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ROYAUME DU MAROC

ECOLE DES HAUTES ETUDES D’INGENIERIE

DIODE

Présentée par Mme O. Melhaoui


Semi-conducteur

C’est quoi le semi conducteur

Un semi-conducteur est un composé dont la conductivité électrique plus forte que

celle des isolants, mais plus faible que celle des métaux.

La conductivité des semi conducteurs augmente avec la température la résistance

diminue avec la température

La résistance des métaux augmente avec la température

Le semi-conducteur le plus courant est à base de silicium Si. 2


Semi-conducteur
Définition de Silicuim

Si est un élément chimique associé à l’oxygène dans la silice SiO , donc très abondant
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dans la nature.

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Semi-conducteur

chaque Si comporte 4 électrons périphériques et chacun de ses quatre voisins apporte un


électron à mettre en commun pour créer quatre liaisons avec ses plus proches voisins.

Il y a donc 8 électrons externes autour de chaque Si

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Semi-conducteur: dopage
C’est quoi dopé
On ajoute des impuretés au silicium pour augmenter en plus la conductivité du matériau

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Semi-conducteur: dopage

4 électrons sont lié et un seul électron sera libre de se déplacer 6


Semi-conducteur: dopage
Ce type de dopage , permet d’introduire des atomes P susceptibles de libérer des électrons libres

Couche N (la charge mobile est négative (électron)

électrons mobiles
Semi-conducteur: dopage

Dopage en Bore

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Semi-conducteur: dopage
L’autre couche du matériau est dopé en bore électron
Trou

3 électrons de valence

Il le faut un autre électron pour faire une liaison


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le bore va capter un électron des atomes voisins, laissant derrière lui un trou
Semi-conducteur: dopage

Ce type de dopage , permet d’introduire des atomes B susceptibles de libérer des trous libres

Couche P (la charge mobile est positive (trou)

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Jonction PN

Au niveau de jonction ; les électrons et les trous se diffusent ce qui entraine un


recombinaisons électron - trou

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Jonction PN

Après la recombinaison , on aura :


❑une zone des atomes de Phosphore chargés positivement dans la couche N
❑une zone des atomes de Bore chargés négativement dans la couche P

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Jonction PN

Donc on un création d’un champ électrique au sein de semi conducteur, par conséquent
une déférence de potentiel

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Diode à jonction PN

La diode est le composant électronique de base:

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Diode bloquée:
Lorsqu’on applique une tension négative , un champ électrique sera ajouté au
champ électrique interne dans le même sens poussant les électrons de la zone N à
s’éloigner de la jonction, tandis que les trous de la zone P subissent le même
phénomène: la zone de déplétion s’élargit et la jonction devient isolante

On dit que la diode est bloquée

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Diode passante:
Lorsqu’on applique une tension positive , un champ électrique s’oppose au champ
électrique interne
Les électrons de la zone N peuvent franchir la jonction ( de la zone N vers la zone P:
de la cathode vers l’anode).
On dit que la diode est passante

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Soit V est la tension aux bornes de la diode et I le courant qui la traverse
(convention récepteur).
Le courant circule de l’anode vers la cathode (sens inverse des électrons)

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Caractéristique réelle de la diode Id = f(Vd)

Si Vd (tension aux bornes de la diodes: VA-VK) est positive:


➢on dit que la diode est passante, elle est polarisée en direct
➢un courant circule dans la diode

Si Vd (tension aux bornes de la diodes: VA-VK) est négative:


➢on dit que la diode est bloquée, elle est polarisée en inverse
➢aucun courant ne peut y circuler

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Vd
Les études théoriques et expérimentales montrent que la caractéristique Id = f(Vd ) est de la
forme exponentielle :

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•courbe ID=f(VD)

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Zone 0A: La diode est polarisée dans le sens directe, mais la tension
est trop faible pour débloquer la jonction : zone de blocage directe.
ZoneAB: La tension V commence à débloquer la diode, c'est la zone du coude
Zone BC : La diode est passante, c'est une zone linéaire.
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Zone OE : La diode est polarisée en inverse, c'est la zone de blocage inverse.
Zone EF :L'intensité croit brusquement, c'est la zone de claquage.
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Polarisation de la diode
Polarisation simple et point de fonctionnement

On polarise une diode en sens direct en l’incluant dans un circuit de sorte qu’elle
soit parcourue par un courant I.
Un générateur de tension continue E alimente un dipôle formé d’une résistance R
et d’une diode

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On veut déterminer V et I. :

Le point d’intersection de la droite de charge et la caractéristique de la25diode


donne le point de fonctionnement
Modélisation de la diode

La modélisation d’un composant consiste à remplacer la caractéristique électrique


réelle Id = f(Vd) par des segments de droites.

A chaque segment de droite correspond un schéma électrique équivalent.

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Modélisation n°1 : la diode « idéale »
Dans ce cas, on néglige la tension de seuil et la résistance interne de la diode
La caractéristique est:

la diode est un interrupteur commandé par la tension anode-cathode VAK(Vd).


