Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
_______________________________________________________
Wyższe poziomy abstrakcji
Inżynierski poziom abstrakcji – na tym poziomie definiuje się symbole bardziej
złożonych jednostek (złożonych z wielu rezystorów, kondensatorów diod, tranzystorów
itp.) oraz projektuje i analizuje układy z nich złożone. Wewnętrzne szczegóły takich
jednostek pomijamy a w zamian formułujemy proste reguły ich działania (i tu nie
stosujemy już r. Maxwella – byłoby to zbyt skomplikowane).
Wyższe poziomy abstrakcji
Dalsze przykłady:
Jednostki funkcyjne,
multipleksery, zasilacze
sensory, pamięć itp.
____________________________________________
Poziom programowania urządzeń. Na tym poziomie abstrakcji mamy
do czynienia z układami programowanymi poprzez odpowiednie
instrukcje. Jest to poziom programów komputerowych (np. LabVIEW)
oraz złożonych urządzeń programowalnych zawierających procesory,
pamięci, nośniki informacji itp.
Dzięki pracy na odpowiednim poziomie abstrakcji możemy
rozwiązywać problemy, projektować złożone systemy i wykonywać
trudne zadania.
Dodatek A. Równania Maxwella
Równania Maxwella to zestaw czterech równań, który w roku 1884
opublikował Oliver Heaviside. Nazywamy je jednak równaniami Maxwella,
gdyż są one równoważne większej liczbie równań, które wcześniej zostały opublikowane
przez Maxwella w kilku pracach w latach 1861 – 1973 [Phil. Mag. 21 (1861) 161, 281,
338, Phil. Mag. 22 (1862) 12, 85, Phil. Trans. Roy. Soc. 155 (1865) 459, Phil. Trans.
Roy. Soc. 158 (1868) 643, Treatise in Electricity and Magnetism (1873)]. Maxwell odkrył
dodatkowy człon – tzw. prąd przesunięcia dE/dt dopełniający równanie (prawo)
Ampère’a co pozwoliło wyjaśnić propagację fali elektromagnetycznej w próżni.
Oliver Heviside, dzięki zastosowaniu notacji wektorowej uzyskał bardzo zgrabną postać
równań Maxwella, dlatego ta właśnie postać równań pojawia się we wszystkich
współczesnych podręcznikach poświęconych elektryczności. Te cztery równania
uzupełnione o równanie na siłę Lorentza stanowią podstawę klasycznej elektrodynamiki.
Dodatek A.
Dodatek A. Całkując II r. Maxwella po pewnym kawałku
powierzchni S, którego brzegiem L jest jakiś obwód elektryczny
dostrzegamy,
http://faraday.ee.emu.edu.tr/EENG224/lecture_notes.htm
http://staff.southwest.tn.edu/kfoster/links_4.htm
Z równań Maxwella wynika, że istnieją fale
elektromagnetyczne o prędkości światła.
Tę sensację potwierdził w roku 1888 H.R. Hertz dając
początek radiotechnice – poprzedniczce elektroniki.
Zanik energii sygnałów elektrycznych
~1/r2
Markoni, jego
współpracownicy
i wielu innych w okresie
1895 – 1912 r. sądziło, że
iskra jest istotnym
elementem w
bezprzewodowym
przekazie energii
i komunikacji.
Podstawowe definicje i prawa w elektronice
Ładunki elektryczne zwykle oznaczamy symbolem q lub Q.
Elektryczny ładunek jednostkowy to 1 C (-1 kulomb ≈ 6.24x1018 elektronów,
elektron posiada ładunek o wartości: - e = - 1.6x10-19 C ). Elektron
obdarzony jest ładunkiem przeciwnym do protonu. Przyjęto, że elektron
posiada ładunek ujemny a proton dodatni. W zasadzie każdy obiekt
materialny może przyjąć określony ładunek elektryczny (stając się
naładowanym ujemnie zawierając nadmiar elektronów lub dodatnio przy
niedoborze elektronów).
Ciecz Fermiego to „ciecz” złożona z elektronów mogących swobodnie
poruszać się w objętości przewodnika. W materiałach przewodzących prąd
elektryczny, tj. w przewodnikach, mobilnymi nośnikami ładunku najczęściej
są tzw. swobodne elektrony, najsłabiej związane i pochodzące z najbardziej
zewnętrznych orbitali. Możemy je z dobrym przybliżeniem traktować jako
ciecz obdarzoną ładunkiem elektrycznym.
Prąd – ukierunkowany ruch ładunku elektrycznego (symbole: i lub I). Natężenie
prądu wyrażane jest w amperach (A) i oznacza szybkość przepływu ładunku
przez “coś”. Prąd o natężeniu 1 A oznacza, że przez przekrój jakiegoś
elementu w ciągu 1 sekundy przepływa 1 C ładunku.
Napięcie
Napięcie (symbole: U lub E) jest różnicą potencjału elektrycznego
między dwoma wybranymi punktami i jest wyrażane w woltach
(V), czyli jest pracą przypadającą na jednostkowy (próbny)
ładunek: U[V]a-b = W[J]a-b /Q[C], 1V = 1J/C. Zatem napięcie między
dwoma punktami A i B oznacza pracę, która zostanie wykonana
nad próbnym ładunkiem przy jego transporcie z B do A podzieloną
przez wartość tego ładunku. UEB = 5 V oznacza, że między
punktami E i B występuje napięcie 5 V. Punkt E ma potencjał
elektryczny dodatni (lub wyższy) względem punktu B. UC = 5 V
oznacza, że między punktem C a wspólnym punktem odniesienia
(“masą”) występuje napięcie o wartości 5 V.
Należy odróżniać napięcia wymuszające prąd czyli siły
elektromotoryczne – SEM od spadków napięcia będących
skutkiem wymuszania prądu. SEM występuje na zaciskach źródeł
energii np. baterii elektrycznych, zasilaczy czy nawet elektrowni
(symbole: E lub U). Spadki napięć (symbole: tylko U) to po prostu
obniżenia potencjału na elementach zamykających obwód
elektryczny poza siłami elektromotorycznymi.
Moc (czyli tempo wykonywania pracy)
Moc jest ilością pracy wykonywaną, oddawaną lub pobieraną w
jednostce czasu, jest to ilość pracy przypadająca na jednostkę
czasu. W elektryczności moc wyraża się zwykle symbolem P, i
obliczana jest jako iloczyn napięcia i prądu: P[W] = P[J/s] =
U[V]•I[A]. Dla „U” w woltach i „I” w amperach mamy P w watach
[W]. U[V]•I[A] jest iloczynem: (praca/ładunek) • (ładunek/czas) =
(praca/czas). Gdy kierunek prądu jest zgodny z napięciem danego
źródła napięcia (czyli, gdy na zewnątrz źródła ładunek płynie od
dodatniego do ujemnego bieguna) to znak mocy jest dodatni i
mówimy, że źródło to wykonuje (oddaje pracę). W przeciwnym
wypadku moc będzie ujemna, a źródło będzie pobierać pracę (i
gromadzić energię). W układach elektronicznych moc wydziela się
w postaci ciepła i podnosi temperaturę do momentu uzyskania
równowagi cieplnej tj. strumień ciepłą odprowadzanego
zrównoważy wydzielaną moc. Zbyt wysoka temperatura
równowagi często bywa przyczyną uszkodzeń elementów
elektronicznych. Zatem nie powinny nas dziwić liczne wiatraki we
współczesnych systemach cyfrowych.
Rezystancja
Rezystancja, czasem zwana opornością lub oporem czynnym,
symbol R, jednostka Ω - Ohm, jest miarą utrudniania przepływu
prądu. Konduktancja zwana też przewodnością, symbol G,
jednostka S – Simens, jest odwrotnością rezystancji G = R-1.
(W literaturze zachodniej można spotkać jednostki konduktancji
jako „mho” – odwrotność do Ohm: L.P. Huelsman „Basic Circuit Theory)
Prawo Ohma: I = U/R (lub I = GU) - natężenie prądu I w
elemencie obwodu elektrycznego jest wprost proporcjonalne do
napięcia U między końcami (zaciskami) tego elementu.
Rezystancja między określonymi punktami obwodu to stosunek
napięcia do natężenia prądu między tymi punktami R[Ω] = U[V]/I[A],
konduktancja to G[S] = I[A]/U[V]. Szybkość wydzielania się ciepła
przy zadanym prądzie: P = IU = I2R, a przy zadanym napięciu P =
IU = U2G. Materiały lub elementy spełniające prawo Ohma, czyli
wykazujące proporcjonalność prądu do napięcia, nazywamy
omowymi lub liniowymi. Prawo Ohma jest idealizacją, która nie
uwzględnia takich zjawisk jak np. zmiana oporności wywołana
zmianą natężenia pola elektrycznego czy natężenia prądu.
