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Capı́tulo 9

Gas de electrones cuántico en campos


eléctricos y magnéticos
En este capítulo vamos a analizar el efecto de campos eléctricos y magnéticos estáticos y ho-
mogéneos sobre un gas de electrones en el modelo de Sommerfeld, a diferencia del modelo de
Drude, vamos a tener en cuenta el efecto del caracter cuántico de los electrones y del principio de
exclusión de Pauli. En particular, vamos a analizar la cuantización de flujo magnético, el efecto
Bohm-Aharonov y el efecto Hall cuántico.

9.1. Gas de electrones cuántico en un campo eléctrico

Analicemos desde la ecuación de Schrödinger el efecto de una campo eléctrico sobre un gas de
electrones, para lo cual escribimos la energía potencial como U = −q E · r

~2 2
 
∂ψ (r, t)
− ∇ − qE · r ψ (r, t) = i~ (9.1)
2m ∂t

La solución de esta ecuación es dada por

i
Rt
dt′ ε(t′ )
ψ (r, t) = Aeik(t)·r− ~ 0 , (9.2)

con
qE
k (t) = k0 + t, (9.3)
~

~2 k2 (t)
ε (t) = . (9.4)
2m
La solución la podemos ver como una onda plana cuyo vector de onda está acelerado, y un término
de energía cinética que aumenta con el tiempo, hay que tener encuenta que el hamiltonaido es
dependiente del tiempo al aumentar la energía con el tiempo y por ello las soluciones en t no son
de la forma Ek t. La solución 9.2 se puede encontrar haciendo el Ansatz

ψ (r, t) = Aeik0 ·r+if (r,t) . (9.5)

173
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

Aunque una forma más sencilla de solucionar la ecuación de Schrödinger es usar una transfor-
mación Gauge. Si la ecuación Schrödinger en general es escrita como
 
1 2 ∂ψ (r, t)
(−i~∇ − qA (r, t)) + qφ (r, t) ψ (r, t) = i~ , (9.6)
2m ∂t

Podemos hacer una transformación de calibración o gauge

A′ (r, t) = A (r, t) − ∇χ (r, t) , (9.7)


∂χ (r, t)
φ′ (r, t) = φ (r, t) + , (9.8)
∂t
q
ψ ′ (r, t) = ψ (r, t) e−i ~ χ(r,t) . (9.9)

Donde ψ ′ (r, t) cumple la ecuación con los potenciales transformados


∂ψ ′ (r, t)
 
1 2
−i~∇ − qA (r, t) + qφ (r, t) ψ ′ (r, t) = i~
′ ′
. (9.10)
2m ∂t

La ec. (9.9) nos permite relacionar las funciones de onda en cada gauge. En nuestro problema
podemos hacer una transformación para eliminar el potencial eléctrico si tomamos

χ (r, t) = E · rt, (9.11)

con esto se obtiene φ′ (r, t) = 0 y


q
ψ (r, t) = ψ ′ (r, t) ei ~ E·rt . (9.12)

Calculando el potencial A′ (r, t) , la solución de ψ ′ (r, t) es

ψ ′ (r, t) = Aeik0 ·r+ig(t) , (9.13)

con
t
1
Z
ε t′ dt′ ,

g (t) = − (9.14)
~ 0

Lo que es consistente con la ecuación (9.2). Le queda al lector calcular A′ (r, t) y completar los
pasos para encontrar ψ ′ y con ello ψ.
Estos resultados nos muestran que lo encontrado en la aproximación semiclásica es consistente
con la solución de la ecuación de Schrödinger, en donde el valor esperado del momentum es

p (t) = hψ (t)| − i~∇ |ψ (t)i


= ~k (t) (9.15)
= ~k0 + qEt

Analicemos que le sucede la esfera de Fermi cuando aplicamos un campo eléctrico constante E,
dk
~ = qE. (9.16)
dt

174
CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

Figura 9.1. Esfera de Fermi en un campo magnético en a) viaja libremente, b) debido a las colisiones se desplaza
en promedio δk y hay transiciones de electrones a huecos y viceversa.

Integrando obtenemos
qE
t,
k (t) − k (0) = (9.17)
~
de tal manera que la esfera de Fermi se desplaza una cantidad
qE
δk = t. (9.18)
~

El campo eléctrico incrementa el momentum del sistema en N ~δk , en esta imagen la esfera de
Fermi se desplaza con aceleración constante, ver fig. 9.1a. Si tenemos en cuenta las colisiones el
desplazamiento promedio de la esfera es
qE
δk = τ. (9.19)
~

De tal manera que la esfera de Fermi se desplaza una cantidad constante y los electrones van
a sufrir dispersiones entre estados ocupados y desocupados cerca a la superficie de Fermi, ver
figura 9.1b. El camino libre medio de un electrón es

l = vF τ. (9.20)

De las medidas de resistividad eléctrica podemos calcular el valor de τ , por ejemplo para el
cobre a 4K τ ≈ 2 × 10−9 s y a temperatura ambiente 105 veces menor τ ≈ 2 × 10−14 s, como
vF = 1,57 × 106 m/s, encontramos que l (4K) ≈ 3mm y l (300K) ≈ 30nm.

9.2. Cuantización de flujo Magnético y efecto Bohm-Aharonov


Vamos a mostrar que el flujo magnético puede estar cuantizado, y que un electrón que atraviesa
una región con flujo magnético localizado puede presentar un patrón de interferencia que depende
de este flujo, lo cual se denomina efecto Bohm-Aharonov y que se puede manifestar en sistemas

175
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

de materia condensada. El concepto de cuantización de flujo magnético fue primero introducido


en anillos superconductores y luego alrededor de vórtices, pero es un efecto más general y que
puede aparecer en diferentes ambitos de la materia condensada. Para una primera demostración
consideremos un solenoide infinito, dentro de él hay un campo magnético constante que denomi-
namos B, y que genera un flujo neto dentro del solenoide Φ. Fuera del solenoide no hay campo
magnético pero si potencial vectorial, dado que la integral cerrada del potencial vectorial fuera
del solenoide debe ser igual al flujo magnético, tenemos por lo tanto que
I Z
A · dr = ∇ × A · dS
Γ SΓ
Z
= B · dS (9.21)

= Φ.

Así que fuera del solenoide el potencial vectorial es diferente de cero, pero cumple que B =∇ ×
A = 0, con lo cual podemos tomar el potencial vectorial como el gradiente de una función escalar,
A =∇Ω (r). De esta manera, tenemos que
1
(−i~∇ − q∇Ω (r))2 ψ (r) = Eψ (r) . (9.22)
2m

Haciendo la transformación gauge con χ (r) = Ω (r) podemos remover el potencial vectorial,

A′ (r) = A (r) − ∇χ (r) = 0


∂χ (r)
φ′ (r) = = 0. (9.23)
∂t

Obtenemos que la solución en la nueva calibración es


q
ψ ′ (r) = ψ (r) e−i ~ Ω(r) , (9.24)

donde la función ψ ′ (r) cumple la ecuación


1
(−i~∇)2 ψ ′ (r) = Eψ ′ (r) (9.25)
2m

Como es de esperarse, el gauge y la forma de potencial vectorial que tomemos no afecta el


espectro de energía. La solución original ψ (r) la podemos escribir como (con ψ ′ (r) = ϕ (r) la
solución sin potencial vectorial)
q
ψ (r) = ϕ (r) ei ~ Ω(r)
Rr
i ~q A(r′ )·dr′
= ϕ (r) e r0
. (9.26)

Claramente, ψ (r = r0 ) = ϕ (r0 ) y coincide con la solución sin potencial vectorial. La solución


solo se ve afectada por un factor de fase, la cual tiene consecuencias muy interesantes. Ahora
supongamos que tenemos la solución de la función de onda en el punto a (fuera del solenoide)

176
CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

que denominamos ψ (a), y que calculamos ψ (r) a partir de una integral de línea alrededor del
solenoide y hacemos r = a, así
q H
ψ (a) = ϕ (a) ei ~ A(r)·dr
= ϕ (a) . (9.27)

Como la función de onda debe ser univaluada, obtenemos que


q
I
A (r) · dr = 2nπ (9.28)
~
q
Φ = 2nπ, (9.29)
~
con lo que podemos escribir que el flujo alrededor de la “órbita” o camino está cuantizado
h
Φn = n
q
= nΦ0, (9.30)

donde Φ0 = h/q es el cuantum de flujo, que para el electrón es

Φ0 = h/e (9.31)

y equivale aproximadamente a 4 ×10−15 T /m2 = 4×10−7 Gauss/cm2 . Hay que tener en cuenta que
una bobina macroscópica no tiene el flujo cuantizado, sin embargo en anillos superconductores
éste si puede estar cuantizado, donde el cuantum de flujo equivale al de la carga de los pares de
Coper, 2e.
Φ∗0 = h/2e. (9.32)

