Universidad Tecnológica de la Mixteca

Diseño de Circuitos Electrónicos de Potencia

Práctica 3

Manejador de compuerta del MOSFET de potencia

Objetivos
 Demostrar como el manejo del voltaje compuerta fuente de un MOSFET
afecta significativamente su funcionamiento.
 Principio de funcionamiento del MOSFET de potencia en conmutación.

Introducción
El MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje, con funciones similares a la
de los BJT, pero con una estructura y principio de funcionamiento diferente. En realidad
las características de funcionamiento de los MOSFETs son superiores a la de los
transistores bipolares en cuanto a tiempos de conmutación más rápidos, circuitos de
control sencillos, habilidad para ser paralelados, etc.
El MOSFET de potencia ha ganado popularidad y ha llegado a ser el dispositivo
de conmutación dominante en la electrónica de potencia desde 1975. Su rápida velocidad
de conmutación ha extendido las frecuencias de conmutación en la conversión de
potencia del rango de 20 kHz de los BJT por arriba de los 100 kHz en conmutación dura.
Con técnicas de conmutación suave, la frecuencia de conmutación puede exceder los
MHz.

Material

1 Generador de funciones
1 Osciloscopio
1 Generador de funciones
1 Multimetro digital (DMM)
1 Protoboard
1 MOSFET IRF1010 u otro similar IRF840 etc,.
1 IR2111 o IR2117 (Driver)
2 Resistencias 100 Ω/3 W

Procedimiento

1. Construir el circuito de la Figura 1. ajustar el generador de señales,

de tal manera que proporcione una señal cuadrada con una
amplitud de 0-10V y una frecuencia de 10 kHz con un ciclo de
trabajo del 50 %.
 Fig. 1 Circuito de prueba

2. Examinar las señales de voltaje compuerta fuente (Vgs) y de salida

(Vo=VDS) usando el osciloscopio. Registrar los resultados.
3. De acuerdo a los resultados experimentales, conteste las siguientes
preguntas:
a) Bajo que condiciones el MOSFET se prende o se apaga.
b) Cuando el MOSFET conduce, cual es la caída de voltaje en sus
terminales.
c) Cual es la corriente que fluye por el MOSFET cuando se apaga.
d) Como puedes controlar el encendido o el apagado del MOSFET.
Como puedes controlar la frecuencia de conmutación y el ciclo de
trabajo del MOSFET.
4. Mida el voltaje pico, promedio y rms de la señal de salida, con el
osciloscopio o el DMM. También calcule estos valores de acuerdo
a la amplitud de Vi, la frecuencia de conmutación y el ciclo de
trabajo. Registre los resultados correspondientes.
5. Varié la frecuencia por arriba de 10 kHz (considere 30, 50, 70 y
100 kHz) anote sus observaciones.
6. Cambie de posición la resistencia conectada entre la fuente de
alimentación y el Dren del MOSFET, conectarla ahora entre la
fuente (Source) del dispositivo y tierra. Mida el voltaje en esta
resistencia con el osciloscopio y compárelo con el voltaje VDS
medido anteriormente.
Nota: Baje las hojas de datos del MOSFET de potencia y su controlador de
compuerta (IR2111 e IR2117).
Otro driver que se utilizará mas adelante es el PC923, investigar
características.