Electrónica III Clase 3

UNIVERSIDAD SANTIAGO DE CALI
FACULTAD INGENIERIAS
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA
CIRCUITOS ELECTRONICOS III
Profesor: MSc. JAVIER A. MURILLO M.
IV. DIODOS Y TRANSISTORES DE POTENCIA

4.1. DIODOS DE POTENCIA
El funcionamiento básico de los diodos de
potencia es el mismo que el de los diodos de
señal, las diferencias que hay entre ellos son las
de construcción: tamaño, encapsulados, etc.
Las características eléctricas deseables en los

diodos de potencia son:
 Caída de tensión directa (uF) lo más pequeña posible.
 Tensiones inversas elevadas con unas corrientes de fugas muy pequeña.
En la tabla siguiente se comparan las características más importantes de los diodos

de potencia:
Tipos UF (V) IR TJ (ºC) UFRM (V) IF(AV) (A)

Mercurio 15 a 19 Baja 400 20.000 5.000
Selenio 1 Alta 150 50 50
Germanio 0,5 Baja 120 800 200
Muy
Silicio 1 200 3500 1.000
baja
Oxido de
0,6 Alta 70 30 10
cobre
Siendo:
· UF - Caída de tensión directa en el diodo cuando circula la intensidad nominal.
· IR - Intensidad de fugas cuando el diodo está polarizado inversamente.
· TJ - Temperatura máxima que soporta en la unión.
· URRM - Tensión inversa máxima que se le puede aplicar
· IF(AV) - Intensidad media máxima.
53
El silicio es el material utilizado normalmente reservándose el germanio en sistemas

que requieran una caída de tensión directa baja y que las tensiones inversas no sean
muy elevadas.
4.1.1. Diodos, fabricación y capsulas

Uno de los procesos más utilizado en la fabricación de diodos es el de difusión. Los
pasos de fabricación utilizando este método son los siguientes:
 Se fabrica un cilindro monocristalino de semiconductor tipo N (Ge o Si) de

uno o más centímetros de diámetro y varios centímetros de largo.
 Se cortan discos de 1 mm aproximadamente de grosor (depende del valor de
la tensión inversa).
 Se dopa por una de sus caras circulares con impurezas aceptadoras (tipo P),
hasta conseguir la penetración y concentración deseada.
Figura 1. 1
 Y por último se somete esta misma cara a un dopado tipo P muy intenso y de
poca penetración para reducir la resistencia eléctrica de la soldadura en el
ánodo.
54
En la figura 1.2 se muestra parte del proceso, y el nivel de las impurezas que hay en
el cilindro de silicio.
Para eliminar los problemas de las imperfecciones superficiales se somete éstas a un

proceso de biselado tal y como se ve en la figura 1.3, donde se ha representado junto
con el semiconductor las líneas equipotenciales de tensión que se producen gracias
al proceso de biselado.
Figura 1. 2
Mediante este proceso, se consiguen fundamentalmente: Reducir la corriente

superficial que se producía gracias a las imperfecciones superficiales y por otro lado
consigue un menor gradiente de potencial; esto hace que pueda soportar una tensión
inversa mayor, además de forzar el fenómeno de avalancha hacia el interior del
semiconductor aumentando el área donde se produce aumentando la capacidad para
absorber picos de energía inversa.
El encapsulado del diodo debe resolver tres problemas: El aislamiento de la pastilla

semiconductora de la atmósfera para evitar su deterioro químico, la conexión
eléctrica al circuito y la disipación de energía.
Figura 1. 3
55
La cápsula depende de la intensidad nominal del diodo. En la figura 1.4 se ha

dibujado el corte transversal del encapsulado correspondiente a un diodo de 700 A.
4.1.2. Diodos. Parámetros estáticos.

Los valores que nos dan los fabricantes son, normalmente, los siguientes:
Cuando el diodo está polarizado inversamente:

 URWM - Tensión continua de trabajo inversa máxima. Es la tensión que el
diodo puede soportar continuamente sin ningún tipo de problema.
 URRM - Tensión inversa de pico repetitiva. Es la tensión de pico transitoria
por ciclo que puede soportar el diodo sin destruirse (generalmente se da para
una duración máxima de 1 ms cada 10 ms).
 URSM - Tensión inversa de pico no repetitivo. Es el valor máximo que puede
soportar accidentalmente. Se debe de dar el valor junto con la duración
máxima del transitorio la cual normalmente es inferior a 10 ms.
 UR(BR) - Tensión de ruptura. Si se alcanza aunque sea durante un tiempo
pequeño, el diodo puede destruirse o degradarse.
 IR - Intensidad inversa de fuga. Es la intensidad que circula en sentido
inverso; ésta se mide para unos determinados valores de tensión y
temperatura.
Figura 1. 4
56
En la figura 1.5 se muestra estos valores para ello se ha dibujado la curva

característica inversa y un diagrama de la forma de onda de la tensión en un
rectificador, donde se indican los valores.
Cuando el diodo está polarizado directamente:

