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Etude

en continue:


“Fig1: Circuit de polarization”


“Fig2: Caractéristique du transistor Hitachi utilisé”

2.Mesure paramètres S :
a) C : Capacité de liaison, annule la composante continue ; permet de limiter l'amplitude des
perturbations, d'autant plus que leur fréquence est élevée.

L : Self

10.
𝑍𝑙 = 𝑗𝜔𝐿 = 1𝑀Ω −→ 𝐿 = = 0.0159𝐻
2𝜋 ∗ 10 ∗ 10.

b)


Ibb=60uA.


C) Sij dépend de fréquence, point de fonctionnement et la dimension de la ligne.

Le changement de Ibb (point de fonctionnement) provoque un changement sur les Sij.

3.Etude d’amplitude avec résistance d’émetteur :


a) La résistance Re a pour but d’éliminer le bruit thermique.


C) Comparaison Zin et Av mesures et simules avec ceux obtenus théoriquement

e) Calcul de GA, GP et GT

4- Amplificateur à deux étages

II. Stabilité-Double adaptation :


1.2 Stabilité d’un MESFET BFG505W





Calcule des valeurs de K et Δ :


Conclure sur la stabilité :
S11 sur l’abaque de Smith.



Rout = 35.703Ω

Adaptation d’un composant unilatéral :