mcd (milicandelas) hasta más de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor
es el brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mínimo para LED’s rojos y
máximo para LED’s azules.
Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la
corriente a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima. También deben
protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a5V causa
generalmente su destrucción inmediata del LED.
 DIODO LÁSER
Los diodos láser, también conocidos como láseres
de inyección o ILD’s. Son LED’s que emiten una luz
monocromática, generalmente roja o infrarroja,
fuertemente concentrada, enfocada, coherente y
potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos
compactos (CD’s) que contienen datos, música, películas, etc., así como en sistemas de
comunicaciones para enviar información a través de cables de fibra óptica. También se
emplean en marcadores luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas
aplicaciones.
 DIODO ESTABILIZADOR
Está formados por varios diodos en serie, cada uno de
ellos produce una caída de tensión correspondiente a su
tensión umbral. Trabajan en polarización directa y estabilizan
tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los diodos
Zéner.
  DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como
diodos Esaki. Se caracterizan por poseer una zona
de agotamiento extremadamente delgada y tener
en su curva una región de resistencia negativa
donde la corriente disminuye a medida que
aumenta el voltaje. Esta última propiedad los hace
muy útiles como detectores, amplificadores,
osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en
aplicaciones de alta frecuencia.
 DIODO PIN
Su nombre deriva de su formación P(material
P), I(zona intrínseca)y N(material N) Los diodos PIN
se emplean principalmente como resistencias
variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT
como osciladores. También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc. Son
dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de
respuesta de los diodos comunes está limitada por su tiempo de tránsito, es decir el tiempo
que tardan los portadores de carga en atravesar la unión PN. Los más conocidos son los
diodos Gunn, PIN e IMPATT.
 DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en
polarización inversa una zona de resistencia negativa
similar a las de los diodos túnel.
 DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky también llamados diodos
de recuperación rápida o de portadores calientes,
están hechos de silicio y se caracterizan por poseer
una caída de voltaje directa muy pequeña, del orden
de 0.25 V o menos, y ser muy rápidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales
y equipos de alta frecuencia. Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales
tienen un voltaje de conducción prácticamente igual a cero, pero también un voltaje inverso
de ruptura muy bajo, lo cual lo limita su uso a aplicaciones muy especiales.