Rezystancja statyczna i dynamiczna
Wiele elementów wyróżnia specyficzna nieliniowa zależność prądu od
przyłożonego napięcia (np. żarówka lub dioda). Elementy takie nazywamy
nieliniowymi lub nieohmowymi i przy ich opisie posługujemy się pojęciami
oporu statycznego R i oporu dynamicznego rd.
Oporność statyczną definiujemy jako stosunek napięcia do prądu
w danym punkcie zależności (charakterystyki) między napięciem
i prądem danego elementu:
Źródło prądowe
Idealne źródło prądowe jest dwójnikiem, który wymusza prąd o stałym
natężeniu w dołączonym obwodzie, niezależnie od wartości napięcia na jego
zaciskach. Rzeczywiste źródło prądowe charakteryzuje się pewną graniczną
wartością napięcia wyjściowego a wydajność prądowa jest tylko w przybliżeniu
stała.
Źródła sterowane
Obok żródeł niezależnych, których parametry nie
zależą od napięć i prądów w innych elementach
danego obwodu elektrycznego (a nawet od
obciążenia tego źródła) istnieją źródła sterowane,
zwane też źródłami zależnymi, kontrolowanymi
lub regulowanymi.
W takim przypadku napięcie lub prąd źródła
zależy od napięcia lub prądu w innym elemencie
obwodu elektrycznego. Takie źródła oznaczane
są symbolem „diamentu” (〈〉). Czasem przy
analizie układów wygodnie jest zastąpić takim
źródłem aktywny element obwodu jakim jest np.
tranzystor.
Źródła sterowane
Symbole:
źródło prądowe sterowane prądem źródło prądowe sterowane napięciem
RT = RN = Rwew.= rd
Metoda oczkowa (Metoda prądów oczkowych). Polega
na: 1) ostrzałkowaniu analizowanego obwodu – zaznaczenia
„prądów oczkowych”, 2) napisaniu układu równań stosując
napięciowe prawo Kirchhoffa (NPK) do wszystkich „oczek” (oczko
– pętla bez rozgałęzień do wewnątrz). 3) rozwiązaniu tego układu
równań.
Przykład: Obliczyć prądy w podanym układzie.
Metoda węzłowa (Metoda potencjałów węzłowych). Jest to
jedna z wielu metod wykorzystujących prawa Kirchhoffa i prawo
Ohma, przy czym jednak jest najbardziej popularną metodą
analizy obwodów elektrycznych bo najszybciej prowadzi do
niezależnego układu równań. W tej metodzie wykonujemy kolejno
następujące kroki:
1) Wybieramy węzeł odniesienia (którego potencjał przyjmujemy
jako zerowy, uziemiony). Względem tego węzła będą określane
potencjały innych węzłów. Najlepiej aby węzeł odniesienia łączył
możliwie najwięcej elementów (przewodów).
2) Oznaczamy symbolami napięcia (np. „en”) pozostałe miejsca
obwodu. Do określania prądów stosujemy przewodności G, G =1/
R (lub konduktancje Y, Y = 1/Z) mnożone przez różnice napięć
np. (e2-e1)G2.
3) Stosujemy prądowe prawo Kirchhoffa do wszystkich węzłów
prócz węzła odniesienia (możemy otrzymać n-1 niezależnych
równań, gdzie n - ilość węzłów).
4) Rozwiązujemy te równania i uzyskujemy nieznane napięcia
węzłów.
5) Obliczamy pozostałe wielkości.
Metoda węzłowa. Przykład. W układzie po lewej mamy
dane źródła i rezystancje. Obliczyć prąd przez R3.
Wybieramy węzeł
odniesienia i oznaczamy
nieznane napięcia
pozostałych węzłów: e1 i e2. ->
Stosujemy PPK (prądowe prawo Kirchhoffa)
Dla węzła e1: (e1 - Uo)G1 + e1G4 + (e1-e2)G3 = 0
Dla węzła e2: (e2 - Uo)G2 + (e2 - e1)G3 + e2 G5 – Io = 0. Porządkujemy:
Metoda ogólna.
Stosowana jest przy bardzie rozbudowanych
układach. Wiąże się z zastosowaniem praw
Kirchhoffa, prawa Ohma, intuicji i uproszczeń.
Zwykle zmierzamy do uzyskania układu równań
liniowych w postaci:
[i] = [Y][u] gdzie [i] – wektor prądów, [Y] – macierz
konduktancji i [u] – wektor napięć,
lub w postaci:
[u] = [Z][i] gdzie [Z] – macierz impedancji.
Zastępując akumulator oraz układ ładujący go
zastępczymi układami Thevenina otrzymujemy
prosty obwód:
Rezystory (oporniki)
są to elementy elektroniczne, których parametrem użytkowym jest rezystancja. Ich
zadaniem jest: ustalanie określonej wartości prądu, ograniczanie prądu, podział napięcia
itp.. Rezystancję mierzymy i wyrażamy w Ohmah [Ω]. 1Ω jest rezystancją rezystora
opornika, w którym pojawia się prąd o natężeniu 1A (jednego Ampera) w rezultacie
wymuszenia na jego zaciskach różnicy potencjałów 1V (jednego Volta). W rezystorach
wydziela się moc P=IU w postaci ciepła i właśnie moc znamionowa (wynikająca z
dopuszczalnej temperatury!) jest bardzo ważnym parametrem pracy rezystora.
Rozróżniamy rezystory stałe oraz zmienne, jak potencjometry i helipoty. Wyróżnia się
też: 1) rezystory wysoko-stabilne i precyzyjne (tzw. szeregi: E48 – 2%, E96 – 1%, E192
– 0.5%), 2) rezystory powszechnego zastosowania (szeregi E6 – 20%, E12 –10%, E24 –
5%), 3) rezystory wysokonapięciowe (>1kV), 4) rezystory wysoko-omowe (>10MΩ), 5)
dużej mocy (>2W), 6) wysokotemperaturowe (>175oC). Produkowane są oporniki o
opornościach: od 0.001Ω do 1012 Ω i precyzji 0,005% do 20% (najczęściej 1Ω - 100MΩ i
tolerancji 5%). Wadami rezystorów są: zmiana rezystancji przy zmianie temperatury,
napięcia, wilgotności oraz z upływem czasu.
Rezystancja rezystora (objętościowego) wyraża się wzorem:
R – rezystancja przy napięciu = 0,1 UMax (UMax - dopuszczalne maksymalne napięcie pracy
rezystora), ∆R – przyrost rezystancji.
Inne parametry: indukcyjność pasożytnicza, napięcie graniczne, dopuszczalna moc, tolerancja,
poziom szumu (Rezystory metalizowane i drutowe "szumią" najmniej ale mają większą
indukcyjność. Ich napięcie szumów wynosi 0,05 µV/V. Napięcie szumów rezystorów węglowych
wynosi 6 µV/V).
Rezystory w układach scalonych
Osobną grupę rezystorów stanowią te w układach scalonych. Mamy tam
rezystory półprzewodnikowe i rezystory w postaci naparowanych cienkich
warstw. Rezystory półprzewodnikowe to odpowiednio domieszkowane poprzez
dyfuzję lub inplantację obszary objętości półprzewodnika. Rezystory
cienkowarstwowe powstają przez naniesienie (naparowanie) warstwy materiału
oporowego (tantalu, SnO2, Ni-Cr lub jeszcze innego) na izolacyjne podłoże i
wytrawienie w taki sposób aby uzyskać pożądaną sieć rezystorów.
Warystory
Warystory to rezystory zależne od napięcia z silną nieliniowością: V = k· Iβ,
zabezpieczają one inne elementy przed przepięciem.
termistory
Termistory zmieniają swoją rezystancję wykładniczo:
RT = AeB/T - typ NTC (negative temperature coefficient) lub
RT = A + CeBT - typ PTC (positive temperature coefficient)
Kondensatory
realizują koncepcję magazynowania energii w postaci pola elektrycznego
między naładowanymi elektrycznie okładkami. Ich efektywność zależy od
powierzchni i kształtu okładek, od odstępu oraz materiału między okładkami.
Ponieważ napięcie otwarcia diody zależy od jej temperatury, diody mogą być
stosowane do pomiaru temperatury. Dla diod krzemowych ∆V = -2(mV/K) ×
∆T(K) co sprawia, że diody te stosowane są jako termometry w laboratoriach
kriogenicznych pracujące w zakresie temperatur 1,8 – 400 K.
