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UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI

FACULTE DES SCIENCES

MS: Telecommunications System engineering

Conception d’un amplificateur a


faible bruit (LNA) avec ATF-34143

Encadrée par : Réalisée par :

Mr. Otman EL MRABET STITOU Fatima

EL HILAH Imane

AIT M’HAND Fatima

ANNEE UNIVERCITAIRE 2017-2019


Sommaire
I. Introduction : ..................................................................................................................... 3
1. Définition d’un amplificateur a faible bruit (LNA): ...................................................... 3
2. Cahier des charges : ....................................................................................................... 3
3. Déroulement : .............................................................................................................. 4
II. Simulation de l’amplificateur LNA : ................................................................................. 4
1. Détermination du point VGS :......................................................................................... 5
2. Polarisation : .................................................................................................................. 6
3. Etude de la stabilité : ..................................................................................................... 6
4. Adaptation de l’entée et la sortie : ................................................................................. 8
a) Adaptation de l’entrée : ............................................................................................. 9
b) Adaptation de la sortie :........................................................................................... 10
III. Conclusion : ..................................................................................................................... 14
I. Introduction :
Le but de ce projet est de concevoir un amplificateur à faible bruit (LNA)
fonctionnant dans une fréquence de 2.5 GHz, en utilisant le transistor à mobilité
électronique élevée (HEMT) de technologies Avago (ATF-34143). Pour améliorer
notre conception, une partit de notre projet s’intéresse à travailler avec une sensibilité
minimale au bruit et l’autre à obtenir un gain maximal réalisable par le transistor.

1. Définition d’un amplificateur a faible bruit (LNA):


Un amplificateur faible bruitLNA (Low Noise Amplifier) est un dispositif
électronique chargé de mettre en forme des signaux très faibles en provenance d'une
antenne. Il est souvent placé à proximité du capteur, de manière à minimiser les pertes
en ligne ; pour cette raison, il est parfois nommé préamplificateur.

Figure 1: L’amplificateur ATF-34143.

2. Cahier des charges :


L'approche adoptée pour concevoir l'amplificateur implique une série d'étapes
chronologiques. Aucune conception n'est complète sans certains objectifs souhaités.
Les spécifications de conception de l'amplificateur à faible bruit étaient les suivantes:

Fréquence d’opération 2.5 GHz


Transistor ATF-34143 (𝑉𝐺𝑆 = 4𝑉 , 𝐼𝐶 = 60 𝑚𝐴 )
Gain > 10 dB (le debit maximal du ATF-34143 est 16.3 dB )
Noise figure <1 ~2 (Fmin=0.33 dB)
Microstrip matching 𝜀𝑟 = 4.4 , 𝐻 = 1.6 𝑚𝑚 ;
S11 < -10 dB
3. Déroulement :
Le montage qu’on désire avoir a la fin de ce projet c’est le montage qu’on montre
dans le schéma suivant :

Figure 2: schéma final de LNA.

La première étape à faire c’est de Polariser l’amplificateur :

Figure 3: schéma de polarisation du transistor.

On va chercher le point DC-bias pour avoir le meilleur fonctionnement de


l’amplificateur ATF-43143

Donc il nous reste seulement la simulation de transistor pour faire la conception de cet
amplificateur a faible bruit en jouant sur la variation des valeur composant (L, C et R)
pour la polarisation et enfin l’adaptation en utilisant le logiciel ADS.

II. Simulation de l’amplificateur LNA :


Pour réaliser la polarisation nous allons chercher le point de fonctionnement en
suivant les étapes ci-dessous :
1. Détermination du point VGS :
On réalise le schéma sur ADS et on insère deux variable VGS et IDS, pour chaque
valeur de VGS on varie IDS, pour cela nous avons utilisé la simulation DC.

Figure 4: schéma de détermination de la tension VGS.

Apres la simulation on trouve pour notre points de fonctionnements (IDS= 60 mA et


VDS= 4V) le résultat suivant : VGS = -0.44 V.

Figure 5: les résultats de VGS.


2. Polarisation :

Figure 6: Circuit de polarisation.

On a fait une polarisation avec un circuit idéal il ne représente pas des pertes
on a seulement l’effet de l’amplificateur.

Figure 7: Résultats du paramètre S et le bruit.

On a trouvé les mêmes résultats des paramètres de la data sheet on effectuant la


simulation.

3. Etude de la stabilité :

Figure 8: Circuit LNA complet.


Apres la simulation on écrit les équations suivant :

Figure 9: Résultat de simulation.

On a trouvé le facteur de stabilité K<1 et aussi les cercles de stabilités ne sont


pas tangentiels a l’abaque de smith.

donc on constate que le transistor est conditionnement stable.