 IF(AV) - Intensidad media máxima. Es el valor máximo de la intensidad
media de una onda de red ideal durante un ciclo. Este valor debe de darse
junto con la temperatura de la cápsula. Si no se da el valor de la temperatura,
o este valor es sospechosamente bajo (la temperatura utilizada normalmente
es TC = 110 ºC), habrá que tomar con desconfianza dicho valor.
 IF(RMS) - Intensidad eficaz máxima. Este valor es importante cuando se
utilizan formas de onda con un factor de forma elevado.
 IFRM - Intensidad de pico repetitivo. Depende del factor de forma,
generalmente se da para un pico de 1 ms cada 20 ms y a una temperatura
determinada.
 IFSM - Intensidad de pico no repetitivo. El
valor máximo de pico que se le puede
aplicar, normalmente está dado para la
duración de un semiciclo de red t = 10
ms (en América como la frecuencia es de
60 Hz, el tiempo de un semiciclo es de
8,3 ms y por tanto el valor de esta
intensidad ha de multiplicarse por 0,83
para compararse con valores de
fabricantes europeos).
 UF - Tensión directa.
Figura 1. 5
57
En la figura 1.6 se muestra la curva característica directa de un diodo real y un

diagrama de la forma de onda de la intensidad en un rectificador, indicando algunos
valores.
La potencia que se disipa en el diodo en sentido inverso es muy pequeña y
en sentido directo se calcula mediante la fórmula:
Donde iF y uF son la intensidad y la tensión instantáneas en el diodo.
Figura 1. 6
El circuito equivalente de un diodo polarizado directamente (figura 1.7a) se puede

representar por una pila con un potencial igual al potencial de la unión (U0) (figura
1.7b), y una resistencia (r) igual a la pendiente promedio de la característica i F - uF.
Por tanto:
Si en la ecuación anterior se sustituye el valor uF por su valor equivalente, se

obtendrá la formula siguiente:
58
Donde, como ya se ha dicho, IF(AV) es el valor de la intensidad media e IF(RMS) es la

intensidad eficaz.
Para facilitar el diseño, los fabricantes proporcionan las curvas de la potencia

disipada para intensidades pulsantes en función del ángulo de conducción.
4.1.3. Diodos. Parámetros dinámicos.
Los sistemas electrónicos de potencia van evolucionando hacia una velocidad de

conmutación cada vez mayor, ya que con ello se consigue mejorar el rendimiento
del sistema, además de reducir el volumen y el peso del mismo. Teniendo en cuenta
esto, cada vez es más necesario construir diodos más rápidos.
La velocidad de un diodo viene limitada por dos fenómenos: Recuperación inversa

y recuperación directa.
4.1.3.1. Diodos. Recuperación inversa.
En los diodos, el paso del estado de conducción al

estado de bloqueo no es instantáneo, ya que al
invertirse la tensión todos los portadores mayoritarios
que están en la unión en ese instante y que son
proporcionales a la intensidad directa que circulaba y
a su derivada, cambian su sentido de movimiento
dando origen a una intensidad inversa. A este
fenómeno es al que se denomina recuperación
inversa. Figura 1.8
59
En la figura 1.8 se representa la intensidad de recuperación en función del tiempo,

donde trr es el tiempo de recuperación inversa y transcurre desde el momento en el
que la intensidad inversa aparece, hasta que el valor de esta se reduzca a una
cantidad fija (generalmente es el 10% del valor máximo IRRM). El tiempo de
recuperación en los diodos normales es del orden de 10 s y en los diodos rápidos
de 0,5 a 2 s.
A la intensidad de pico inversa IRRM, se le llama intensidad de recuperación y la

carga eléctrica desplazada qr carga de recuperación.
Los picos de intensidad inversa producen unos picos de potencia en el diodo, si la

frecuencia de conmutación es elevada estos pueden calentar excesivamente el diodo
pudiendo llegar a destruirlo. Por otra parte esta intensidad resta eficacia a muchas
operaciones de los circuitos electrónicos.
Figura 1. 7
En la figura 1.9 se muestra la influencia de este fenómeno en un rectificador de

media onda para dos situaciones: rectificación a 50Hz, prácticamente no influye, y
60
rectificación a 50 kHz, donde la influencia es muy grande. En estas figuras, la

recuperación directa no se ha tenido en cuenta por ser poco importante.
4.1.3.2. Diodos. Recuperación directa.
Figura 1. 8
Si al conmutar de conducción a corte la zona de carga espacial estaba llena de

portadores mayoritarios, al hacerlo de corte a conducción ocurre lo contrario, por lo
que aquí transcurrirá un tiempo hasta que esta zona se llene de portadores
mayoritarios y comience la circulación de intensidad. El tiempo que transcurre
desde que se le aplica al diodo una tensión directa, hasta que la tensión entre el
ánodo y el cátodo del mismo alcanza el valor de la tensión de saturación se
denomina tiempo de recuperación directa trd.
Este tiempo es bastante más pequeño que el tiempo de recuperación inversa y este
fenómeno no suele producir pérdidas de potencia ni otros trastornos que sean
significativos. En la figura 1.10 se representan las gráficas tensión-tiempo e
intensidad-tiempo de este efecto.
61
4.2. TRANSISTORES DE POTENCIA