Diody germanowe nie wyszły z użycia ze względu na niski spadek napięcia –
0,3 V przy otwarciu (tj. przy polaryzacji w kierunku przewodzenia).
Dioda ogólnego zastosowania i dioda
prostownicza
powinny mieć duże graniczne napięcie zaporowe (wsteczne).
Widać, że opór dynamiczny rE ma małą wartość i głównie zależy od natężenia prądu IC.
Zależność rE od temperatury ukryta jest w wartości UT.
Charakterystyka przejściowa
układu Uwy = Uwy(Uwe).
Rodzina charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego npn i
ograniczenie wyboru obciążenia RC. Prosta obciążenia IC=(UCC-UCE)/RC powinna
leżeć poniżej hiperboli Pmax = IC•UCE . linia odcięcia – oba złącza nie przewodzą.
Linia nasycenia – gwałtowny spadek wsp. β i utrata liniowości przy minimalnym
napięciu UCE.
Parametry i charakterystyki tranzystorów bipolarnych
Od współczynnika βst należy odróżniać współczynnik
małosygnałowy β.
β = ∂ IC/∂ IB przy UCE = const. natomiast βst = IC/IB
Gdy tranzystor pracuje z małymi sygnałami, np. w układzie
wzmacniacza liniowego wówczas charakterystyki w otoczeniu
punktu pracy mogą być zastąpione stycznymi, zwanymi
parametrami małosygnałowymi lub różniczkowymi. Oto kilka
przykładów:
1. Transkonduktancja:
gm = ∂ IC/∂ UBE.
(w przybliżeniu gm= IC/UT=IC/25mV, dla IC=2,5mA gm ≅ 0,1S).
2. Różniczkowa (dynamiczna) rezystancja wyjściowa:
rCE = ∂ UCE/∂ IC przy UBE = const.
3. Różniczkowa (dynamiczna) rezystancja wejściowa:
rBE = ∂ UBE/∂ IB przy UCE = const.
Wzmacniacze
Wzmacniacze są urządzeniami, w których energia ze źródeł
zasilania (zasilaczy) jest zamieniana na energię sygnału wyjściowego
przy pomocy sygnału sterującego. Zwykle do wejścia wzmacniacza podawana
jest suma składowej stałej i składowej zmiennej: u(t) = U0 + UZMIeNNE, i(t) = I0 +
IZMIENNE. Składowa zmienna jako sygnał wzmacniany zwykle jest znacznie
mniejsza od składowej stałej. Składowa stała pełni tylko rolę pomocniczą
wyznaczając punkt pracy wzmacniacza tranzystorowego. Wyróżniamy trzy typy
wzmacniaczy: WE, WB WK.
Wzmacniacz o wspólnym emiterze (WE) jest dzielnikiem napięcia
utworzonym przez impedancję obciążenia i sterowaną (a zatem
zmieniającą się) impedancję tranzystora między kolektorem a
emiterem. Wyrażenie : wspólny emiter oznacza, że emiter jest
wspólną dla wejścia i dla wyjścia (uziemioną) elektrodą tranzystora.
Sygnałem wyjściowym (wzmocnionym) jest napięcie i prąd kolektora. Zmienna
składowa napięcia kolektora (określanego względem zerowego potencjału
masy i uziemionego emitera) ma fazę przeciwną (tj. odwróconą o 180o) do fazy
sygnału sterującego - wejściowego. Wzrostowi potencjału na bazie (dodatnia
amplituda składowej zmiennej sygnału sterującego uBE) odpowiada
zmniejszenie impedancji tranzystora i napięcia na kolektorze uCE. Wzmocnienie
prądowe wynosi h21E = β. Przy znacznym wzmocnieniu napięciowym (zależnym
od obciążenia) wzmocnienie mocy jest rzędu β2.
Wzmacniacz o wspólnym kolektorze (WK).
Układy WK często zwane są wtórnikami
emiterowymi. Kolektor jest tu elektrodą
wspólna dla składowych zmiennych
ponieważ jest zwarty z „ziemia” poprzez
dużą pojemność zasilacza (stałość
napięcia UCC). To znaczy, że na kolektorze jest tylko stały potencjał – brak
składowej zmiennej. Obciążenie znajduje się między emiterem a „ziemią” i
wraz z tranzystorem stanowi dzielnik napięcia. Istotne jest, że ten układ nie
odwraca fazy, powtarza zmiany napięcia wejściowego i powiększa prąd
wejściowy β-razy (wzmocnienie mocy też wynosi β). Brak wzmocnienia
napięciowego (∆Uwy/∆Uwe jest o „włos” mniejsze od 1 bo rE nie jest = 0) wyjaśnia
nazwę: wtórnik emiterowy – układ powtarza napięcie zmienne. Potencjał na
bazie jest cały czas większy od potencjału na emiterze o około 0.6 V (0.6 do
0.7 V) ponieważ tranzystor jest cały czas otwarty. Zatem potencjał emitera
„wędruje” za potencjałem bazy cały czas będąc przesuniętym o 0.6 V -
potrzebne do otwarcia złącza BE. Ponieważ UBE=Uwe-URobc mamy do czynienia
z ujemnym sprzężeniem zwrotnym redukującym wzmocnienie napięciowe.
Bardzo ważnym jest, że Rwe = βRobc, gdyż prąd wyjściowy jest β-krotnie większy
od prądu wejściowego. Dzięki temu układ WK jest swoistym transformatorem
impedancji i pozwala na dopasowanie małej impedancji obciążenia do dużej
impedancji źródła sygnału sterującego (wzmacnianego prądowo).
Wzmacniacz o wspólnej bazie WB.
W tym układzie potencjał bazy jest stały a
sygnałem sterującym (wzmacnianym)
zmieniany jest potencjał emitera. Układ
ten nie zmienia fazy sygnału wzmacnianego
przy niskich częstotliwościach. Tj. wyjściowy
sygnał ma fazę zgodną z sygnałem wejściowym. Wzmocnienie prądowe
wynosi prawie 1 (jest około 1% mniejsze od 1). Wzmocnienie napięciowe jest
duże i zależy od RC. Istotną zaletą tego układu jest mała pojemność
(pasożytnicza) Cwe-wy = CEC, która faworyzuje go przy wzmacnianiu sygnałów o
wysokich częstotliwościach. Wadą jest mała rezystancja wejściowa (IE jest β +
1 razy większy od IB). Układ ten mając dużą impedancję wyjściową może
dopasowywać (przeciwnie do układu WK) dużą impedancję obciążenia do
małej impedancji źródła.
Uwaga. Przy doborze tranzystora katalogowa graniczna częstotliwość
tranzystora ft powinna być około 100 razy większa niż przewidywana granica
pasma przenoszenia wzmacniacza WE. W przypadku wzmacniaczy WK i WB
wymagania są znacznie mniejsze i ft może być nawet porównywalna z fg.
Wzmacniacz o wspólnym emiterze (WE).
Rezystory R1 i R2 stanowią dzielnik napięcia zapewniający spoczynkowy punkt
pracy układu (określają potencjał bazy). C1 i C3 są pojemnościami
sprzęgającymi przekazującymi tylko składową zmienną sygnału pomiędzy
kolejnymi stopniami układu. C1 jest kondensatorem wejściowym a C3
wyjściowym dla naszego układu. RE i CE zapewniają silne ujemne sprzężenie
zwrotna dla najniższych częstotliwości stabilizując tym sposobem pracę
układu.
RC jest opornikiem kolektora na którym odkłada się zmienny spadek napięcia o
amplitudzie wielokrotnie większej (efekt wzmocnienia) od amplitudy sygnału
podawanego na bazę. Faza tego sygnału jest przesunięta o 180o (bo wyższy
potencjał na bazie wymusza większy prąd kolektora i przez to większe U na RC
i niższy potencjał na kolektorze). Przed wykonaniem wzmacniacza należy
wybrać tranzystor i poznać jego parametry z odpowiedniego katalogu. Znając
parametry dobieramy wartości Ucc i Ic (Ic = Ispoczynkowe).
Rc – dobieramy tak aby Ic • Rc = Ucc/2. RE dobieramy tak aby Ic • RE = około 1V (dla
stabilności temperaturowej). R1 i R2 dobieramy tak
aby: UB=VE+0,6V ≅1,6V oraz RT (R Thevenina)
tego dzielnika nie była większa od 0,1 • Rwe
tj. RT < 0,1•β•RE. czyli R1 ≅ 0,1•β•RE.
O doborze pojemności decyduje pasmo
częstotliwości wzmacnianych sygnałów.
