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Faculté polydisciplinaire Taza

2018-2019

ELECTRONIQUE

Hanan Halaq 18 CM 18 TD 12TP


Plan
Chapitre 1 : Etude de l’Amplificateur Opérationnel idéal

Chapitre 2 : LA CONTRE REACTION


Chapitre 3 : Rappels sur les transistors en régime dynamique BF et HF

Chapitre 4 : Amplificateurs de base à transistors bipolaires et à transistors à

effet de champ

Chapitre 5 : Les multivibrateurs


Chapitre 6 : Amplificateur différentiel

H.Halaq Electronique 2
CHAPITRE 1

Etude de l’Amplificateur Opérationnel idéal

H.Halaq Electronique
3
I. Introduction
CHAPITRE 1
A) Mise en situation

•Amplificateur Opérationnel (Ampli op ou Op amps): est un amplificateur différentiel :


c'est un amplificateur électronique qui amplifie une différence de potentiel électrique
présente à ses entrées. Un des éléments le plus utilisé en électronique. Il s’agit d’un C.I.
analogique « multifonctions » principalement constitué de transistors. Exemple : µA741
(Texas Instruments). Il se présente sous la forme d’un boîtier à 8 broches (DIL 8)

H.Halaq Electronique 4
I. Introduction
CHAPITRE 1
B) Historique

1953 : Le premier AOP disponible en grande série fut le K2-W de la société GAP/R.
1960-1965: Le premier AO intégré disponible en grande quantité l'AOP bipolaire
Fairchild µA709, créé par Bob Widlar.
1968 : le µA709 fut remplacé par le µA741 qui offrait de meilleures performances tout
en étant plus stable et plus simple à mettre en œuvre.
1970 : AO basés sur des JFET (transistor à effet de champ).
1980 : AO basés sur des MOSFET (transistor à effet de champ à grille isolée).

Premier Ampli-op(1953) Différents modèles d'amplificateurs opérationnels.


Un µA741 en boitier TO5.

H.Halaq Electronique 5
I. Introduction
CHAPITRE 1
C) Généralités

L’amplificateur est un quadripôle (circuit ayant 4 bornes de connexion) que l’on peut
décomposer en deux dipôles:
Un dipôle d’entrée caractérisé par un courant et une tension d’entrée (ie,ve).
Un dipôle de sortie caractérisé par un courant et une tension de sortie (is,vs).
Les grandeurs de sortie dépendent de celles d’entrée suivant une relation caractéristique du
quadripôle.
ie is

Ve quadripôle Vs ⟹

On utilise généralement l’ appellation « amplificateur » lorsqu’au moins une des


grandeurs de sortie est supérieure à la grandeur d’entrée correspondante.

H.Halaq Electronique 6
I. Introduction
CHAPITRE 1
C) Généralités

L ’ amplificateur opérationnel (AOP) est un amplificateur de différence. Il permet


d’amplifier la différence Ɛ des tensions e- et e+ présentes sur ses entrées inverseuse et non
inverseuse. Ces deux tensions e- et e+ ont une référence commune (le 0V de l’alimentation).
L’amplificateur opérationnel délivre en sortie une tension proportionnelle à la tension
appliquée entre les deux bornes d’entrées.
Vs = Ad (e+ - e-) = Ad . Ɛ Ad : gain différentiel ~ 105 – 106
L ’ amplificateur opérationnel est généralement alimenté par une alimentation double
symétrique +Vcc et -Vcc.

H.Halaq Electronique 7
I. Introduction
CHAPITRE 1
C) Généralités

Caractéristiques de transfert
La tension de sortie dépend directement de la tension différentielle d’entrée :

Vs Saturation • Vsat ~ Vcc (ex: 15V)


+ Vsat On distingue trois zones :
q zone de linéarité si:
-εΜ
(-Vsat/Ad) < ε < (+Vsat/Ad)
εΜ ε −εΜ < ε < εΜ
Saturation -Vsat
-Vsat < Vs < +Vsat
-75 µV < ε < +75 µV !!