De este mismo tratamiento podemos pensar en un problema de interferencia, en donde un electrón


que parte del punto r = a es detectado el punto r = b. Dado que éste puede llegar al punto
b por dos caminos diferentes Γ1 y Γ2 ,ver fig. 9.2a, la función de onda en el punto b la podemos
encontrar como

R
i ~q A(r)·dr
ψ1 (b) = ϕ (b) e Γ1
, ó (9.33)
R
i ~q A(r)·dr
ψ2 (b) = ϕ (b) e Γ2
(9.34)

dado que los caminos son opuestos


Z Z I
A (r) · dr = A (r) · dr+ A (r) · dr, (9.35)
Γ1 Γ2
Γ

obtenemos
q R
ψ1 (b) = ψ2 (b) ei ~ Γ A(r)·dr

i ~q Φ
= ψ2 (b) e
= ψ2 (b) ei2πΦ/Φ0 . (9.36)

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W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

.
Figura 9.2. Efecto Bohm-Aharonov. a) Un electrón que va del punto a al punto b puede interferir con él mismo.
b) El patrón de interferencia depende del flujo magnético.

De tal manera que si hacemos el experimento de las dos rendijas y colocamos un solenoide (un
flujo) en medio de los dos caminos el patrón de interferencia puede ser corrido o desfasado por el
flujo magnético, esto se denomina el efecto Bohm-Aharonov el cual se muestra cualitativalemnhte
se muestra en la fig. 9.2b.
Una aplicación de este efecto es el SQUID (dispositivo de interferencia cuántica), en el cual las
corrientes superconductoras que vienen por dos caminos diferentes interfieren y son afectadas
por el flujo magnético encerrado por ellas, ver fig.

I = 2I0 sin (ϕ0 + πΦ/φ∗0 ) cos(πΦ/φ∗0 ). (9.37)


Aqui, I0 es la máxima corriente soportada por cada superconductor y ϕ0 es la diferencia de fase
macroscópica entre los superconductores. La corriente por cada camino cumple la ecuación del
efecto Josephson I = I0 sin ϕ . La corriente total se obtiene de superponer las corientes I1 e
I2 , I = I1 + I2 ,que vienen por dos caminos diferentes del SQUID, con I1 = I0 sin (ϕ0 + ∆ϕ1 ) ,
I2 = I0 sin (ϕ0 + ∆ϕ2 ), donde ∆ϕ1(2) es las fase acumulada debida al potencial vectorial en cada
camino, se deja al lector mostrar que la corriente 9.37 se puede obtener de esta superposición.
Una interesante aplicación de los SQUIDs es su uso para detectar campos de muy baja intensidad,
del orden 10−18 T y que tiene diferentes aplicaciones, como la magnetoencelografía.

9.3. Gas de electrones en un campo magnético


Ahora vamos a estudiar el efecto de un campo magnético sobre el gas de electrones, para ello de-
bemos resolver la ecuación de Schrödinger en presencia de un campo electromagnético, haciendo
q = −e
1
(−i~∇ + eA(r))2 ϕk (r) = Ek ϕk (r). (9.38)
2m

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CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

Figura 9.3. Esquema de un dispositivo de interferencia cuántica, SQUID. a) Una corriente incidente se desdobla
por dos junturas Josepson que son formadas por una región superconductora separada por una capa aislante. b)
Las dos corrientes se suman y la corriente resultante muestra un patrón de interferencia que depende del flujo
magnético

Consideremos que el campo es homogeneo y está en dirección z y escojamos el siguiente potencial


vectorial
A = 0î + Bxĵ + 0k̂ , ∇ × A = B k̂. (9.39)

Primero examinemos la solución clásica del problema, cuyo hamiltoniano es

1 P2
H= (p + eA)2 = . (9.40)
2m 2m

Con P = p + eA el momentum cinético y p el momentum conjugado a la variable r. Las


ecuaciones de movimiento son
(p + eA) P
ṙ = ∇p H = = , (9.41)
m m

ṗ = −∇r H (9.42)
= −eṙ × B − eȦ. (9.43)

La ecuación para el momentum cinético la podemos escribir como

Ṗ = −eṙ × B, (9.44)

que es la fuerza de Lorentz con P/m la velocidad de la partícula. Explícitamente obtenemos que
B
ṗx = −e (py + exB) , ṗy = 0, ṗz = 0, ⇒ py ≡ ~ky , pz ≡ ~kz . (9.45)
m

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W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

De tal manera que los momentos canónicos en dirección y y z son constantes de movimeinto,
como es de esperarse dado que el hamiltoniano no depende de y y z. Para las coordenadas
obtenemos las siguientes ecuaciones
p 
y
ẍ = −ωc + ωc x , (9.46)
m

ÿ = −ωc ẋ, z̈ = 0, (9.47)


con
eB
ωc = . (9.48)
m
Estas ecuaciones tienen como solución
pz
x(t) = x0 + R cos ωc t, y(t) = y0 + R sin ωc t, z = z0 + t, (9.49)
m
donde
py
x0 = . (9.50)
mωc
La órbita del electrón cumple la ecuación

(x − x0 )2 + (y − y0 )2 = R2 (9.51)

y por lo tanto en el espacio real los electrones realizan orbitas circulares de radio R. Es importante
resaltar que el centro de la orbita depende del valor de py y por lo tanto no es arbitrario. En el
espacio-P obtenemos que
 
P = mṙ = RBe − sin ωc tî + cos ωc tĵ + Pz . (9.52)

Por lo tanto en este espacio las orbitas también son circulares y corresponden a un valor de
energía E constante. A diferencia del gas de electrones libres, cuando describamos el sistema en
mecánica cuántica, las diferentes componentes del vector P no conmutan y sólo en el caso de
bajos campos podemos describir orbitas en el espacio-P.

9.3.1. Niveles de Landau

Retornando a la ecuación de Schrödinger, tenemos que

1
(−i~∇ + eA(x))2 ϕk (r) = Ek ϕk (r). (9.53)
2m

Debido a que el potencial vectorial solo depende de la coordenada x podemos escribir la función
de onda como
ϕk (r) = eiky y+ikz z ϕ(x), (9.54)

180
CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

con lo que obtenemos

1
 2 
2 d 2 2 2 2 2 2
+ ~ ky + kz − 2~exBky + e B x eiky y+ikz z ϕ(x),

Hϕk (r) = −~ (9.55)
2m dx2

y por lo tanto la ecuación de valores propios para ϕ(x) es

~2 kz2 d2
   
1 2 2 2 2 2 2
E− ϕ(x) = −~ + ~ ky − 2~exBky + e B x ϕ(x), (9.56)
2m 2m dx2

la cual podemos escribir como


!!
~2 kz2 d2 ~2 ky2
 
1 ~ky
E− ϕ(x) = −~2 2 + e2 B 2 2 2
−2 x + x2 ϕ(x)
2m 2m dx e B eB
~2 d2 mωc2
 
2
= − + (x − x0 ) ϕ(x), (9.57)
2m dx2 2
con
~ky
x0 = . (9.58)
eB
La ecuación que obtuvimos es equivalente la ecuación de un oscilador armónico cuántico, centrado
en x0 con frecuencia angular ωc . Por lo tanto

~2 kz2
 
1
E− = ~ωc ν + , (9.59)
2m 2

con lo cual los valores propios de energía son dado por

~2 kz2
 
1
Eν (kz ) = + ~ωc ν + . (9.60)
2m 2

Este resultado se puede interpretar como la energía traslacional en dirección z (sin perturbar) más
la energía cuantizada de los electrones en su movimiento armónico en el plano perpendicular al
campo magnético. Dado que el espectro no depende del valor de ky , éste es altamente degenerado,
el conjunto de estados que dan el mismo valor de energía con un valor de ν constante se denomina
el nivel de Landau-ν, ver fig. 9.4a. Para calcular los números posibles de ky , tengamos en cuenta
que x0 debe estar en el intervalo (−Lx /2, Lx /2), usando la ecuación (9.58) llegamos a que

Lx ~ky Lx
− < < . (9.61)
2 eB 2

Esta ecuación nos determina el rango de valores de ky , la cual escribimos como


 
Lz mωc Lx mωc
ky ∈ − , (9.62)
2~ 2~

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W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

a)
6
n=5 b) Pz
5
n=4
n=0
4 n=0
E / hw c

n=3
n=1
E F (B) n=2
3
n=2 n=3

2 n=4
n=1 Py
1
n=0

0
-2 -1 0 1 2
kz / kF Px
Figura 9.4. a) Espectro de energía para cada sub-banda, cuando la energía es 5~ωc , solo los estados con ν = 0
hasta ν = 4 contribuyen a la densidad de estados, lo que corresponde a un valor de νmax = 4. b) Representación
semiclásica de los niveles de Landau, la línea punteada representa la energía de Fermi con campo aplicado.