Efekt Millera
Polega na tym, że pojemność
między wejściem a wyjściem
dowolnego odwracającego
fazę wzmacniacza jest
elementem ujemnego
Sposoby eliminacji efektu Millera
sprzężenia zwrotnego. Takie
pojemnościowe ujemne
sprzężenie zwrotne osłabia, a
dla wyższych częstotliwości
nawet eliminuje wzmocnienie.
We wzmacniaczu o wspólnym
emiterze pojemność CCB
osłabia wzmocnienie w takim
stopniu jak pojemność
Jednowejściowy
wejściowa o wartości: Cwej. = wzmacniacz różnicowy
CCB(1+kU) (która z opornością
wewnętrzną źródła stanowi filtr
dolnoprzepustowy).
Tranzystor Darlingtona.
Już we wczesnych latach 50-tych XX wieku,
pojawiło się dobre rozwiązanie problemu rozrzutu
i małej wartości wzmocnienia prądowego β
pojedynczych tranzystorów. Było nim takie połączenie
dwóch tranzystorów gdzie wzmocniony prąd z
pierwszego tranzystora jest prądem bazy drugiego
tranzystora. Układ taki posiada znaczną rezystancję
Wejściową i bardzo duże wzmocnienie, w przybliżeniu
β1• β2. Tranzystory Darlingtona i tranzystory Sziklai
to takie właśnie układy w jednej obudowie.
Przykładowo tranzystor Darlingtona BC517 posiada
wzmocnienie 30000. Układ Darlingtona został
Wynaleziony w Bell Lab. w 1953 r. przez Sydnney’a
Darlingtona. Za autorów pomysłu fabrykowania więcej
elementów w jednej obudowie uznawani są jednak: Jack Kilby z Texas
Instruments w 1958 r. i Robert Noyce z Fairchid w 1959 r. Pomysł ten
zmniejszał rozmiary układów zawierających większą liczbę tranzystorów i
poprawił szybkość działania układów dzięki skróceniu czasy propagacji sygnału
między poszczególnymi tranzystorami. Idea ta dała początek fabrykowania
wzmacniaczy operacyjnych i innych układów scalonych po roku 1960.
Źródła prądowe
Przykład źródła prądowego w postaci tzw. lustra
prądowego (z opornikami 100Ω dla korekty efektu
Early’ego).
Rezystor RProgr decyduje o natężeniu prądu płynącego
przez obciążenie. Napięcie wytworzone na bazie T1 jest
zastosowane do wysterowania bazy tranzystora T2.
Wzmacniacz różnicowy
Tranzystor T3 z diodą Zenera i opornikami RD i RI stanowi źródło prądowe,
które utrzymuje stałą sumę prądów emiterowych T1 i T2 czyli prąd IE+E. Dwa
jednakowe tranzystory T1 i T2 ze swoimi identycznymi rezystorami RE i RC
stanowią zrównoważony mostek gdy na we1 i we2 podane są identyczne
potencjały. W równowadze na wyjściu mamy napięcie 0V, Równowaga staje
się tym bardziej zachwiana im
większa (liczona w mV) staje się
różnica między potencjałami
Uwe1 i Uwe2. W rezultacie
Uwy = k(Uwe1 - Uwe2),
wzmacniacz różnicowy
wzmacnia różnicę napięć
wejściowych.
Gdy Uwe1= – Uwe2 to w
punkcie A mamy stały
potencjał i widać, że
ksym = 2∆ICRC/2∆IC(RE + rE)=
RC/ (RE + rE). Podobnie
kniesym = RC/2(RE + rE)
http://www.williamson-labs.com/
Wzmacniacz różnicowy (WR). Idealny WR jest układem
wzmacniającym różnicę napięć między dwoma sygnałami
wejściowymi niezależnie od wartości wspólnego potencjału obu
wejść. Jest popularnym i niezastąpionym układem stosowanym do
wzmacniania słabych sygnałów (EKG, głowice magnetyczne itp.)
zakłócanych z zewnątrz rozmaitymi szumami. Jest wejściowym i
podstawowym układem wzmacniaczy operacyjnych (omawianych
w dalszej części wykładu). Tu na wejścia nie trzeba podawać
składowej stałej aby uzyskać polaryzację wstępną. Nie ma
problemu z sygnałami wolno-zmiennymi bo do ich przekazywania
między stopniami wzmacniającymi nie są potrzebne elementy
sprzęgające takie jak kondensatory czy transformatory. Jakość
wzmacniaczy różnicowych i operacyjnych charakteryzuje
współczynnik CMRR (common mode rejection ratio), który jest
stosunkiem odpowiedzi na sygnał normalny do odpowiedzi na
sygnał wspólny (zwykle podawany w decybelach). Inaczej – jest to
20 log ze stosunku wspólnego napięcia wymuszającego pewien
sygnał wyjściowy do napięcia różnicowego dającego taki sam
skutek (taki sam sygnał wyjściowy). Zakresy sygnałów
wejściowych są ograniczone.
Przerzutnik Schmitta
Jest to regeneracyjny komparator napięcia.
Na wspólnym oporze emiterów (100 Ω) odkłada się
napięcie U1 albo U2, zależnie od tego, który tranzystor
jest otwarty. Powoduje
to, że mamy dwa różne
progi przełączenia!
(mamy histerezę
w przełączaniu).
Ważne aby RC1>RC2
(np. na schemacie
RC1=1.5k Ω,
a RC2 =1k Ω).
Tranzystory polowe W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych
tranzystory polowe są sterowane polem elektrycznym (w zasadzie bez prądu a
zatem bez poboru mocy, oporność wejściowa może wynosić nawet około 1014
Ω). Ta cecha powoduje, że tranzystory polowe są jak dotąd niezastąpione w
budowie układów o dużej skali scalenia (LSI) jak mikroprocesory, pamięci itp.
Elektrodą sterującą jest bramka G (gate), której potencjał wpływa na
rezystancję między dwoma innymi elektrodami: drenem D (drain) i źródłem S
(source).
Tranzystor bipolarny można traktować jako źródło
prądowe sterowane prądem bazy, jako wzmacniacz
prądowy lub jako element transkonduktancyjny (Ebers-
Moll). Tranzystor polowy natomiast działa na zasadzie
sterowania prądem w kanale (dren-źródło) za pomocą
pola elektrycznego wytwarzanego przez napięcie na
elektrodzie zwanej bramką. Prąd w tej elektrodzie,
odizolowanej warstwą tlenku lub szerokim (zaporowo
spolaryzowanym) złączem pn od reszty tranzystora, w
zasadzie nie płynie. Potrzebny jest tylko niewielki ruch
ładunku aby ładować bramkę do pożądanego
potencjału. Kanał przewodzący w tranzystorze polowym
może być dwojakiego rodzaju: typ n (przewodnictwo
elektronowe) albo typ p (przewodnictwo dziurowe). (Kanał
w postaci prawie dwuwymiarowej warstwy mobilnych nośników ładunku
wykazuje interesujące własności kwantowe, szczególnie widoczne w niskich
temperaturach i silnych polach magnetycznych).
6 typów tranzystorów polowych Widać, że cztery pierwsze FET-y normalnie
przewodzą, przewodzenie znika dopiero przy znacznym IUGSI. Dwa ostatnie przy małym IUGSI nie przewodzą.
Dla tranzystorów polowych poniżej progu
otwarcia ID ∝ exp(VGS), ale powyżej progu ID =
k(VGS - VP)2 co daje
transkonduktancję: gm = ∂ ID/∂ UGS = 2(k ID)1/2
Jest ona mała (około 4 mS dla charakterystyki
przejściowej obok) w porównaniu z gm =
IC/25mV dla tranzystorów bipolarnych.
Przykładowa charakterystyka wyjściowa
pokazuje dwa obszary zależności ID od UGS.
Dla obszaru liniowego:
ID = 2k[(UGS - UP)UDS - (UDS)2/2]
(tu robimy rezystory).
Dla obszaru nasycenia:
ID = k(UGS - UP)2
(tu robimy źródła prądowe).
Źródło prądowe z tranzystora JFET.
Aby zrozumieć stabilizację prądu
płynącego przez obciążenie wystarczy
spojrzenie na charakterystykę
ID = ID(UDS). Widać, że dla napięć UDS
powyżej około 3V prąd ID jest prawie
stały.
Przetwornik prąd-napięcie.
Uwe ≅ 0.
Uwy = -iR
Przykłady
Źródło prądowe.
I = Uwe/R.
Jedyna wada to brak uziemienia
obciążenia.
Przerzutnik Schmitta
(regeneracyjny komparator napięcia)
Wzmacniacz sumujący
Prąd przez R jest
sumą prądów przez R0, R1,
R2 i R3. Zatem Uwy = Isum.