Fonctionnement linéaire :

Vs = Ad (e+ - e-) = Ad . ε
Si l’AOP fonctionne en régime linéaire
ε ~ 0 ó e+ = e-
q zone de saturation positive : ε > εΜ ; Vs = +Vsat
q zone de saturation négative : ε < -εΜ ; Vs = -Vsat
H.Halaq Electronique 8
I. Introduction
CHAPITRE 1
C) Généralités

Rétroaction :

Vs
+ Vsat Pour obtenir un point de fonctionnement dans la

zone linéaire, on doit utiliser une rétroaction

ε négative qui stabilise le montage autour de ce

point de fonctionnement.
- Vsat

H.Halaq Electronique 9
I. Introduction
CHAPITRE 1
D) Brochage

NC +Vcc Vs offset
L’A.O. possède : 8 7 6 5

• deux entrées : ●1 2 3 4

offset e- e+ -Vcc
broche e+ (ou IN+) : entrée « non inverseuse »
broche e- (ou IN-) : entrée « inverseuse »

• une sortie :

broche OUT (ou s)

• deux broches d’alimentation :

broche Vcc+ : alimentation en tension continue positive


broche Vcc- : alimentation en tension continue négative

H.Halaq Electronique 10
I. Introduction
CHAPITRE 1
D) Brochage

Figure : Schéma interne du µA741

H.Halaq Electronique 11
II. Description de l’Ampli-Op idéal
CHAPITRE 1
A) Amplificateurs Opérationnels

Utilisation de l’AOP :

Hypothèses : 1) AOP Idéal

ü Le gain différentiel sera considéré comme infini : Ad=∞


üLes impédances d’entrée sont infinies donc les courants d’entrée sont
nuls: i+ = i- = 0

2) Contre-réaction:
On dit qu’il y a contre-réaction (ou réaction négative) quand la
sortie est reliée à l’entrée inverseuse.
Ɛ = 0 ó e+ = e-

2’) Pas de contre-réaction ou réaction positive:


On dit qu’il y a réaction positive quand la sortie est reliée à l’entrée
non inverseuse.
üVs =+/- Vsat
H.Halaq Electronique 12
II. Description de l’Ampli-Op idéal
CHAPITRE 1
B) Symbols

q symbole américain :

q symbole simplifié :

q symbole européen :

H.Halaq Electronique 13
II. Description de l’Ampli-Op idéal
CHAPITRE 1
C) Alimentation de l’A.O

L’amplificateur opérationnel est généralement alimenté par une


alimentation double symétrique +Vcc et -Vcc.

En pratique, les courants d’entrée peuvent être négligés :


i+ ≈ 0
i-≈0

H.Halaq Electronique 14
II. Description de l’Ampli-Op idéal
CHAPITRE 1
D) Tension différentielle d’entrée :

Définition :

La tension différentielle d’entrée est la différence de potentiels entre


l’entrée non inverseuse et l’entrée inverseuse.

H.Halaq Electronique 15
II. Description de l’Ampli-Op idéal
CHAPITRE 1
D) Caractéristiques de transfert

On distingue trois zones :


q zone de linéarité si: ε = 0, -Vsat < Vs < +Vsat
q zone de saturation positive : ε > 0 ; Vs = +Vsat
q zone de saturation négative : ε < 0 V ; Vs = -Vsat

H.Halaq Electronique 16
III. Montage de base
CHAPITRE 1
1. Montages à gain indépendant de la fréquence

1.1.Amplificateur inverseur et non-inverseur

Amplificateur inverseur
Vs R2
=-
Ve R1

Amplificateur non-inverseur
Vs R2
= 1+
Ve R1

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III. Montage de base
CHAPITRE 1
1. Montages à gain indépendant de la fréquence
1.1.1 Amplificateur inverseur

Vs
ε= =0
Ad
Vs R2
=-
Ve R1

R R Vs R2
e =
-
Vs +
1
Ve 2
et e = 0
+
=-
R +R
1
R +R
2 1 2 Ve R1

Ve Ve
Ze = = = R1
Ie I

H.Halaq Electronique 18
III. Montage de base
CHAPITRE 1
1. Montages à gain indépendant de la fréquence
1.1.2. Amplificateur non-inverseur

⎧ e =RI

1

⎪ e - Vs = - R

⎨e - Vs = R I
− 2
2

⎪ e = Ve + e

R 1


Vs R 2
1- =-
e R −
1

Vs R2
= 1+ Vs est en phase avec Ve.
Ve R1
Autre méthode :
R Vs R 2
e = -
Vs et e = Ve⇒
1
= 1+ +

