INTRODUCCIÓN.

En este trabajo vamos a abordar el estudio de a los transistores de efecto de campo se les conoce
abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes
tipos:
Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor) Transistor de
Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) Vamos a comenzar el trabajo de este tipo de transistores
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de
conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada
(corriente) y la magnitud controladora (tensión).
De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los
transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los
transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores
(electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción
dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de
los huecos en los de canal p.
Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con
niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megaóhmios, muy superiores a la que
presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de unos
pocos kiloóhmios. Esto proporciona a los FET una posición de ventaja a la hora de ser utilizados en
circuitos amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es
decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET para la misma
variación de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las ganancias de tensión en alterna que
presentan los amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.
En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más pequeños en
construcción que los BJT, lo que les hace particularmente útiles en circuitos integrados (sobre todo
los MOSFET). Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se
tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos utilizando
única y exclusivamente transistores FET
1.- Explique Transistores de Unión de efecto de Campo
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de
deplexión que rodean a cada zona p al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo puerta-surtidor, las zonas de deplexión se hacen más
grandes, lo cual hace que la corriente que va de surtidor a drenador tenga más difucultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tension inversa en
el diodo puerte-surtidor, menor es la corriente entre surtidor y drenador.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL JFET

En cada uno de los tipos de JFET la polarización entre la compuerta y la fuente debe ser
tipo inverso permitiéndose como valores limite 0 volts para disminuir la resistividad del
canal al mínimo y un voltaje denominado voltaje de apagado para incrementar al máximo
la resistividad del mismo

Existe además un voltaje máximo entre compuerta y fuente que de excederse dañaría
dielectricamente al dispositivo.

Para explicar el principio de funcionamiento de los JFET nos referiremos a un JFET canal N en el
cual inicialmente se provoca mediante un corto circuito que el voltaje VGS = 0V. Bajo esta
condición se comienza a variar desde cero el voltaje VDS lo cual provocará que la tensión entre las
terminales de drenaje y compuerta polaricen en forma inversa la unión entre dichas terminales
creándose un campo eléctrico que empobrece la cantidad de portadores de carga entre estas dos
terminales como se muestra en la figura. Este empobrecimiento no ocurre hacia el terminal de
fuente debido a que el VGS = 0V.
La principal aplicación de los JFET se encuentra en amplificadores de pequeña señal discretos, en
la etapa de entrada de amplificadores operacionales para aprovechar su alta impedancia de
entrada y en interruptores analógicos conocidas como compuertas de transmisión. Los JFET son
dispositivos de baja disipación de potencia que trabajan con señales pequeñas.

En lo general las principales características de los FETs son

1.- Alta impedancia de entrada

2.- Se logran altas escalas de integración en circuitos integrados

3.- Se pueden utilizar como memorias digitales al almacenar en su capacitancia

información en forma de voltaje

4.- Se pueden utilizar como resistores controlados por voltaje en la región ohmica de
trabajo
 5.- Su condición de trabajo depende menos de la temperatura que la del BJT

6.- Presentan la capacidad de manejar grandes corrientes

7.- Pueden conmutar a altas velocidades

8.- Son sensibles a la estática

9.- No se pueden implementar amplificadores de voltaje con una ganancia significativa

2.- Explique la tensión de Contracción VV

3.-Explique las características tensión-corriente de un JFET

4.-Explique modelo FET de Pequeña señal

.

5.-Explique FET Metal-Oxido –Semiconductor (MOSFET)

 MOSFET
Los transistores de efecto de campo metal-oxido semiconductor o MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor ) Consiste en un transistor de efecto de campo
basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial
están basados en transistores MOSFET.

Funcionamiento:
Zona Lineal:
Para una determinada tensión VGS>VTR la iD varía linealmente según se incrementa
VDS hasta una Vsat. Vsat ~VGS -VTR
Zona de Saturación:
Para una determinada tensión VGS>VTR,si VDS>Vsat la iD permanece constante aunque
aumenteVDS.

Zona de Corte:
Para una determinada tensión VGS<VTR en canal está estrangulado o no se ha formado
y no circula la corriente iD.
Zona de ruptura: Si estando en la zona de saturación se aumenta mucho VDS se produce
la ruptura del componente.
 CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET:
1.La corriente de drenador se controla mediante la tensión U
GS
2.En los MOSFET de acumulación a partir de un cierto valor umbral de U
GS se forma el canal y puede circular la corriente de drenador
3.En los MOSFET de deplexión una difusión adicional permite la circulación de la
corriente de drenador incluso para tensión UGS nula
4.Aplicaciones típicas: convertidores y accionadores electrónicos de potencia, etapas
amplificadoras, circuitos digitales, ...

Aplicaciones de un MOSFET:
1.Resistencia controlada por tensión.
2.Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET,etc).
3.Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
4.En la etapa de potencia de las Tarjetas Madres.

6.-Explique circuito MOSFET Digitales

Los MOS se emplean a menudo en electrónica digital, debido a la capacidad de trabajar entre
dos estados diferenciados (corte y conducción) y a su bajo consumo de potencia de control.
Para esta aplicación se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente
pueda considerarse que:
La caída de tensión en conducción es muy pequeña.
La transición entre el estado de corte y el de conducción es instantánea.

7.-Explique Amplificadores de baja frecuencia con fuente común

8.-Explique Amplificadores de baja frecuencia con drenaje común

9.-Explique Polarización del FET

10.-Explique el FET como resistencia variable con tensión (VVR)

11.-Explique Amplificador en fuente común para altas frecuencias

12.-Explique Amplificador en drenaje común para altas frecuencias.