ESFOT INFORME N°6
Regiones de Operación del transistor BJT
ACOSTA MACHADO DOREAN JOEL
LÓPEZ CASTELLANOS ALEXIS FRANCISCO
19 DICIEMBRE 2018
Resumen
Abstract
I.
MARCO TEORICO
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
Transistor Bipolar. El transistor bipolar de uniones,
conocido también por BJT (siglas de su denominación
inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo
de tres terminales denominados emisor, base y colector.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que
aproxima una fuente dependiente de corriente: dentro
de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de
colector es controlada por la corriente en el terminal de
base. La mayoría de funciones electrónicas se realizan
con circuitos que emplean transistores, sean bipolares o
de efecto de campo, los cuales son los dispositivos
básicos de la electrónica moderna.
Ilustración 1: Transistor BJT
TEM315L - LEG
ESTRUCTURA FÍSICA
La estructura física de un transistor bipolar consta de dos
uniones PN dispuestas una a continuación de la otra. Entre los
terminales de emisor y base hay una unión PN, denominada
unión emisora, y entre los de base y colector otra unión PN,
llamada unión colectora.
TIPOS
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el
PNP. Estos nombres proceden de la descripción de su
estructura física. En el transistor NPN el emisor es un
semiconductor tipo N, la base es tipo P y el colector es
tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a
la anterior cambiando las regiones P por regiones N, y
las N por P.
 El emisor ha de ser una región muy dopada (de
ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga
el emisor, mayor cantidad de portadores podrá
aportar a la corriente.
 La base ha de ser muy estrecha y poco dopada,
para que tenga lugar poca recombinación en la
misma, y prácticamente toda la corriente que
proviene de emisor pase a colector. Además, si
la base no es estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabajar como
si de dos diodos en oposición se tratase.
 El colector ha de ser una zona menos dopada
que el emisor. Las características de esta región
tienen que ver con la recombinación de los
portadores que provienen del emisor.
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se
aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B)
se aplica la señal de control gracias a la que se controla
la potencia. Con pequeñas variaciones de corriente a
través del terminal de base, se consiguen grandes
variaciones a través de los terminales de colector y
emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir
esta variación de corriente en variaciones de tensión
según sea necesario.
ESFOT INFORME N°6
FUNDAMENTO FÍSICO DEL EFECTO TRANSISTOR
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control
de la corriente que circula entre el emisor y el colector
del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un
transistor se puede considerar como un diodo en directa
(unión emisor-base) por el que circula una corriente
elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector),
por el que, en principio, no debería circular corriente,
pero que actúa como una estructura que recoge gran
parte de la corriente que circula por emisor-base.
Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa
(diodo A) y otro en inversa (diodo B). Mientras que la
corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es
muy pequeña (IB). Si se unen ambos diodos, y se
consigue que la zona de unión (lo que llamaremos base
del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa
corriente que circulaba por A (IA), va a quedar absorbida
por el campo existente en el diodo B.
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 SATURACIÓN
En la región de saturación se verifica que tanto la unión
base-emisor como la base-colector se encuentran en
directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y
se verifica sólo lo siguiente:
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de
saturación suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2
voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se
encuentra en saturación circula también corriente por
sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación: II
CB = ⋅ β
II.
CIRCUITOS IMPLEMENTADOS

De esta forma entre el emisor y el colector circula una III.