R +R 1
Ve
2
R 1

Ze → ∞ et Zs = 0
H.Halaq Electronique 19
III. Montage de base
CHAPITRE 1
1. Montages à gain indépendant de la fréquence
2. Suiveur

Suiveur: Vs =Ve

Montage suiveur

Le montage suiveur présente une impédance d’entrée théoriquement


infinie (i=0) et une impédance de sortie faible.
C’est un cas particulier du montage non inverseur où R1 → ∞ et R2 = 0
Ve = e+ = e- = Vs ⇒ Vs = Ve ⇒ G = 1

H.Halaq Electronique 20
III. Montage de base
CHAPITRE 1
1. Montages à gain indépendant de la fréquence
3. Sommateur
R1 I1 I R

R2 I2 I
-
V1 R3 I3 +
V2 Vs
V3

e+ = e- et e+ = 0
I = I1 + I2 + I3
e - Vs = V + V + V

1 2 3 R R R
Vs = − V− V− V 1 2 3
R 1R R R
2 3 R 1 R R 2 3

Si on prend R = R1 = R2 = R3
Vs = - (V1 + V2 + V3)

H.Halaq Electronique 21
III. Montage de base
CHAPITRE 1
1. Montages à gain indépendant de la fréquence
4. Soustracteur
R2
diviseur de tension
I1

R1 I1 V - e e - Vs
1
− −

- =
+
R 1 R 2

R3 I2 R R 2 R R 2 2 2
V1
V2
I2
Vs
Vs = − V + e + e ⇒ Vs = − V + ( + 1) e
1
- -
1
-

R4
R R 1 R R 1
R 1 1 2

R2 R2 + R1 R4 ) (1 +
R2 R
Vs = − V1 + ( )( )V2 ⇒Vs = − V1 + 1
V2
R1 R1 R3 + R4 R1 R 3
(1 + )
R4
Autre méthode
R R R (1 + k)
e =
-
Vs +
1
V 2
et e =
+
V ⇒4
Vs = − kV1 + V2
R +R R +R
1
R +R
2
1
1 2 1 2 3 4 (1 + )
R2 R4 k
Si on pose k = =
R1 R3
(1 + k)
Vs = − kV1 + V2 ⇒ Vs = k(V2 – V1)
1
(1 + )
k

H.Halaq Electronique 22
III. Montage de base
CHAPITRE 1
2- Montages à gain dépendant de la fréquence
1. Intégrateur

Domaine temporel :

Fonction de transfert :

H.Halaq Electronique 23
III. Montage de base
CHAPITRE 1
2- Montages à gain dépendant de la fréquence
1. Intégrateur

H.Halaq Electronique 24
III. Montage de base
CHAPITRE 1
2- Montages à gain dépendant de la fréquence
2. Limitation du gain en basse fréquence

Fonction de transfert:

Gain limité

Comportement
d’un intégrateur

H.Halaq Electronique 25
III. Montage de base
CHAPITRE 1
2- Montages à gain dépendant de la fréquence
3. Différentiateur (dérivateur)
Domaine temporel :

Fonction de transfert:

Circuit très sensibles aux bruits et parasites HF


limiter le gain en HF

H.Halaq Electronique 26
III. Montage de base
CHAPITRE 1
2- Montages à gain dépendant de la fréquence
4. Limitation du gain en haute fréquence

Fonction de transfert:

H.Halaq Electronique 27
III. Montage de base
CHAPITRE 1
2- Montages à gain dépendant de la fréquence
5. Filtre passe bas du premier ordre

Fonction de transfert:

H.Halaq Electronique 28
III. Montage de base
CHAPITRE 1
2- Montages à gain dépendant de la fréquence
6. Filtre passe haut du premier ordre

Fonction de transfert:

H.Halaq Electronique 29
IV. AO en Réaction positive
CHAPITRE 1

v Contrairement à la réaction négative, le circuit n'est plus stable dans la

version positive.

v Les réflexes adoptés ne sont donc plus valables, en particulier la tension

sur la borne "- " qui n'est plus égale à celle de la borne "+".