R jest proporcjonalne do
sumy prądów wejściowych.
To znaczy, że:
Uwy = - ( U0R/R0 + U1R/R1 + U2R/R2 + U3R/R3)
Czyli napięcie wyjściowe jest ważoną sumą napięć
wejściowych.
Jeżeli dobierzemy oporniki tak aby R0 = 2R1= 4R2 = 8R3,
to uzyskamy czterobitowy przetwornik cyfrowo-
analogowy tzw. przetwornik C/A!
Komparatory analogowe
Są to wzmacniacze bez ujemnego
sprzężenia zwrotnego. Na wyjściu
mamy przeskok
między stanami niskim i wysokim
w momencie gdy napięcie
wejściowe przechodzi przez
wartość napięcia referencyjnego.
Generator Meissnera
W generatorze Meissnera
dodatnie sprzężenie zwrotne
realizowane jest za pomocą
transformatora.
Przykład generatora z obwodem
rezonansowym w obwodzie
kolektora.
Generatory kwarcowe. Piezoelektryczny odpowiednio
wycięty i wyszlifowany kryształ kwarcu (SiO2) jako rezonator wykazuje bardzo
dużą dobroć (106) i wyjątkową stabilność częstotliwości. Typowa niestałość
częstotliwości jest rzędu 10-7, a w specjalnych rozwiązaniach bywa lepsza niż
10-11. Dla porównania warto podać, iż niestałość częstotliwości generatorów
typu LC sięga zaledwie 10-4. Na rys. mamy generatory: Colpittsa i Pirce’a. W
gen. Colpittsa dodatnie sprzężenie zwrotne realizowane jest za pomocą
podzielonej pojemności w obwodzie rezonansowym. Ważne zastosowania to
„zegary” w układach cyfrowych.
Generatory kwarcowe jako sensory do
monitorowania zmian ilości substancji osadzanych na powierzchni
kryształu poprzez pomiar zmiany jego częstotliwości
rezonansowej.
Bardzo praktyczny związek: ∆m/m = c × ∆f/f czyli ∆m = c’ × ∆f (c
– stała, m – masa rezonatora kwarcowego, f – częstotliwość
rezonansowa rezonatora kwarcowego) zachodzi dla ∆m/m ≤ 0.01
i przy stałej temperaturze.
Zasilanie +5V
Generator Hartleya w przetwornicy napięcia
W samym generatorze dodatnie sprzężenie zwrotne zrealizowane
jest dzięki podziałowi indukcyjności (Z1 i Z2) w obwodzie
rezonansowym. Transformator służy tu do przekazania
wygenerowanego przebiegu o zwiększonej amplitudzie do układu
prostownika.
Generator z mostkiem Wiena
Mostek jest równoległym połączeniem zwykle dwóch
dzielników napięcia. M. W. służył do pomiaru pojemności.
U- = UwyR3/(R3+R4). X1 = -j/ωC1, X2 = -j/ωC2.
Z1= R1X1/(R1+X1), Z2=R2+X2,
U+ = UwyZ1/(Z1+Z2) – u
U+ = Uwy[(R1X1)/(R1 + X1)]/[R1X1/(R1 + X1) + R2 + X2]
Warunek amplitudy: U+ > U-,
Warunek fazy: zgodność faz między Uwy i różnicą U+ – U- = UwyZ1/
(Z1+Z2) – UwyR3/(R3+R4) będzie spełniona gdy Z1/(Z1+Z2) będzie
czysto rzeczywiste czyli:
Generator sterowany napięciem (przykład z XR-2206)
Wobulator Wobulator to generator przebiegu
napięcia o zmieniającej się w określony sposób
częstotliwości, zwykle liniowo z czasem. Wobulatory
służą do wyznaczania charakterystyk przenoszenia
filtrów, wzmacniaczy i innych obwodów elektronicznych.
Rysunek przedstawia schemat blokowy prostego
wobulatora z generatorem sterowanym napięciem z
podstawy czasu oscyloskopu:
Generator relaksacyjny ze wzmacniaczem operacyjnym
Kondensator C jest przeładowywany poprzez rezystor R. Na
wyjściu mamy przeskoki potencjału między wartościami napięć
zasilania +U i -U. Przeskok następuje w chwili, gdy C osiąga
połowę aktualnego napięcia wyjściowego (połowę bo dzielnik
10k i 10k tyle wymusza na wejściu +).
Układ czasowy 555
Jest najbardziej rozpowszechniony
układem scalonym stosowanym
do generacji fal prostokątnych,
trójkątnych itp. Opublikowano
liczne i rozmaite jego aplikacje.
Przykładowe
aplikacje.
Generatory jako wzorce czasu i częstotliwości
Każdy przyrząd pomiarowy wymaga kalibracji, w tym porównania
z wzorcem jednostki pomiarowej i korekty. Obecnie (od roku
1967) najdoskonalszymi wzorcami sekundy i jej odwrotności czyli
częstotliwości 1 Hz są zegary atomowe.
Fontannowy atomowy zegar cezowy NIST-F1 zapewnia precyzję
5x10-16. Chmurka atomów cezu ochłodzona laserami do
temperatury około 10-6K jest pchnięta (wiązką lasera) do góry aby
przechodzić przez wnękę rezonatora mikrofalowego 2 razy. Raz
wznosząc się do góry z prędkością kilka cm/s i drugi raz przy
grawitacyjnym spadku (jak fontanna). Mała prędkość i wielokrotne
przebywanie w rezonatorze trwające całe sekundy pozwala na
precyzyjne dostrojenie wnęki mikrofalowej do naturalnej
częstotliwości rezonansowej atomów cezu 9 192 631 777 Hz.
Dostrojenie obserwowane jest przez detekcję fluorescencji
atomów. Zastosowanie: GPS (Global Positioning System),
nawigacja, stacje nadawcze, radioastronomia.
Lokalizacja przy pomocy GPS
W dużym uproszczeniu każdy satelita tego systemu, z precyzją
pokładowego zegara atomowego, ciągle wysyła sygnały
zawierające informację o swojej pozycji i czasie wysłania danego
sygnału oraz informację o pozostałych satelitach systemu (ich
pozycjach). Odbiornik GPS porównując czas otrzymania sygnału
z czasem jego wysłania oblicza odległość do danego satelity.
Analizując odległości do minimum czterech satelitów odbiornik
GPS jest w stanie określić swoją pozycję trójwymiarowo i czas.
Z ciągłego powtarzania takiego wyznaczania pozycji GPS określa
szybkość i kierunek przemieszczania się.
Bramki CMOS:
Szybkość przełączania Szybkie działanie (szybkie i częste przełączania)
układów cyfrowych ograniczają takie czynniki jak: a) wydzielana moc (duża ilość ciepła).
b) skończony czas propagacji sygnału wynikający z wielu przyczyn, np. resztkowe
(pasożytnicze) pojemności i indukcyjności, długość połączenia itp.
Uwaga o zakłóceniach w elektronice cyfrowej
Jeżeli narosty impulsów są tak krótkie, że wynoszą około 1ns (10-9s przy
szybkości transmisji sygnału około 3x108m/s) to połączenia o długości zaledwie
kilku cm należy traktować jako linie długie. Przyczynami zakłóceń mogą być: A)
Odbicia sygnału od niedopasowanych impedancji połączonych ze sobą
odcinków linii sygnałowych. B) Pojawianie się szpilek napięciowych na liniach
sygnałowych. Napięcie to powstaje jako skok nawet ponad 1V na indukcyjności
przewodu gdy szybkie przełączenie stanu wymaga przesłania określonej porcji
ładunku na pojemność wejściową układu odbierającego sygnał. Takie szpilki
napięciowe w przewodach masy (i zasilania) mogą powodować niepożądane
przełączenia „pobliskich” układów (np. pamięci). Dlatego przewody masy
wykonywane są jako maksymalnie szerokie (i grube) a kondensatory filtrujące
napięcie zasilania stosowane są obficie.
Bramka Schmitta a) symbol, b) charakterystyka
Bramka Schmitta stosowana
jest np. do oczyszczania
sygnałów zakłóconych
i osłabionych.
Podając na wejście bramki
Schmitta napięcie sinusoidalne
otrzymamy na jej wyjściu
przebieg prostokątny.