Debido a las condiciones de Born-von Karman los valores de ky están dador por 2πn2 /Ly , con
espaciamiento 2π/Ly , por lo tanto el número de valores posible de ky es
Lx mωc Lx Ly mωc
Nk y =  (2π/Ly ) = . (9.63)
~ 2π~

Con lo cual el degeneramiento de cada nivel de Landau es proporcional al campo magnético


aplicado. Este degeneramiento lo podemos escribir como
Φ
Nky ≡ NΦ = , (9.64)
φ0
donde φ0 es el quantum de flujo que analizamos en la sección anterior. Por lo tanto, el número
de electrones en un nivel de Landau es igual al número de quantos de flujo que haya en la
superficie x − y, donde cada electrón aporta a un quantum. Para entender esto en el gauge que
seleccionamos, mieremos que cada electrón contribuye a un quantum de flujo, recordemos que el
valor de x0 está determinado por los valores de ky , de tal manera que está cuantizado,
~ky 1 2π~
x0,n2 = = n2 . (9.65)
eB Ly eB
Como cada función de onda ϕν,ky ,kz está centrada en un x0,n2 , y separada un ancho medio
h
∆x0 = L1y eB de las funciones de onda adyacentes, por lo tanto el espacio promedio ocupado por
un electrón es Ly ∆x0 y el flujo magnético a través de cada banda Ly ∆x0 es

∆φ = BLy ∆x0
h
= = φ0 . (9.66)
e

182
CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

Ahora calculemos la densidad de estados en cada nivel de Landau, para ello tengamos en cuenta
que en dirección kz el número de estados en un rango dkz es dkz (2π/Lz ). Con esto la densidad
de estados por dE (normalizada al volumen Lx Ly Lz ) incluyendo el espín es por lo tanto
1 dkz
g(ν, kz )dE = 2 NΦ
Lx Ly Lz 2π/Lz
mωc
= 2 dkz . (9.67)
(2π)2 ~
Escribiendo kz en términos de E y simetrizando el intervalo de integración en kz obtenemos
~ωc 2m dkz
g(ν, E)dE = dE. (9.68)
(2π)2 ~2 dE

Usando el espectro de energía (9.60) encontramos que la densidad de estados en la sub-banda ν


es  3   − 1
~ωc 2m 2 1 2
g(ν, E) = 2 2
E − ~ωc ν + (9.69)
(2π) ~ 2

a) 5 b) 5

4 n=0 n=1 n=2 n=3 n=4 4

3 3
g0 ( EF )
g0 ( EF )
g (n , E )

g( E)

2 2

1 1 g 0 (E )
g0 ( EF )

0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
E / hw c E / hw c
Figura 9.5. a) Densidad de estados de un gas de electrones en cada sub-banda en función de la energía, b) densidad
total de estados en función de la energía g(E) comparada con su valor cuando el campo es cero. En ambos casos
se ha normalizado a la densidad de estados sin campo sobre el nivel de Fermi.

La densidad total de estados se calcula sumando los valores ν tal que g(ν, E) es real
νX
max  3   − 1
~ωc 2m 2 1 2
g(E) = E − ~ωc ν+ , (9.70)
(2π)2 ~2 2
ν=0
con  
E 1
νmáx = int − . (9.71)
~ωc 2

183
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

Siendo int(x) la función parte entera de x. En el límite de campo cero se puede demostrar que
g(E) coincide con la densidad de estados para un gas de electrones libre

2m 3/2 √
 
1
lı́m g(E) = 2 E ≡ g0 (E). (9.72)
B→0 2π ~2

Normalizando las densidades de estados a la del gas libre en el nivel de Fermi g0 (EF ) obtenemos
r   − 1
g(ν, E) 1 ~ωc 1 2
= E − ~ωc ν + . (9.73)
g0 (EF ) 2 EF 2

La densidad g(ν, E) tiene máximos cuando la energía del electrón coincide con un múltiplo impar
de ~ωc /2, la cual se grafica en la figura 9.5a). En la fig. 9.5b) se ilustra la densidad total de estados
g(ν) donde se observa que para E < ~ωc /2, no hay estados accesibles (energía de punto cero) y
que sus máximos coinciden, como es de esperase con los de g(E, ν). Para un valor de E = 5~ωc
solo contribuyen a la densidad de estados los valores de ν = 0, 1, 2, 3 y 4. Eso se confirma en la
fig. 9.4a), donde se grafica el espectro de energía para cada sub-banda y cuando E = 5~ωc , el
máximo valor de ν accesible es ν = 4.
Retornando a nuestra imagen semi-clásica la energía del electrón en el espacio k = P/~ des-
cribe orbitas circulares, como muestra la fig. 9.4b), sin embargo como Px y Py no conmutan,
estrictamente no podemos dibujar puntos u orbitas en este espacio, sin embargo si el campo B
es débil, ∆Px ∆Py ≃ 0 y las superficies de isoenergía son cilindros. Para un campo magnético de
m∆Px ∆Py
1T esta incertidubre es del orden de EF ∼ 10−5 , sin embargo ∆Px2 /2m ∼ ~ωc /4, de tal
manera que alrededor de cada nivel de Landau en el espacio-P tenemos una incertidumbre del
orden de un 1/4 de la energía del oscilador, y cuando B → 0,la incertidumbre tiende a cero.
Desde el punto de vista cuántico los estados electrónicos se acumulan alrededor de estos niveles y
el número de estados alrededor de un nivel de Landau es igual al número de estados cuasi-clásicos
asociados a este nivel.

9.3.2. Efecto Hall cuántico

Los niveles de Landau son la base para explicar el efecto Hall cuántico entero en sistemas bidi-
mensionales, donde la conductividad Hall está cuantizada en múltiplos enteros de e2 /h , esto ha
permitido medir la razón de e2 /h con una precisión de una parte en 108 . Por el descubrimiento
de este efecto, von Klitzing recibio el premio Nobel en 1985.
Para ello supongamos un sistema bidimensional en el que kz = 0, y que tenemos el valor de
campo magnético tal que todos los electrones (N ) llenan por completo los niveles de Landau
hasta un valor νm . En esta condición tenemos que
N = nLx Ly = νm NΦ , (9.74)
donde la segunda igualdad proviene de llenar todos los νm niveles con NΦ electrones cada uno.
Usando la ecuación 9.64 obtenemos que
eB
n = νm , (9.75)
h

184
CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

de tal manera que la conductividad Hall es


ne e2
σxy = = νm . (9.76)
B h

4 A B C
a) b)
C 1

rxy(h/e 2)
3
rxx(KW)

C
EF
2
B 1/2 E
1 1/3
1/4
1/5
A B
0 0
0 5 B(T) 10 15 g(E)f(E) g(E)f(E) g(E)f(E)
Figura 9.6. Efecto Hall cuántico a) resistividad Hall ρxy (curva azul) y longitudinal ρxx (curva roja) en función
del campo magnético. El punto A corresponde a B = 0, el punto B cuando tenemos una meseta en resistencia
Hall y el punto C en la transición entre dos niveles de Landau b) Densidad de estados y ocupación de los estados
para los puntos A, B y C.