v Par contre on exploitera toujours les lois des courants i+ = i- = 0

H.Halaq Electronique 30
IV. AO en Réaction positive
CHAPITRE 1
1- Comparateur simple (voir AO en boucle ouverte)

Utilisation: La plus courante est la détection de niveau


Inconvénient: En cas de signal instable ou bruité aux environs de Vref Apparition
d’instabilités

2- Comparateur à seuil (Bascule de Schmitt)

Avantage: Insensible Aux petites perturbations

H.Halaq Electronique 31
IV. AO en Réaction positive
CHAPITRE 1
2- Comparateur à seuil (Bascule de Schmitt)
2-1. Comparateur à seuils non inverseur

Comme l’AO est réactionné positivement, il est par conséquent instable


La sortie ne peut valoir que VH ou VL

a. Hypothèse: VS = VH
Il y aura basculement de VH à VL lorsque Ve diminue et passe par le seuil VT1 Au
moment du basculement, on a : VA = Vref et Ve = VT1

H.Halaq Electronique 32
IV. AO en Réaction positive
CHAPITRE 1
2- Comparateur à seuil (Bascule de Schmitt)
a. Hypothèse: Vs = VH
Il y aura basculement de VH à VL lorsque Ve diminue et passe par le seuil VT1 Au
moment du basculement, on a : VA = Vref et Ve = VT1

ou encore

VS

Ve

H.Halaq Electronique 33
Basculement de VH à VL pour le montage non inverseur
CHAPITRE 3

Rappels sur les transistors en régime


dynamique BF et HF

H.Halaq 34
I. Généralités sur les transistors
CHAPITRE 3
1) Transistors : élément clé de l’électronique

Il peut :
q amplifier un signal (amplificateur de tension, de courant, de
puissance,...)
q être utilisé comme une source de courant
q agir comme un interrupteur commandé (essentiel pour
l’électronique numérique)

On distingue :
q Transistor bipolaire (source de courant commandé par un courant)
q Transistor à effet de champ (source de courant commandé par une
tension)

H.Halaq Electronique 35
II. Transistor bipolaire
CHAPITRE 3
1) Identification physique

H.Halaq Electronique 36
II. Transistor bipolaire
CHAPITRE 3
1) Structure amplifiée

Un transistor bipolaire comporte 3 couches de silicium disposées


en sandwich dans l’ordre PNP ou NPN :
vSymétrie NPN/PNP
vLes 2 « jonctions PN » couplées vont permettre «l’effet
transistor»

37
II. Transistor bipolaire
CHAPITRE 3
3) Pourquoi utiliser les transistors?

Le transistor est un composant à SC qui remplit 2 fonctions essentielles en


électronique:
• l'amplification et la commutation

PS
PE AMPLIFICATEUR
Signal d'entrée Signal de sortie

Charge
(Source commandée)
(Commande) (CHARGE)
G (t) Signal d'entrée
g (t)
(Commande)

PF
t
t
SOURCE
D'ENERGIE

AMPLIFICATION COMMUTATION
Réalisation de « SOURCES COMMANDEES »… « Interrupteur commandé! »
(c'est un générateur de fort courant en sortie (interrupteur marche/arrêt).
commandé par un faible courant en entrée)
II. Transistor bipolaire
CHAPITRE 3
3) Familles de transistors

Bipolaires, FET (JFET,MOS,…)


Quelle que soit leur nature les transistors sont des composants
qui présentent 3 broches de connexion (4 parfois…) dont une sert
de « commande »

TRANSISTORS

BIPOLAIRES EFFET de CHAMP


(BJT) (FET)

JFET MOSFET
(à jonction) (grille isolée)
•Les transistors à jonction pour lesquels
on provoque une variation de la section du
canal S: Jonction PN silicium (JFET,…)
•Les transistors à contrôle de charges
pour lesquels on fait varier la densité de
porteurs n. (MOSFET…) 39
II. Transistor bipolaire
CHAPITRE 3
5) Polarisation du transistor bipolaire

v Bipolaire v FET

Le transistor bipolaire est le composant


actif de base de l’électronique. Bien que de
Aujourd’hui le transistor MOS constitue,
moins en moins employé en tant qu'élément
par sa simplicité de fabrication et ses
discret, si ce n'est en haute fréquence il
petites dimensions, l’élément fondamental
reste l'élément essentiel de base de la
des circuits intégrés numériques à large
plupart des circuits intégrés analogiques ou
échelle.
numériques.
40
Fonctionnement apparemment identique…
III. Les transistors à effet de champ
CHAPITRE 3
1) Introduction