Básicamente las características de los
transistores de potencia dependen del tipo de
semiconductor empleado, del diseño
constructivo y del proceso de fabricación. Al
igual que en los diodos, se utiliza el germanio
(para bajas tensión) y el silicio.
Los diferentes tipos de transistores de potencia que se encuentran en el mercado

están continuamente aumentando, ya sea con la aparición de nuevos modelos o
mejorando las características de los existentes. En la tabla siguiente se ven las
características más importantes de los diferentes tipos de transistores que se
estudiaran en este capítulo.
Transistores de unión
Tipos MOS IGBT
Ge Si Darlington
Imáx. (A) 30 200 500 300 300
Umáx. (V) 100 2.000 2.500 1.000 1.000
Pmáx. (W) 150 2.000 1.000 500 500
Usat (V) 0,4 1 2,5 0,5 a 5 3
IFugas media baja baja Muy baja baja
TJ (ºC) 100 200 200 150 200
Tcorte (s) 20 0,5 a 10 5 a 20 0,1 1a3
Iexcitación alta alta baja Muy baja Muy baja
Donde:
 Imáx. - Es la intensidad máxima que circula por la zona de potencia en el
transistor (ICM en los transistores de unión e IDM en los MOS).
 Umáx - Es la tensión máxima que soporta el transistor entre sus extremos de
potencia (colector-emisor o fuente-surtidor).
62
 Pmáx - Es la potencia máxima que pueden disipar.

 Usat - Es la tensión típica de saturación del transistor.
 IFugas - Es la intensidad de fugas en corte.
 TJ - Es la temperatura máxima en el semiconductor.
 tcorte - Es el tiempo típico que tarda un transistor en pasar de la saturación al
corte.
 Iexcitación - Es la intensidad que hay que aplicar a la base o puerta del
transistor para llevar al transistor a la saturación.
4.2.1. Transistores de unión. Características estáticas.

Los valores más importantes que han de considerarse en los transistores de unión
son:
 ICM - Intensidad máxima de colector.

 UCEO - Tensión de ruptura colector-emisor con la base abierta.
 Pmáx - Potencia máxima que disipa en régimen continuo.
 UCEsat - Tensión de saturación entre el colector y el emisor.
 hFE - Ganancia de intensidad en corriente continua.
Parte de las características anteriores son importantes debido al hecho de que los
transistores, como los otros dispositivos de electrónica de potencia, trabajan casi
exclusivamente en corte y saturación. Si además trabajan a alta frecuencia, también
hay que tener en cuenta los tiempos de saturación y de corte.
Las características del transistor de potencia en la zona activa son iguales que la de
los transistores de señal, por lo que no se estudiarán al haber sido ya estudiadas en
capítulos anteriores.
63
Los semiconductores de potencia en conmutación interesa que se comporten como

un interruptor ideal entre el emisor y el colector; esto implica que cuando este
polarizado en corte la intensidad de fugas ha de ser muy pequeña.
Los transistores de unión están en corte cuando la intensidad de base es cero (IB =
0) siendo la intensidad de fugas muy pequeña. Dicha intensidad va creciendo
conforme aumenta la tensión entre el colector y el emisor (UCE).
Se puede mejorar el comportamiento del transistor en corte cortocircuitando la base

y el emisor con lo que se consigue que la intensidad de fugas disminuya; la
intensidad de fugas disminuye más todavía aplicando una tensión negativa de unos
voltios a la base; esto hace, además, crecer el valor de la tensión de avalancha.
En saturación lo que interesa es que la caída de

tensión sea cero; para ello se le aplica una
intensidad de base proporcional a la del colector.
Como la ganancia de estos transistores es muy
baja la intensidad de base puede llegar a ser del
orden del 50% de la intensidad de colector.
Figura 1. 9
La potencia máxima que nos da el fabricante, normalmente, es para una temperatura

en la cápsula de 25 ºC; como ésta no es la temperatura a la que normalmente
funcionan, habrá que utilizar la gráfica potencia - temperatura (figura 1.11) que da
el fabricante. Con ella se puede calcular la potencia máxima para cualquier
temperatura.
4.2.2. Transistores de unión. Características dinámicas.

Las causas principales del retraso en la respuesta del circuito colector - emisor
respecto a las señales de control en la base son debidas a las capacidades parásitas
64
asociadas a las uniones base - emisor y base - colector, así como al tiempo necesario
para la difusión de los portadores en la base.
Para el estudio del funcionamiento dinámico de los transistores, se va a utilizar el

circuito de la figura 1.12. En este circuito, si se analiza, la tensión que se aplica a la
base es:
 Con el interruptor abierto la base está polarizada por medio de las

resistencias R1 y R2 a -10 V.
 En el caso de que el interruptor esté cerrado, la tensión aplicada a la base es
de +10 V, la cual le llega a través de R2, siendo el valor de la intensidad de
base:
En la figura 1.13 se han dibujado las formas de tensión e intensidad que se producen
en el circuito de la figura 1.12 al aplicarle, por medio del interruptor, una señal
cuadrada en la base. Como se puede observar al aplicarle una tensión positiva en la
base (cerrar el interruptor) la tensión en la base (uBE) aumenta de forma similar a la
que se produce en la carga de un condensador; esto es debido a la influencia de las
capacidades parásitas del transistor (CCB y CBE). Hasta que en la base no hay una
tensión de 0,7 V (0,3 V en el germanio), el
transistor está en corte (IB  0). Cuando se llega
a este nivel de tensión es cuando la intensidad de
base vale los 0,93 A, y es a partir de ese instante
cuando la intensidad de colector crece
rápidamente, al igual que la tensión colector
emisor baja hasta el valor de saturación.
Figura 1. 10
65
Figura 1. 11
En esta secuencia se definen dos tiempos diferentes:

 tr - tiempo de retardo. Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se
aplica tensión positiva al circuito de polarización de la base y el instante en
el que la intensidad de colector alcanza el 10% de su valor de saturación.
 ts - tiempo de subida. Es el tiempo que transcurre desde que la intensidad de
colector llega al 10%, hasta que alcanza el 90% del valor de la intensidad de
saturación.
La suma de ambos tiempos se define como el tiempo de excitación te.
66
Al abrir el interruptor (ir de saturación a corte) la intensidad de base se anula

inmediatamente, pero no sucede igual con la intensidad de colector; esto es debido a
los portadores que hay en la base. Cuando la base se vacía de portadores, es cuando
la intensidad de colector empieza a decrecer durando un cierto tiempo.
En este proceso se pueden definir los siguientes intervalos de tiempos:
 tal - tiempo de almacenamiento. Es el tiempo que transcurre desde la

despolarización (IB = 0) hasta el instante en el que la intensidad de colector
baje al 90% de su valor de saturación.
 tc - tiempo de caída. Es el tiempo que va desde que la intensidad de colector
vale el 90% hasta que alcanza el 10% del valor que tenía en la saturación.
A la suma de ambos tiempos se le denomina tiempo de apagado ta.
El cálculo de estos tiempos es difícil, e, indiscutiblemente, se hacen menores

reduciendo las capacidades parásitas y los tiempos de difusión de los portadores.
4.2.3. Transistores de unión. Circuitos de protección.

Cuando se utilizan los transistores con cargas inductivas, muy típico en potencia, en
las conmutaciones de los transistores se producen unos picos de tensión elevados
debido a la energía que acumulan las bobinas. Para evitar estos picos y sus
consecuencias (sobredimensionar el transistor excesivamente), se recurre a circuitos
que anulen estos picos.
En la figura 1.14 se han dibujado tres circuitos de protección muy utilizados.
Los dos circuitos primeros protegen al transistor contra el efecto de la bobina

permitiendo descargar la energía acumulada en la bobina a través del diodo (paso
del transistor de saturación a corte).
67
En el primer circuito la descarga se produce a través del diodo zener al superarse,

por la sobretensión creada por la bobina, su valor de tensión zener. Este diodo ha de
tener un valor de tensión zener superior al valor de tensión de la fuente de
alimentación.
En el segundo circuito la bobina se descarga directamente a través del diodo, ya que

cuando la intensidad que pasa por la bobina se corta, esta se descarga haciendo de
generador y por tanto la polarización del diodo se hace directa en este tiempo. A
este diodo se le denomina diodo volante o diodo de libre circulación. Es el método
más utilizado para proteger a los componentes de las sobretensiones que producen
las bobinas al descargarse.
Figura 1. 12
El tercer caso proporciona una protección más eficaz ya que la tensión en el

transistor no se eleva como en los casos anteriores, pudiendo provocar el efecto de
avalancha.
Su funcionamiento se produce en dos fases: cuando el transistor pasa a corte, la

energía de la bobina se acumula en el condensador mediante la intensidad que
circula entre ambos a través del diodo. Y la energía del condensador se descarga a
través de la resistencia y el transistor cuando este está en saturación.
68
Para el cálculo correcto de este circuito se debe de tener en cuenta dos parámetros:
El primero es que la energía de la bobina ha de transferirse al condensador y por lo
tanto se debe de cumplir la ecuación siguiente:
Donde IC es la intensidad que circula por la carga en el instante en que se produce el

paso de saturación a corte en el transistor y UC es la tensión del condensador cuando
se ha descargado la bobina.
La otra circunstancia que ha de tenerse en cuenta, es que hay que dimensionar la

resistencia de descarga (R1) para que el condensador se descargue completamente.
El cálculo se puede hacer mediante la siguiente ecuación:
Donde Tmín es el tiempo mínimo en el que el transistor esta saturado.
4.2.4. Transistores MOS. Características estáticas.

El funcionamiento de los MOS de potencia es igual que el de los MOS de
enriquecimiento ya vistos, por lo que aquí sólo cabe mencionar que el acoplamiento
en paralelo no necesita ninguna resistencia ecualizadora y que la propia estructura
del MOS genera un diodo en antiparalelo que si bien al principio no se tenía en
cuenta por sus malas características en conmutación, se ha ido mejorando hasta el
punto de que hoy si se puede tener en cuenta de cara a la protección de los
transistores MOS.
69
Figura 1. 13
En la figura 1.15 se ha dibujado los símbolos de los MOS de potencia, MOS tipo N
y MOS tipo P.
4.2.5. Transistores MOS. Características dinámicas.
Figura 1. 14
Los MOS son más rápidos que los transistores bipolares por estar exentos del
fenómeno de difusión de portadores minoritarios. Aquí, la capacidad parásita entre
la puerta y el surtidor es la responsable principal de los retrasos en este componente.
En la figura 1.16 se ha dibujado el circuito eléctrico que se va a usar para medir los
tiempos en un MOS y en la figura 1.17 se representan gráficamente las formas de
ondas que resultan.
Como se puede observar la respuesta de la puerta realiza una forma de onda similar
a la carga y descarga de un condensador (CGS).
Los tiempos que se producen en el proceso de saturación son:
70
 tr - tiempo de retardo. Se define como el tiempo que tarda desde que se

