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A la hora de resolver la ecuación de Schródinger con Hamiltoniano (1.8), resulta bastante útil el
uso de unidades atómicas efectivas. El procedimiento consiste en expresar todas las longitudes y
las energías en unidades de radio de Bohr y Rydberg efectivos, respectivamente, así:
h2e
Radio de Bohr efectivo: ao = (1.9a)
me
m e* 4
Rydberg efectivo: - Ry= 2 62 h2 (1.9b)
El uso de las unidades (1.9) tiene grandes ventajas, pues permiten liberar al Hamiltoniano de todo
tipo de constantes. De esta manera se tiene un Hamiltoniano completamente adimensional,
permitiendo que los resultados teóricos que se obtengan se puedan utilizar en una gran variedad
de situaciones y desde el punto de vista computacional se podrán agilizar los cálculos, evitando a
su vez desagradables sorpresas con las unidades.
Los semiconductores base que participan en la formación de la estructura ABA deben cumplir
dos requisitos fundamentales[38]:
Poseer un parámetro de red muy parecido y
Los anchos de sus bandas deben ser lo más diferente posible.
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La estructura ABA que se ha estudiado con mayor éxito, por su gran importancia tecnológica, ya
que se puede usar en la fabricación de dispositivos de alta velocidad, se basa en el uso de
GaAs = B y de la aleación Ga i _xAl,As = A, donde 0 x 1. Todo los cálculos y resultados que
se reportarán en el presente trabajo se basan en el uso de estos materiales. Por esta razón se
considera necesario describir los principales parámetros que los caracterizan, como por ejemplo:
Estructuras de bandas, masa efectiva, ancho de la banda prohibida, y constante dieléctrica.
Ambos materiales cristalizan en estructura del tipo Zinc-Blenda y la zona de Brillouin posee un
punto de simetría en su centro; es decir, en k = 0 ( Punto y ). Lo anterior significa que los
materiales son de gap directo. Se han obtenido resultados experimentales que permiten expresar
el Eg para la mezcla de Ga i _,,A1),As como: Eg = (1.52 + 1.155x + 0.37x 2 )eV [34], donde x = 0
corresponde al GaAs. Dado el carácter empírico de este resultado, existen otros autores que
consideran más apropiado el uso de un Eg = (1.52 + 1.247x)eV [35]. Los dos resultados que se
exhiben en la figura 1.3 arrojan resultados muy similares para la concentración de aluminio que
se utilizarán en los cálculos. Con el propósito de comparar los que se obtengan acá., con datos
teóricos y experimentales, se deberá hacer uso de ambas expresiones, lo cual se hará explícito en
su debido momento.
AEg Eg
6
5
4
3
2
1
0
0 1 2
Al graficar el perfil de los bordes de estas bandas (mínimo de la BC y máximo de la BV), figura
1.4, para una capa de GaAs entre capas de Ga i _xikl„As aparece una estructura de pozo cuántico.
Este es justamente el nombre más común con el cual se denomina la estructura ABA
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Handa
de
conducc i ón
0 55 AEg
-r-
E n (Gai-xAix As) Es (Cla As)
1
0.35 ZsEg
1 Hancla
de
-va 1e* ncja
Gat-->cAix Asi na As As
Figura 1.4 Perfil de las bandas de valencia y de conducción para el GaAs dopado con
aluminio.
En las figuras 1.5 y 1.6, respectivamente, se muestran los resultados obtenidos por varios
autores[36] para la masa efectiva y la constante dieléctrica del Ga. 1.0111„As en función de la
concentración de aluminio x.