Es importante resaltar que en número νm depende del valor del campo, y a mayor campo, es
menor el número, hasta que el campo es tan intenso que todos los electrones caben en el primer
nivel de Landau. En la figura 9.6a) se ilustran la resistividad Hall, ρxy y longitudinal ρxx , donde
se observa que la resistividad tiene mesetas o platos y aumenta con el valor del campo, lo que
se conoce como efecto Hall cuántico entero. Cuando no hay campo magnético, los estados se
distribuyen de forma uniforme y los electrones llenan estados hasta el nivel de Fermi, el cual es
controlado externamente sobre el sistema bidimensional. Cuando la resisitividad Hall,ρxy tiene
una meseta, los niveles de Landau están completamente llenos y no hay conductividad σxx = 0,
dado que no hay estados disponibles para el transporte de carga, por ejemplo el punto B en
la fig. 9.6, en este caso
−1 ρxx también es cero, para ello recordemos del capítulo anterior que
σxx = ρxx ρ2xx + ρ2xy y como ρxy 6= 0, si ρxx → 0, entonces σxx → 0. A medida que aumenta
el campo magnético, un nivel de Landau cruza el nivel de Fermi, permitiendo que tengamos
estados accesibles para el transporte de carga y por lo tanto ρxx 6= 0 y la resistividad Hall hace
la transición a otra meseta, punto C de la fig. 9.6. Esto también lo podemos entender desde
el punto de vista semiclásico de la siguiente manera, en el punto B, los estados hacen orbitas
circulares cerradas, cada una asociada a un quantum de flujo. Estas órbitas al ser cerradas
no contribuyen al transporte de carga, ver fig. 9.7a. Cuando estamos en el punto C, el campo
magnético ha aumentado y las orbitas son más pequeñas, y por efectos en la frontera tenemos
orbitas que no se cierran y que pueden transportar carga en dirección x, esto corresponde a
estados superficiales, ver fig. 9.7b, de tal manera que los estados del "bulk"son aislantes y los
de la superficie conductores. Un efecto similar ocurre el los aislantes topológicos, en donde los
estados de "bulk"son como los de un aislante tradicional pero en la superficie aparecen estados
quirales que son protegidos bajo inversión temporal y que permiten la propagación de electrones
en la superficie. En el efecto Hall cuántico entero son importantes los estados localizados debido a

185
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

las impurezas y que tienen energías en medio de los niveles de Landau, de tal manera que cuando
estamos en una meseta, y el campo, va por ejemplo disminuyendo, los electrones van a ocupar
estos estados localizados, hasta que se alcanza el próximo nivel de Landau, de tal manera que el
nivel siempre permanece con el mismo número de electrones hasta la entrada del próximo nivel
de Landau. También existe el Efecto Hall cuántico fraccionario, en donde la resistividad Hall
en unidades de (h/e2 ) presenta valores fraccionarios, tales como 1/3, 2/5, 2/3, 4/3. Este efecto
aparece debido a la interacción de Coulomb en donde los electrones forman un líquido cuántico
altamente correlacionado, para mayores detalles del efecto Hall cuántico entero y fraccionario el
lector puede consultar la bibliografía de este capítulo.

Figura 9.7. Órbitas semiclásicas en el Efecto Hall cuántico a) Cuando los niveles de Landau están llenos y
la resistividad longitudinal ρxx es cero. b) Cuando un nivel de Landadu está semilleno los estados de borde
transportan carga y ρxx es diferente de cero.

9.4. Paramagnetismo de Pauli y diamagnetismo de Landau

Consideremos el efecto de la interacción del espín de los electrones con el campo magnético,
y despreciemos en primera instancia la cuantización de energía debida a los niveles de Landau.
Debido al efecto Zimman los electrones con momento magnético positivo + (relativo a la dirección
del campo aplicado) tienen menor energía que los electrones con momentum magnético negativo,
estas energías están dadas por
Ek± = E(k) ± µB B, (9.77)
donde E(k) es la energía en ausencia de campo magnético y µB es el magneton de Bohr, µB =
e~/2m. El número de electrones con energía Ek+ y Ek− es diferente debido a que la densidad de
estados es diferente para cada nivel, ocasionando que los electrones con momento positivo sean
mayores que los electrones con momento negativo y por lo tanto exista una magnetización neta.
Sea g± (E)f (E) el número de electrones con momento magnético ±, en el rango de energía E y
E + dE , cuando el campo magnético es cero tenemos que

1
g± (E) = g(E), (9.78)
2
con g(E) la densidad total de estados cuando el campo magnético es cero. Debido a que la
energía de cada nivel está corrida por un valor −(+)µB B, el número de niveles con energía E en

186
CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

presencia de B es el mismo que el número con energía E − (+)µB B 5

1
g± (E) = g(E ± µB B). (9.79)
2

a) b) c)
E E E
g-(E) g-(E)
g-(E) g+(E)
g+(E) g+(E)
EF EF

mB B{ mB B{
-mB B{ -mB B{

Figura 9.8. Paramagnetismo de espín de Pauli, en las figuras las densidades de estados de los electrones para
momento magnético en dirección(contra) del campo g+ (E) (g− (E)) son mostradas (a) a campo cero g+ (E) y
g− (E) son iguales, (b) al aplicar el campo la densidad se g+ (E) desplazan un cantidad −µB B y la g− (E) una
cantidad µB B. (c) En equilibrio la energía de Fermi de ambos subsistemas es igual, ocasionando que existan más
electrones con momento en la dirección del campo que electrones con momento en la dirección opuesta.

El número de electrones por unidad de volumen en cada nivel es por lo tanto


Z∞
n± = dEg± (E)f (E). (9.80)
0

Para ambos casos, el potencial químico es el mismo y lo aproximamos a la energía de Fermi.


Debido a que para un campo magnético de 1T , µB B es del orden de 10−4 EF , podemos expandir
g± alrededor de B = 0, obteniéndose
1 µB B ′
g± (E) ≃ g(E) ± g (E). (9.81)
2 2
La magnetización por unidad de volumen está dada por
mp = µ(n+ − n− )
Z∞
= µB B dEg′ (E)f (E)
2
(9.82)
0
Z∞  
∂f (E)
= µ2B B dEg(E) − .
∂E
0
5
Esto se puede ver directamente en el caso de electrones libres al despejar k en función de E, de la relación
(9.77) y al calcular la densidad de estados como se hizo en la ecuación (??)

187
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

En el último paso hicimos la integral por partes. A temperatura cero, la menos derivada de la
función Fermi respecto a la energía es δ(E − EF ) y por lo tanto

mP = µ2B Bg(EF ). (9.83)

Con esto la susceptibilidad es


∂M
χP = = µ2B g(EF ). (9.84)
∂B
A temperatura finita las correcciones son del orden de KB T /EF , las cuales son pequeñas y po-
demos afirmar que la susceptibilidad de Pauli es prácticamente independiente de la temperatura,
a diferencia de lo que sucede con la Ley de Curie. Para el gas de electrones obtenemos

3 n
mP = µ2B B. (9.85)
2 EF

Ahora vamos a analizar lo que se conoce como diamagnetismo de Landau, la idea básica es
determinar la magnetización debida a los electrones en los niveles de Landau, para ello vamos a
usar la ecuación
∂u
m=− , (9.86)
∂B
donde u es la densidad de energía la cual podemos calcular a partir de la densidad de estados
((9.70)). A temperatura cero tenemos que
νX
max  3/2   −1/2
2~ωc 2m 1
Z
u = E E − ~ωc ν+ dE
ν=0 (2π)2 ~2 2
E 
ZF ∞  3/2   −1/2
X 2~ωc 2m 1
= Re  E 2 2
E − ~ωc ν + dE  . (9.87)
ν=0 (2π) ~ 2
0

A bajos campos podemos usar la aproximación

∞ Z∞
1 dF ∞
 
X 1 ∼
F i+ = F (x)dx − , (9.88)
2 24 dx 0
i=0 0

encontrando que la energía interna es aproximadamente


3/2 p
1 (~ωc )2

3 2m
u = EF n + EF . (9.89)
5 12 (2π)2 ~2

De esta ecuación obtenemos que la magnetización debida a los niveles de Landau es

µ2B nB
mL = − . (9.90)
2EF

188
CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

Este resultado nos muestra que la magnitud de la magnetización de Landau es la tercera parte
del diamagnetismo Pauli y por lo tanto la magnetización de un gas de electrones a temperatura
cero es
3 µ2B n µ2 n
 
1
m(T = 0) = mP + mL = 1− B = B B. (9.91)
2 EF 3 EF

A temperatura finita, un interesante fenómeno surge, conocido como el Efecto de Hass-van Alp-
hen, el cual consiste en que a altos campos magnéticos y bajas temperaturas, la magnetización
presenta oscilaciones al variar el campo aplicado. Si EF >> ~ωc el gas de electrones ocupa es-
tados en numerosas subbandas. A bajas temperaturas todos los estados ocupan los niveles más
bajos, y la energía de Fermi puede estar entre las sub-bandas umbrales ν y ν − 1. A medida
que el campo magnético crece la energía y el número de estados en cada subbanda crece, así
como la sub-banda umbral. Debido a que el número de electrones está fijo, ocurre una continua
reorganización de los electrones a medida que el campo aumenta. Cuando la energía umbral
E = ~ωc (ν + 1/2) crece desde un valor por debajo de EF hasta un valor por encima de EF , los
electrones en la sub-banda ν “caen” a la sub-banda ν − 1, haciendo que la energía total dismi-
nuya. Debido a esta variación oscilatoria de la energía con el campo, la magnetización también
oscila. La condición ~ωc = 2µB B >> KB T es necesaria para que la población en cada nivel
de Landau sea determinado por el campo magnético y no por la temperatura, la cual si fuese
alta, permitiría que electrones de niveles bajos ocupara niveles más altos. Cuando la condición
EF >> ~ωc no se cumple la separación entre los niveles es alta y siempre los electrones están
en los niveles más bajos y las oscilaciones cesan. Este efecto lo analizaremos nuevamente cuando
estudiemos las superficies de Fermi de un cristal bajo la acción de un campo magnético.