Układy scalone o dużej skali integracji
Procesory
CPU, DSP, Controllers
Układy pamięci
RAM, ROM, EEPROM
Układy analogowe
Mobile communication,
audio/video processing
Układy programowalne
PLA, FPGA
Systemy wbudowane
Układy kontroli w samochodach, fabrykach
Network cards
System-on-chip (SoC)
Przekrój wielopoziomowej struktury układu scalonego
Systemy liczbowe i kody
Powszechnie stosowany, dziesiętny system liczbowy opiera się na zbiorze dziesięciu
znaków: 0, 1, 2 ...9. W elektronice stosowane są ponadto systemy oparte na zbiorach
zawierających: 2 elementy, 8 oraz 16 elementów. Zapis w tych systemach nazywamy
pozycyjnym, gdyż waga cyfry zależy od jej miejsca.
Dwójkowy (binarny) system liczbowy wykorzystuje tylko dwa symbole: 0 i 1. W systemie
tym podstawą jest liczba 2. Na przykład 11012 = 1 × 23 + 1 × 22 + 0 × 21 +1 × 20 = 1310.
Poszczególne jedynki i zera nazywane są bitami (cyframi binarnymi). W systemie
ósemkowym mamy 8 znaków (0,1,2 ... 7) i podstawą jest liczba 8. Szesnastkowy
(heksadecymalny) system liczbowy wykorzystuje symbole: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A,
B, C, D, E, F. W systemie tym podstawą jest liczba 16, jest wygodny przy skrótowym
zapisie długich ciągów cyfr (zwłaszcza binarnych). Na przykład 70710 = 10110000112 =
(10 1100 0011 = 2 C 3) = 2C316 = 2C3H. Wagami w systemie dziesiętnym są: od
przecinka w lewo – 100, 101, 102 itd. a od przecinka w prawo – 10-1, 10-2, 10-3. W
systemie binarnym wgami są: 20, 21, 22, 23 itd. I odpowiednio 2-1, 2-2, 2-3 itd.
Przykład zamiany liczby dziesiętnej na binarną: 1310 = 11012 bo
13/2 = 6 i r1 = 1
6/2 = 3 i r2 = 0
3/2 = 1 i r3 = 1
1/2 = 0 i r4 = 1
1310 = r4r3r2r1 = 11012
Przykład zamiany liczby dziesiętnej ułamkowej na binarną.
0.62510 = 0.1012 bo
0.625×2 = 1.25 (całość c1=1)
0.25×2 = 0.5 (c2 = 0)
0.5×2 = 1 (c3 =1)
0.62510 = 0.c1c2c3 = 0.101
KODY
Kodem nazywamy zbiór symboli razem z zasadami stosowania.
W elektronice funkcjonuje wiele kodów, poniżej podamy tylko kilka z nich.
Kody BCD (binary coded decimal). Te kody kodują każdą cyfrę liczby dziesiętnej
osobną czwórką bitów. W zwykłym kodzie BCD mamy wagi 8421 i na przykład
199810 = (1 9 9 8) = 0001 1001 1001 1000 (BCD). Inne kody BCD to: BCD Aikena o
wagach 2421, BCD z nadmiarem 3 (do każdej cyfry +3 np. 1010= 0100 0011 (BCD)) ,
Należy zauważyć, że notacje BCD nie są identyczne z zapisem binarnym. Kod BCD
wykorzystywany jest w układach z wyświetlaczami cyfr dziesiętnych..
Porównanie kodów: znak-moduł, binarny-przesunięty, U1 i U2.
Kod Graya jest kodem o wzmocnionej odporności na powstawanie
błędów transmisji. Wynika to z faktu, iż w tym kodzie sąsiednie liczby
różnią się tylko jednym bitem. Kod Graya stosowany jest gdy kodowany
jest sygnał analogowy, nie skokowy, np. przy kodowaniu kąta obrotu
wału: kąt-liczba. Wartość zero reprezentuje tu układ zer 010 = 0000, aby
uzyskać każdą następną wartość, zmieniamy zawsze jeden, możliwie
najbardziej na prawo stojący bit, którego zmiana daje nowy (dotąd nie
wykorzystany układ). Czyli: 110 = 0001, 210 = 0011, 310 = 0010, 410 =
0110, 510 = 0111 itd. Kod Graya jest tzw. kodem niewagowym tj.
położenie znaku (w przeciwieństwie do np. kodu binarnego) nie oznacza
wagi (czyli potęgi liczby 2).
Wśród innych kodów o wzmocnionej odporności na błędy można
wymienić kody ze stałą liczbą jedynek oraz z tzw. bitem parzystości.
Formaty liczb binarnych zmiennopozycyjnych
(Floating point standard IEEE-P754)
[Znak: 1 bit][(Wykładnik z przesunięciem: 8, 10 lub 15 bitów]
[Ukryta jedynka mantysy: 0 bitów][Mantysa: 23, 52 lub 63 bity].
Mantysa ma wartość od 1 do 2 ale zapisywana jest bez pierwszej
(oczywistej) jedynki.
Bit znaku 0-liczba dodatnia, 1-liczba ujemna. Wykładnik: 01111111
(127) oznacza, że wykładnik = 0, poniżej wartości (127) mamy
wykładniki ujemne a powyżej (127) dodatnie.
Przykłady:
-1.112 ---> 1 01111111 11000000000000000000000
(127+0)
Komparator cyfrowy
Dodatkowe wejście porównania
(wejście P.) umożliwia porównywanie
większych liczb A i B.
Schemat i symbol
półsumatora.
Sumator
Pełny sumator może dodawać dowolnie usytuowane części
liczb, gdyż dodaje również bit przeniesienia z młodszej części liczb.
Schemat i symbol sumatora
Układy trójstanowe (logika trójstanowa)
W elektronice cyfrowej często spotykamy sytuacje (np. w systemach
komputerowych), w których wiele bloków musi wymieniać dane
wykorzystując jedną wspólną szynę. Układy z wyjściami dwustanowymi
nie mogą być podłączone bezpośrednio do takiej szyny
“bezkonfliktowo” (nie można uniknąć zdarzeń gdy na jednym
przewodzie część bloków próbuje wymusić stan wysoki a inna część
bloków stan niski!). Rozwiązaniem problemu jest zastosowanie
układów trójstanowych. Przykład bramki trójstanowej NAND CMOS:
Symbol Zasada działania Realizacja
Układy sekwencyjne W tych układach stan wyjścia
zależ nie tylko od aktualnej kombinacji stanów wejściowych ale
również od wcześniejszych kombinacji (od historii) czyli są to takie
układy, które mogą pamiętać.
Przerzutniki bistabilne.
Stanowią osobna grupę układów cyfrowych i są najprostszymi
elementami pamięci (układy sekwencyjne). Mogą pamiętać jeden bit
informacji. Przerzutniki mają po dwa wyjścia Q i Q*. Na wyjściu Q*
pojawia się zawsze stan przeciwny do stanu na wyjściu Q. Poza tym
przerzutniki mają dwa wejścia asynchroniczne: jedno ustawiające S (set)
i jedno kasujące R (reset), jedno wejście zegarowe (taktujące) C i zwykle
dwa wejścia informacyjne A i B.
Wymuszanie stanów logicznych na wyjściach za pomocą wejść S i R
charakteryzuje się najwyższym priorytetem: zachodzi niezależnie od
sytuacji na innych wejściach. Natomiast gdy na wejściach S i R są zera
logiczne, stan wyjściowy przerzutnika określany jest przez wejścia A i B
ale dopiero po pojawieniu się jedynki logicznej na wejściu C jako
odpowiedniego impulsu zegara. Należy podkreślić, że rozmaite
przerzutniki reagują na różne zbocza tego impulsu: zbocze narastające
lub opadające.
Ogólny schemat Przerzut RS i jego
symbol
przerzutnika
Rejestry
Rejestry należą do układów sekwencyjnych (pamiętających)
Podstawowym przykładem rejestru jest rejestr buforowy.
Rejestr buforowy (w skrócie rejestr) jest zespołem przerzutników
synchronicznych o wspólnym wejściu taktującym i wspólnym wejściu
zerującym, przeznaczony jest do chwilowego przechowania wektora
informacji. Wprowadzanie wektora informacji odbywa się równolegle
(wszystkie bity składowe jednocześnie). Wszystkie bity wektora
informacji są dostępne jednocześnie i mogą być odczytane równolegle.
Przykład 4-bitowego rejestru buforowego (i jego schemat).
Rejestr przesuwający
Innym typem rejestru jest rejestr przesuwający.
Jest nim zespół przerzutników synchronicznych, umożliwiający
wprowadzanie i wyprowadzanie wektorów informacji cyfrowej w
sposób bitowo-szeregowy w czasie. Pokazuje to rysunek 4-bitowego
rejestru przesuwającego:
Liczniki. Licznikiem nazywa się rejestr, którego stan jest
kodem numeru impulsu wprowadzonego na jego wejście
liczące (licznik zaczyna pracę od wyróżnionego stanu
początkowego a całkowita liczba impulsów wprowadzonych
nie przekracza pojemności licznika). Na rysunku pokazano
elementarne liczniki na przerzutnikach D oraz JK. Przerzutniki
mogą i często są dzielnikami częstotliwości przez 2.