➢Si VAK > 0, l’interrupteur est fermé et le courant anode-cathode passe.
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➢Si VAK < 0, alors l’interrupteur est ouvert et le courant anode-cathode est nul (qlq
pA).
Modélisation n°2 : diode avec seuil
On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du seuil de
la diode. La caractéristique devient :

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Modélisation n°3 : diode avec seuil et résistance
Ici, on prend en compte la résistance de la diode.

Dans le sens passant (polarisation directe) et dans la zone linéaire, la diode se comporte comme
un générateur de Thevenin
Vd : tension de seuil (Si : 0, 6 V)
rd : résistance interne de la diode (R dynamique : qq m à 1 K )

Dans le sens de polarisation inverse, la diode se comporte comme un circuit ouvert

Pente 1/Rd

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La puissance dissipée par la diode
La limitation de puissance d’une diode
En sens direct, la diode parcourue par un courant I et présente à ses bornes une
différence de potentiel V , dissipe une puissance P=VI (sous forme énergie
calorifique )
Toute diode possède une puissance limite admissible Pmax.
Le point de fonctionnement doit se trouver au dessous de la courbe de l’équation
VI=Pmax.
Au delà , la diode serait détruite !!!!!

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L’influence de modèle choisi:
Soit une diode parcourue par un courant I=25mA
Avec le modèle dynamique:
Vs = 0.7 V et rd = 3 P =(Vs + rdI)* I
P= ( 0.7+ 3*25*10-3)*10-3= 19.3mW

Avec le modèle parfait:


Vs = 0.7 V → P = Vs*I = 0.7*25*10-3 = 17.5mW

Avec le modèle réel


Vs = 0.7 V et I = IS expV/Vt avec Vt=25mV, IS=2*10-15mA
P=V*I =Vt ln(I/IS)*I = 18.8mW 31
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Redressement

Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension


alternative du secteur pour faire des générateurs de tension continue destinés à
alimenter les montages électroniques

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Redressement simple alternance

La diode est supposée idéale: si VD>=0 passante sinon bloquée

Le circuit est alimentée par une tension sinusoïdale?


On s’intéresse à la tension aux bornes de la résistance UR(t) = ??????

UR(t) = v(t)-VD(t)

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La diode est dite bloquée, si VD=VA-VK < 0 et uR (t)=0 (i(t)=0)
VD= VA-VK = v(t)-0, sachant que VD < 0 → v(t)<0

T [T/2,T]; v(t)<0, la diode est bloquée→ uR (t) =0

T [0,T/2]; v(t)>0, la diode est passante→la diode sera remplacée par un fil (VD=0) 36

et on a alors uR (t) =v(t)


VD (t) tension au bornes de la diode???

quand v(t) < 0, la diode est bloquée, aucun courant ne circule dans la charge.
(uR(t)=R i(t)=0) VD= VA-VK= v(t)- uR(t) = v(t)
La diode va imiter la tension du transformateur

quand v(t) > 0, celle-ci conduit, laissant passer le courant direct dans la charge.
VD=0
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38
Maintenant, On tient compte la tension de seuil (diode
avec seuil): passante VAK>=Vseuil, bloquée VAK< Vseuil

Quand VAK< Vseuil → v(t) < Vseuil, la diode est


bloquée, aucun courant ne circule dans la
charge.
uR (t) =0

quand v(t) >= Vseuil, celle-ci conduit, laissant


passer le courant direct dans la charge.
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uR (t) = v(t) –Vseuil
VD (t) tension au bornes de la diode???

quand v(t) < Vseuil, la diode est bloquée, aucun courant ne circule dans la charge.
(uR(t)=R i(t)=0) VD= VA-VK= v(t)- uR(t) = v(t)
La diode va imiter la tension du transformateur

quand v(t) > Vseuil, celle-ci conduit, laissant passer le courant direct dans la
charge.
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VD=Vseuil
41
La tension uR (t) varie entre une valeur maximale Umax et une valeur minimale Umin.
On caractérise le redressement d’une tension alternative par:
La valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge Umoy
La valeur efficace de la tension aux bornes de la charge Ueff

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Paramètres caractérisant le redressement

Le but de redressement est d’obtenir une source continue, mais les signaux obtenus
sont périodiques: S(t)=Smoy+ ondulation
Pour mettre en évidence la quantité de redressement (rapprocher S(t) à une cte) on
définit :
Taux d’ondulation m
Valeur efficace d’ondulation
m= il est donné en pourcentage
Valeur moyenne

?????(difficile)
Facteur de Forme F
F= Valeur efficace de signal diminuer F revient à maximiser Smoy
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Valeur moyenne
Filtrage

Les montages précédents délivrent des tensions redressées continues mais ondulées.
Pour obtenir une tension quasiment lisse, il suffit de mettre un gros condensateur en parallèle
avec la charge.
La charge capacitive a pour but d’augmenter la valeur moyenne de la
tension redressée, c'est-à-dire de la rendre continue

