INFORME 5, 4 DE ABRIL DE 2018 1

Informe de Laboratorio No. 5: El SCR en DC y en

AC
Universidad Nacional de Colombia
Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Diego Fernando Eraso Rodriguez, Camilo Andres Fajardo Diaz

Abstract—The check of the operation and acti-
vation of a thyristor circuit is realized in both AC
and DC. The transistors are quite versatile, they
can be used as switches and amplifiers, however
they do not work in a device where you want to
activate a device and remain active in Therefore,
the following circuits are used for these cases.
Index Terms—Thyristor, SCR on AC and DC,
SCR 106.
controlado de silicio SCR, el triac GTO, y el tiristor
MCT o MOS. Estos resisten altas corrientes y altas
tensiones de bloqueo en aplicaciones de alta potencia,
pero las frecuencias de conmutación están limitadas a
valores entre 10 y 20 kHz. [1]
II-B. curva característica SCR

I. Introducción
Existen numerosas aplicaciones en diferentes ámbi-
tos de la electrónica, como iluminación, calefacción
eléctrica, control de velocidad, etc. En los cuales
controlar el flujo de algunas señales resulta de gran
importancia. Algunos de estos interruptores, se quie-
ren que sean de operación permanente, es decir que
se mantengan o bien sea abiertos o bien sea cerrados;
y por otra parte hay otros que se requieren para
cambiar de estado cada periodo de tiempo. Para
cualquiera de los casos anteriores es posible encontrar
esa funcionalidad específica utilizando un dispositivo
conocido como tiristor o SCR, estos son relativamente
baratos y de pequeño tamaño, pueden trabajar con
las especificaciones nominales de alta potencia, y su
Figura 1: (a) Rectificador controlado de silicio
consumo energético es pequeño.
(SCR). (b) Curva ideal i-v del SCR [1]
Hoy en día los SCR consiguen controlar corrientes
de centenares de amperes en configuraciones que ope-
ran a voltajes superiores a 1000 V y he aquí una de las
razones de porque los SCR son esenciales en el ámbito
del control industrial, por ello en el presente informe
se trabajaran varios circuitos para familiarizarse con
este dispositivo y así lograr comprender cuál es su fun-
cionamiento en diversas condiciones y principalmente
en qué momento es en el que comienza a trabajar en
una determinada topología.

II. marco teórico

II-A. Tiristores
Los tiristores son interruptores electrónicos uti-
lizados en circuitos electrónicos de potencia donde
es necesario controlar la activación del interruptor.
Constituyen una familia de dispositivos de tres ter-
minales, entre los que se encuentran; el rectificador
Figura 2: Curva no ideal i-v del SCR [1]
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II-C. Encendido, apagado y efecto térmico del SCR IV. simulaciones

Para que el SCR entre en conducción, hay que
IV-A. PARTE A
aplicar una corriente de puerta cuando la tensión
ánodo-cátodo sea positiva. Una vez que el dispositivo A continuación se realizan los ejercicios de simula-
haya entrado en conducción,la señal de puerta deja de cion para el caso DC:
ser necesaria para mantener la corriente de ánodo. El
SCR continuará conduciendo mientras la corriente de
ánodo siga siendo positiva y esté por encima de un
valor mínimo, denominado nivel de mantenimiento.
[1]