Il existe 2 grandes familles de transistors à effet de champ:


q le transistor à effet de champ à jonction, appelé TEC en français et
JFET en anglais[Junction Field Effect Transistor])..
q le transistor MOS (Métal Oxyde Semi-conducteur)

Un transistor JFET possède trois bornes :


la grille (g)
le drain (d)
la source (s)

41
III. Les transistors à effet de champ
CHAPITRE 3
1) Symboles du JFET

Il existe 2 types de transistors JFET ::


q à canal N

q à canal P

42
IV. Régime statique et dynamique
CHAPITRE 3

Régimes statique et dynamique

43
IV. Régime statique et dynamique
CHAPITRE 3
1) Les paramètres petits signaux

44
V. Schémas équivalents petits signaux du TB et MOSFET en
CHAPITRE 3 régime alternatif BF

•En régime dynamique les transistors se comportent comme des sources de


courant commandées. Le TB est utilisé en régime actif normal
•Le TMOS est utilisé en régime de saturation
CHAPITRE 3
VI. Circuits équivalents du TB en petits signaux HF

Cb’e regroupe CD et CBE


Cb’c est dite capacité de réaction
Typiquement gbb’ est en série avec la résistance interne du générateur du signal
d’entrée

H.Halaq Electronique 46
CHAPITRE 3
VI. Circuits équivalents du TB en petits signaux HF
Capacités internes
Bipolaire:
Capacités de jonctions

Les deux jonctions du bipolaire interviennent par leurs


capacités (CBE et CBC) dans le fonctionnement en
fréquence du transistor.
En RAN, la jonction BE est polarisée en direct et la
jonction BC en inverse.
Ainsi, La capaciteé CBC diminue si VBC « augmente » et
CBE augmente si et VBE augmente.

H.Halaq Electronique 47
CHAPITRE 3
VI. Circuits équivalents du TB en petits signaux HF
Capacités internes
Bipolaire:
Capacités de diffusion
Apparait entre émetteur et base du fait de la diffusion
des porteurs minoritaires à travers la base.

WB est la largeur de la base


Dn constante de diffsuion
gm transconductance

H.Halaq Electronique 48
CHAPITRE 3
VII. Circuits équivalents du TMOS en petits signaux HF
Capacités internes

H.Halaq Electronique 49
CHAPITRE 3
VII. Circuits équivalents du TMOS en petits signaux HF
Capacités internes
Souvent la source est considérée reliée au substrat.

vCapacités grille - canal


Equivalente à celle de l’oxyde à vds = 0 et à vds≠ 0 à elle dépend de la géométrie du canal
mais reste proche de celle de l’oxyde.
vCapacités de recouvrement
Contact - canal – grille
vCapacité de déplétion.
Jonctions: substrat – source; substrat – drain et substrat canal souvent négligeables.

H.Halaq Electronique 50
CHAPITRE 3
VII. Circuits équivalents du TMOS en petits signaux HF

Cgd est la capacité de réaction


En BF les capacités internes se comportent comme des CO, en HF cette approximation
n’est plus valable
Dans la bande passante ces capacités remplissent parfaitement leurs rôle et se
comportent comme des CC

H.Halaq Electronique 51
CHAPITRE 3
VIII. Théorème de Miller:

H.Halaq Electronique 52
CHAPITRE 3
VIII. Théorème de Miller:

H.Halaq Electronique 53
CHAPITRE 4

Amplificateurs de base à transistors bipolaires


et à transistors à effet de champ

H.Halaq Electronique
54
CHAPITRE 4 I. Rappels: Source commandée=amplificateur

IE IE RL VE VE RL
KI.IE KV.VE

Amplificateur de COURANT Amplificateur de TENSION

VE VE gm.VE RL IE IE RL
RM.IE

Amplificateur de TRANSCONDUCTANCE Amplificateur de TRANSRESISTANCE

• l’amplificateur de courant: IS = KI . IE
• l’amplificateur de transconductance:IS = gm.VE
• l’amplificateur à transrésistance:VS = R.IE
• l’amplificateur de tension:VS = KV .VE