Połączenie szeregowe n takich jednostek elementarnych daje
licznik zliczający w kodzie dwójkowym o pojemności 2n.
Jako przykład, na poniższym rysunku, przedstawiony jest
licznik 4-bitowy (dzielnik przez 16). Zliczane impulsy podawane są na wejście
zegarowe.
Schemat:
i przebiegi
czasowe
Zastosowania Liczników (czasomierzy)
Pomiar czasu trwania impulsu
Licznik przed pomiarem jest wyzerowany. Badany impuls jest tu użyty jako
impuls bramkujący licznik przy
zliczaniu cykli sygnału zegara.
Czas trwania impulsu Ti jest dany
przez: Ti = N/fz, gdzie N – liczba
zliczeń, fz – częstotliwość zegara.
Przykład 8051: 32 piny, RAM Przykład Core 2 Duo: 478 pinów, Cache
128byte, ROM 4kbyte, 1 port 4MB......
szeregowy, 6 źr. przerwań.
Mikrokontrolery i procesory
Kilkadziesiąt pinów Kilkaset pinów
Prawo Moore’a
Technologiczny rozwój wypełniający prawo Moore’a opiera się na
niebywałej kondycji przemysłu elektronicznego, który przez
ostatnie 40 lat ciągle zwiększa wydajność i obniża pobór mocy w
produkowanych układów scalonych. Uzyskuje te efekty dzięki
temu, że ciągle zmniejsza rozmiary tranzystorów, zwiększa ich
gęstość upakowania, obniża napięcia zasilające i zwiększa
częstotliwości zegarów.
Mikrokontrolery – rozmaite zastosowania specjalizowane: aparaty
fotograficzne, kamery, windy, samochody i wiele urządzeń technicznych.
Komputery - najpopularniejsze zastosowanie mikroprocesorów.
Dawniej w laboratoriach badawczych człowiek musiał pokręcać pokrętłami,
odczytywać i zapisywać i zapamiętywać wyniki i w końcu, na podstawie
zebranych wyników testować hipotezy i modele zjawisk. Obecnie wszystko to
wykonuje, odpowiednio zaprogramowany komputer.
Pomiar
W praktyce pomiar jest czynnością (lub zbiorem czynności), która
pozwala stwierdzić, że mierzona wielkość ma (lub miała w
określonych warunkach i czasie) wartość liczbową X wybranych
jednostek z dokładnością do ± b jednostek.
Pomiarowi mogą podlegać wszelkie zjawiska fizyczne i stany
układów fizycznych.
Elektronika w metrologii, podobnie jak w wielu innych dziedzinach,
dokonuje rewolucyjnego rozwoju pod wieloma względami.
Poprawiane są: precyzja, szybkość, automatyzacja i wiele innych
aspektów pomiaru.
Pomiary dzielimy na dwie grupy:
a) Pomiary wielkości elektrycznych (napięcia, natężenia prądu,
rezystancji itp.)
b) Pomiary wielkości nieelektrycznych. W tych pomiarach
stosowane są zwykle przetworniki (sensory) zamieniające
wielkości nieelektryczne na elektryczne.
Przykłady prostych pomiarów wielkości
elektrycznych
Techniczny pomiar rezystancji polega na jednoczesnym
zmierzeniu napięcia na zaciskach rezystora i natężenia prądu w
rezystorze a następnie obliczeniu rezystancji z prawa Ohma.
Dwa możliwe warianty podłączenia mierników
(woltomierza i amperomierza) pokazują
rysunki a i b. W przypadku „a” pomiar napięcia
na Rx jest obarczony dodatkowym błędem
wynikającym z ze spadku napięcia na
amperomierzu „A”. A w przypadku b pomiar
natężenia prądu w Rx jest obarczony
dodatkowym błędem wynikającym z prądu
płynącego przez woltomierz V. Dysponując amperomierzem i
woltomierzem o wewnętrznych rezystancjach przykładowo RA ≤
1Ω i RV ≥ 106 Ω z łatwością dostrzegamy, że do pomiaru wartości
Rx większych od 1000 Ω dokładniejszy jest wariant z rys. „a”
natomiast do pomiaru Rx o wartościach mniejszych od 1000 Ω
lepszy będzie wariant „b”.
Pomiar małych oporności
Przy pomiarze małych rezystancji bardo ważne
staje się wyeliminowanie oporności styków i
doprowadzeń.
Można to uczynić w układzie z czterema
zaciskami (dwoma prądowymi i dwoma
napięciowymi) wówczas woltomierz „nie łapie”
niepożądanych spadków napięć na stykach i
doprowadzeniach prądu.
Dla wyeliminowania sił termoelektrycznych
należy w pomiarze zastosować prąd przemienny
i wykorzystać wzmacniacz fazo-czuły. (ang.
Lock-in amplifier).
Cztero-kontaktowa metoda pomiaru rezystancji
(właściwej) materiałów półprzewodnikowych
Schemat do pomiaru tą metodą pokazany jest na rysunku. Woltomierz V
mierzy skok potencjału między dwoma wewnętrznymi z czterech punktów
kontaktowych rozmieszczonych w odstępach „s” na powierzchni materiału
badanego. Prąd elektryczny w materiale wymuszany jest obwodem
zawierającym dwa zewnętrzne kontakty punktowe.
Gdy grubość „t” materiału jest dużo większa od odstępów elektrod „s”: t >> s to
ρ ≅ 2πs(V/I).
Gdy grubość „t” materiału jest dużo mniejsza od odstępów elektrod „s”: t << s to
ρ ≅ (πt/ln2)(V/I).
Pomiary i testy
We wszelakich laboratoriach pomiary i testy są podstawowymi czynnościami.
Często czynności te mają charakter badań naukowych. Zarówno pomiar jak i
test polega na wizualizacji i zapisie określonych wielkości fizycznych. Mogą to
być wielkości elektryczne bądź nieelektryczne. W przypadku pomiaru wielkości
nieelektrycznych stosowane muszą być sensory. Sensory pozwalają wykryć i
zarejestrować zmiany danej wielkości fizycznej. Sygnał sensora jest, przez
odpowiedni układ elektroniczny, zamieniany na sygnał elektryczny (zwykle
napięcie) nadający się do zapisu, wizualizacji lub innego wykorzystania np. do
automatycznej regulacji jakiegoś procesu.
Udoskonalanie i poszukiwanie nowych sensorów stało się odrębną dziedziną
naukowo-techniczną zwaną sensoryką.
Sensoryka oferuje długą i ciągle rosnącą listę sensorów pozwalających
zamieniać poszczególne wielkości fizyczne na sygnały elektryczne (napięcia).
Przykłady sensorów
Pomiar temperatury: Termoelement (termopara), bolometr (układ o
minimalnej pojemności cieplnej wykonany z nadprzewodnika lub
półprzewodnika zmieniający oporność przy zmianie temperatury pod wpływem
znikomych ilości ciepła lub promieniowania), termometr oporowy, termistor,
bimetale, diody, tranzystory, rezonator kwarcowy, pirometr.
Pomiar oświetlenia: Fotodioda, fototranzystor, fotorezystor, fotopowielacz,
Pomiary wibracji akustycznych i mechanicznych: Mikrofony (dynamiczne,
pojemnościowe, piezoelektryczne), czujniki sejsmometryczne.
Pomiar siły: Tensometr, dynamometr, mikrodźwignia z układem optycznym.
Pomiar natężenia pola magnetycznego: Cewka indukcyjna, halotron,
półprzewodnikowy Gaussotron, kompas.
Pomiar ciśnienie: Tensometr na membranie, mikrofon pojemnościowy,
głowice ciśnieniowe i próżniowe, barometry.
Pomiar przesunięcia: Potencjometr, Indukcyjny czujnik przesunięcia,
optyczny czujnik przesunięcia na kodzie kreskowym, laserowy czujnik
przesunięcia, piezoelektryczny czujnik przesunięcia.
Pomiar stężenia gazu lub toksyn: Rezystor ceramiczny, tranzystor MOSFET,
rezonator kwarcowy z warstwą selektywnie sorbującą gaz, komórki
elektrochemiczne, układy MOS, przewodzące polimery i chemorezystory,
detektory promieniowania i cząstek w spektrometrach.