II-D. Modelo y/o subcircuito pspice - altíum del

SCR
El modelo en pspice corresponde a lo que se
describe en el siguiente código:
Figura 3: Circuito DC en LTSpice
* C106 SCR A G K MCE 7-17-95
*MCE 100V 4A pkg:TO-225AA Luego basandonos en este modelo se realiza la
.SUBCKT XC106A 1 2 3 verificacion de la salida en el SCR y el pulso que se
QP 6 4 1 POUT OFF genera de manera transicional para observar un punto
QN 4 6 5 NOUT OFF de arranque en la operacion.
RF 6 4 22.2MEG
RR 1 4 14.8MEG
RGK 6 5 1.12K
RG 2 6 46.2
RK 3 5 16.2M
DF 6 4 ZF
DR 1 4 ZR
DGK 6 5 ZGK
Figura 4: Señales del Circuito DC en LTSpice
.MODEL ZF D (IS=1.6F IBV=900N BV=100
RS=3.33MEG) Debido a que el modelo implementado presenta
.MODEL ZR D (IS=1.6F IBV=900N BV=133) el comportamiento esperado pero toma valores de
.MODEL ZGK D (IS=1.6F IBV=900N BV=6) activacion tan grandes(orden de mas de 30 voltios)
.MODEL POUT PNP (IS=1.6P BF=1 CJE=418P) se realiza en otro programa que permite colocar el
.MODEL NOUT NPN (IS=1.6P BF=100 RC=65M voltaje de disparo de 0,6 y también verificar el com-
+ CJE=418P CJC=83.7P TF=214N TR=68U) portamiento del diodo, luego se simula:
.ENDS XC106A

**Tomado de http://ltwiki.org/files/LTspiceIV/lib/sub/scr.sub

III. cálculos teóricos

III-A. PARTE A

Cálculo Rg
A partir de la corriente de compuerta(cerca de
15 uA) para encender el SCR se utilizaron distintos
valores de Rgate y se aplica:
V − Vgate
= Rgate (1) Figura 5: Circuito en Multisim
Igate

Se verifica su activación en el tiempo y valor apro-

V = Rgate ∗ Igate + Vgate (2) ximado:
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V. Resultados laboratorio

V-A. PARTE A

En esta seccion se consignan los resultados corres-

pondientes al montaje del SCR con señal DC
V-A1. Medición Vgate y obtención Igate : A
continuación se muestra la tabla donde se consignan
los datos del primer montaje.

Tabla I
voltaje encendido SCR
Resistencia Rgate alimentación(V) Vgate(v)
Figura 6: Activacion vista en el osciloscopio 1 K hom 0,64 0,338
100 K hom 4,5 3,5
100 hom 0,62 0,046

IV-B. PARTE B
Para la parte de AC se tiene el siguiente esquema
que se plantea en multisim debido al inconveniente
mencionado en la anterior seccion:
Los valores fueron medidos utilizando un multime-
tro FLUKE true rms 179
V-A2. Gráficas LAB : A continuación se mues-
tra la curva de disparo del tiristor en el instante en
que empieza a conducir.

Figura 7: Circuito Ac
Figura 9: curva disparo tiristor

En cual nos arroja la siguiente señal de voltaje en

el osciloscopio: Para obtener la anterior curva se utilizo la adqui-
sición single del osciloscopio para logra observar los
datos en la ventana de tiempo que se considero ade-
cuada, los datos capturados fueron procesados usando
MATLAB.

