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Chapitre 2 : Éléments d’électronique 1

1 – Objectifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2 – Électronique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3 – Exemple - Cristal de Silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
4 – Matériau de type N . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5 – Matériau de type P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
6 – Jonction N-P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
7 – Polarisation en direct . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
8 – Polarisation en inverse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
9 – Caractéristiques de la diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
10 – La diode électro-luminescente : LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
11 – Les barrières de potentiel pour différentes couleurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
12 – Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
13 – Les Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
14 – Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
15 – Courbes I-V idéales du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
16 – Courbes I-V réelles du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
17 – Transistor fonctionnant en interrupteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
18 – Transistor fonctionnant en amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
19 – Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
20 – Méthode graphique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

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Prof. E.K. Boukas
Chapitre 2 : Éléments d’électronique 2

1 – Objectifs

Après lecture de ce chapitre, vous allez être en mesure de:

• comprendre comment les composants électroniques sont faits;


• comprendre comment fonctionnent les diodes, les transitors et les
amplificateurs opérationnels;

• concevoir des circuits électroniques pour traiter les signaux.

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2 – Électronique

La matière peut être soit:

• conductrice;
• isolante;
• semi-conductrice.
Définition
Un semi-conducteur est un cristal (silicium, germanium) qui conduit mieux qu’un
isolant (porcelaine, caoutchouc) mais moins bien qu’un conducteur (cuivre,
aluminium). La conductivité d’un semi-conducteur dépend principalement du degré
des impuretés qu’on lui ajoute et qu’on appelle dopage.

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3 – Exemple - Cristal de Silicium

Le silicium possède 4 électrons de valence


et forme un cristal dont la structure est en
tétraèdre avec un atome à chaque coin et un + +
lien covalent sur chaque arête.

L’ion de silicium (+) fait partie de la struc-


ture cristalline et ne peut pas se déplacer.
Si
Le lien covalent entre 2 électrons voisins fait
aussi partie de la structure cristalline et fait + +
en sorte que les électrons ne peuvent pas
se déplacer.

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4 – Matériau de type N

Définition

Un matériau de type N est un semi-conducteur

auquel on a ajouté des impuretés avec 5 électrons de valence.

Ces impuretés peuvent être du Phosphore, de l’Antimoine ou de l’Arsenic.

On réussit, par un procédé spécial, à remplacer un atome de Silicium (Si )

qui a 4 électrons de valence par un atome qui a 5 électrons de valence

sans briser la structure cristalline rigide existante.

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On a injecté un atome d’Antimoine


Si Si
(Sb ). La structure existante ne peut
électron
accrocher que 4 électrons parmi libre
les 5 qui ont été injectés. Donc,
un électron se trouve libre de se
déplacer.
Si Sb
Plus le dopage est fort (injection
de plus d’impuretés), plus il y a
d’électrons libres et plus le matériau
devient meilleur conducteur.
Si Si

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5 – Matériau de type P

Définition un matériau de type P est un


semi-conducteur auquel on a ajouté des
impuretés avec 3 électrons de valence. Ces
Si Si Si
impuretés sont : Bore, Gallium ou Indium.
La structure existante peut accrocher trou
4 électrons, alors que l’impureté n’en
possède que 3 (atome de Bore B). En Si B Si
conséquence, un lien covalent ne peut pas
être satisfait. Ce lien est appelé un trou.
Il manque un électron =⇒ trou = charge
positive car il doit attirer une charge Si Si Si
négative. Le trou change de place à chaque
fois qu’un électron l’a comblé. Le trou se
déplace.

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6 – Jonction N-P

Un matériau de type N dispose d’électrons (−) libres de se déplacer.


Donc, l’impureté est un ion (+).
Un matériau de type P dispose de trous (+) libres de se déplacer.
Donc, l’impureté est un ion (−).
Si on met ces deux matériaux en contact, alors il va y avoir mouvement d’électrons
du matériau N vers le matériau P.
Les électrons de N vont boucher les trous de P.
Ainsi, lorsqu’un électron bouche un trou, alors les 2 charges ne sont plus mobiles
car l’électron occupe le trou : c’est la recombinaison.
À un moment donné, au niveau de la jonction, il n’y a plus de déplacement de
charges et les ions N et P restent non recouverts : c’est la zone d’appauvrissement.