H.Halaq Electronique 55
CHAPITRE 4 II. Passer du transistor à l’amplificateur

H.Halaq Electronique 56
CHAPITRE 4 II. Passer du transistor à l’amplificateur

H.Halaq Electronique 57
CHAPITRE 4 II. Passer du transistor à l’amplificateur

H.Halaq Electronique 58
CHAPITRE 4 III. Les différentes configurations

H.Halaq Electronique 59
CHAPITRE 4 IV. Etude d’un montage amplificateur

ICQ =gm
VCC
VT
rπ=β./gm VEA =g0−1=ρ
IC
RC
C1 R1 C2
RG
1
POLARISATION
eG CE RL
R 2 R E

2 VARIATIONS
VCC

RC
R1
ib
G

rπ βib RC RL
RP
RE eG g mv π

Calcul du point de repos (IC0, VCE0,…) Calcul des éléments caractéristiques


⇒ gm, rπ et ρ à partir schéma petit signal
H.Halaq Electronique ⇒ ZIN, ZOUT,AV,… 60
CHAPITRE 4 V. Les caractéristiques d’un amplificateur

Ro
Ri Eo

• l’impédance d’entrée
• l’impédance de sortie
• le gain en courant (en tension)
• le comportement en fréquence…

H.Halaq Electronique 61
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

Le transistor bipolaire est le composant le plus utilisé en électronique. Ce composant de

base, est utilisé dans les circuits discrets mais surtout en circuits intégrés. Les trois

montages fondamentaux sont :

v l’émetteur commun,

v le collecteur commun

v la base commune.

H.Halaq Electronique 62
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.1. Amplificateur en émetteur commun :

On suppose que la résistance rCE = ρ = ∞.


Pour déterminer les caractéristiques de l’amplificateur, on commence par déterminer le
schéma équivalent en petits signaux et en basses fréquences.

Figure 1 : Montage émetteur commun découplé


H.Halaq Electronique 63
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.1. Amplificateur en émetteur commun :


VI.1.1 Schéma équivalent
Notons ZE l’ impédance équivalente vue côté émetteur ( Z E = R E /C E ),.

Figure 2 : Schéma équivalent (a) et schéma équivalent simplifié (b).

H.Halaq Electronique 64
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.1. Amplificateur en émetteur commun :


VI.1.2 Gain en tension
Sur le schéma de la figure 2 (b), on a :

Le signe « - » montre une opposition de phase entre la sortie et l’entrée.

H.Halaq Electronique 65
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.1. Amplificateur en émetteur commun :


VI.1.2 Gain en tension

Les deux pulsations caractéristiques ω1 et ω2 sont :

En tenant compte de l’expression de la tension e en fonction de l’entrée ve, on


obtient :

H.Halaq Electronique 66
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.1. Amplificateur en émetteur commun :

VI.1.3 Impédance d’entrée

H.Halaq Electronique 67
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.1. Amplificateur en émetteur commun :

VI.1.3 Impédance de sortie

Si on néglige la résistance interne du transistor ρ, la résistance de sortie devient :

Deux cas se présentent :

H.Halaq Electronique 68
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.1. Amplificateur en émetteur commun :


a. Émetteur non découplé (condensateur de découplage inexistant)
Les ordres de grandeurs montrent que l’amplification, l’impédance d’entrée et
l’impédance de sortie deviennent:

b. Émetteur découplé (condensateur de découplage de forte valeur)


Les condensateurs sont considérés comme des courts-circuits. Les ordres de gran-
deurs montrent que l’amplification, l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie
deviennent :

H.Halaq Electronique 69
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.1. Amplificateur en émetteur commun :


b. Émetteur découplé (condensateur de découplage de forte valeur)
Les condensateurs sont considérés comme des courts-circuits. Les ordres de gran-
deurs montrent que l’amplification, l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie
deviennent :

H.Halaq Electronique 70
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.2. Amplificateur en collecteur commun en petits signaux et en basses fréquences


a) Schéma équivalent en petits signaux

Le schéma équivalent est donné à la figure 6. On remarque que l’entrée et la sortie ne


sont pas séparées. La charge influe sur l’impédance d’entrée et l’impédance interne du
générateur d’attaque influe sur l’impédance de sortie.

vS

Figure 5: Montage collecteur commun découplé. Figure 6 : Schéma équivalent du montage


collecteur commun.