189
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

9.5. Problemas
1. ** Demuestre la solución de la ecuación de Schrödinger para una partícula libre en un
campo eléctrico constante, para ello use una transformación de calibración.
(p+eA) P
2. * Demuestre explícitamente que si A = (0, Bx, 0) se obtiene ˙r = ∇p H = m = m

3. * Demuestre que la ecuación de Schrödinger en un campo magnético constante en dirección


z, y cuyo potencial vectorial es A = (0, Bx, 0) se obtiene que al suponer una solución de
la forma
ϕk (r) = eiky y+ikz z ϕ(x),
la ecuación
~2 kz2 ~ d2 mωc2
   
2
E− ϕ(x) = − + (x − x0 ) ϕ(x).
2m 2m dx2 2

4. * Complete los pasos para encontrar la densidad de estados del gas de electrones en un
campo magnético.

5. * Demuestre que en el límite de campo cero, la densidad de estados con campo magnético
es igual a la densidad de estados del gas de electrones libre
3/2


1 2m
lı́m g(E) = E ≡ g0 (E).
B→0 2π 2 ~2

6. **Complete los pasos para encontrar la magnetización de Landau a temperatura cero, ec.
(9.90).

7. ** Complete los pasos para encontrar la magnetización de Pauli, y demuestre que a tem-
peratura finita se puede aproximar a

π2
 
χ = µ2B g(EF ) 1 + (ln g(EF ))(2) (kB T )2 .
6

190
CAPÍTULO 9. GAS DE ELECTRONES CUÁNTICO EN CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

9.6. Referencias
Capítulos de textos recomendados
O. Madelung, Introduction to Solid-State Theory, Springer-Verlag, Berlin 1981, cap. 2
N. W. Ashcroft, N. D. Mermin: Solid State Physics, Holt, Rhinehart & Winston Inc., New York
1976, cap. 8,9,10.
H. Ibach y H. Lüth. Solid State Physics 4ed , Springer, Berlin 2009, cap. 9.
Ch. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 4ed. Wiley, New York 1976,cap. 15.
M. P. Marder, Condensed Matter Physics,John Wiley and sons, New York 2000, cap. 25.
Steven H. Simon, The Oxford Solid State Basics 1st Ed. (Oxford University Press, Oxford 2013),
cap. 4 y 19.
Alexander O. E. Animalu, Intermediate Quantum Theory of Cristalline Solids (PRENTICE-
HALL, INC, New Jersey 1977), cap 7.
R. Feynman, R. B. Leighton y M. Sands. Física Vol II, Electromagnetismo y Materia, (Pearson
Eduaction. Mexico 1998), cap. 15.
R. Feynman, R. B. Leighton y M. Sands. Física Vol III, Mecánica Cuántica, (Pearson Eduaction.
Mexico 1998), cap. 21.
Artículos recomendados
El efecto Hall Cuántico, K. von Klitzing, Investigación y Ciencia, mayo de 1986.
Superconductores de interferencia cuántica. J. Clarke Investigación y Ciencia, Octubre de 1994.
Onnes y el descubrimiento de la superconductividad, R. de Bruyn Ouboter. Investigación y
Ciencia, mayo de 1997.
Aplicaciones del efecto Hall cuántico, B. I. Halperin, Investigación y Ciencia, junio de 1986.

191
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

192
Capı́tulo 10
Efectos de campos electromagnéticos en la
teoría de Bandas
En este capítulo vamos a extender los resultados del modelo de Drude y del gas de electrones en
campos eléctricos y magnéticos al estudio de las propiedades de transporte en la teoría de Bandas.
En particular vamos a definir el tensor de masa efectiva, y cómo este se usa para electrones y
huecos. También vamos a analizar la dinámica de los electrones de Bloch en campos eléctricos
y magnéticos e introducir el concepto de masa ciclotrónica. Vamos a ver cómo el efecto Haas-
van Alphen puede ser usado para medir las superficies de Fermi. Al final haremos una corta
introducción a la física de semiconductores.

10.1. Dinámica de electrones de Bloch


Cuando analizamos la aproximación kp en la teoría de bandas demostramos que la velocidad de
grupo se puede escribir como
1
v (k) = hψn (k)| p̂ |ψn (k)i
m
1
= ∇En (k) . (10.1)
~
Como el número de banda n es un número cuántico que se conserva, no lo vamos a notar en
general. Ahora consideremos que se aplica un campo eléctrico y despreciemos el efecto de la
resistencia, si extendemos el resultado del gas de electrones, el vector de onda cumple
dk
~ = qE. (10.2)
dt
De tal manera que en un campo eléctrico el vector de onda cambia, es decir, en esta aproximación
la función de Bloch depende de un vector k (t) , |ψn (k (t))i .En este campo eléctrico los electrones
pueden ser acelerados y haciendo la derivada respecto al tiempo de v (k) obtenemos
dv (k (t)) 1 d X ∂E (k (t))
= ı̂
dt ~ dt ∂ki
i
1 X ∂ 2 E (k) dkj
= ı̂. (10.3)
~ ∂kj ∂ki dt
i,j

193
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

Usando la ecuación 10.2 tenemos


dvk 1 X ∂ 2 En (k)
= 2 qEj ı̂. (10.4)
dt ~ ∂kj ∂ki
i,j

Este resultado lo podemos escribir como


 
dvk,i X 1
= qEj . (10.5)
dt m i,j
j

Donde el tensor de la masa efectiva se ha definido como


1 ∂ 2 En (k)
 
1
≡ m−1ij = (10.6)
m i,j ~2 ∂kj ∂ki
1 ∂vk,i
= . (10.7)
~ ∂kj

En forma vectorial tenemos  


dvk 1
= E, (10.8)
dt m∗
donde (m∗ )−1 es una matriz 3 × 3. En el caso de una gas de electrones podemos verificar que
la masa efectiva coincide con la masa del electrón m. La masa m∗ gobierna la dinámica de la
velocidad de grupo del electrón, y la podemos interpretar a partir del movimiento del electrón
en la banda, el cual se mueve como un electrón libre pero con una masa efectiva debido a su
interacción con la red de iones estática. En este sentido, m∗ juega el papel de una masa inercial
de los electrones en el potencial producido por los iones y se relaciona con las segundas derivadas
de la energía respecto al vector de onda.
El modelo de Drude se puede extender al caso de los electrones en una banda de conducción a
partir de la ecuación de Boltzmann, el resultado de la conductividad eléctrica es dado por (ver
por ejemplo el libro de Ibach y Luth)
e2 τ (EF )
σ≃ n. (10.9)
m∗

Donde τ (EF ) es el tiempo de colisión cerca al nivel de Fermi, y es debido a las colisiones de
los electrones de Bloch con impurezas o fonones en el material, m∗ es la masa efectiva, y que se
aproxima a una constante. A diferencia de la capacidad calorífica o la magnetización de Pauli, en
la conductividad eléctrica aparece la densidad total de electrones, lo cual es debido a que todos
los electrones en la banda de conducción contribuyen al transporte eléctrico. La ecuación de la
conductividad eléctrica se suele escribir como

σ ≃ eµn, (10.10)

donde µ es la movilidad dada por


eτ (EF )
µ= . (10.11)
m∗

194
CAPÍTULO 10. EFECTOS DE CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN LA TEORÍA DE BANDAS

Usando la aproximación kp se puede mostrar en general que cuando tenemos un campo eléctrico
y magnético el vector de onda dependiente del tiempo cumple

dk
~ = q (E + vk × B) . (10.12)
dt

Donde la solución de Bloch es encontrada haciendo

ψn,k,σ (r) → ψn,k(t),σ (r) . (10.13)

La ecuación (10.12) es análoga a la fuerza de Lorentz y el efecto del potencial de la red está en la
forma de las superficies de energía y en la relación de dispersión, que a la vez nos determinan la
velocidad de grupo y la masa efectiva. La ecuación (10.12) es válida para bajos campos y puede
ser demostrada a partir de la ecuación de Schrödinger y nos permite escribir como solución
aproximada ψn (k (t)), donde ψn (k) es la solución sin campos externos. Con esto, en cambio en
la velocidad de grupo es dada por

dvk ~k̇ 1
= ∗ = ∗ q (E + vk × B) . (10.14)
dt m m

Es importante resaltar que la velocidad vk que aparece en la fuerza de lorentz acompañando al


campo magnético es la velocidad de grupo y no ~k/m.