V-B. PARTE B

Para esta parte, se utilizó una bombilla de 120

Figura 8: Circuito Ac, señal de voltaje
Vrms/60w a 100w, en el lugar de la carga, cuya
potencia está controlada de cierta forma por un SCR
conectado en serie, el cual es activado por la corriente
que pasa a través de Rgate.
V-B1. Gráficas LAB : A continuación se mues-
tra la gráfica correspondiente al segundo montaje.
INFORME 5, 4 DE ABRIL DE 2018
Figura 10: Circuito Ac, señal de voltaje
V-B2. Mediciones: En este caso se varió el vol-
taje de alimentación del circuito de la compuerta,
hasta logra encender el SCR, los datos obtenidos se
consignan en la siguiente tabla.
Tabla II
voltaje encendido SCR
Resistencia Rgate alimentación(V) Vgate(v)
1 K hom 0,61 0,168
VI. Análisis
VI-A. PARTE A
VI-A1. IGT datasheet Vs obtenida en el
laboratorio: Comparando los valores obtenidos en
el laboratorio y la información proporcionada por el
datasheet para una temperatura de 25C, se encuentra
que los valores para la corriente de gate en la practica
fueron mas altos que los dados por el fabricante, sin
embargo la diferencia esta en la escala de µA
VI-A2. comportamiento encendido, y Com-
portamiento apagado: Una vez se apaga el sistema
en el componente gate sigue realizando conducción
el tiristor, para evitar la conducción es necesario
nuevamente re alimentar con cero el voltaje en la
configuración anodo-catodo.
Tambien es posible evidenciar que el primer impulso
para generar el flujo es mayor que el necesario para
mantenerlo a razon de tan solo unos 20 mV.
VI-B. PARTE B
VI-B1. Comportamiento en AC y Vak(on)
Vs Ig(on) : A partir de las mediciones del multíme-
tro, las gráficas y los datos tomados del osciloscopio,
se puede apreciar el instante en el cual el SCR entra en
fase de conducción, esto sucede , cuando se introduce
la señal de control Ig en la puerta con un nivel
suficiente para que el SCR cambie de modo de bloqueo
a modo de conducción, circulando una corriente IA
entre el ánodo y el cátodo del dispositivo, y es en este
punto donde el voltaje entre el ánodo-cátodo vak , es
positivo y va a alcanzar su valor máximo.
Comparando los valores obtenidos también se pudo
notar que existe una corriente de mantenimiento, que
es la que finalmente define cuando el SCR se apaga,
4
esto sucede cuando la medida de dicha corriente decae
por debajo de la corriente mínima de mantenimiento
del dispositivo.
En el caso de que el SCR este apagado, este se
encuentra bajo una tensión inversa cuyo valor máximo
no debe ser mayor a la tensión de rompimiento para
evitar el efecto avalancha.
Para finalizar se encontró que en cuanto al angulo
de disparo con Rgate = 1k, cuando el bombillo per-
manecía encendido, se presenta un angulo de retardo
de alrededor de 60 grados.
VI-B2. Efecto térmico, cuando Ig = 0, y se
aplica temperatura al SCR: Cuando se quita la
corriente de la compuerta, el bombillo permanece en-
cendido hasta que poco a poco la tensión de alimenta-
ción se reduce y la corriente del SCR repentinamente
cae a cero o dicho de otra forma la corriente es menor
al valor de la corriente de mantenimiento.
Al calentar el dispositivo, se produce una variación
brusca de tensión entre ánodo y cátodo Vak del tiristor
y por ello este puede dispararse y entrar en estado de
conducción aún sin haber una corriente de gate, es
por lo anterior que los tiristores cuentan con un valor
máximo de pico de tensión que permite conservar
bloqueado el SCR, el cual esta dado por el fabricante.
VII. conclusiones
Gracias a que los SCR pueden ser usados co-
mo interruptores electrónicos, estos se pueden
utilizar en aplicaciones del campo de control en
electrónica de potencia
Se necesita poca corriente a la entrada para
accionar la corriente del circuito la cual puede
ser de un valor bastante alto.
En cuento al encendido y apagado del tiristor, es-
te no se apaga con Igate = 0 y Pueden accionarse
por algún ruido de tensión, por esto mismo, su
rango de operación en relación a la temperatura
es bastante limitado.
Cuando un SCR se dispara, no es necesario man-
tener el flujo corriente de gate, ya que siempre y
cuando la corriente a través del ánodo y cátodo
este por encima de la corriente mínima de man-
tenimiento, el SCR permanecerá conduciendo y
funcionando como un diodo en modo conducción.
El docente siempre permaneció atento al desarro-
llo de la práctica brindando asesoría y ayudando
con la solución de las dudas que aparecían.
VIII. Anexo
En las siguientes paginas se anexa el datasheet del
tiristor C106.
Referencias
[1] D. W. Hart, Cap. 3 Rectificadores de Media onda, cap 4:
rectificadores de onda completa y trifasicos, Electrónica de
Potencia, 1a Edición,Pearson.
[2] Datasheet SCR C106, disponible online http:
//pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/motorola/C106.pdf




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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by C106/D

   

Reverse Blocking Triode Thyristors  
*Motorola preferred devices
. . . Glassivated PNPN devices designed for high volume consumer applications such
as temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning
systems where reliability of operation is important.
• Glassivated Surface for Reliability and Uniformity SCRs
• Power Rated at Economical Prices 4 AMPERES RMS
• Practical Level Triggering and Holding Characteristics 50 thru 600 VOLTS
• Flat, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal Resistance, High Heat
Dissipation and Durability

G
A K

CASE 77-08
G (TO-225AA)
A
K STYLE 2

MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted.)