Pomiar wilgotności: Kondensator z dielektrykiem pochłaniającym wodę,
układy cienkowarstwowe i rezystory pochłaniające wodę, rezonatory kwarcowe
z układem chłodzącym Peltiera.
Pomiar promieniowania jonizującego: Licznik Geigera, scyntylatory, komory
pęcherzykowe, dozymetry stałociałowe, fotopowielacze, powielacze
elektronowe.
Prędkość przepływu: Anemometr, Nadajnik/odbiornik ultradźwiękowy,
turbinka, czujnik z gorącym drutem, czujnik membranonwy.
I wiele innych.
Uwagi o pomiarach i zakłóceniach
Zwykle wiedza o naturze źródła sygnału oraz o konfiguracji odpowiedniego
układu pomiarowego jest konieczna do osiągnięcia wolnego od zakłóceń
pomiaru.
Schemat blokowy typowego układu pomiarowego
Rozwiązanie:
Prąd Nortona IN jest prądem zwarcia, który jest sumą
dwóch prądów: a)płynącego ze źródła 10V przez
rezystor 2Ω i b) płynącego ze źródła 4V przez rezystor 4Ω. Zatem
IN = Irozwarcia = 10V/ 2Ω +4V/ 4Ω = 6A,
Natomiast RN jest ilorazem napięcia rozwarcia i prądu zwarcia.
Urozwarcia= 4V + 4Ω • Irozwarcia.=4V+ 4Ω • (10V-4V)/(2Ω + 4Ω.)=8V
RN= Urozwarcia/IN=8V/6A= 4/3 Ω ≈ 1,33Ω
Zadania 2. Dla podanego obok układu przedstaw
zastępczy układ Thevenina i oblicz RT i UT.
Rozwiązanie:
Napięcie Thevenina jest napięciem rozwarcia
czyli napięciem na zaciskach bez jakiegokolwiek
obciążenia. Przy rozwarciu prąd cyrkuluje tylko
przez rezystory 1Ω i 3Ω. Napięciem Thewenina
będzie skok potencjału na rezystorze 3Ω (wzdłuż 2Ω potencjał się
nie zmienia). UT = 4V • 3Ω /(1Ω + 3Ω) = 3V. RT = UT/ Izwarcia. Izwarcia
= U2Ω /2Ω = (4V - 1Ω•I)/2Ω = (4V - 1Ω •4V/(1Ω + 3Ω•2Ω/
(3Ω+2Ω)))/2Ω = (4 – 4/(1+6/5))/2 [A] = (4- 4/2,2)/2 [A] = 1,1 [A].
RT = 3V/1,1A=2,75Ω. RT można obliczyć też jako oporność
wewnętrzną układu czyli „widzianą” przez ewentualne źródło
napięcia podłączane do zacisków wyjściowych układu. Z punktu
widzenia takiego źródła 2Ω jest szeregowo podłączone do
równolegle połączonych 1Ω i 3Ω. Zatem RT = 2Ω + (1Ω • 3Ω)/
(1Ω + 3Ω) = 2 Ω + 3/4 Ω = 2,75 Ω .
Zadania 3.
Zadanie 4.
Przedstaw na wykresie wskazowym natężenia prądów oraz napięcia na
idealnych elementach R L i C połączonych równolegle. Wiadomo, że R=10Ω,
L=5mH, C=0,3mF, a przyłożone do układu napięcie U = 10cos(1000t) V.
Rozwiązanie:
IR = U/R =(10V/10Ω)ej1000t=1A • ej1000t,
IL=U/XL=(10/(j•1000•0,005)•ej1000t A = 2A•(-j•ej1000t) = 2A • (ej1000t-Π/2)
IC=U/XC=(10•J•1000•0,0003)•ej1000t A = 3A•jej1000t) = 3A • (ej1000t+Π/2)
Zaznaczamy chwilowe położenie wektora U (wspólnego dla R, L i C. Następnie
rysujemy wektory o długościach równych modułom z wielkości IR, IL, IC,
usytuowanych względem siebie zgodnie z wartościami ich argumentów.
Zadanie 5.
Oblicz pasmo przenoszenia dzielnika złożonego z
indukcyjności L=10mH i pojemności C=1µF.
Rozwiązanie:
Układ złożony z idealnych indukcyjności i pojemności
(brak strat energii) ma nieskończony współczynnik Q
(nieskończony Q-faktor, dobroć).
Zatem pasmem przenoszenia będzie tu jedna tylko
częstotliwość rezonansowa f = (2π)-1(LC)-1/2.
Rozwiązanie:
a) Jest to filtr górno-przepustowy (podobnie jak i filtr b),
Dolna częstotliwość graniczna spełnia związek:
I kU (fg)/kUmax I = 1/√2 kU= R/(R+XC)
I kUmax I =1 (gdy XC=0 tj. dla f -> ∞), zatem
Odpowiedź:
a) +9,4V, 0V.
b) około +4,7V
i około -4,7V.
c) +10V, -0,6V.
d) +5,6V, -0,6V.
Zadanie 8.
Wiadomo, że dana dioda LED podczas świecenia pobiera prąd 10mA przy
napięciu około 3V. Dobrać wartość rezystora R tak aby można było
tę diodę zasilać z baterii 9V.
Odpowiedź:
R = (9 V – 3 V)/10mA = 600 Ω
Zadanie 9. Wzmacniacz WE
zasilany jest napięciem Ucc = 15V.
jaką minimalną wartość oporu
może mieć obciążenie
Ro umieszczone w obwodzie
kolektora?
Jaką wadę ma ten układ?
Rozwiązanie:
Rysujemy odcinek styczny do krzywej Pmax
przechodzący przez punkt (15V, 0mA). Odcinek ten
pozwala wyznaczyć minimalną wartość oporu obciążenia.
Biorąc drugi punkt tego odcinka (2V, 30mA) otrzymamy
Ro=∆Ucol/∆Icol= (15 – 2)V/(0,03-0)A= 433 Ω.
W praktyce zastosujemy jednak większe
wartości (500 Ω lub więcej) dla zabezpieczenia
tranzystora i zapewnienia
spoczynkowej wartość napięcia Uc bliższej środka
przedziału zmian Uc.
Rozwiązanie:
a) Wybieramy Rc tak aby wycentrować Uwy dla Ic=0,5mA. Czyli
0,5mA•Rc = Ucc/2 Zatem Rc=20 kΩ.
b) Wybieramy Re (dla uzyskania stabilności termicznej) tak aby uzyskać VE=około1V.
Czyli Re=2kΩ bo 0,5mA•2kΩ =1V.
c) Wybieramy elementy dzielnika R1, R2 tak aby jego impedancja była 10 razy mniejsza
od Rwe tranzystora i tak aby VB ≈ 1,6V (suma 1V+0,6V). Zatem mamy: 1,6V/18,4V = R1/
R2 → 0,087=R1/R2 → R1=0,087•R2. Ponadto Rwe ≈ β•Re =200kΩ czyli impedancja
dzielnika R1, R2 powinna wynosić 0,1•Rwe = 20kΩ. Ponieważ R1 << R2 impedancja
dzielnika R1,R2 jest w przybliżeniu równa R1. Dlatego przyjmiemy wartość R1= 20kΩ
wtedy R2 = 20kΩ/0,087 ≈ 230kΩ.
d) Dobieramy R3 aby wzmocnienie wynosiło –100, czyli Rc/(r e+R3)=100. Dla Ic=0,5mA
r e = UT/Ic =(strona 122)= 0,025V/0,005A=50Ω czyli R3 =150Ω. Wpływ Re pomijamy.
e) Pojemność Ce z impedancją r e+R3=200Ω ma stanowić filtr z fg=200Hz=1/2πCe200,
zatem Ce= 1/2π•fg•(r e+R3)=1/2π•200•200=4µF.
f) Pojemność C z impedancjami R1, R2 i Rwe stanowi filtr górno-przepustowy.
Przyjmiemy, że ten filtr ma fg =20Hz a nie 200Hz ponieważ przy 200Hz mamy już 3dB
osłabienie wywołane układem R3-Ce (też filtr). Dzielnik R1,R2 ma impedancję około
20KΩ i jest połączony równolegle z Rwe= β•(r e +R3)=100•200= 20KΩ (dla składowej
zmiennej) co daje 10KΩ. C= 1/2π•20Hz•10k Ω = 0,8µF zastosujemy 1µF.
Zadanie 11.
Oblicz wzmocnienie napięciowe
wzmacniacza różnicowego.
Rozwiązanie:
Zad. 2.
Narysuj układ z bramkami logicznymi zapalający diodę LED
tylko wtedy, gdy na szynie 4-bitowej pojawią się same stany
niskie.