UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-ÁRIDO

Departamento de Engenharia Elétrica

Disciplina: Eletrônica de Potência

Especificações e Cálculo Térmico

 Prof. Alisson Freitas

 Especificação dos Semicondutores

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Especificação dos Semicondutores

Dimensionar Especificar

Matemática Fabricante

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Especificação dos Semicondutores
Passos básicos para o desenvolvimento de um bom projeto:

1. Proposição do projeto;
2. Projetar o circuito (dimensionar);
3. Estudos via simulação utilizando componentes ideais
(quando possível);
4. Especificação do componentes(comércio);
5. Estudos via simulação utilizando componentes reais
(quando possível);
6. Aquisição dos componentes;
7. Desenhar a placa de circuito impresso;
8. Montar o circuito;
9. Teste de laboratório;
10. Documentar o projeto.

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 1: Diodo de potência

Vd1 = 788V
1. Vin = 17V;
2. Vout = 311V;
3. Iout = 0,32A;
4. Freq = 50kHz

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 1: Diodo de potência

Sites de buscas dos componentes

a) http://www.onsemi.com
b) http://www.fairchildsemi.com
c) http://www.farnellnewark.com.br
d) http://br.mouser.com

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 1: Diodo de potência

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 1: Diodo de potência

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 2: BJT

1. Vin = 12V;
2. Vmotor = 12V;
3. Pmotor= 48W;

• Acionamento do motor por tensão contínua (transistor opera na região linear);

• Transistor acionado por microcontrolador.

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 2: BJT
Corrente no coletor (Ic)?

𝟒𝟖
Ic = Im= = 4A
𝟏𝟐

Tensão coletor emissor (Vce)?

V𝐜𝐞 = 𝟏𝟐V
Coeficiente de ajuste:

V𝐜𝐞 = 𝟏𝟐*1,2=15V

Ic = 4*1,2=5A

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 2: BJT

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 3: MOSFET

1. Vin = 12 V;
2. Vm = 12 V;
3. Pm = 48 W;

Acionamento do motor com modulação por largura de pulsos (PWM).

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 3: MOSFET

Corrente no coletor (Ic)?

𝟒𝟖
Ic = Im= = 4A
𝟏𝟐

Tensão coletor emissor (Vce)?

V𝐜𝐞 = 𝟏𝟐V
Coeficiente de ajuste:

V𝐜𝐞 = 𝟏𝟐*1,2=15V

Ic = 4*1,2=5A

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Dimensionamento e Especificação

Exemplo 3: MOSFET

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
O cálculo térmico consiste em determinar a elevação de
temperatura que ocorre do ambiente até a junção do
semicondutor, utilizando para tal um modelo térmico.

A escolha do dissipador é realizada utilizando um modelo

térmico simplificado para se determinar a resistência térmica
entre a junção do semicondutor e o ambiente.

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
 Tj = temperatura na junção (ºC);
 Tc = temperatura na cápsula (ºC);
 Td = temperatura no dissipador (ºC);
 Ta = temperatura ambiente (ºC);
 Rjc = resistência térmica entre junção e cápsula (ºC/W);
 Rcd = resistência térmica entre cápsula e dissipador (ºC/W);
 Rda = resistência térmica entre dissipador e ambiente (ºC/W);
 P = potência dissipada no componente (W).

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
A potência dissipada sobre o componente irá provocar um
aumento de temperatura, dado por:

Vale ressaltar que a temperatura na junção será maior do que

a temperatura ambiente. Já a resistência térmica total entre a
junção e o ambiente será

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
Assim, a resistência térmica máxima entre junção e
ambiente, para dadas condições de operação do
semicondutor, pode ser determinada por:

OBS: O primeiro passo para escolha do dissipador é

verificar a real necessidade de utilizá-lo. Lembre que
alguns encapsulamentos de componentes, por exemplo o
DO-41 utilizado nos diodos da série 1N4001 até 1N4007 não é
construído para ser fixado em dissipador.

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
Exemplo 1: Considere um circuito de corrente contínua
no qual um diodo 1N4001 está sendo percorrido por
uma corrente de 0,9 A. A temperatura ambiente é de
40ºC. Deve-se verificar a necessidade ou não de usar
dissipador.

1º Passo: Determinar as perdas nos componentes:

Vf = 1,1V (dado retirado do datasheet)

P = Vf * If = 1,1 * 0,9 = 0,99W

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico

2º Passo: Análise das características do componente:

Sabe-se que o encapsulamento do diodo 1N4001, mostrado na

Figura abaixo, não permite usar dissipador. Assim, precisa-se
verificar se nas condições dadas no problema o componente irá
funcionar adequadamente.
Assim, pode-se proceder de duas
formas:

1. Calcular a temperatura na junção e

comparar com o limite suportado
pelo componente;

2. Determinar a resistência térmica

máxima entre junção e ambiente e
comparar com o valor da folha de
dados.