aplica señal en la entrada, hasta que la intensidad de drenador alcanza el
10% de su valor final. Es el más corto y depende del valor de la tensión (E1)
que se aplique a la entrada del circuito de forma que si se aumenta la tensión,
el tiempo disminuye.
 ts - tiempo de subida. Se define como el tiempo que tarda la intensidad de
drenador en pasar del 10 al 90% de su valor final. Su valor disminuye
cuando se aumenta la tensión de excitación (E1) o/y se disminuye la
resistencia de puerta (R1).
Figura 1. 15
A la suma de estos tiempos se le denomina tiempo de excitación te.
Los tiempos que se producen en el proceso de corte son:
 td - tiempo de descarga. Se define como el tiempo que transcurre desde que

se anula la tensión de entrada (UAS=0) hasta que la intensidad de drenador
71
baja al 90% de su valor final. Es el intervalo de tiempo más largo y aumenta

con la tensión de excitación (E1) y la resistencia de polarización (R1).
 tc - tiempo de caída. Se define como el tiempo que tarda la intensidad de
drenador en pasar del 90 al 10 % de su valor final.
A la suma de estos tiempos se le denomina tiempo de apagado ta.
4.2.6. IGBT. Características estáticas.
Figura 1. 16
Estos componentes, de aparición reciente, tienen unas buenas características lo cual

está haciendo que su implantación sea muy buena. En la figura 18 se ha
representado uno de los símbolos que se utilizan con sus circuitos equivalentes.
Como se puede observar es un Darlington formado por un MOS como elemento de
control y un transistor bipolar como elemento de potencia. Otro símbolo muy
utilizado para representarlo es el mismo que el del transistor de unión.
El nombre de los terminales se le ha dado por su funcionamiento: El control se hace

por tensión (intensidad de puerta muy baja) como en un MOS, de ahí el nombre de
72
puerta y el emisor y colector es debido a que en la parte de potencia se comporta

como un transistor de unión.
Figura 1. 17
En la figura 1.19, se ha dibujado el circuito eléctrico que se va a utilizar para

estudiar el comportamiento del IGBT.
Si en la puerta se aplica una tensión cero (figura 1.20.a), el IGBT se comporta de la

forma siguiente: La puerta esta aislada y lo único que posee es la capacidad parásita
del MOS de control que será pequeña ya que éste es pequeño. Por otra parte, en el
transistor bipolar hay una intensidad de fugas pequeña (5 mA) y una tensión entre
emisor y colector prácticamente igual que la tensión de alimentación.
Si en la puerta se aplica una tensión de 10 V (figura 1.20.b), el IGBT tendrá las

características siguientes: La puerta, al estar aislada, lo único que realizará será
cargar la capacidad parásita del MOS. En cuanto a los terminales de potencia se
comportarán como una batería
con la tensión de la barrera de
potencial (U0=1 V) y una
resistencia equivalente a la
pendiente de la gráfica uCE-iC.
Fig 1.20
73
Figura 1. 18
La caída de tensión directa (en conducción), se puede disminuir mediante dos

opciones:
 Reduciendo la resistencia de conducción, lo cual se puede hacer

incrementando el tamaño o/y la densidad de las celdas.
 Incrementando la ganancia del transistor PNP.
En la figura 1.21, se han dibujado las curvas características iC-uCE para diferentes
tensiones de puerta.
Los parámetros más importantes de estos componentes son:
 BVCES - Tensión de ruptura directa. Se da para una temperatura e intensidad

determinada.
 VCE(on) - Caída de tensión en conducción. Se da para una temperatura,
intensidad y tensión de puerta determinada.
 VGE(th) - Tensión en la puerta mínima para que el IGBT empiece a conducir.
Se da para una temperatura, ya que ésta hace que el valor varíe.
 ICM - intensidad máxima de colector, se da para una determinada
temperatura.
Figura 1. 19
74
4.2.7. IGBT. Características dinámicas.

La mayor limitación en el paso a corte, es el tiempo de vida de los portadores
minoritarios en la base del transistor PNP, la cual no es accesible.
En la figura 1.22 se ha dibujado la forma de onda de la tensión y la intensidad de

colector de un IGBT al que se le aplica la tensión de puerta uG.
Figura 1. 20
En la conmutación se definen cuatro tiempos:
 td(on) - tiempo de retardo en el paso de bloqueo a conducción. Se define como

el tiempo que tarda desde que la tensión en la puerta llega al 10%, hasta que
la intensidad de colector llega al 10% de sus valores finales.
 tr - tiempo de subida. Es el tiempo que tarda desde que la intensidad de
colector pasa del 10 al 90% de su valor final.
 td(off) - tiempo de retardo en el paso de conducción a bloqueo. Es el tiempo
que transcurre desde que la señal en la puerta baja al 90% hasta que la
intensidad de colector baja al 90 % de sus valores iniciales.
 tf - tiempo de bajada. Es el tiempo que tarda desde que la intensidad de
colector pasa del 90 al 10% de su valor inicial.
75
4.3. Tiristores.
Son componentes electrónicos de cuatro capas
con dos, tres o cuatro terminales. Contrario a lo
que ocurre con los transistores, los tiristores no
pueden trabajar como amplificador lineal, sino
que solo pueden conducir o no conducir.
El más representativo de todos es el SCR (Silicon Controlled Rectifier), hasta el