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5T/4
t2

À t=0; C est totalement déchargé UR=0

À t  [0, T/4], u(t) > 0 → Diode conductrice, diode alimente R et C → C se

charge

A t=T/4+ → VAK < 0 → diode bloquée, car U(T/4+ ) < U = URmax

t>T/4 → condensateur se décharge dans R → UR(t)= URmax exp (-t/RC)

t [t2, 5T/4] → u(t) > UR(t) → diode conduit alimentation de R et C


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T>5T/4 -→ on trouve la même chose


Etablissement d’un phénomène périodique

UR(t) = sin t [t1, T/4]

UR(t)= Uexp(-t/RC) [T/4, t2]

5T/4

t1 t2

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t2- T/4 durée d’ouverture de la diode
quand v(t) > vc(t) +Vseuil, la diode conduit. (vc(t) tension aux bornes du condensateur)
Le transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de
recharge du condensateur.

Quand v(t) < vc(t) +Vseuil, , la diode se bloque.


Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie
accumulée dans la phase précédente.
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Pour tester les performances d’un redresseur avec filtrage on calcule le taux
d’ondulation

5T/4
t1 t2

49
Ondulation de la tension pour
un condensateur de 100 μF

Ondulation de la tension pour


un condensateur de 1000 μF
Redressement double alternance à pont de Graetz

La diode est supposée idéale: si VD>0 passante sinon bloquée

Le circuit est alimentée par une tension sinusoïdale, on s’intéresse à la tension aux bornes

de la résistance UR (t)= ?????????


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T [0,T/2]; v(t)>0,
Diode D4 est polarisée en sens inverse ; D4 est bloquée
Diode D1 est polarisée en sens directe , D1 est passante
Le courant traverse D1 est arrive en A
D3 est polarisé en inverse donc elle est bloquée
Le courant traverse R et arrive à B pour traverser D2
Retour à la source à travers le point D

D1 et D2 se comportent comme un fil


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UD1(t) =UD2(t)=0, UD3(t) =UD4(t)= - v(t)
UAB(t)=v(t)
T [T/2,T]; v(t)<0, vD>vC →
Diode D2 est polarisée en sens inverse ; D2 est bloquée
Diode D3est polarisée en sens directe , D3 est passante
Le courant traverse D3 est arrive en A
D1 est polarisé en inverse donc elle est bloquée
Le courant traverse R et arrive à B pour traverser D4
Retour à la source à travers le point C

D4 et D3 se comportent comme un fil

UD4(t) =UD3(t)=0, UD1(t) =UD2(t)=v(t)


UAB(t)= - v(t)
Maintenant, On tient compte la tension de seuil (diode
avec seuil): passante VAK>=Vseuil, bloquée VAK< Vseuil

Le circuit est alimentée par une tension sinusoïdale, on s’intéresse à la tension aux bornes

de la résistance UR (t)= ?????????


D1 et D2 se comportent comme un
récepteur de FCEM vseuil

UD1(t) =UD2(t)=vseuil
UAB(t)=v(t)- 2vseuil

D4 et D3 se comportent comme un
récepteur de FCEM vseuil

UD4(t) =UD3(t)= vseuil


UAB(t)= - v(t) - 2vseuil
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La tension uR (t) varie entre une valeur maximale Umax et une valeur minimale Umin.
On caractérise le redressement d’une tension alternative par:
La valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge Umoy
La valeur efficace de la tension aux bornes de la charge Ueff

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Filtrage

Les montages précédents délivrent des tensions redressées continues mais ondulées.
Pour obtenir une tension quasiment lisse, il suffit de mettre un gros condensateur en parallèle
avec la charge.
La charge capacitive a pour but d’augmenter la valeur moyenne de la
tension redressée, c'est-à-dire de la rendre continue

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4 1

2 3 T/4 t2
3T/4

À t=0; C est totalement déchargé UR=0

À t  [0, T/4], u(t) > 0 → Diode D1, D2 conductrices, diodes alimentent R et

C → C se charge

A t=T/4+ → VAK < 0 → diodes bloquées, car U(T/4+ ) < U = URmax

t>T/4 → condensateur se décharge dans R → UR(t)= URmax exp (-t/RC)

t [t2, 3T/4] → u(t) > UR(t) → diode D3,D4 conductrices , alimentation de


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R et C
t>3T/4 -→ on trouve la même chose
Etablissement d’un phénomène périodique

UR(t) = sin t [t1, T/4]

UR(t)= Uexp(-t/RC) [T/4, t2]

t2 3T/4
T/4

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T/4-t2 durée d’ouverture des diodes
Pour tester les performances d’un redresseur avec filtrage on calcule le taux
d’ondulation

Umax
U Umin

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Comparaison mono alternance et double alternance
Influence de la constante de temps

Plus la valeur du condensateur est grande plus la tension de sortie proche de


la tension continue