Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
2. CONCEPTOS
2.1 El transistor como amplificador
En el circuito de figura se muestra un circuito típico de un amplificador de tensión con un
transistor BJT en emisor común polarizado en la zona activa.
Con él se trata de amplificar una tensión cualquiera vi y aplicarla, una vez amplificada, a una
carga que simbolizamos por la resistencia RL. La zona sombreada resalta el amplificador,
que en este caso, lo constituye un transistor BJT en la configuración emisor común. El cual,
convenientemente polarizado en la zona activa, es capaz de comportarse como un
amplificador de tensión.
1
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
3. MATERIALES Y EQUIPOS
- Resistencias :
1 de 100 Ω
1 de 220 Ω
1 de 5,1 KΩ
2 de 10 KΩ
2 de 1 kΩ
1 de 22 KΩ
- Capacitores:
3 de 100 uF/ 16 V
Transistor BC337
4. DESARROLLO
4.1 CONFIGURACION DE BASE COMÚN
Implementar el siguiente circuito
2
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
Configurar el generador de señal para que entregue una señal senoidal de frecuencia
aproximada a 1Khz y una amplitud de 1,5 V pico.
3
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
- Osciloscopio
Desfase: 0°
4.1.4 Cálculos
𝛽 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝐵𝐶337 = 400
4
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
Malla de salida en DC
12 − 𝐼𝐸𝑅𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 (12 − 0,7)𝑉
𝐼𝐸 = = = 513,63𝑢𝐴 = 𝐼𝐶
𝑅𝐸 22𝐾𝛺
𝐼𝐸 = (𝐵 + 1)𝐼𝐵
𝐵 + 1 513,63𝑢𝐴
𝐼𝐵 = = = 1,28𝑢𝐴
𝐼𝐸 401
𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝐶 = 10𝐾𝛺
Malla de salida en AC
5
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
𝑉𝐿
𝐴𝑉 [𝑑𝐵] = −20 𝑙𝑜𝑔 10 ( )
𝑉𝑖
𝑉𝐿 = 0,5 𝑉
𝑉𝑖 = 1,49 𝑉
0,55𝑉
𝐴𝑉 [𝑑𝐵] = −20 𝑙𝑜𝑔 10 (1,49𝑉) = −8,68 𝐵
6
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑅 𝑇𝐻 = (2)
𝑅1 + 𝑅2
Coeficiente de estabilidad simétrica (SI) (SI=5-20):
SI=10
𝑅𝐵
𝑆𝐼 = 1 +
𝑅𝐸
𝑅𝐵 = 𝑅 𝑇𝐻
𝑅𝑇𝐻
10 = 1 +
100
𝑅 𝑇𝐻 = (10 − 1)100𝛺 = 900𝛺 (3)
3 en 2
𝑅1 ∗ 𝑅2
900 𝛺 = ∗ (4)
𝑅1 + 𝑅2
𝑉 𝑇𝐻 = 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝑇𝐻
𝐼𝐶 10,27𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 25,67 𝑢𝐴
𝛽 400
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝐼𝐸 = (400 + 1)25,67 𝑢𝐴 = 11,08𝑚𝐴
7
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
8
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
9
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
𝑉𝐿
𝐴𝑉 [𝑑𝐵] = −20 𝑙𝑜𝑔 10 ( )
𝑉𝑖
𝑉𝑖 = 𝑍𝑖𝑛 ∗ 𝐼𝐵
𝑉𝑖 = 81,4𝑘 ∗ 12,47𝑢𝐴 = 1,01 𝑉
6𝑛𝑉
𝐴𝑉 [𝑑𝐵] = −20 𝑙𝑜𝑔 10 ( ) = 164,52
1,01𝑉
Cálculo de potencias:
𝑅1(1𝐾𝛺)
𝑃 = 𝑖 2𝑅 =
𝑅2(8,2𝐾𝛺)
𝑃 = 𝑖 2𝑅 =
𝑅𝐿(5,1𝑘𝛺)
𝑃 = 𝑖 2𝑅
𝑅𝐶(10𝑘𝛺)
𝑃 = 𝑖 2𝑅
10
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
𝑅𝐸(22𝑘𝛺)
𝑃 = 𝑖 2𝑅
𝐶𝐿( 100𝑢𝑓/16𝑉)
𝑃 = 𝑉𝑖𝐶
𝐶𝐸( 100𝑢𝑓/16𝑉)
𝑃 = 𝑉𝑖𝐸 =
𝐶𝐵( 100𝑢𝑓/16𝑉)
𝑃 = 𝑉𝑖𝐵 =
11
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸
𝑉𝐵 = 0.7 + (9.85𝑚𝐴) × (220) = 2.867𝑉
𝑅𝐵
𝑆𝐼 = 1 +
𝑅𝐸
𝑆𝐼 → 5 → 20
𝑅𝐵
10 = 1 +
220
𝑅𝐵 = 1980Ω
𝑉𝐶𝐶 × 𝑅𝐵
𝑅2 =
𝑉𝐵
12 × 1980
𝑅2 = = 8287.4Ω = 8,2 𝑘 = 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙
2.867
𝑉𝐶𝐶 × 𝑅𝐵
𝑅2 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵
12 × 1980
𝑅2 = = 2601.555Ω = 2,7𝑘 = 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙
12 − 2.867
𝑉𝐿
𝐴𝑉 [𝑑𝐵] = −20 𝑙𝑜𝑔 10 ( )
𝑉𝑖
12
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
0,05
𝐴𝑉 [𝑑𝐵] = −20 𝑙𝑜𝑔 10 ( ) = −35,62 𝐵
3,02
4. CUESTIONARIO
4.1 Explicar a que se deben las posibles diferencias entre los valores de ICQ y
VCEQ calculados y los observados.