Rating Symbol Value Unit
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage(1) VDRM Volts
(RGK = 1 kΩ) C106F or 50
(TC = –40° to 110°C) C106A VRRM 100
C106B 200
C106D 400
C106M 600
RMS Forward Current IT(RMS) 4 Amps
(All Conduction Angles)
Average Forward Current IT(AV) 2.55 Amps
(TA = 30°C)
Peak Non-repetitive Surge Current ITSM 20 Amps
(1/2 Cycle, 60 Hz, TJ = –40 to +110°C)
Circuit Fusing (t = 8.3 ms) I2t 1.65 A2s
Peak Gate Power PGM 0.5 Watt
Average Gate Power PG(AV) 0.1 Watt
Peak Forward Gate Current IGFM 0.2 Amp
1. VDRM and VRRM for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or negative gate voltage; however, (cont.)
positive gate voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a
constant current source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Thyristor Device Data 1

 Motorola, Inc. 1995
   

MAXIMUM RATINGS — continued

Rating Symbol Value Unit
Peak Reverse Gate Voltage VGRM 6 Volts
Operating Junction Temperature Range TJ –40 to +110 °C
Storage Temperature Range Tstg –40 to +150 °C
Mounting Torque(1) — 6 in. lb.
1. Torque rating applies with use of compression washer (B52200F006). Mounting torque in excess of 6 in. lb. does not appreciably lower
case-to-sink thermal resistance. Anode lead and heatsink contact pad are common.
For soldering purposes (either terminal connection or device mounting), soldering temperatures shall not exceed +200°C. For optimum
results, an activated flux (oxide removing) is recommended.

THERMAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C, RGK = 1 kΩ unless otherwise noted.)

Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 3 °C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 75 °C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
Peak Forward or Reverse Blocking Current IDRM, IRRM
(VAK = Rated VDRM or VRRM, RGK = 1000 Ohms) TJ = 25°C — — 10 µA
TJ = 110°C — — 100 µA
Forward “On” Voltage VTM — — 2.2 Volts
(IFM = 1 A Peak)
Gate Trigger Current (Continuous dc) IGT µA
(VAK = 6 Vdc, RL = 100 Ohms) — 30 200
(VAK = 6 Vdc, RL = 100 Ohms, TC = –40°C) — 75 500
Gate Trigger Voltage (Continuous dc) VGT Volts
(VAK = 6 Vdc, RL = 100 Ohms, RGK = 1000 Ohms) TJ = 25°C 0.4 — 0.8
(VAK = Rated VDRM, RL = 3000 Ohms, 0.5 — 1
RGK = 1000 Ohms, TJ = 110°C) TJ = –40°C 0.2 — —
Holding Current TJ = 25°C IHX 0.3 — 3 mA
(VD = 12 Vdc, RGK = 1000 Ohms) TJ = –40°C 0.4 — 6
TJ = +110°C 0.14 — 2
Forward Voltage Application Rate dv/dt — 8 — V/µs
(TJ = 110°C, RGK = 1000 Ohms, VD = Rated VDRM)
Turn-On Time tgt — 1.2 — µs
Turn-Off Time tq — 40 — µs

FIGURE 1 – AVERAGE CURRENT DERATING

P(AV), AVERAGE ON-STATE POWER DISSIPATION (WATTS)

FIGURE 2 – MAXIMUM ON-STATE POWER DISSIPATION

110 10
JUNCTION TEMPERATURE ≈ 110°C
100
TC, CASE TEMPERATURE ( °C)

90 8
DC HALF SINE WAVE
80
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
70 6 50 TO 400Hz.
60
DC
50 4
HALF SINE WAVE
40 RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD.
30 50 to 400 Hz 2
20
10 0
0 .4 .8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 0 .4 .8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.6 3.2 3.6 4.0
IT(AV) AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPERES) IT(AV) AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPERES)

2 Motorola Thyristor Device Data