Transistor bipolar o bjt

El transistor bipolar o bjt es un dispositivo electrónico, mediante el cual se puede controlar una cierta cantidad de corriente
por medio de otra cantidad de corriente, este dispositivo consta de 3 patitas, terminales o pines, cada uno de estos pines
tienen los siguientes nombres:

el COLECTOR
la BASE
el EMISOR

tal como se ve en la imagen, el orden de los pines depende del transistor que se esté utilizando, para ello será necesario
recurrir a su hoja de datos, en la imagen se puede ver el orden de los pines correspondientes para el transistor bipolar 2N2222.

El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo p, de acuerdo a la distribución de los
materiales semiconductores se tienen 2 tipos de transistor bipolares, los que se conocen como:

transistor NPN
transistor PNP

el funcionamiento del transistor se basa en movimientos de electrones (negativos) y de huecos (positivos), de allí el nombre
de transistor bipolar o bjt (transistor de unión bipolar).
Para un mejor entendimiento, se puede imaginar interiormente el transistor bipolar como se muestra en la figura, se ve que
entre la base y el emisor hay un diodo, lo mismo entre la base y el colector hay otro diodo, el transistor bipolar tiene 3
zonas diferentes en los cuales puede operar, los cuales se conoces como:

región activa Para que opere en la región de activa, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en forma
directa y el diodo base colector tendrá que estar polarizado en forma inversa; cuando el
transistor bipolar se prepara para que opere en la región activa.
región de corte Para que opere en la región de corte, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en forma
inversa y el diodo base colector también tendrá que estar polarizado también forma inversa.
región de saturación Para que opere en la región de saturación, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en
forma directa y el diodo base colector también tendrá que estar polarizado en forma directa.

se cumple que la corriente que ingrese por la base IB va a controlar la cantidad de corriente que circulará por el colector IC,
este control es en forma lineal, se cumple una relación matemática a la cual se le llama ganancia del transistor y se le
simboliza con β, esto es:
𝑰
𝜷 = 𝑰 𝑪 , este valor en la hoja de datos se le encuentra como hFE.
𝑩

En un transistor bipolar siempre se va cumplir, que si se encuentra operando en la región de saturación o en la región
activa, la tensión que existirá entre la base y el emisor VBE=0,7v ya que el diodo existente entre la base y el emisor está
polarizado en forma directa.

Los símbolos utilizados para representar el transistor bipolar o bjt tanto para el NPN y el PNP son los que se muestran, la
flecha indica que el diodo base emisor se tiene que polarizar en forma directa para hacer operar el transistor en la región
activa.

Para hacer trabajar el transistor bipolar se dice que hay que polarizarlo, esto es lo mismo que decir que hay que polarizar el
diodo base emisor y el diodo base colector, de acuerdo a la región en la cual se quiere que opere.

Por ejemplo para polarizarlo en la región activa, se tiene que hacer que la tensión de la base VB sea mayor a la tensión del
colector VC en al menos 0,7v, ya que el diodo se activa a partir de esta tensión cuando se polariza en forma directa, esta
tensión quedará en forma constante entre la base y el emisor mientras el transistor esté polarizado en la región activa, esto
es VBE=0,7v para el caso del transistor NPN, ademas debe cumplirse que la VC tiene que ser mayor que la tensión de la base
VB, para que el diodo base colector se polarice en forma inversa; mientras que para el PNP la tensión de la base VB tiene que
ser menor en al menos 0,7v a la tensión del emisor VE, para que el diodo emisor base esté polarizado correctamente es decir
en forma directa, esto hace que VBE=-0,7v; ademas debe cumplirse que la VC tiene que ser menor que la tensión de la base
VB, para que el diodo colector base se polarice en forma inversa,

En las siguientes lineas se analizara para el caso de el transistor bipolar NPN, pero se cumplirá lo mismo para el PNP, con la
diferencia que las tensiones y las corrientes tendrán valores inversos con respecto al NPN, en la imagen que sigue se aprecia
los sentidos de las tensiones y las corrientes en los transistores cuando estos se polarizan para que operen en la región activa.
Aplicando ley de corrientes de Kirchoff, se tiene que:

