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12/10/2012

Semiconducteurs
(partie 2)

Pr. M. Zazoui
Laboratoire de Physique de la matière condensée
FST Mohammedia

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12/10/2012

Structures de bandes des composés semiconducteurs à


gap direct

‰ Semiconducteur est dit à "bande interdite


di t " : le
directe l minimum
i i absolu
b l ded lal bande
b d ded
conduction et le maximum de la bande de
valence sont situés au même p point de
l'espace des k (GaAs, InP, InAs...).

‰ Semiconducteur
S i d t estt dit à "b
"bande
d iinterdite
di
indirecte " : les extréma sont situés à des
valeurs différentes de k ((Si,, Ge,, AlAs...).
)
Pr. M. Zazoui
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Effet de la température
En général,
général la largeur de la bande interdite d'un
semiconducteur est une fonction décroissante de la
température. Cette évolution obéit à la loi empirique suivante :

Eg(T) =Eg (0) - αT2/(T+β)

Où α et β sont deux constantes caractéristiques du matériau


semiconducteur.

Pr. M. Zazoui
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Effet de la température
Energies des bandes interdites et coefficients de température
de certains matériaux semiconducteurs.

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Modification de la structure de bandes


Eff t d'alliage:
Effet d' lli l' lli
l'alliage d matériaux
de té i diffé t permett
différents
d'obtenir un composé ayant des propriétés différentes de
celles des matériaux de départ. p Dans le cas des
semiconducteurs, l'opération d'alliage de deux matériaux AB
et BC permet:

‰ de modifier l'énergie de la bande interdite et de pouvoir


l'ajuster à une valeur comprise entre Eg (AB) et Eg (BC) ,

‰ de faire varier, également de manière continue, le


paramètre de maille d'alliage obtenu.

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Modification de la structure de bandes


Eff t d'alliage:
Effet d' lli
‰de faire varier les masses effectives des porteurs libres et
par la suite les propriétés de transport du matériau;

‰de modifier l'indice de réfraction.

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Modification de la structure de bandes


Eff t d'alliage:
Effet d' lli

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Effet d'alliage:
‰A partir de deux matériaux semiconducteurs AB et BC de
même structure cristalline, il est possible de former un alliage
Ax C1−xB caractérisé par une structure cristalline identique à
celle
ll ddu matériau
té i AB
AB. L
Le paramètre
èt dde maille
ill d
de cett alliage
lli se
calcule à partir de ceux des matériaux AB et CB

‰La bande interdite Eg est alors donnée par:

Eg (ABC) = xEg (AB) + (1− x)Eg (CB)

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Effet d'alliage:
‰Evolution des bandes de conduction Γ,Γ L et X en fonction de
la composition d'alliage pour Ga1-xAlxAs.

‰Au-delà d'une certaine composition,


la structure de bande de l'alliage devient
indirecte et les propriétés optiques
de l'alliage seront profondément modifiées.

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Effet d'alliage:
‰Evolution des bandes de conduction Γ,Γ L et X en fonction de
la composition d'alliage pour Ga1-xAlxAs.

‰Au-delà d'une certaine composition,


la structure de bande de l'alliage devient
indirecte et les propriétés optiques
de l'alliage seront profondément modifiées.

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Variations d'énergie du gap en fonction de la


p
composition de certains alliages
g III-V

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Effet de la contrainte : matériaux pseudomorphiques


et matériaux contraints:
‰L'application d'une contrainte homogène sur un solide
produit un changement du paramètre du réseau, et dans
certains cas la symétrie du matériau. Ces effets induisent un
changement significatif de la structure électronique des
bandes. Toutes les configurations
g des contraintes homogènes
g
se décomposent en deux contributions
- une composante isotrope ou hydrostatique, qui donne lieu
à une variation
i ti ddu volume
l sans b
briser
i lla symétrie
ét i ddu cristal,
i t l
- une composante anisotrope qui abaisse en général la
symétrie du cristal relaxé.
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Effet de la contrainte : matériaux pseudomorphiques


et matériaux contraints:
‰Un matériau binaire, ternaire ou quaternaire A élaboré sur
un substrat B est dit accordé en maille s'il a le même
paramètre de maille que le substrat aA = aB. Le matériau A est
dit contraint si aA ≠ aB.
‰Le désaccord de maille est défini par:

‰a0 la constante du réseau du substrat; a est celle de la


couche épitaxiale.
‰L'accord entre les deux structures cristallines ne peut être
réalisé que si l'un ou les deux cristaux subissent une
contrainte élastique
élastique.
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Effet de la contrainte : matériaux pseudomorphiques


et matériaux contraints:
‰Si le substrat est beaucoup plus épais que la couche
épitaxiale, comme c'est généralement le cas, c'est la couche
qui subirait alors la contrainte (les atomes de la couche se
déplacent) : la contrainte a pour effet de rendre la constante
du réseau de la couche,, dans la direction parallèle
p à
l'interface, égale à celle du substrat. Les couches soumises à
ce type de contraintes cohérentes sont appelées couches
pseudomorphiques: la couche prend la morphologie (ou la
forme) du substrat.

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Effet de la contrainte : matériaux pseudomorphiques et


matériaux contraints:
D’une manière générale, si d1 et d2 sont respectivement les
épaisseurs de la couche (a) et du substrat (a0), on montre
que:

Accommodation du paramètre de maille de


la couche épitaxiale avec celle du substrat
dans les cas où : (a) il y a un accord de
maille;

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Effet de la contrainte : matériaux pseudomorphiques et


matériaux contraints:

Accommodation du paramètre de maille de


la couche épitaxiale avec celle du substrat
dans les cas où : (a) il y a un accord de
maille; (b) a >a0; (c) a < a0.

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Processus de création de porteurs en excès


Photoexcitation
otoe citatio

R(E) est le coefficient de réflexion

Le coefficient d'absorption est défini par

R varie peu avec l'énergie au voisinage du gap : R(E) = R

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Processus de création de porteurs en excès


Photoexcitation
otoe citatio
R est très sensible à l'angle d'incidence, et il est minimum en
incidence normale où il est donné par:

‰Pour les semiconducteurs, n varie entre 3 et 4. Donc, R


varie entre 0,25 et 0,35.
‰Si (E) est nul, le rayonnement d'énergie E traverse le
matériau sans atténuation. Le matériau est dit transparent à
ce rayonnement.
y
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Processus de création de porteurs en excès


Photoexcitation
otoe citatio
‰Si α(E) est ≠ 0, le matériau absorbe le rayonnement qui
s'atténue
s atténue exponentiellement au cours de sa propagation.
Cette absorption se traduit par la création de paires
d'électrons-trous, de sorte qu'en un point d'abscisse x, le
nombre de paires d'électrons
d électrons-trous
trous créées est égal au
nombre des photons disparus.

‰Soit

Pr. M. Zazoui
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Processus de création de porteurs en excès


Photoexcitation
otoe citatio
‰ Pour un rayonnement polychromatique, on a

‰ Si α ((E)) est petit,


p , le rayonnement
y est peu
p absorbé,, il
pénètre beaucoup dans le matériau. Il crée peu de porteurs
par unité de volume, mais il en crée dans un grand volume.
‰ Au t i sii α (E) estt grand,
A contraire, d le
l rayonnementt estt très

absorbé et les porteurs sont crées dans un petit volume sous
la surface.
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Processus de création de porteurs en excès


Photoexcitation
otoe citatio
‰ L'intégration de l'expression nécessite la connaissance de
la loi de variation α (E), du coefficient d'absorption
d absorption du
semiconducteur avec l'énergie. Cette loi est sensiblement la
même pour tous les semiconducteurs à gap direct et peut être
d escalier: α (E) = 0 pour E < Eg
représentée par une marche d'escalier:
et α (E) = α constante pour E > Eg et qui est de l'ordre de
104cm-1.

Pr. M. Zazoui
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Processus de création de porteurs en excès


Photoexcitation
otoe citatio

Coefficient dd'absorption
absorption de GaAs pur et dopé.
Pr. M. Zazoui
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Rendement quantique, réponse spectrale


‰Le rendement q quantique
q γγext d'un p
photodétecteur est défini
par le rapport du nombre d’électrons photocréés par le
nombre de photons incidents

‰Le
L rendement
d t quantique
ti iinterne
t γii estt lle rapportt d
du nombre
b
de paires photocréées par le nombre de photons absorbés.
‰γ
γext dépend
p du coefficient d'absorption
p du matériau ainsi
que de son épaisseur d.

Pr. M. Zazoui
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12/10/2012

Rendement quantique, réponse spectrale


‰γ est une fonction de la longueur
g d'onde du p
photon.
On définit le courant de réponse d'un détecteur par

‰Dans
D lle cas idé ù γ estt fixe
idéall où fi
ℜ doit croître linéairement avec.