punto que se le llama también tiristor. Es el que se va a utilizar para estudiar las
características más representativas de esta familia.
4.3.1 SCR.
En la figura 1.23 se ha dibujado la distribución de portadores, la estructura y el

símbolo eléctrico del SCR.
Figura 1. 21
76
A las cuatro capas que forman el tiristor se les denomina:
 P1 - Capa anódica, ya que es la capa del ánodo. Tiene un espesor intermedio

y esta muy dopada.
 N1 - Capa de bloqueo, es la más grande de todas y su concentración de
impurezas es baja. Forma dos uniones: junto con P1 la unión de cátodo y
junto a P2 la unión de control.
 P2 - Capa de control, es delgada para que facilite la llegada a N1 de los
electrones que emita N2. Junto a N2 forma la unión de cátodo.
 N2 - Capa catódica, está muy dopada para facilitar la emisión de electrones
hacia la unión de control y mejorar el contacto eléctrico de la soldadura de
cátodo.
Al SCR se le puede polarizar de dos formas: polarización directa y polarización

inversa.
4.3.1.1 SCR. Polarización inversa.

El SCR en polarización inversa, figura 1.24, posee dos uniones polarizadas
inversamente: unión de ánodo y unión de cátodo. Realmente es la unión de ánodo la
que soporta casi toda la tensión, ya que la unión de cátodo al ser tan fina y tener un
nivel de portadores elevados, su resistencia equivalente es baja. En este estado, el
SCR deja pasar una intensidad de fugas pequeña y soporta prácticamente toda la
tensión de la fuente. Si se aumenta la tensión de polarización llega un momento en
el que se produce la ruptura.
Figura 1. 22
77
Aquí los parámetros más importantes son:
 IR - Intensidad de fugas inversa.

 UWM - Tensión inversa de trabajo.
 URRM - Tensión inversa de pico repetitivo.
 URSM - Tensión inversa de pico no repetitivo.
 UR(BO) - Tensión inversa de ruptura.
4.3.1.2 SCR. Polarización directa.

En polarización directa, figura 1.25, el SCR puede estar en dos situaciones:
Bloqueado o conduciendo.
Figura 1. 23
Si la puerta está polarizada a través de una resistencia con el cátodo o no polarizada,

al aplicar una tensión directa al SCR, éste se mantiene bloqueado, ya que la unión
de control está polarizada inversamente y por tanto sólo circula la intensidad de
fugas.
Si se consigue que a través del SCR circule, en cualquier zona de la unión de

control, una densidad de corriente adecuada, éste pasará a estar en modo de
conducción.
A un SCR que se encuentre en polarización directa bloqueado y que por un método

cualquiera se le fuerce al estado de conducción se dice que se ha cebado.
78
Los valores más importantes en estos estados son:
A - En bloqueo:
 D - Intensidad de fugas en polarización directa.
 UDW - Tensión directa de trabajo.
 UDRM - Tensión directa máxima de pico repetitivo.
 UDSM - Tensión directa máxima de pico no repetitivo.
 UD(BO) - Tensión directa de ruptura.
B - En conducción:
 UF - Caída de tensión en conducción.
 IFRM - Intensidad máxima de pico repetitivo.
 IFSM - Intensidad máxima de pico no repetitivo.
 IF(RMS) - Intensidad eficaz.
 IF(AV) - Intensidad media.
 IL - Intensidad de enganche.
 IH - Intensidad de mantenimiento.
4.3.1.3 SCR. Métodos de cebado y bloqueo.

Para cebar un SCR se tiene que aumentar, por encima de un valor determinado, la
densidad de corriente en algún punto de la unión de control de la pastilla
semiconductora, de forma que se produzca el efecto regenerativo que caracteriza
este fenómeno.
Existen cuatro formas de hacer que un SCR pase de bloqueo directo a conducción:
1 - Aumentando la tensión a un valor superior a la tensión de ruptura. Conforme se
acerca a la tensión de ruptura, los portadores minoritarios que atraviesan la
unión de control lo hacen con una energía capaz de crear, por medio de
choques, nuevos pares de portadores electrón - hueco en esta unión. Los
portadores generados, antes de dejar la unión de control, a su vez generan,
79
mediante choques, otros pares de portadores y así sucesivamente. Esto produce

una reacción en cadena que hace que la zona de carga espacial de la unión de
control desaparezca y la tensión entre extremos del tiristor pasa a tener 2 V,
considerando que el tiristor se ha cebado cuanto la intensidad que le atraviesa
supere el valor de la intensidad de enganche IL.
2 - Temperatura. La temperatura aumenta la energía de los portadores minoritarios

que atraviesan la unión de control pudiendo dar lugar al mismo fenómeno que
el descrito en el primer caso. En la figura 1.26 se ha dibuja de modo gráfico la
forma en que se produce el cebado en estas dos primeras formas, donde las
cargas se han representado mediante signos con circulo y el campo eléctrico
signos sin circulo. Las cargas que tienen el circulo continuo son los electrones
de la corriente de fuga inicial y las que tienen el circulo discontinuo son los
pares electrón-hueco generados por los choques.
Figura 1. 24
3 - Por derivada de tensión (dv/dt). Al aplicar una tensión, a través de la unión de