IE=IC+IB
la corriente de la base IB es pequeña comparada con la corriente del colector IC, por eso muchas veces se la puede ignorar,
con lo cual la corriente del emisor IE se puede asumir como:

IE=IC
esto se hace con el fin de evitar complicar los cálculos, donde los resultados obtenidos al hacer esto son muy próximos a los
valores reales; la tensión entre la base emisor VBE en el transistor bipolar NPN es un valor positivo VB mayor en 0,7v a la VE, la
tensión colector emisor VCE es un valor positivo que depende del circuito en el cual se encuentre el transistor; para el
transistor bipolar PNP, la VBE es un valor negativo, ya que la VE es mayor en 0,7v a la VB, la tensión colector emisor VCE también
es un negativo que depende del circuito en el cual se encuentre el transistor; las medidas mas importantes que hay que tener
una en el circuito de polarización son IC y la VCE.
𝑰
De la relación de ganancia 𝜷 = 𝑰 𝑪 se puede despejar IC=β*IB que es la forma en que se utilizará mayormente, esto es muy
𝑩
importante tenerlo siempre presente ya que indica cuantas veces es mayor la corriente que circula por el colector IC con
respecto a la corriente que esté entrando por la base IB.

En la siguiente imagen se muestra un circuito en el cual se utiliza el transistor bipolar, para el ejemplo se asume que el
transistor está polarizado en la región activa, este tipo de polarización se le llama de emisor común porque el emisor está
directamente conectado a tierra, la idea hasta aquí es ver como se pueden utilizar las relaciones matemáticas vistas hasta el
momento, la forma en que se procede será muy similar en adelante, la resistencia RB es para limitar la corriente que circula
por la base IB hasta un valor adecuado para obtener IC, la corriente IC depende de la corriente IB, RC es la carga en la que se
utilizará IC.
De la malla 1º malla de la base se tiene:

VBB=RB*IB+VBE de aquí obtenemos

𝑉𝐵𝐵 −0,7
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
luego

IC=β*IB

De la malla 2 o malla del colector:

VCC=VCE+RC*IC de aquí
VCE=VCC - RC*IC

La potencia del transistor sera:

P=IC*VCE

Conocer el valor de la ganancia β es muy importante para poder realizar circuitos con el transistor bipolar, este valor se puede
encontrar en las hojas de datos como hFE, otra forma de conocer el β para un transistor en particular es utilizando un tester,
el cual trae unas cavidades donde se puede colocar el transistor, el valor de la ganancia β se ve afectado por la temperatura
y por la corriente del colector IC, en el siguiente ejercicio usando un multimetro se procede a medir el β, ademas se ve un
circuito real en el cual se utiliza el transistor bipolar, se hacen los cálculos matemáticos para obtener los valores de IC y VCE,
luego se hace una comparación con los valores medidos directamente en el circuito.

EJERCICIO

Analisis de un circuito elemental

De la malla 1º malla de la base se tiene:

10=390*IB+0,7 de aquí se obtiene

10−0,7
𝐼𝐵 = = 24µ𝐴 luego para hallar IC se mide el hFE con un multimetro esto es hFE-medido≈195
390𝑘
 IC=β*IB

IC=195 ∗ 24µ𝐴 = 4,7mA

De la malla 2 o malla del colector:

VCC = VCE+RC*IC de aquí

VCE=VCC - RC*IC
VCE= 10 – 1K*4,7mA=5,3v

La potencia del transistor sera:

P=IC*VCE
P=4,7m*5,3v=24,91mW

Muchas veces en los circuitos se obtienen valores de corriente que no son suficientes para hacer trabajar los dispositivos que
se estén utilizando, por ejemplo cuando se tiene un led dentro de un circuito el cual debe encender dependiendo de cierta
cantidad de corriente en el circuito, pero esta corriente no es suficiente para encenderlo, es en estos casos que es muy util el
transistor bipolar, en el siguiente ejemplo se muestra como se puede diseñar un circuito en el cual se aprovecha la ganancia
que brinda el transistor bipolar.

Ejemplo: Diseñar un circuito con un transistor para encender un diodo led.

