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Patricio Parada
pparada@ing.uchile.cl
8 de Septiembre de 2009
Capítulo 3: Transistores
Transistores MOSFET
Ejemplo de Diseño
Vt = 2 V
kn0 = 80 µA/V2
W/L = 4.
I Por lo tanto,
R2 = 95,4 kΩ; R1 = 104,6 kΩ.
I En un caso realista, deberíamos utilizar resistencias disponibles en el
mercado. En particular, las resistencias más cercanas son
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Ejemplo 1 - Solución III
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Resistencia No-Lineal
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Ejemplo 2
Ejemplo
Determine RS y RD de forma que ID = 0,4[mA] y VD = +0,5[V ] en el
circuito de la figura.
El transistor NMos tiene las siguientes características:
Vt = 0,7[V ]
0
kn = 100[µA/V2 ]
L = 1[µm]
W = 32[µm]
Asuma λ = 0.
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Ejemplo 2 - Solución I
VD = 0,5[V ], VG = 0[V ]
Vt = 0,7[V ]
vGS + RS ID = VSS
vGD = VD , vGS = VS
vDS = vGD + vGS
I Condición de saturación:
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Ejemplo 2 - Solución II
I Por lo tanto,
Vs − VSS VS − VSS
= ID ⇒ = RS .
RS ID
I Dado que VD = 0,5[V ] > VG implica que el NMos está en la zona de
saturación, y por lo tanto usamos la expresión de iD (vDS ) en la región
de saturación para determinar VGS :
1 0W
ID = kn (VGS − Vt )2
2 L
1 0W 2
= kn VOD
2 L
s
2ID L
⇒ VOD =
kn0 W
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Ejemplo 2 - Solución III
I Luego,
r
2 ∗ 0,4 ∗ 10−3 ∗ 1 ∗ 10−6
= −6 −6
r 100 ∗ 10 ∗ 32 ∗ 10
1
=
4
= 0,5[V ]
I Finalmente,
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Ejemplo 2 - Solución IV
−1,2 − (2,5)
RS = = 3,25[kΩ]
0,4 ∗ 10−3
VDD − VD
RD =
ID
2,5 − 0,5
=
0,4
= 5[kΩ]
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Ejemplo 3
Ejemplo
Determine RD de modo de establecer un voltaje VD = 1[V ] ? Cuál es la
resistencia efectiva entre drenado
! y fuente en este punto de operación?
0 W
Considere Vt = 1[V ], kn = 1[mA/V 2 ].
L
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Ejemplo 3 - Solución I
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Ejemplo 3 - Solución II
VDD − VD
RD =
ID
4,9
=
0,395 ∗ 10−3
= 12,4[kΩ]
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Ejemplo 4
Ejemplo
Diseñe un circuito de forma que el transistor opere en la zona de saturación
con ID = 0,5[mA] y VD = +3[V ]. Para ello considere un transistor PMOS
de tipo mejorado con Vt = −1[V ], y
!
0 W
kp = 1[mA/V2 ]
L
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Ejemplo 4
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Ejemplo 4 - Solución I
0,5[mA] 2
= VOD
1 2
1[mA/V ]
2
⇒ VOD = −1[V ]
⇒ VGS = Vt + VOD = −1 − 1 = −2[V ]
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Ejemplo 4 - Solución II
VD 3
RD = = = 6[kΩ]
ID 0,5
I La saturación puede ser mantenida hasta que VD exceda a VG por
|Vt |, esto es:
VD = VG + |Vt | = 3 + 1 = 4[V ]
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Ejemplo 4 - Solución III
I En este caso
VD 4[V ]
RD = = = 8[kΩ]
ID 0,5[mA]
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Expresiones Analíticas para la Curva Característica de Transferencia I
vI ≤ Vt ⇒ vO = VDD (iD = 0)
VDD − vO
iD =
RD
1 0 W 1 0 W
iD =
k (VGS − Vt )2 = kn (vI − Vt )2
2 nL 2 L
1 0 W
⇒ vO = VDD − kn (vI − Vt )2 RD
2 L
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Expresiones Analíticas para la Curva Característica de Transferencia II
I Definimos la ganancia voltaje Av como:
dvO 0 W
Av ≡ = −kn (Veq − Vt )RD (4)
dvI L
vI =veq
vO = vI − V t
1 0W
vO = VDD − kn (vI − Vt )2 RD
2 L
1 0W 2
⇒ vO = VDD − kn vO RD
2 L
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Expresiones Analíticas para la Curva Característica de Transferencia III
vO = VDD − iD RD
" #
2
vDS
W 0
iD = kn (vGS − Vt )vDS −
L 2
" #
0 W v2
= kn (vI − Vt )vO − O
L 2
" #
2
vO
0 W
⇒ vO = VDD − RD kn (vI − Vt )vO −
L 2
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Expresiones Analíticas para la Curva Característica de Transferencia IV
Si v0 es pequeño
0 W
vO ∼
= VDD − RD kn (vI − Vt )vO
L
VDD
⇒ vO =
1 + RD kn0 W
L (vI − Vt )
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Expresiones Analíticas para la Curva Característica de Transferencia V
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Expresiones Analíticas para la Curva Característica de Transferencia VI
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