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Rendement quantique, réponse spectrale


‰Dans pratique, γ dépend du coefficient d'absorption
la pratique d absorption α,
α qui
dépend à son tour de la longueur d'onde λ de la lumière
incidente.

Pr. M. Zazoui
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Rendement quantique, réponse spectrale


‰La réponse spectrale présente une longueur d'onde
d onde de
coupure λc (cut off) du côté des grandes longueurs d'ondes et
qui est déterminée par le gap du matériau.

‰Du côté des faibles longueurs d'ondes, la réponse spectrale


présente aussi une longueur d'onde de coupure. En effet,
pour les
l faibles
f ibl llongueurs d'
d'ondes,
d lla valeur
l d
de estt ttrès
è
grande et toute l'énergie optique incidente est absorbée à la
surface.
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12/10/2012

Distribution spatiale des porteurs photocréés


‰ Considérons un barreau de semiconducteur de dimensions
l, w, d, dont la face (l, w) est éclairée par un flux incident Φ0
de lumière.

Pr. M. Zazoui
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12/10/2012

Distribution spatiale des porteurs photocréés


‰ Le taux de génération de porteurs
porteurs, en un point d’abscisse
d abscisse x
du matériau, par des photons d’énergie E, est donné par

‰ Dans le cas d'un rayonnement polychromatique, le nombre


totall d
de paires
i photocréées
h éé est obtenu
b en sommant sur E

Pr. M. Zazoui
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12/10/2012

Distribution spatiale des porteurs photocréés


‰ Si on admet que
que, à partir de Eg
Eg, (E) est presque constant
constant,
on obtient

‰ Le
e taux
au de gé
génération
é a o des é électrons,
ec o s, gn, est
es éga
égal au taux
au de
génération des trous, gp . Soit

avec Φ = Φ0 (1−R) est le flux de photons dans le


semiconducteur immédiatement sous la surface.
Pr. M. Zazoui
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Distribution spatiale des porteurs photocréés


‰On a Δn = Δp,
p, alors les durées de vie des p
porteurs sont
égales : τn = τp .
‰En l'absence de p polarisation ((V = 0)) et sous éclairement
uniforme permanent d'énergie supérieure au gap, l'équation
de diffusion s'écrit:

soit

Pr. M. Zazoui
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12/10/2012

Distribution spatiale des porteurs photocréés


‰La solution de l'équation
q sans second membre est:

‰La
L solution i liè Δn =Kexp(−
l i particulière, K ( α x)) d
donne:

soit

Pr. M. Zazoui
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12/10/2012

Distribution spatiale des porteurs photocréés


‰On p
peut déterminer les constantes d'intégration
g àppartir des
conditions aux limites qui peuvent être de plusieurs types :
vitesse de recombinaison de surface, contact ohmique où la
recombinaison des porteurs minoritaires est instantanée
instantanée, zone de
charge d’espace... Considérons les deux cas limites suivants:

‰Couche épaisse La couche est dite épaisse si


‰Dans ces conditions, les porteurs excédentaires n'atteignent
pas la
l face
f arrière
iè qu'on ' pourraitit alors
l lla considérer
idé comme
située à l'infini ; soit Δn 0 quand x → ∞+, ce qui donne B = 0.

Pr. M. Zazoui
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Distribution spatiale des porteurs photocréés


‰Supposons
pp maintenant q que la vitesse de recombinaison sur
la face d'entrée est nulle: s(0) = 0. La vitesse de
recombinaison sur la surface est donnée par:

Alors:
Al ou

La densité des porteurs en excès s’écrit alors

Pr. M. Zazoui
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‰Distribution spatiale des porteurs photocréés


‰Couche mince
La couche est dite mince si
On suppose que les vitesses de recombinaison sur la surface
d'entrée et de sortie sont nulles.

On a α d << 1, soit exp (− αd) ≈ 1 , d'autre part x < d , αx<<d,


d’où x << 1 et exp (− αx) ≈ 1.

Donc

Pr. M. Zazoui
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‰Distribution spatiale des porteurs photocréés

La condition s(0) = 0 donne soit A = B

D'autre part, la condition s(d) = 0 s’écrit

ou

Soit A = B= 0 et

Donc, n est constant dans toute la couche.


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Pr. M. Zazoui
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