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+ −
Finalement, les charges
électron repoussé
non recouvertes créent une
barrière de potentiel qui + − −
empêche les électrons d’aller
combler des trous. N P
+ + −
Lorsqu’on met en contact
trou repoussé
un matériau de type N avec
un matériau de type P, on + −
obtient une DIODE.

zone non recouverte

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7 – Polarisation en direct

+
− R

− +
− + + + − − − +
− +
− + + + − − − +
− +

L’électrode négative repousse les électrons vers la jonction N-P. L’électrode positive
repousse les trous vers la jonction N-P. Si le potentiel extérieur est égal à la barrière
de potentiel, alors les charges franchissent aisément la jonction N-P et la diode
conduit. Lorsque la diode conduit, sa résistance est très faible et il est souvent
nécessaire de brancher une résistance en série pour limiter le courant.

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8 – Polarisation en inverse

+

+ −
+ + + + − − − −
+ −
+ + + + − − − −
+ −
L’électrode négative attire les trous du matériau P en les éloignant donc de la
jonction N-P. L’électrode positive attire les électrons du matériau N en les éloignant
de la jonction N-P.
La zone non recouverte devient de plus en plus importante et aucun courant ne
traverse la jonction N-P. Cette expansion s’arrête lorsque le potentiel extérieur
devient égal au potentiel de la jonction.

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9 – Caractéristiques de la diode

6
I (Ampères)
qqq
q
qqq A K
jonction polarisée zone de P N
qqq conduction
en inverse. Aucun qqq  en direct
courant ne passe A H
H K A = Anode

q
q
qqq 
Vinv ?
K = Cathode
-
qq
qqq
q A K
qq qq
qqq @ I
@ début de la 6 0.7V V (Volts)
conduction
qqq en inverse début de la 6ligne indiquant le
q conduction
qqq  en direct
côté de la cathode
qq
q conduction
qqq en inverse
qq

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10 – La diode électro-luminescente : LED

Représentation schématique de la LED *



AA
*



Lorsqu’une diode conduit, les charges traversent la jonction, donc acquièrent de


l’énergie égale à la barrière de potentiel ∆V pour aller se recombiner, donc libérer
cette énergie, dans le mileu opposé.
La recombinaison d’un électron excité avec un trou dans la région P crée l’émission
d’un photon. L’énergie libérée dégage de la lumière :

1240
λ = longueur d’onde en nanomètres
∆V
∆V est l’énergie acquise en traversant la barrière de potentiel (en volts).

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11 – Les barrières de potentiel pour différentes couleurs

couleur longueur d’onde chute de tension

-en nanomètres- -en volts-

violet 400 < λ < 450 2.76 < ∆V < 3.1


bleu 450 < λ < 500 2.48 < ∆V < 2.76
vert 500 < λ < 570 2.18 < ∆V < 2.48
jaune 570 < λ < 590 2.10 < ∆V < 2.18
orange 590 < λ < 610 2.03 < ∆V < 2.10
rouge 610 < λ < 760 1.63 < ∆V < 2.03
infrarouge λ > 760 ∆V < 1.63

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12 – Exemple

Une diode ordinaire au Silicium, dont la barrière de potentiel est de 0.7V, émet la
lumière suivante :
1240
λ = = 1771 nm
0.7
ce qui représente de la lumière invisible (infrarouge).

Pour obtenir donc de la lumière visible (400nm < λ < 760nm), il faut augmenter la
barrière de potentiel.

Pour cela, on utilise d’autres semi-conducteurs ou des combinaisons de


semi-conducteurs :
Arsenic-gallium, Gallium-Indium, Antimoine-Arsenic, Phosphore-Azote, etc.

