ETAPA DE POTENCIA Y FILTRADO

Yonathan Stiven Peña – cod:1110569087

3.1 Se debe presentar el circuito driver de la etapa de potencia y se debe explicar

la función del mismo.

Antes de dar explicación y mostrar el diseño del circuito Driver, debemos entender
de qué se trata, por lo que podríamos empezar diciendo que el circuito driver es en
el que recae la función de tomar la señal de control de cualquier transistor y
adaptarla o convertirla en una señal que cumpla las condiciones que en la zona de
saturación o corte se necesitan.
Las características principales que debe tener el Driver, son el suministrar una
entrada de alta impedancia respecto al circuito de control, regular los niveles
presentes en la tensión, así como crear espacios de tiempo “muertos” y las
adecuadas protecciones.
Para la selección del driver se debe tener en cuenta aspectos tales como la tensión
máxima de salida del driver sea mayor que la tensión mínima necesaria en la puerta
del MOSFET para que así se realice la conmutación a la frecuencia seleccionada.
Existen diferentes opciones a la hora de seleccionar un driver. Se pueden emplear
componentes discretos para diseñar un driver, opto-acopladores o drivers
fabricados como circuitos integrados. Cada uno de ellos tiene unas ventajas e
inconvenientes.

En la figura 1, se explica el funcionamiento de los principales componentes del

driver.

Figura 1 circuito integrado driver de Mosfet

Figura 2. Etapa driver de mosfet de potencia

DRIVERS “CONTROL DE LOS MOSFET EN EL PUENTE H”

En todo sistema electrónico de control de potencia se requieren circuitos

especializados para controlar la actuación de los dispositivos conmutadores de
potencia.

Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes

funciones básicas:

1- Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de

tensión y corriente manejados por los dispositivos electrónicos de control de
potencia.

2- Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los
dispositivos de potencia operen hasta en las condiciones máximas de voltaje y
corriente definidas por el fabricante.

3- Proporcionar protección local contra fallas especialmente en situaciones de

sobre cargas.
Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estén incluidos en un circuito
impreso que contenga también todas las fuentes de alimentación y los componentes
de interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y capacidades parásitas y
facilitar el armado del sistema de potencia.

Algunos fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos integrados que contienen
algunas de las funciones básicas de un circuito de manejo de compuerta; estos
integrados son económicos pero no pueden ser conectados directamente a los
dispositivos de potencia. Es necesario construir fuentes de tensión de alimentación
independientes con aislamiento de tierra y proporcionar las funciones faltantes de
protección o de interfaz aislada con el controlador. Circuito de Manejo de Compuerta
de Bajo Costo para MOSFET e IGBT.

Tabla 1. Tabla lógica del driver

MOSFET DE POTENCIA

Un transistor MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que

requiere solo de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación
es muy alta siendo los tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos. Los
MOSFET DE POTENCIA están encontrando cada vez más aplicaciones en los
convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los
problemas de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los BJT, sin embargo
los MOSFET tienen problemas de descargas electrostáticas, por los que su manejo
requiere de cuidados especiales además, es relativamente difícil protegerlos bajo
condiciones de falla por corto circuito. Los MOSFET son de dos tipos: (1) los
MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET tipo
agotamiento, de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo p, tal y como se
muestra en la siguiente figura. Con dos silicios n fuertemente dopados para tener
conexiones de baja resistencia. La compuerta está aislada del canal mediante una
delgada capa de óxido. Las tres terminales se conocen como compuerta. Drenaje y
fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a
fuente, VGS, puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo, algunos de los
electrones del área del canal n estarán repelidos, y se creara una región de
agotamiento, por debajo de la capa de óxido, que resultara en un canal efectivo más
angosto y en una alta resistencia de drenaje, a fuente RDS. Si VGS se hace
suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente, ofreciendo un alto valor
en RDS y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, IDS = 0. Cuando esto ocurre,
el valor de VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, Vp por otra parte VGS se
hace positivo, el cual se ensancha, e IDS aumenta debido a la reducción en RDS. Con
un MOSFET tipo agotamiento de canal p se invierten las polaridades de V DS, IDS, y
VGS. Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y p, sucede un proceso similar al
anterior.

Figura 3. Transistores MOSFET

Recuperado de: Modulo Electrónica Industrial – UNAD

TOPOLOGÍA PUENTE H O COMPLETO.