control circula una intensidad debido a una capacidad de transición asociada a
ella (figura 1.27). La intensidad que circula por un condensador viene dada por
la formula:
80
Como la capacidad del condensador de transición en la unión es constante, el

valor de la intensidad a través de ella es proporcional a la derivada de la tensión
y por tanto si la derivada de tensión crece por encima de un valor determinado,
la intensidad crecerá lo suficiente como para llevar la unión a la zona de
avalancha.
Figura 1. 25
Para mejorar la respuesta a este fenómeno, se coloca una resistencia entre el

cátodo y la puerta. El valor de esta resistencia esta comprendida entre 22 y 470
(para tiristores normales) y entre 500 a 10000 (para tiristores de puerta
sensible).
4 - Por medio de un impulso de puerta. Es la forma usual de control de los tiristores

ya que las otras formas, prácticamente no se utilizan, pero no por ello dejan de
existir. Al aplicar una tensión a la puerta respecto del cátodo (uGK) se produce
una corriente de huecos y electrones saturándose de electrones la zona de
control (figura 1.28); los que se encuentran cerca de la unión de control la
atraviesan haciendo que la intensidad por la unión de control aumente cebando
el tiristor. La línea con flecha y trazo continuo representa la corriente de
electrones y la de trazo discontinuo la de huecos.
81
Figura 1. 26
Normalmente, el cebado no se produce por un método solo, sino que es una suma de
varios de ellos.
Para que se produzca el cebado de un tiristor, además de aplicar el impulso en la

puerta o cualquier otro de los sistemas de cebado, se debe de producir que la
intensidad que lo atraviesa ha de alcanzar un valor superior a la intensidad de
enganche IL, ya que en el caso contrario, el tiristor, cuando se anule el impulso de
puerta, pasará a bloqueo nuevamente.
El tiristor, cuando se ceba, permanece cebado hasta que la intensidad de ánodo

tenga un valor menor que el de la intensidad de mantenimiento IH. Esto se puede
producir de dos formas: De forma natural debido a que la tensión entre el ánodo y el
cátodo del tiristor desciende y por tanto lo hace la intensidad (sistemas de corriente
alterna). O bien forzando de alguna forma el que la intensidad descienda.
Figura 1. 27
82
En la figura 1.29 se ha dibujado un sistema para forzar el bloqueo del tiristor. El

funcionamiento del circuito es el siguiente:
Cuando están bloqueados ambos tiristores no ocurre nada.
Al cebar el tiristor principal (SCR1), el condensador se cargará a través de la

resistencia R1 y del tiristor SCR1 (IC1).
Al cebar el tiristor secundario SCR2, el condensador se descarga por la malla de la

corriente IC2. Esta intensidad hará que la intensidad que circula por el tiristor SCR1
disminuya de forma que se bloqueará si la intensidad resultante a través de este es
inferior a la intensidad de mantenimiento (IH). Una vez bloqueado SCR1, el
condensador se cargará en sentido inverso a través de la resistencia RL y SCR2.
Y finalmente, al volver a cebar el SCR principal (SCR1), el condensador se

descargará en sentido contrario a la intensidad IC2 bloqueando el tiristor secundario
SCR2. A partir de aquí el condensador volverá a cargarse nuevamente a través de la
resistencia R1 y del tiristor SCR1 (IC1), quedando preparado para repetir el proceso.
4.3.1.4. SCR. Características de la puerta.

Entre la puerta y el cátodo de un tiristor hay un circuito eléctrico equivalentes a un
diodo zener y dos resistencias tal y como se ve en la figura 1.30.
Figura 1. 28
83
La dispersión de la curva característica (uGC-iG) entre los diferentes componentes de

un mismo tipo de tiristores hace que el fabricante tenga que dar como característica
de puerta las curvas límites de los diferentes componentes.
Figura 1. 29
En la figura 1.31 se ha dibujado la curva característica de una familia de tiristores, la

cual se usará para el estudio de ésta.
El proceso de cebado de los tiristores por la puerta tiene tres límites que no se
pueden sobrepasar: UFGM, IFGM y PGM los cuales son los valores máximos de
tensión, intensidad y potencia, respectivamente, que se puede aplicar a la puerta sin
que se destruya.
Dentro de la curva característica se distinguen tres zonas:
Región marcada en negro. Cualquier valor de tensión e intensidad de puerta de esta

zona, no cebará nunca ningún tiristor de ese tipo. Está delimitada por los valores de
UGD e IGD que son los valores máximos de tensión e intensidad que no cebaran
nunca a ningún tiristor; el valor de estos depende de la temperatura que posea el
tiristor.
84
Región rayada. Los valores de tensión e intensidad en la puerta dentro de esta zona
pueden cebar a los tiristores de ese tipo; el que se cebe o no, depende de la
temperatura que posea el tiristor en cada momento. Esta región está delimitada por
los valores de UGT e IGT que son los valores mínimos de tensión e intensidad a partir
de los cuales siempre se cebaran todos los tiristores de ese tipo. El valor de U GT e
IGT varían con la temperatura.
Región comprendida entre los valores UGT, IGT y los límites de tensión, intensidad y
potencia es la zona de cebado seguro, de tal forma que un impulso que pase por esta
zona cebará cualquiera de los tiristores de ese tipo. El circuito de cebado no deberá
de cortar ninguno de estos límites, ya que si lo hace destruirá el tiristor.
Para saber si un circuito cebaría o no un tiristor, se traza la recta de carga del