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13 – Les Transistors

Collecteur Collecteur

+ N
Base =⇒ + N
Base
− P − P
N N

a) Emetteur b) Emetteur

• Schéma (a) la jonction base-émetteur (P-N) laisse passer un courant (en direct). La
jonction base-collecteur (N-P) est bloquée (en inverse). Aucun courant collecteur (Ic ) ne
circule dans le circuit.

• Schéma (b) largeur de base réduite de beaucoup. Une partie des porteurs injectés
dans la base (électrons) disparaissent par recombinaison (en comblant des trous). L’autre
partie, du fait de l’étroitesse de la partie P, réussit à se rendre jusqu’à la jonction inverse
base-collecteur.
Un électron qui arrive dans la zone d’une jonction en inverse est aussitôt repoussé en
milieu N (collecteur). Cet électron est attiré par la borne positive de la source et un
courant Ic circule dans le circuit : le transistor conduit.
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14 – Exemple

En pratique, il est possible de construire une base si étroite qu’environ 99 % des


électrons atteignent la jonction inverse base-collecteur. Parmi les 100 % d’électrons
émis par l’émetteur, 99 % se retrouvent dans le collecteur et seulement 1 % se
recombinent dans la base. La base fournit donc 1 % du courant et permet le
passage d’un courant collecteur 99 fois plus grand.

Ic = courant du collecteur
GAIN du transistor β = IIc
b Ib = courant de base

Collecteur Émetteur

Ib Ib
Base Base

Ic Ic
Émetteur Collecteur
Transistor NPN Transistor PNP
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15 – Courbes I-V idéales du transistor


Ic , mA
6

Ic5 .......
..................................................................................
......................................... Ib5 > Ib4
...............
....
.......
.
Ic4 .
....
..
..
......
........................................................................................
................................... Ib4 > Ib3
... ................
. ........
... .......... Ib3 > Ib2
Ic3 .... .... .....................................................................................................................................................
.. .. ...... Ib2 > Ib1
...... .......
Ic2 ...... ... ......................................................................................................................................................
.... .. ...... Ib1 , mA
...... ... ........
Ic1 ......... .... ....................................................................................................................................................
...... .. ......
............ ..........
........ ...
................
........
...... - VCE , volts
VCE

Les caractéristiques ci-dessus sont appelées idéales parce que le gain β est
considéré constant de telle sorte que l’on ait toujours le rapport suivant constant :

Ic1 Ic2 Ic3


β = = = = · · · = constante
Ib1 Ib2 Ib3

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16 – Courbes I-V réelles du transistor

Ic , mA
6 .......................... Ib6 = 30µA
................
A .... ...
......... ........... Ib5 = 25µA
Ic6 @
.... ...
@ ..r.. f .. ... ........
..... ..
.............
Ic5 .....@.......r...e.............
. ....... .
β= variable
.. .... @ ...............
............... Ib4 = 20µA
... ... ....... ..
....
Ic4 .... .... @ ..........d
. ............
...........
r
..
... ... ........... @
................... Ib3 = 15µA
.. ... ... ....
Ic3 .... .. .
. . .
..
@.r......
................
c . ................

@
...... ... ... ........ ...
.. . ..........
...... ... .......... ...................... Ib2 = 10µA
Ic2 ............ ..... @ ....... .
b
...................
...................
r
........ ...
........ ...............
............. ...........
@ a ..................... I = 5µA
Ic1 ......... .........
. .
...
.. ....................@
.......r............ b1
..... .... .......
.................
...... ...
.. . ...........
............ .
@
....... .............. @
... .....
............
. @- VCE , volts
2 4 6 8 10 B

Pour différents points de fonctionnement (a,b,c,d,e,f), on a gain=Ic /Ib = variable.


La droite A-B s’appelle droite de charge.
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17 – Transistor fonctionnant en interrupteur

Pour qu’un transistor puisse fonctionner en interrupteur, il faut qu’il soit en mode
saturé. Dans un transistor NPN, lorsque le nombre d’électrons qui atteint la jonction
base-collecteur est plus grand que ce que le collecteur peut accepter, on dit que le
transistor est saturé.