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
1 Forma: Calcular a temperatura na junção e comparar
com o limite suportado pelo componente:

A temperatura na junção do diodo 1N4001, em função

das condições de operação do circuito e com a resistência
térmica entre junção e ambiente obtida da folha de dados
será:

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
1 Forma: Calcular a temperatura na junção e comparar
com o limite suportado pelo componente:

Sol:

Tj = Ta + P*Rja

Tj = 40 + 0,99*50 = 89,5ºC

Como esta temperatura é menor do que 175 ºC, que é o valor

máximo suportado pelo componente, então se conclui que não será
necessário utilizar dissipador.

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
2 Forma: Determinar a resistência térmica máxima entre
junção e ambiente e comparar com o valor da folha de
dados.

Sol:

𝑻𝒋 −𝑻𝒂 𝟏𝟕𝟓−𝟒𝟎
𝑹𝒋𝒂 = = = 139,36ºC/W
𝑷 𝟎,𝟗𝟗

Como este valor é maior do que a resistência de 50ºC/W dada na folha

de dados, então não será necessário utilizar dissipador.

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
Exemplo 2: Considere um transistor bipolar de junção
modelo TIP31, conduzindo permanentemente e pelo qual
circula uma corrente de 2,5 A. Se a temperatura ambiente for
de 50 ºC, determine se há necessidade de usar
dissipador ou não. Se for necessário o emprego de
dissipador, determine o mesmo.

1º Passo: Determinar as perdas no componente:

Vce(sat) = 1,2V

P = Vce(sat) *Ic = 1,2 * 2,5 = 3W

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
Como pode ser observado na Figura abaixo o TBJ Tip31 possui
encapsulamento para que, caso necessário, seja acoplado um
dissipador.

2º Passo: Análise das características do componente:

Tj = Ta + P*Rja

Tj = 50 + 3*62,5 = 237,5ºC

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
A temperatura suportada pelo transistor é de 150ºC, portanto será
necessário empregar dissipador.

A máxima resistência térmica entre junção e ambiente será:

𝑻𝒋 −𝑻𝒂 𝟏𝟓𝟎−𝟓𝟎
𝑹𝒋𝒂 = = = 33,33ºC/W
𝑷 𝟑

Portanto, considerando que a resistência térmica entre cápsula e

dissipador é da ordem de 1 ºC/W quando se emprega mica ou pasta
térmica, se tem:

Rda = Rja –Rjc-Rcd = 33,33 -3,125 -1 = 29,21 ºC/W

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico
3º Passo: Escolha do dissipador

Sites:

1 - www.hsdissipadores.com.br

2 - www.thornton.com.br

Núcleo Escolhido:

Hs 3512

Resistência Térmica = 8,35 ºC/W para 10cm de altura

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico

Note que a resistência térmica do dissipador escolhido é

bem inferior ao necessário. Assim, pode reduzir o comprimento
(altura) do dissipador, visto que o fabricante o especifica para 10
cm.

𝑹𝒅𝒂 (𝒄𝒂𝒍𝒄𝒖𝒍𝒂𝒅𝒐) 𝟐𝟗,𝟐𝟏

Fc= = = 𝟑, 𝟓𝟎
𝑹𝒅𝒂(𝒅𝒊𝒔𝒔𝒊𝒑𝒂𝒅𝒐𝒓) 𝟖,𝟑𝟓

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Montagem no Circuito

A fixação do semicondutor no dissipador é tão importante quanto a

escolha adequada do dissipador. Uma boa fixação, proporcionando um
bom contato mecânica e consequente condução térmica é essencial para
a eficaz retirada do calor da junção do semicondutor

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Montagem no Circuito

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 Cálculo Térmico

Exemplo 1: Considerando o diodo com as características abaixo

faça o que se pede:

Modelo: FEPB16ATHE3/81 (Vishay Semiconductors);

Corrente = 10A;
VF = 0,95 V;
Tj= 150 ºC;
Rjc = 3,1 ºC/W para o encapsulamento FEPF.
Rja = 73ºC/W

a) A potência dissipada no diodo;

b) A temperatura na junção sem uso de dissipador;
c) A necessidade de usar dissipador;
d) O dissipador escolhido, caso seja necessário.

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br

 CONCLUSÃO

Referências:

 RASHID. Eletrônica de Potência. Editora Pearson Education do Brasil

LTDA. 1998.

 BARBI. Eletrônica de Potência. Edição do Autor. 2006.

 HART. Eletrônica de Potência Análise e Projeto de Circuitos. Editora

Mcgraw Hill. 2012

 Notas de Aula professor Petry - UFSC

PROF: ALISSON FREITAS Eletrônica de Potência E-mail: alisson.freitas@ufersa.edu.br