10.2. Dinámica de electrones y huecos en campos eléctricos y


magnéticos

Desde el punto de vista semiclásico, podemos analizar el efecto de un campo eléctrico sobre
un electrón en una banda. Consideremos un vector de onda en la misma dirección del campo
eléctrico. Cuando el electrón está en la parte inferior de la banda su velocidad es cero y empieza a
acelerarse cambiando de estado k, a regiones de mayor energía, esta velocidad aumenta mientras
la derivada dEn /dk > 0, hasta que llega a su valor máximo en un punto de inflexión y luego
la velocidad empieza a disminuir hasta que se hace cero en la parte máxima de la banda. Esta
disminución de la velocidad es una consecuencia del potencial de la red que empieza a frenar al
electrón hasta que no lo deja propagar cuando cumple la condición de Bragg.
La descripción de metales y aislantes es ahora clara, primero que todo en un aislante la banda de
valencia está llena, de tal manera que si deseamos acelerar un electrón, éste por el principio de
exclusión de Pauli no tiene estados de energía disponibles y por lo tanto no puede ganar energía
cinética extra, a no ser que gane la energía para superar la brecha de energía ∆ para pasar a
la banda de conducción, lo que puede ocurrir por ejemplo por efectos térmicos kB T ≃ ∆ o la
absorción de un fotón con energía mayor. En el caso de un semiconductor ∆ suele ser menor que
3,2eV que corresponde a la energía de la radiación ultravioleta.

195
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

a) b) c)

k dk/dt k
electrón banda de conducción
Ek ∆
hueco ∆ Ek
banda de valencia Ek dk/dt

-p 0 p
ka
Figura 10.1. a) Una banda de valencia casi llena con un estado desocupado puede ser discreto por un hueco, en
este caso se ha ilustrado un electrón que pasa de la banda de valencia a la de conducción. b) Trayectoria de un
electrón sobre la superficie de Fermi en el espacio recíproco en un campo magnético. homogéneo. c) Trayectoría
de un hueco en dirección opuesta.

Desde el punto de vista de la dinámica podemos calcular la densidad de corriente eléctrica como
−e X
J = nkσ vk
V
k∈1ZB,σ
−2e
Z
= dknk vk
(2π)d vk
−e 2
Z
= dknk ∇k En (k) , (10.15)
(2π)d ~ vk
donde d es la dimensión del sistema y nk es el número de ocupación del estado k. A T = 0K y
si la banda está llena nk = 1 y dado que la integral es simétrica J = 0. Este resultado también
lo podemos demostrar usando que En (−k) = En (k) y v−k = −~−1 ∇En (−k) = −v−k , así
P
k∈1ZB vk = 0. Ahora supongamos que la banda está casi llena en estados que denotamos
como k1 , ver fig. 10.1a), es decir que tenemos una fracción de estados desocupados, los cuales
denotamos por k2 . La densidad de corriente eléctrica la podemos escribir como
−e X
J = vk
V
σk1
−e X e X
= vk + vk . (10.16)
V V
k∈1ZB ,σ k2 ,σ

La primera suma es cero, y la segunda la podemos escribir como


e 2
Z
J= dknk2 ∇k E (k) . (10.17)
(2π)d ~
La cual podemos interpretar como una densidad de corriente trasportada por huecos con carga
+e con velocidad
1
vkh = ∇kh E (k) , (10.18)
~

196
CAPÍTULO 10. EFECTOS DE CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN LA TEORÍA DE BANDAS

donde kh ≡ k2 , y que contribuye a la corriente como Jkh ∝ +evkh .Si derivamos vkh respecto al
tiempo tenemos que
 
d 1
v̇kh = ∇k E (k)
dt ~
1
= − ~k̇h

mkh
1
= − (−e) (E + vkh × B)

mkh
+e
= (E + vkh × B) . (10.19)

m kh

De
tal manera que ésta es la ley que gobierna la aceleración de cargas positivas con masa positiva

mkh . Por lo tanto en lugar de considerar la dinámica de los electrones en los estados k1 en la
parte inferior de la banda podemos describir el sistema a partir de partículas de carga positiva
en la parte superior de la banda y que denominamos huecos, y equivalentemente a los estados en
la parte inferior de la banda los seguimos denominando electrones con vector de onda ke .

10.3. Masa ciclotrónica


Ahora analicemos el efecto de un campo magnético homogéneo, en donde tenemos que
dk
~ = −evk × B
dt
1
= −e ∇k E (k) × B. (10.20)
~

Dado que el ∇k En (k) es perpendicular a las superficie de energía constante E (k), k es un


vector en esta superficie y llamando δk⊥ = ~−2 ∇k En × Bdt tenemos que k (t + dt) = k (t) + δk⊥
corresponde a un estado con la misma energía, es decir E (k (t + dt)) = E (k (t)) . Este resultado
es de esperarse debido a que un campo magnético estático no cambia la energía de la partícula.
Con esto, los electrones hacen trayectorias sobre las superficies de Fermi, ver fig. 10.1b). Si las
partículas son electrones, es decir estamos en la parte baja de la banda ∇k E (k) > 0
dke 1
~ = −e |∇k E (k)| × B, (10.21)
dt ~
mientras que si son huecos ∇k E (k) < 0, y por lo tanto
dkh 1
~ = +e |∇k E (k)| × B. (10.22)
dt ~
Lo que nos muestra que en el espacio k los huecos tienen trayectorias opuestas a los electrones,
ver fig. 10.1c).

197
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

Supongamos que tenemos una trayectoria circular en el espacio recíproco de radio kF , podemos
calcular su periodo a partir de una aproximación semiclásica como
I
T = dt
dk
I
= . (10.23)
dk̇

Usando la ecuación (10.21) podemos escribir


~2 dk
I
T = . (10.24)
eB |∇k⊥ E (k)|

Donde ∇k⊥ simboliza el gradiente en los vectores de onda que son perpendiculares al campo
magnético, es decir en la proyección del plano de la órbita. La integral tiene una sencilla inter-
pretación, si hacemos |∇k⊥ E (k)| = ∆E/∆k⊥ el periodo lo podemos escribir como
~2 1
I
T = ∆k⊥ dk
eB ∆E
~2 ∆S
= , (10.25)
eB ∆E
con ∆S el cambio del área en el espacio recíproco de dos orbitas cuando la energía cambia en
∆E. En el límite diferencial tenemos
~2 dS
T = . (10.26)
eB dE
Por ejemplo, para un gas de electrones tenemos que S = πk 2 = 2πmE/~2 , de tal manera que
tenemos
dS 2πm
= 2 (10.27)
dE ~
y
2πm 2π
T = = , (10.28)
eB ωc
que coincide con el periodo y la frecuencia ciclotrónica de un electrón libre en un campo magné-
tico, si hacemos m → m∗ , podemos escribir
2π 2πm∗ ~2 dS
T = = = , (10.29)
ωc eB eB dE
con lo cual tenemos la definición de masa ciclotrónica como
~2 dS
m∗ = , (10.30)
2π dE
la cual depende de la forma de la superficie de Fermi y es una función de la energía y del vector


paralelo al campo magnético, m E, kk . La frecuencia ωc depende del tipo de órbita que haga el
electrón en el espacio recíproco. Las órbítas que tengan un área extrema (máxima o mínima) son
las que dominan, así que ωc y la respuesta del sistema depende de estas órbitas. Las otras órbitas
se cancelan esencialmente por procesos de interferencia, y las órbitas extremas son estables dado
que su área cambia poco cuando se varía kk .