La topología “Puente completo” emplea cuatro interruptores como se observa en la

figura 3.0. De esta forma, con una sola fuente de continua, se pueden aplicar a la
carga tanto tensiones positivas como negativas o cero con un simple cambio de los
interruptores que conducen en cada momento. Esta topología incorpora ventajas e
inconvenientes de las topologías Push Pull y puente medio.
Figura 4. Topología puente H
Recuperada de: Monografía - DC/AC Pure Sine Wave Inverter – WP

En la siguiente tabla. Se han recopilado algunas de las ventajas e inconvenientes

que presenta esta topología. No cabe duda que el principal inconveniente es la
complejidad, pero al trabajar con altas potencias, las ventajas cobran mayor
importancia que los inconvenientes. Por tanto esta es la topología adecuada más
empleada para altas potencias.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE USAR PUENTE H EN INVERSORES.

Ventajas Desventajas
 La tensión aplicada en la carga es la  Se duplica el número de
tensión de la fuente de continua interruptores con respecto a
(Salvo polaridad). topologías anteriores.

 Se puede aplicar a la carga +Vdc,  Dos de los interruptores no están

Vdc y 0V. referidos a masa, por lo que serán
necesarios circuitos de disparo que
 Mejor utilización del bus DC. Ya que permitan aplicar una tensión
la tensión máxima de salida es la flotante.
tensión del bus DC.

 La tensión que deben soportar los

interruptores es el valor de la fuente
de continua.

Tabla No.2. Ventajas y Desventajas

Figura 5. Salida de potencia, topología puente H con transformador

Las resistencias R 13, 14, 17 y 18 apagan al dispositivo después de conducir,

llevándolos a tensión negativa la compuerta.
Las resistencias R11, R12, R15 y R16 en paralelas con los Diodos D4, D5, D6 y D7,
acoplan la señal que proviene de la etapa driver, así mismo los diodos protegen la
compuerta.
La resistencia R31 es la shunt detecta la corriente que consume el circuito.

Tabla 3. Estados de suicheo del puente H

Para la implementación del inversor spwm se clasifican los mosfet IRFP 2907 por
sus características de velocidad de suicheo, tensión y amperaje de trabajo.
Anexamos el data sheet del Mosfet elegido

.
Figura 6. Transistor Mosfet

Tabla 4. Características eléctricas del transistor IRFP 2907

Figura 8. Diagrama en Esquemático del circuito de disparo

Figura9. Diagrama esquemático puente en H.

3.2 Se debe diseñar el circuito LC que filtrara la salida del puente inversor. ¿Por
qué es necesario filtrar la salida?

Recordemos que un filtro es un circuito electrónico de entrada y salida que son

sensibles a la frecuencia y que permite eliminar o excluir las señales que no se
 sitúen en un determinado rango, permitiendo así que las señales de otras
frecuencias pasen.

Figura 10 diagrama en bloque de un filtro pasa bajo

Generalmente los filtros se dividen en activos y pasivos, siendo los primeros

Los basados en circuitos electrónicos con elementos amplificadores activos.
Los segundos, están basados en elementos pasivos básicamente en la inductancia
y la capacidad.

Una parte muy importante de los filtros pasivos, la constituyen los filtros designados
como RC, RL, RLC y LC, si bien no son los únicos. Es importante hacer notar que todo
filtro eléctrico requiere, por lo menos, de un elemento reactivo, bien sea explícito, como
una bobina o un condensador, o bien sea implícito en su estructura o comportamiento.

De esta clase de filtros y para nuestro caso, destacamos los de tipo LC, que sirven
para garantizar la calidad de los inversores.

Si lo que se requiere es obtener que la onda sinusoidal sea pura, nos vemos obligados
a la utilización de que reúnan ciertas condiciones, y para este caso, los más apropiados
son los filtros LC pasa bajos ya que éstos eliminan las componentes armónicas que
se presenten en bandas laterales a la frecuencia de la onda portadora.
De lo anterior, podemos decir que, para diseñar nuestro circuito, éste en su salida debe
ser en paralelo para así reducir el contenido armónico, pero sin que sin afecte en su
salida la frecuencia fundamental.
En el desarrollo de este tipo de circuito, es preciso que la corriente que se recibe en la
entrada, deba ser mayor a la corriente de carga, obteniendo así mayor factor de calidad
en el resultado.
FILTROS LC.

El objetivo del filtro es conseguir aplicar a la carga únicamente el armónico

fundamental de todo el espectro que aparece a la salida del puente H. Se trata de
un filtro LC paso bajo de segundo orden que se muestra, presenta la función de
transferencia de este filtro sin considerar los efectos de carga ni parásitos. Donde n
es la frecuencia natural del filtro.