H.Halaq Electronique 71
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.2. Amplificateur en collecteur commun en petits signaux et en basses fréquences


b) Gain en tension

c) Impédance d’entrée

H.Halaq Electronique 72
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.2. Amplificateur en collecteur commun en petits signaux et en basses fréquences


c) Impédance d’entrée

c) Impédance de sortie

H.Halaq Electronique 73
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.2. Amplificateur en collecteur commun en petits signaux et en basses fréquences


c) Impédance de sortie

Figure 7: Schéma équivalent servant à


déterminer la résistance de sortie.

H.Halaq Electronique 74
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.2. Amplificateur en collecteur commun en petits signaux et en basses fréquences


c) Impédance de sortie

H.Halaq Electronique 75
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.3. Amplificateur en base commune en petits signaux et en basses fréquences

H.Halaq Electronique 76
CHAPITRE 4 VI. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

VI.3. Amplificateur en base commune en petits signaux et en basses fréquences

Figure 8 : Montage d’un amplificateur en base commune.

H.Halaq Electronique 77
CHAPITRE 4 VII. Amplificateurs fondamentaux à transistors FET

Le transistor à effet de champ peut être utilisé en électronique car il présente une
résistance d’entrée élevée. Ce composant de base peut aussi être utilisé comme
résistance variable.
VII.1. Amplificateur source commune :
Soit le montage de la figure 4, on suppose que les condensateurs de liaison C1 et C2
ont des valeurs de capacités très élevées, et se comportent de ce fait comme des
courts-circuits à la fréquence de travail considérée.

Figure 4 : Amplificateur à transistor FET en source commune.


H.Halaq Electronique 78
CHAPITRE 4 VII. Amplificateurs fondamentaux à transistors FET

VII.1. Amplificateur source commune :


a) Schéma équivalent

Figure 5 : Schéma équivalent du


montage source commune.

H.Halaq Electronique 79
CHAPITRE 4 VII. Amplificateurs fondamentaux à transistors FET

VII.2. Amplificateur drain commun :

Soit le montage de la figure 6, on suppose que les condensateurs de liaison C1 et


C2 ont des valeurs de capacités très élevées, et se comportent de ce fait comme
des courts-circuits à la fréquence de travail considérée.

Figure 6 : Transistor FET en drain commun.

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CHAPITRE 4 VII. Amplificateurs fondamentaux à transistors FET

VII.2. Amplificateur drain commun :


a) Schéma équivalent

Figure 7 Schéma équivalent du


montage drain commun.

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CHAPITRE 4 VII. Amplificateurs fondamentaux à transistors FET

VII.2. Amplificateur Grille commune :

Figure 8 : Montage grille commune.

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CHAPITRE 4 VIII. Formule générale: étages cascadés

Source Etage 1 Etage 2 Etage 3 Charge

iE
RG ZO1 ZO2 ZO3

vE1 ZE1 AV01.vE1 vE2 ZE2


AV02.vE2 vE3 ZE3
AV03.vE3 ZC
eG vS

avec:
vS1=vE2 , vS2=vE3 , vS3=vS ,
Avec: vS = ZC AV03.vE3 , vE3= ZE3 AV02.vE2 ,
ZO3+ZC ZO2+ZE3
vE2= ZE2 AV01.VE1 et vE1= ZE1 eG
ZO1+ZE2 RG+ZE1
Il vient alors : vS = ZC AV03. ZE3 AV02. ZE2 AV01. ZE1
eG ZO3+ZC ZO2+ZE3 ZO1+ZE2 RG+ZE1

vS = Z E1 .⎡∏ n A ⎤ ⎡∏ n ZEi ⎤. ZC
eG RG +ZE1 ⎢⎣ i=1 V0i ⎥⎦ ⎢⎣ i=2 ZO +ZE (i − 1) i
⎥⎦ ZOn+ZC
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