198
CAPÍTULO 10. EFECTOS DE CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN LA TEORÍA DE BANDAS

10.4. Efecto Haas-van Alphen


Si hacemos la siguiente aproximación para el espectro de energía
~2 kν2
 
1
E = ~ωc ν + = . (10.31)
2 2m∗

Podemos encontrar que el área en el espacio recíproco está cuantizada como

Sν = πkν2
 
π ∗ 1
= ωc 2m ν +
~ 2
 
B 1
= 4π 2 ν+ . (10.32)
Φ0 2

Si mantenemos el campo magnético constante,


B
Sν+1 − Sν = 4π 2 , (10.33)
Φ0
con lo cual la cuantización de las órbitas depende de la magnitud de B, cuando el campo es bajo,
esta cuantización es suave y en el límite de B → 0, desaparece. Ahora, si variamos el campo
magnético una pequeña cantidad dos orbitas sucesivas tienen la misma área para ν y ν + 1
 
2 Bν 1
Sν = 4π ν+ = S, (10.34)
Φ0 2
 
Bν+1 1
Sν+1 = 4π 2 ν +1+ = S, (10.35)
Φ0 2
hemos denotado B = Bν cuando la órbita ν tiene área Sν = S, y B = Bν+1 , cuando la órbita
ν + 1 tiene área Sν+1 = S, a partir de esto escribimos
 
S 2 1 1
= 4π ν+ (10.36)
Bν Φ0 2
 
S 2 1 1
= 4π ν +1+ . (10.37)
Bν+1 Φ0 2
Restando estas ecuaciones, obtenemos
S S 1
− = 4π 2 , (10.38)
Bν+1 Bν Φ0
o dicho de otra manera, tenemos periodicidad para intervalos de campo magnético tales que
 
1 1 1 1
∆ = − = 4π 2 (10.39)
B Bν+1 Bν Φ0 S
2πe
= . (10.40)
~S

199
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

La magnetización del sistema oscila al ir variando el campo magnético, lo que se conoce como
efecto Haas-van Alphen, pero cada vez que se cumpla la ec. (10.39) vamos a tener el mismo valor
de la magnetización debido a que volvemos a tener sobre la superficie de Fermi la misma masa
ciclotrónica, tengamos en cuenta que los electrones en la superficie de Fermi vuelven a tener la
misma área transversal. Con lo cual se suele escribir
 
1 2πe
∆ = . (10.41)
B ~S (kF )

a)
b) B100

B111
B100

N B111
3.65 T 3.66 T
B

Figura 10.2. a) Trayectorias máximas de los electrones en un campo magnético en dirección (100) y (111) b)
Ilustración de las oscilaciones de la magnetización para el oro mostrando el efecto Haas-van Alphen para un
campo en dirección (100) y c) dirección (111) en este último caso las trayectorias del cuello (N) se superponen a
las trayectorias más grandes de los vientres produciendo dos tipos de oscilación.

Esto permite conocer las áreas de ciertas secciones de la superfice de Fermi a partir de valores
de magnetización y se convierte en un método usado para la determinación de la topología de
las superficies de Fermi, ver fig. 10.2. En el problema 1 el lector puede mostrar que en un gas de
electrones 2D la energía interna y la magnetización varían con el campo magnético y su periodo
de oscilación es el dado por la ec. (10.39).

10.5. Introducción a la física de los semiconductores

Cuando la banda de valencia está llena y la conducción vacía tenemos una aislante, pero en el
caso de que el gap de energía sea del orden de 3 eV o menor hablamos de que el material es
semiconductor, en el sentido que la banda de conducción se puede poblar por excitación térmica
u óptica. En este caso unos pocos electrones poblaran la parte inferior de la banda de conducción
y quedaran estados de huecos en la parte superior de la banda de valencia. Con esto podemos
escribir para cada banda

200
CAPÍTULO 10. EFECTOS DE CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN LA TEORÍA DE BANDAS

~2 k2
Ee = Ec + , (10.42)
2mc
~2 k2
Eh = Ev − , (10.43)
2mv
donde mc y mv es la masa de efectiva o curvatura en cada una de las bandas y que se puede
determinar a partir de la masa ciclotrónica, siendo usualmente una fracción de la masa de electrón
libre. La brecha se energía o gap entre las dos bandas es dada por

∆ = Ec − Ev . (10.44)

Las densidades de estados las podemos escribir a partir de los resultados del gas de electrones
como
2mc 3/2 p
 
1
gc = E − Ec , E ≥ Ec , (10.45)
2π 2 ~2
2mv 3/2 p
 
1
gv = Ev − E, E ≤ Ev . (10.46)
2π 2 ~2
En la brecha de energía Ev < E < Ec la densidad de estados es cero. La densidad de electrones
y huecos en cada banda la podemos calcular como
Z ∞
nc = f (E) gc (E) dE, (10.47)
Ec

Z Ev
nv = (1 − f (E)) gv (E) dE. (10.48)
−∞
Donde f (E) es la distribución de Fermi Dirac
1
f (E) = . (10.49)
e(E−µ)/kB T +1

Si tenemos la condición de que E − µ >> kB T , (esta condición se cumple si Ec − µ >> kB T ,


µ − Ev >> kB T , como veremos eso es consistente dado que µ está dentro del gap).

f (E) ≃ e−(E−µ)/kB T , (10.50)

que equivale a que la estadística de Fermi Dirac la podemos aproximar a la de Maxwell-Boltzman.


Esto es debido a que la densidad de electrones en la banda de conducción es baja. Con esto se
puede mostrar que, ver problema 2 de este capítulo,

1 2mc kB T 3/2 −β(Ec −µ)


 
nc = e , (10.51)
4 π~2
1 2mv kB T 3/2 −β(µ−Ev )
 
nv = e . (10.52)
4 π~2

201
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

Estos resultados se pueden interpretar como la activación térmica de las dos bandas desde el
potencial químico, el cual es aún una incógnita. Si multiplicamos estas dos expresiones obtenemos

1 kB T 3
 
nc nv = (mc mv )3/2 e−∆/kB T , (10.53)
2 π~2
que es conocida como la ley de acción de masas y es una ecuación central en el estudio de los
semiconductores.

10.5.1. Semiconductores intrínsecos

En un semiconductor instrínseco (sin dopar) las densidades de electrones en la banda de con-


ducción es igual a la de huecos en la banda de valencia, así que nc = nv , dividiendo (10.51) y
(10.52) obtenemos
mc 3/2 −β(Ec +Ev −2µ)
 
1= e . (10.54)
mv
Tomando el logaritmo natural a ambos lados obtenemos
 
Ec + Ev 3kB T mv
µ = + ln
2 4 mc
 
∆ 3kB T mv
= Ev + + ln . (10.55)
2 4 mc

A temperatura cero el potencial químico está justo en el mitad del gap, adicionalmente si en
el semiconductor las masas efectivas son iguales, el potencial químico siempre está en la mitad
del gap independiente de la temperatura. Este resultado cumple la condición de la aproximación
que hicimos para la función de Fermi si kB T << ∆/2. En este caso la densidad de electrones y
huecos es
kB T 3/2
 
1
nc = nv = √ 2
(mc mv )3/4 e−∆/(2kB T ) , (10.56)
2 π~
que aumenta con la temperatura especialmente por el factor exponencial, dado que un rango
definido de temperaturas el término T 3/2 varía poco.

10.5.2. Semiconductores dopados

En un semiconductor dopado o extrínseco, se dopa con átomos donantes de electrones con energías
cercanas a la banda de conducción o se dopa con átomos aceptores de electrones con energías
cercanas a la banda de valencia. En este caso nc y np ya no son iguales, y se tiene que

nc − np = δn. (10.57)

Donde δn nos da la diferencia neta entre la densidad de los donantes y los aceptores, y se puede
escribir aproximadamente como
δn = Nd − Na . (10.58)

202
CAPÍTULO 10. EFECTOS DE CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN LA TEORÍA DE BANDAS

Donde Nd(a) es la densidad de donantes (aceptores). Esta ecuación junto con la ley de masas nos
da la dependencia de nc y nv . En general tenemos dos límites, el intrínseco donde δn es pequeño
y la densidad de portadores en cada banda es calculado como un semiconductor sin dopar, y
el límite extrínsico, en donde la contribución debida a la ionización de electrones a la banda de
conducción desde la de valencia es despreciable. En este último caso la densidad de electrones
en la banda de conducción varía poco con la temperatura y se apróxima a Nd si el sistema es
dopado con electrones, tipo n, o la densidad de huecos se aproxima a Na si el sistema es tipo p.
Finalmente mencionamos que la conductividad eléctrica es dada por
σ ≃ e (µc nc + µv nv ) , (10.59)
donde µc(d) son la movilidad de los electrones (huecos) en la banda de conducción (valencia).