gran corriente, mientras que por la base una corriente ANALISIS DE RESULTADOS
muy pequeña. El control se produce mediante este
terminal de base porque, si se corta la corriente por la Presentar los valores de voltaje obtenidos en tablas, de ser
base ya no existe polarización de un diodo en inversa y posible calcular los valores teóricos correspondientes a los
otro en directa, y por tanto no circula corriente. mismos y presente los errores calculados en base a los
datos calculados y medidos.
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
PRIMER CIRCUITO
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las
corrientes y tensiones continuas que aparecen en el  Pot= máx V1=0V V2=9V
mismo queden fijadas a unos valores previamente
decididos. Es posible polarizar el transistor en zona VALORES PRACTICOS
activa, en saturación o en corte, cambiando las
tensiones y componentes del circuito en el que se VCE 9,014 V
engloba. Ib 0A
Ic 0A
 CORTE Ve 0V
Vb 0V
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula Vc 9,014 V
corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos
de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en
corte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0
(Esta última condición indica que la corriente por el
VALORES TEÓRICOS
emisor lleva sentido contrario al que llevaría en
funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en
corte basta con no polarizar en directa la unión base-
V colector 9V Corriente IB 0A
emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.
PUNTO DE CORTE
 ACTIVA
𝑉2 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
La región activa es la normal de funcionamiento del 𝑉2 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y 𝑉𝐶𝐸 = 9𝑉
se cumple que la unión base-emisor se encuentra
polarizada en directa y la colector-base en inversa.
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SEGUNDO CIRCUITO
 SEGUNDO CIRCUITO
 VALORES PRÁCTICOS
En el segundo circuito donde se tiene ya un valor de voltaje en
Pot=máx V1=6,13V Ib=51uA V2=9V las dos fuentes del circuito, con ello nos genera corrientes y
voltajes, por lo cual Ic≠0A, Ib≠0A y el Vce≥0,2V. Teniendo
VCE 0,56 V en cuenta los datos presentados, y que cumple con las
Ib 50,31 uA condiciones antes propuestas se dice que el transistor se
Ic 14,78 mA encuentra en la REGIÓN ACTIVA NORMAL
Ve 0V
Vb 0,7 V  TERCER CIRCUITO
Vc 0.56 V
En el caso del tercer circuito se está buscando que el transistor
 VALORES TEÓRICOS caiga en la RGIÓN DE SATURACIÓN, por lo cual se va
bajando poco a poco el Vce hasta que de un valor aproximado
−𝑉1 + 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0 −𝑉3 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0 a 0V, en el cual se puede dar cuenta que se encuentra en la
𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 = 𝑉1 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉3 − 𝑉𝑅𝐶 región que se está buscando
𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 = 𝑉1 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐸 = 9 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 )
𝑉1 = 0,6 + 101000 ∗ 50 ∗ 10−6 𝑉𝐶𝐸 = 9 − (0,011 ∗ 560) Calcule el valor aproximado de la amplificación de
𝑉1 = 5,65 𝑉𝐶𝐸 = 2,66𝑉 corriente ("beta") y la potencia máxima del transistor (se
calcula multiplicando la corriente de colector por el voltaje
TERCER CIRCUITO colector emisor), para cada medida tomada. Revisar que
no se haya excedido la potencia máxima del transistor en
ningún caso.
 VALORES PRÁCTICOS
En la hoja de datos presentada en la parte de anexos se puede
Pot VCE VC Ib Ic β
observar en cada uno de los circuitos implementados cada uno
105K 0,56V 0,56V 50,31uA 14,78mA 293,77
de las amplificaciones de corriente (“beta”) las cuales fueron
88,9K 0,38V 0,38V 59,04uA 15,09mA 255,58 calculadas teóricamente en los circuitos donde era posible esto
60,1K 0,18V 0,18V 85,24uA 15,40mA 180,66
1,5K 0,04V 0,04V 2,22mA 15,64mA 7,04 IV.
CUESTIONARIO
 VALORES TEÓRICOS

PUNTO DE SATURACIÓN
𝑉2 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 V.
𝑉2 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 0 CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
𝐼𝐶 = 𝑉2⁄𝑅𝐶 = 9⁄560
𝐼𝐶 = 16 𝑚𝐴 Conclusiones:
Dorean Acosta

Explique con los datos tomados en la práctica, las regiones 

de operación del transistor: Corte, Saturación y región
activa.
 PRIMER CIRCUITO
En el primer circuito implementado con una fuente V1=0Vcon
los datos que entrega el circuito se puede deducir que β no se
puede calcular, y se observa claramente que Ie=Ic=0A por lo
tanto el transistor en este circuito se encuentra en la REGIÓN
DE CORTE
Alexis López
 Con esta práctica se pudo observar de forma
práctica el comportamiento del transistor
cuando se le suministra con una sola fuente y
con dos fuentes, y como varía la región en la
que se encuentra el transistor
 En esta práctica se pudo verificar y observar
las regiones de trabajo del transistor, siempre
teniendo en cuenta los voltajes y las
corrientes que posee el circuito.
Recomendaciones:
Dorean Acosta
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Alexis López
 Tener siempre en cuenta la forma que se va
a conectar el instrumento de medición, ya
que al conectarlo de mala manera podemos
llegar a dañarlo
 Siempre verificar que en el circuito se
encuentren bien conectados todos los
elementos teniendo en cuenta el circuito
dado por la persona a cargo de entregar la
práctica

VI. B
IBLIOGRAFÍA
Ed, G. W. (1994). El transistor bipolar. Iberoamericana.
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VII. ANEXOS