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1 – Objectifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2 – Électronique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3 – Exemple - Cristal de Silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
4 – Matériau de type N . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5 – Matériau de type P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
6 – Jonction N-P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
7 – Polarisation en direct . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
8 – Polarisation en inverse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
9 – Caractéristiques de la diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
10 – La diode électro-luminescente : LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
11 – Les barrières de potentiel pour différentes couleurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
12 – Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
13 – Les Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
14 – Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
15 – Courbes I-V idéales du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
16 – Courbes I-V réelles du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
17 – Transistor fonctionnant en interrupteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
18 – Transistor fonctionnant en amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
19 – Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
20 – Méthode graphique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1 – Objectifs
2 – Électronique
• conductrice;
• isolante;
• semi-conductrice.
Définition
Un semi-conducteur est un cristal (silicium, germanium) qui conduit mieux qu’un
isolant (porcelaine, caoutchouc) mais moins bien qu’un conducteur (cuivre,
aluminium). La conductivité d’un semi-conducteur dépend principalement du degré
des impuretés qu’on lui ajoute et qu’on appelle dopage.
4 – Matériau de type N
Définition
5 – Matériau de type P
6 – Jonction N-P
+ −
Finalement, les charges
électron repoussé
non recouvertes créent une
barrière de potentiel qui + − −
empêche les électrons d’aller
combler des trous. N P
+ + −
Lorsqu’on met en contact
trou repoussé
un matériau de type N avec
un matériau de type P, on + −
obtient une DIODE.
7 – Polarisation en direct
+
− R
− +
− + + + − − − +
− +
− + + + − − − +
− +
L’électrode négative repousse les électrons vers la jonction N-P. L’électrode positive
repousse les trous vers la jonction N-P. Si le potentiel extérieur est égal à la barrière
de potentiel, alors les charges franchissent aisément la jonction N-P et la diode
conduit. Lorsque la diode conduit, sa résistance est très faible et il est souvent
nécessaire de brancher une résistance en série pour limiter le courant.
8 – Polarisation en inverse
+
−
+ −
+ + + + − − − −
+ −
+ + + + − − − −
+ −
L’électrode négative attire les trous du matériau P en les éloignant donc de la
jonction N-P. L’électrode positive attire les électrons du matériau N en les éloignant
de la jonction N-P.
La zone non recouverte devient de plus en plus importante et aucun courant ne
traverse la jonction N-P. Cette expansion s’arrête lorsque le potentiel extérieur
devient égal au potentiel de la jonction.
9 – Caractéristiques de la diode
6
I (Ampères)
qqq
q
qqq A K
jonction polarisée zone de P N
qqq conduction
en inverse. Aucun qqq en direct
courant ne passe A H
H K A = Anode
q
q
qqq
Vinv ?
K = Cathode
-
qq
qqq
q A K
qq qq
qqq @ I
@ début de la 6 0.7V V (Volts)
conduction
qqq en inverse début de la 6ligne indiquant le
q conduction
qqq en direct
côté de la cathode
qq
q conduction
qqq en inverse
qq
1240
λ = longueur d’onde en nanomètres
∆V
∆V est l’énergie acquise en traversant la barrière de potentiel (en volts).
12 – Exemple
Une diode ordinaire au Silicium, dont la barrière de potentiel est de 0.7V, émet la
lumière suivante :
1240
λ = = 1771 nm
0.7
ce qui représente de la lumière invisible (infrarouge).
Pour obtenir donc de la lumière visible (400nm < λ < 760nm), il faut augmenter la
barrière de potentiel.
13 – Les Transistors
Collecteur Collecteur
+ N
Base =⇒ + N
Base
− P − P
N N
a) Emetteur b) Emetteur
• Schéma (a) la jonction base-émetteur (P-N) laisse passer un courant (en direct). La
jonction base-collecteur (N-P) est bloquée (en inverse). Aucun courant collecteur (Ic ) ne
circule dans le circuit.
• Schéma (b) largeur de base réduite de beaucoup. Une partie des porteurs injectés
dans la base (électrons) disparaissent par recombinaison (en comblant des trous). L’autre
partie, du fait de l’étroitesse de la partie P, réussit à se rendre jusqu’à la jonction inverse
base-collecteur.