+10V

R
On veut mettre ce circuit en mode saturé Ic
afin de le faire fonctionner en interrupteur.
C
Les paramètres sont : B
β = 110
R = 1kΩ, β = 110, V = +10V .
Ib E

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Lorsque le transistor conduit, on a :

10V − VCE
Ic =
R
Le courant Ic est maximal lorsque VCE =0:
10V
Icmax = = 10mA
1kΩ
En commençant avec un courant de base faible, on obtient :

Ib Ic = βIb V R = Ic R VCE = 10V − VR


(mA) (mA) (V) (V)
1 0.01 1.1 1.1V 8.9V
2 0.05 5.5 5.5 4.5
3 0.1 11 11 sans objet saturation

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Pour le circuit considéré, la limite pour entrer en saturation est :

10mA 10mA
Ic = Icmax =⇒ βIb = 10mA =⇒ Ib = = = 90.9µA
β 110

Pour le circuit considéré, le transistor est saturé pour Ib ≥ 90.9µA.

En conclusion, et à titre de règle générale, pour savoir si un transistor est saturé ou


pas, on compare βIb et Icmax , tel que :

si βIb < Icmax le transistor n’est pas saturé

si βIb ≥ Icmax le transistor est saturé

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18 – Transistor fonctionnant en amplificateur

Construction de la droite de charge

= f (VCE ) fournies par le


Pour chaque transistor, on dispose d’une série de courbes Ic
constructeur telles qu’à chaque courbe correspond un courant Ib .
Pour connaı̂tre les paramètres de fonctionnement d’un transistor, on trace une droite de
charge qui détermine pour chaque courant de base un point d’opération du transistor.
Méthode graphique pour tracer une droite, on a besoin de deux points :

point A : VCE = 0 et Ic = Icmax


point B : VCE = Vmax et Ic = 0

L’intersection de la droite de charge avec une courbe I-V pour un courant de base Ib donné
donnera un point de fonctionnement du transistor, c’est-à-dire Ic et VCE .
Méthode analytique celle-ci revient à calculer Ic et VCE pour un courant de base donné en

utilisant l’équation Ic = βIb et les lois de Kirchhoff.

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19 – Exemple
+15V

R2
Ic
Soit un transistor dont les paramètres
sont : R1 = 100kΩ, R2 = 5kΩ, R1
β = 120
le gain β = 120. Calculez Ic et VCE Ib
pour un courant de base Ib = 20µA.

Méthode analytique On calcule Ic qui correspond à Ib = 20µA

Icmax = βIb = (120)(20µA) = 2.4mA


15V 15V
Le courant maximal du collecteur est : Icmax = = = 3mA
R2 5kΩ
Comme Ic = 2.4mA < Icmax = 3mA, alors le transistor n’est pas saturé.
La chute de tension aux bornes de R2 est : VR2 = (5k)(2.4mA) = 12V.
La chute de tension VCE est : VCE = 15V − VR2 = 15 − 12 = 3V.

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20 – Méthode graphique

On dispose de la courbe Ic = f (VVCE ) pour le courant de base de Ib = 20µA.


La droite de charge est tracée en connaissant :

point A : VCE = 0 et Ic = Icmax = 3mA


point B : VCE = Vmax = +15V et Ic = 0

La figure de la page suivante montre le point de fonctionnement cherché, c’est-à-dire le


point P(VP = 3V, IcP = 2.4mA).
L’avantage de la méthode graphique est qu’on peut avoir tout de suite une idée globale
de tous les points de fonctionnement possibles du transistor. La méthode analytique ne
peut calculer qu’un point de fonctionnement à la fois et n’offre pas de visualisation du
point.

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Ic , mA
6

r Icmax = 3mA
@
@
@ P ..................................... Ib = 20 µA
......
Ic P
......
...@
..........r......
....

.
. .....
. @
..
.. ..
.. @  droite de charge
...
.
.. @
...
.. @
...
.. @
...
.. @ VCEmax = 15V
...
.. @
...
. @ r?- VCE , volts
VP

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