Malla 1 o malla de la base se tiene

9v=IB*RB+VCE
9 − 0,7
𝑅𝐵 = = 83𝐾Ω ≈ 82𝐾Ω
100𝜇𝐴
𝐼𝐶 20𝑚𝐴
𝛽= = = 200
𝐼𝐵 100𝜇𝐴

El transistor aproximado es 2N3904 y su hFE es ≈200

En laMalla 2 o malla del colector se tiene

9v=2v+IC*RC+4,5v
9 − 6,5
𝑅𝐶 = = 125Ω ≈ 120Ω
20𝑚𝐴

Hasta el momento se ha visto el comportamiento de el transistor bipolar cuando se encuentra operando en la región activa,
mas adelante se verá el uso del transistor en las otras dos zonas en las cuales puede operar, para ello será antes necesario
recurrir a unos gráficos que son muy importantes para poder comprender un poco mas a este transistor, estos gráficos son
llamados curvas de características de el transistor bipolar, serán útiles para diferenciar las zonas en las cuales puede operar,
además cuando se trate el tema de los tipos de polarización de el transistor bipolar se usarán en forma continua, así como
cuando se lo utilice en circuitos de amplificación, por lo tanto hay que tener un conocimiento adecuado de estas curvas de
características; para obtener estas curvas se usará la imagen siguiente:

Se supondrá que el transistor bipolar está polarizado en la región activa, el circuito correspondiente a la malla 1 se conoce
como entrada del circuito, como se puede ver corresponde al circuito de polarización directa de un diodo, por lo tanto la
curva característica de entrada será la curva de polarización del diodo base emisor, la corriente IB es la corriente que circula
por este diodo y la tensión sobre el diodo es VBE, ya se sabe que para que este diodo se encienda la tensión sobre el tiene
que ser 0,7v, por lo cual para encender el transistor bipolar la tensión base emisor tiene que ser como mínimo VBE=0,7v (esto
es en teoría, en realidad este vaor puede variar).

Para el caso de la salida del circuito se tiene que IC=β*IB, ademas VCE=VCC-RC*IC, esta ecuación se conoce como ecuación de
recta de carga de salida, se asumirá que VCC y RC se mantienen constantes, luego de ambas ecuaciones se puede ver que la
VCE dependerá de la IC y esta a su vez dependerá de IB, a una IB le corresponderá una IC, esto indica que si IB se mantiene
constante, entonces IC se mantendrá constante por lo que VCE también se mantendrá constante; al variar IB variará IC y a su
vez variará VCE.

De la ecuación de recta de carga cuando IC=0, es decir cuando el transistor bipolar está apagado o cortado ya que no hay
corriente a través del transistor bipolar, ocurre que VCE=VCC a esta tensión se la llama tensión colector emisor de
corte VCEcorte=VCC de aquí se obtiene un punto de la recta de carga cuyas coordenadas son (VCEcorte,0); si en la ecuación de
𝑉𝐶𝐶
recta de carga se hace VCE=0 esto es como si entre el colector y el emisor hubiese un cortocircuito, se obtendrá 𝐼𝐶 = esta
𝑅𝐶
𝑽𝑪𝑪
es la máxima corriente que circulará por el transistor y se la conoce como corriente de saturación 𝑰𝑪 𝒔𝒂𝒕 = con lo cual se
𝑹𝑪
obtiene otro punto de la recta de carga cuyas coordenadas son (0,I Csat), en realidad para la ICsat siempre hay una pequeña
VCE (VCEsat) cuyo valor en los cálculos aproximados se suele despreciar.
En la siguiente imagen se puede ver la gráficas de entrada y salida para el circuito de polarización del transistor bipolar.

Cuando VBE es menor que 0,7v el diodo base emisor está apagado, por lo que I B=0 en este caso se dice que transistor está
polarizado en la región de corte, en la región activa es donde se cumple IC=β*IB, IC aumentará mientras IB aumente, de la
ecuación de la recta de carga se puede ver que llegará un momento en que si se aumenta I B se provoca que la tensión sobre
la resistencia del colector VRC=IC*RC se iguale a VCC provocando que VCE=0, en ese momento se ha llegado a la región de
saturación, la IC ya no aumentará por mas que se aumente IB, se dice que el transistor bipolar se ha saturado y a la corriente
IC que ya no puede aumentar mas se la llama corriente de colector de saturación I Csat.