Un électron qui arrive dans la zone d’une jonction en inverse est aussitôt repoussé en
milieu N (collecteur). Cet électron est attiré par la borne positive de la source et un
courant Ic circule dans le circuit : le transistor conduit.
École Polytechnique de Montréal : MEC 4540 - Génie Mécanique Automne 2003
Prof. E.K. Boukas
Chapitre 2 : Éléments d’électronique 17
14 – Exemple
Ic = courant du collecteur
GAIN du transistor β = IIc
b Ib = courant de base
Collecteur Émetteur
Ib Ib
Base Base
Ic Ic
Émetteur Collecteur
Transistor NPN Transistor PNP
École Polytechnique de Montréal : MEC 4540 - Génie Mécanique Automne 2003
Prof. E.K. Boukas
Chapitre 2 : Éléments d’électronique 18
Ic5 .......
..................................................................................
......................................... Ib5 > Ib4
...............
....
.......
.
Ic4 .
....
..
..
......
........................................................................................
................................... Ib4 > Ib3
... ................
. ........
... .......... Ib3 > Ib2
Ic3 .... .... .....................................................................................................................................................
.. .. ...... Ib2 > Ib1
...... .......
Ic2 ...... ... ......................................................................................................................................................
.... .. ...... Ib1 , mA
...... ... ........
Ic1 ......... .... ....................................................................................................................................................
...... .. ......
............ ..........
........ ...
................
........
...... - VCE , volts
VCE
Les caractéristiques ci-dessus sont appelées idéales parce que le gain β est
considéré constant de telle sorte que l’on ait toujours le rapport suivant constant :
Ic , mA
6 .......................... Ib6 = 30µA
................
A .... ...
......... ........... Ib5 = 25µA
Ic6 @
.... ...
@ ..r.. f .. ... ........
..... ..
.............
Ic5 .....@.......r...e.............
. ....... .
β= variable
.. .... @ ...............
............... Ib4 = 20µA
... ... ....... ..
....
Ic4 .... .... @ ..........d
. ............
...........
r
..
... ... ........... @
................... Ib3 = 15µA
.. ... ... ....
Ic3 .... .. .
. . .
..
@.r......
................
c . ................
@
...... ... ... ........ ...
.. . ..........
...... ... .......... ...................... Ib2 = 10µA
Ic2 ............ ..... @ ....... .
b
...................
...................
r
........ ...
........ ...............
............. ...........
@ a ..................... I = 5µA
Ic1 ......... .........
. .
...
.. ....................@
.......r............ b1
..... .... .......
.................
...... ...
.. . ...........
............ .
@
....... .............. @
... .....
............
. @- VCE , volts
2 4 6 8 10 B
Pour qu’un transistor puisse fonctionner en interrupteur, il faut qu’il soit en mode
saturé. Dans un transistor NPN, lorsque le nombre d’électrons qui atteint la jonction
base-collecteur est plus grand que ce que le collecteur peut accepter, on dit que le
transistor est saturé.
+10V
R
On veut mettre ce circuit en mode saturé Ic
afin de le faire fonctionner en interrupteur.
C
Les paramètres sont : B
β = 110
R = 1kΩ, β = 110, V = +10V .
Ib E
10V − VCE
Ic =
R
Le courant Ic est maximal lorsque VCE =0:
10V
Icmax = = 10mA
1kΩ
En commençant avec un courant de base faible, on obtient :
10mA 10mA
Ic = Icmax =⇒ βIb = 10mA =⇒ Ib = = = 90.9µA
β 110
L’intersection de la droite de charge avec une courbe I-V pour un courant de base Ib donné
donnera un point de fonctionnement du transistor, c’est-à-dire Ic et VCE .
Méthode analytique celle-ci revient à calculer Ic et VCE pour un courant de base donné en
19 – Exemple
+15V
R2
Ic
Soit un transistor dont les paramètres
sont : R1 = 100kΩ, R2 = 5kΩ, R1
β = 120
le gain β = 120. Calculez Ic et VCE Ib
pour un courant de base Ib = 20µA.
20 – Méthode graphique
Ic , mA
6
r Icmax = 3mA
@
@
@ P ..................................... Ib = 20 µA
......
Ic P
......
...@
..........r......
....
.
. .....
. @
..
.. ..
.. @ droite de charge
...
.
.. @
...
.. @
...
.. @
...
.. @ VCEmax = 15V
...
.. @
...
. @ r?- VCE , volts
VP