En la siguiente figura, se muestra el diagrama de Bode en módulo y Fase del filtro

LC en función de la frecuencia natural del filtro Wn. Se puede observar que a
frecuencias

Figura11. Diagrama de Bode. Universidad Carlos III. Delgado Martin Raúl.

Menores que la frecuencia natural del filtro (W < Wn) la ganancia del filtro es 0dB y
para frecuencias mayores (W > Wn) el filtro atenúa la señal a razón de -40dB = dec.
Sin embargó, a frecuencia W= Wn aparece un gran pico de resonancia. Para
diseñar el filtro se debe tener en cuenta que:

Debe atenuar los armónicos producidos por la conmutación, que aparecen a

frecuencias ftri y múltiplos o 2ftri y múltiplos según el tipo de modulación.

Debe dejar intacto el armónico fundamental.

 No debe amplificar los armónicos de baja frecuencia. (En relación al pico de
resonancia)

Dado que la atenuación crece a razón de 40dB = dec, la frecuencia natural del filtro
debe encontrarse al menos una década antes de los primeros armónicos producidos
por la conmutación. Si estos armónicos, para el peor de los casos (Modulación
bipolar) aparecen alrededor de la frecuencia de la señal portadora ftri = 10Khz,
implicará que la frecuencia natural del filtro debe ser:

El filtro pasa bajo debe ser calculado con las siguientes exigencias:

La frecuencia de corte debe ser 10 veces menor con relación a la señal

portadora.

La frecuencia de corte debe ser 10 veces mayor que la frecuencia de la señal

fundamental.

9,3 KHz señal portadora < 10 veces = 930 Hz

60 Hz señal fundamental > 10 veces = 600 Hz.

Sumadas las dos señales son da 1530 KHz, dividida entre dos es la
frecuencia por la cual calcularemos el filtro = 765 Hz
Tomando arbitraria mente la capacidad del condensador a 1 uf

1 1
𝑓= 𝑑𝑒𝑝𝑒𝑗𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑙 𝑦 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑙 =
2𝜋 ∗ 𝑙 ∗ 𝑐 2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝑐
1
𝑟𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑙 = = 208 𝑚𝐻
2𝜋 ∗ 765𝐻𝑧 ∗ 1𝑢𝑓
Figura 12.Diagrama del filtro pasa bajo pasivo.

Figura 13. Filtro pasa bajo en el puente H

3.3 Proponga un método de regulación de la tensión y corriente de salida frente a la

distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no lineales.

En el diseño de un inversor SPWM diseñado análogamente, se toma una muestra de la

tensión que entrega, y es llevada a la tensión de referencia en el oscilador Bubba. En ese
circuito la tensión de referencia tiene una variación con la amplitud de la señal fundamental
y la cual varía con el índice de amplitud, en tensión y corriente.
Lógicamente esta señal de muestra de la salida debe ser tratada con anterioridad.
En el diseño de un inversor SPWM con construcción digital (utilizando microcontroladores
para generar la señal spwm y la etapa driver de potencia), la retroalimentación se toma y
se procesa, llevándola a un nivel entre 2,5 Vdc y 3,1 Vdc, la cual es llevada a una entrada
del microcontrolador y conformando un algoritmo se manipula la amplitud del voltaje de
salida. Esta variación de amplitud ataca directamente a los índices de amplitud en el bloque
de oscilación en el microcontrolador.

Figura 14. Sistema dinámico de control del inversor SPWM.

Filtros Activos

Están compuestos por elementos pasivos y transistores controlados, son capaces

de eliminar prácticamente todos los armónicos de baja frecuencia y no tienen los
inconvenientes de los filtros pasivos.

Los filtros activos pueden ser conectados en serie o en paralelo. Los filtros serie
actúan como fuente de voltaje, proporcionan una alta impedancia para los
armónicos e impedancia reducida para la frecuencia de la red. Los filtros activos en
paralelo, actúan como fuente de corriente en paralelo con la carga, inyectando o
absorbiendo corriente según sea necesario.

Existe la posibilidad de combinar filtro activo y pasivo, formando un filtro híbrido.

Figura 15.
Reductor de armónicos CC (Harmonic reducer DC)
Este convertidor se conecta en paralelo con la carga, como se muestra en la
siguiente figura.

Figura 16

En esta configuración el filtro actúa como fuente de corriente, la tensión del

condensador debe ser mayor a la tensión máxima de entrada.

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