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 22,8 𝛺
𝐼𝐸 513,63𝑢𝐴
∆𝑉𝐵𝐸
𝑟𝑜 =
∆𝐼𝐶
∆𝑉𝐵𝐶 = −𝑅𝐴𝐶(∆𝐼𝐶)
∆𝐼𝐶 = 𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄
∆𝑉𝐵𝐶 = (6,8 − 12)𝑉 = −5.2𝑉
−5.2𝑉 = −3,37𝐾𝛺(𝑖𝐶 − 𝑖𝐶𝑄)
13
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
5,2𝑉 − (3,37𝐾𝛺)(1,2𝑚𝐴)
𝑖𝐶 = = 343,026𝑢𝐴
3,37𝐾𝛺
∆𝑉𝐵𝐶 −5,2𝑣
𝑟𝑜 = = = 6,067𝑘𝛺
∆𝐼𝐶 −856,97𝑢𝐴
Impedancia de entrada:
RE paralelo con Ri y paralelo con Bre
(6,067𝑘𝛺)(22,8 𝛺)(400)(10𝑘𝛺)
𝑍 𝑖𝑛 = = 21,96𝑘𝛺
(6,067𝑘𝛺) + (22,8 𝛺)400 + (10𝑘𝛺)
Impedancia de salida
Ro en paralelo con RC
(6,067𝑘𝛺)(10𝑘𝛺)
𝑍 𝑜𝑢𝑡 = = 3,77𝑘𝛺
(6,067𝑘𝛺) + (10𝑘𝛺)
𝑍𝑜 3.77𝑘𝛺
∆𝑉 = 𝛽 = 400 = 68,67
𝑍𝑖𝑛 21,96𝑘𝛺
EMISOR COMUN
Modelo Re
14
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
8,2𝐾 ∗ 1𝑘 ∗ (400)(5,1𝑘)
𝑍𝑖𝑛 = = 81,4 𝑘
8,2𝐾 + 1𝑘 + (400)(5,1𝑘)
1𝑘 ∗ 1𝑘 ∗ 1,3𝑘
𝑍𝑜𝑢𝑡 = = 124, ,8𝑘
8,2𝐾 + 1𝑘 + 1,3𝑘
𝑍𝑜 124,8𝑘
∆𝑉 = 𝛽 = 400 = 615
𝑍𝑖𝑛 81𝑘
COLECTOR COMUN
Modelo Re
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 2,63𝑘
9,85𝑚𝐴
∆𝑉𝐶𝐸 = −𝑅𝐴𝐶(∆𝐼𝐶)
∆𝐼𝐶 = 𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄
𝑉𝐶𝐸 9,83𝑉
𝑟𝑜 = = = 997,96𝛺
𝐼𝐶 9,85𝑚𝐴
15
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑒𝑙𝑜 𝑅𝐿
997𝛺 ∗ 1𝑘
𝑍𝑜𝑢𝑡 = = 499,24𝛺
997𝛺 ∗ 1𝑘
499𝛺
∆𝑉 = 𝛽 = 1,061
123,8𝑘
EMISOR COMUN
BASE COMUN
16
GUÍA DE PRACTICA
DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA
6. BIBLIOGRAFÍA.
Electrónica.Unicrom (2016) Transistores NPN. Recuperado el 22 de junio del 2017 de:
goo.gl/9tyDwQ
Cacos (2016) Transistores amplificadores. México Recuperado el 22de junio del 2017 de:
goo.gl/7uYOxH
17