Figure 10: Les cercles de stabilité.

Déterminer la résistance de stabilisation série Rin de tel façon avoir le cercle qui
est tangent au cercle de stabilité d’entrée :

Afin de rendre le transistor inconditionnement stable, on a ajouté une résistance a


son entrée et on a fait la varier jusqu'à avoir les cercles de stabilité tangents à l’abaque
de Smith.
Figure 12: Les cercles de stabilité après tuning.
Figure 11: Tune paramètre .

D’où la valeur de la résistance pour que le transistor soit stable est de 6.5Ω.

Figure 13: Circuit de polarisation avec la résistance de stabilité .

4. Adaptation de l’entée et la sortie :


Pour assurer un bruit minimal avec un maximum de gain, il faut adapter l’entrée et
la sortie du circuit. On va adapter l’entrée par Sopt et la sortie par 𝛤2.
Figure 14: Sopt et 𝛤2.

On va associer l'amplificateur à l'aide de l'outil Smith Chart de ADS, car ils se


trouveront dans des lignes de transmission idéales, nous les convertirons en lignes
microruban à l'aide de l'outil LineCal.

a) Adaptation de l’entrée :
Pour faire une adaptation de l’entrée on va adapter Sopt. Dans le logiciel ADS on
effectue l’adaptation grâce à l’abaque de Smith puis on prend la valeur de chaque
élément par le quel on va adapter notre circuit.

Figure 15: figure de l’adaptation d’entrée.


b) Adaptation de la sortie :
Pour faire une adaptation de la sortie on va adapter 𝛤2.

On fait l’adaptation à l’aide de l’abaque de Smith :

Figure 16: figure de l’adaptation de la sortie.

a) Circuit d’adaptation
Finalement on met les lignes de transmission dans leur place et on utilise ‘Tune
Parameters’ pour adapter l’entrée et la sortie :

Figure 17: tuning.

Une fois le circuit d’adaptation soit fixe, on remarque que les deux paramètres
a adapté sont placer au centre de l’Abaque de Smith.

On arrive au circuit suivant :


Figure 18: Circuit après l’adaptation avec TLIN.

Apres la simulation on visualise les résultats suivants :

Figure 19: Sopt et 𝛤2 adapte.


Figure 20: Sopt et 𝛤2 en fonction de la frequence .

Les coefficients de réflexion 𝑆𝑜𝑝𝑡 et 𝛤2 sont bien adaptés pour obtenir le bruit
minimum à l'entrée et le gain maximum à la sortie de l'amplificateur.

Comme on peut le voir à la Figure21. La simulation de l'amplificateur à faible


bruit obtient un facteur de bruit de 0.9 puisque le réseau d'adaptation a été réalisé pour
obtenir le bruit minimal à l'entrée de l'amplificateur, ainsi que le facteur de bruit
spécifique " nf (2) ”fourni par ADS atteint ce niveau de bruit minimal.
Figure 21: le bruit a 2.5 GHz.

Nous pouvons voir que le coefficient de réflexion entré S11 n'est pas du tout adapté ;
ce comportement de S11 est habituel car on fait correspondre le coefficient optimal 𝑆𝑜𝑝𝑡
à l'entrée du transistor au lieu de S11.

Figure 21: Graphe des paramètres S.


Figure 22: Graphe de gain.
L e gain du transistor est donne par :

On constate que le gain du transistor est proche au gain maximal que peut le
transistor présent et aussi il est supérieur à 10dB.

Maintenant on va convertir les 4 TLIN lignes en MLIN car TLN est une ligne de
transmission idéal donc on ne peut pas avoir le ‘Layout’ de ce circuit.

En utilisant ‘LineCalc’ :
Figure 23: Transformer TLIN en MLIN.

Afin de passer au ‘Layout’, on remplace l’inductance par une ligne quart


d’onde puis en adapte le circuit par ‘Tune Parameters’.

Figure 27: Tuning après transformer TLIN en MLIN et L en ligne quart d’onde.

On arrive au circuit suivant :


Figure 28: Circuit final.

Layout :

La conception d’amplificateur avec un minimum de bruit et maximum de gain


nous a permet de passer au Layout. La simulation EM permet d’avoir des résultats
plus proche aux résultats expérimentaux.

Figure 29: Design du Layout du circuit.

La figure 29 correspond au Layout de LNA complet avec le circuit de


polarisation.

III. Conclusion :
En fin, on a arrivé à faire la conception de LNA avec un facteur de bruit de
0.9<1 et un Gain = 12.079dB > 10dB et qu’est proche du gain maximal du transistor.