10.6. Problemas
1. ** En este problema analizamos las oscilaciones de la energía interna y la magnetización
con el campo magnético, para ello vamos a suponer T = 0 K, y que estamos en un sistema
2D. Definimos a β como la fracción entre el número total de electrones y el degeneramiento
de cada nivel de Landau
Ne N φ0
β = =
Nφ Lx Ly B
φ0
= σ .
B
Donde σ es la densidad superficial de electrones. Este factor nos permite saber cuántos
niveles de Landau están ocupados para un determinado valor de campo magnético. Cuando
β < 1 (un campo muy intenso), todos los electrones están en el primer nivel de Landau,
de tal manera que la energía es
ωc
U0 = N ~ ,
2
U0 ~eB
= u= ,
N 2m
y la magnetización por partícula es
m0 = −µB .
Esta magnetización es constante mientras N < Nφ .
a) Ahora supongamos que el campo magnético decrece, de tal manera que el degeneramiento
del primer nivel de Landau disminuye y los electrones empiezan a ocupar estados en el
segundo nivel de Landau, es este caso Nφ < N < 2Nφ , por lo tanto 1
β < 2, el número de electrones en el segundo nivel son
δN = N − Nφ ,
δN 1
= 1− .
N β

203
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

La energía total E1 por partícula es por lo tanto (demostrar)

E1 1
= 3µB B − 2µB B 2 ,
N σφ0

y la magnetización es  
4
m1 = µ B −3 + .
β
Para β → 1 + 0+ , m1 = µB ,lo que implica un cambio de signo respecto al caso de β < 1.
b) El resultado anterior se puede generalizar para cualquier el valor de β. Demostrar que
para n < β < n + 1  
Un 1 n (n + 1)
= ~ωc n + − .
N 2 2β

 
2n (n + 1)
mn = µ B − 2n − 1
β
 
2n (n + 1)
= µB B − 2n − 1 .
σφ0

de tal manera que (demuestre)

mn n + 0+ = µB ,


mn n + 1 − 0+ = −µB .


Como n es arbitrario, mn+1 (n + 1 + 0+ ) = µB , mn (n + 2 − 0+ ) = −µB , lo que conduce a


una función periódica. El periodo de esta oscilación se determina cada vez que β aumenta
una unidad, lo que conduce a (demostrar)
 
1 Lx Ly
∆ = .
B N φ0

Para un gas bidimensional podemos hacer (sin incluir el espín)

πkF2
N = 2π 2π ,
Lx Ly
N S (kF )
= ,
Lx Ly (2π)2

así que  
1 2πe
∆ = ,
B ~S (EF )
que coincide con el resultado encontrado en la ec. (10.39).
c) Haga una gráfica de la energía interna y de la magnetización en función de B o 1/B.

204
CAPÍTULO 10. EFECTOS DE CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN LA TEORÍA DE BANDAS

2. ** Demuestre que la densidad de electrones y huecos en la banda de conducción y valencia


son dados por la ecuación (10.51) y (10.52), cumpliendo la ecuación de la ley de masas,
(10.53).
3. * A partir de los periodos de oscilación del efecto Haas-van Alphen para el oro, fig. 10.2
en la dirección 111 calcule el área de las órbitas y el valor de kF para los “cuellos” y los
vientres, compare este valor con el de kF usando el modelo del gas de electrones.
4. **En el modelo TB, mostramos que para una cadena lineal de un atómo el espectro de la
banda es dado por
E (k) = t0 − 2t cos ka

a) Encuentre la velocidad de grupo y la masa efectiva. Haga una gráfica de vk y mk en


función de k
b) Si se aplica un campo eléctrico homogéneo E encuentre cómo varía el número de onda
con t y a partir de éste encuentre la dependencia de vk con el tiempo, interprete sus
resultados.
c) Cálcule el periodo en el que la velocidad hace una oscilación completa, para ello puede
suponer a = 0,1 nm y un campo de 1000V/m. Respecto a un tiempo τ característico del
modelo de Drude qué tan grande es este periodo.
5. **Considere la ecuación de Schrödinger para un electrón de Bloch sometido a un campo
eléctrico estático y homogéneo E
~2 2
 
∂ψ (r, t)
− ∇ + V (r) − qE · r ψ (r, t) = i~ .
2m ∂t

Haga una traslación de Bloch TRn a esta ecuación, y suponiendo que el teorema de Bloch
se cumple para ψ (r + Rn , t) = eik(t)·Rn ψ (r, t) demuestre que se obtiene
qE
k (t) = k (0) + t.
~
Resultado equivalente al que obtuvimos para el gas de electrones.
6. **Considere el extremo de una banda donde el espectro de energía puede ser aproximado
por !
~2 kx2 ky2 kz2
Ek = E0 + + + ∗ .
2 m∗x m∗y mz

Demuestre que si aplicamos un campo magnético en dirección z, la masa ciclotrónica es


q
mc = m∗x m∗y

7. *Considere un semiconductor intrínseco con una brecha de energía de 1 eV con mc = 0,2me ,


y mv = 5me . Calcule el potencial químico a temperatura ambiente, y la variación porcentual
de éste respecto a su valor a T = 0 K.

205
W. J. HERRERA NOTA DE CLASE: INTRODUCCIÓN AL ESTADO SÓLIDO

8. **Considere el espectro del problema 6 para electrones en la banda de conducción, con


masas m∗c,i , i = 1, 2, 3. Invirtiendo los signos que acompañan a la masa use esta ecuación
para el espectro de huecos en la banda de valencia con masas m∗v,i > 0. Demuestre que la
densidad de estados asociada a cada banda es
3/2
2mc(v)

1 p
gc(v) = 2 |E − Ec |
2π ~2

con m3α = m∗α1 m∗α2 m∗α3 , α = c, v.

10.7. Referencias

Capítulos de textos recomendados


O. Madelung, Introduction to Solid-State Theory, Springer-Verlag, Berlin 1981, cap. 2
N. W. Ashcroft, N. D. Mermin: Solid State Physics, Holt, Rhinehart & Winston Inc., New York
1976, cap. 12,13,14 y 28.
H. Ibach y H. Lüth. Solid State Physics 4ed , Springer, Berlin 2009, cap. 9, 12, Páneles VIII,XIV,
XVI, y XVII.
Ch. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 4ed. Wiley, New York 1976,cap. 10 y 11.
M. P. Marder, Condensed Matter Physics,John Wiley and sons, New York 2000, cap. 16 y 19.
Steven H. Simon, The Oxford Solid State Basics 1st Ed. (Oxford University Press, Oxford 2013),
cap. 17 y 18.
Alexander O. E. Animalu, Intermediate Quantum Theory of Cristalline Solids (PRENTICE-
HALL, INC, New Jersey 1977), cap 8 y9.
J. H. Ziman, Principles of the Theory of solids 2nd (Cambridge University Press, Cambridge
1972). Cap 6 y 9.
Lecturas recomendadas
Aislantes topológicos, D. Carpentier y L. Levy, Investigación y Ciencia, agosto de 2015.
Microchips en vertical, Thomas H. Lee, Investigación y Ciencia, marzo de 2002.
La edad de diamante de la espintrónica, D. Awschalom, R. Epstein y R. Hanson. Investigación
y Ciencia, Diciembre de 2007.
Espintrónica, D. D. Awschalom, M. E. Flatté y N. Samarth, Investigación y Ciencia, agosto de
2002.
Optical band gaps as a result of destructive superposition of scattered waves, W. Guoa, Am. J.
Phys. 74, 595 (2006).
One-dimensional lattice dynamics with periodic boundary conditions: An analog demonstration,
J. H. Eggert, Am. J. Phys. 65, 108 (1997).
An introduction to self-assembled quantum dots, B. J. Riel, Am. J. Phys. 76, 750 (2008).

206
CAPÍTULO 10. EFECTOS DE CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN LA TEORÍA DE BANDAS

Photoemission spectroscopy—from early days to recent applications, F. Reinert and S. Hüfner,


New Journal of Physics 7, 97 (2005).
Early history of the physics and chemistry of semiconductors-from doubts to fact in a hundred
years, , Eur. J. Phys. 10, 254 (1989).

207