circuito de disparo. Suponiendo un ejemplo en el que se dispare un tiristor mediante
una fuente de alimentación de 8 V con una resistencia en serie de 8 , se obtendría
la recta de carga de la línea de trazos dibujada en la figura 1.3, la cual se ha
calculado de la forma siguiente:
Primero se calcula el valor de la tensión del circuito cuando la intensidad que

circule por él sea cero. Si la intensidad es cero, la tensión que habrá en la puerta será
de 8V.
Segundo, se calcula la intensidad máxima que habrá en el circuito y que se produce

cuando la resistencia entre la puerta y cátodo sea cero. En este caso la intensidad
será 1 A, ya que el valor de la resistencia del circuito es el valor de la resistencia que
hay en serie con la fuente de alimentación, que es 8 y, por último, se traza una
línea recta que una ambos puntos.
85
Como se puede observar, este circuito sería adecuado para cebar este tipo de tiristor,
ya que pasa por la zona de cebado seguro y no sobrepasa ninguno de los límites.
La utilización de un impulso de puerta con una pendiente de subida alta (tiempo de

subida <1 s) y de gran amplitud (intensidad de puerta >5 IGT), consigue que el
proceso de cebado se produzca inicialmente en una zona de mayor tamaño alrededor
de la puerta y por tanto se consigue que el tiristor pueda soportar una mayor
derivada de intensidad (di/dt) y garantiza el reparto dinámico de las tensiones e
intensidades durante el encendido.
Un impulso de cebado que cumple con las características anteriores:

pendiente de subida elevada, gran amplitud de la señal de cebado inicial y duración
del impulso elevada sin necesidad de que la puerta sufra una gran disipación de
potencia es el dibujado en la figura 1.32; en la figura 1.33 se ha dibujado un
circuito eléctrico que es capaz de producirlo.
Figura 1. 30
El funcionamiento es el siguiente: Al aplicar el impulso, la intensidad que circula

por la puerta es una intensidad alta, ya que el condensador C2 está descargado y
cortocircuita la resistencia R2, por lo que la intensidad que circulará inicialmente
será:
86
Este valor ha de calcularse para que no supere nunca el valor de la intensidad

máxima IFGM.
Una vez cargado el condensador, la intensidad que llegará a la puerta será:
El valor de I2, debe de ser igual o mayor a la menor intensidad de cebado seguro del
tiristor IGT.
Figura 1. 31
La duración de los impulsos vendrá condicionado por las necesidades del circuito,
no obstante se tendrá en cuenta que el tiempo que dura el impulso de mayor
intensidad será de cuatro veces la constante de tiempo R2C2, y la duración completa
del impulso vendrá condicionada por el tiempo que tarde la intensidad de ánodo en
superar el valor de la intensidad de enganche (IL).
4.3.1.5. SCR. Características dinámicas.

En el tiristor, como en los otros semiconductores de potencia, las conmutaciones no
son instantáneas sino que requiere unos tiempos.
Los tiempos que se producen durante el cebado (figura 1.34) son:
87
 td – es el tiempo que transcurre desde que la intensidad de cebado alcanza el

10% de su valor máximo, hasta que la tensión ánodo cátodo disminuye al
90% de su valor inicial. Este tiempo es debido al tiempo que necesitan los
electrones inyectados por el cátodo para llegar a la zona de control y
neutralizar la barrera de potencial de la unión de control.
Figura 1. 32
Este tiempo depende de:

La amplitud y forma del impulso de puerta, de forma que disminuye
si aumenta la intensidad o/y la pendiente de subida de la intensidad
de puerta IG.
La temperatura de la unión TJ y la tensión ánodo cátodo UAK
disminuyendo si aumentamos cualquiera de estos.
 tr – es el tiempo que transcurre desde que la tensión entre ánodo y cátodo

baja desde el 90 al 10% de su valor inicial. Este tiempo depende del valor
máximo de la corriente de ánodo que se desea mantener.
A la suma de estos tiempos se le llama tiempo de encendido ton.
88
Figura 1. 33
En el bloqueo se definen los tiempos (figura 1.35):
 tq – tiempo de descebado. Es el tiempo que transcurre desde que la

intensidad de ánodo en el tiristor pasa por cero, hasta que se puede aplicar
una tensión directa sin que se dispare de nuevo. El valor de este tiempo
oscila entre 5 y 10 s para los tiristores rápidos, entre 50 y 80 s para los
normales y alrededor de 400 s para los de intensidades elevadas.
 trr – tiempo de recuperación. Es el tiempo que transcurre desde que la
intensidad pasa por cero, hasta el instante en el que la intensidad inversa baja
al 10% de su valor máximo.
4.3.2 Otros miembros de la familia de los tiristores.
Figura 1. 34
89
Además del SCR ya estudiado, la familia de los tiristores está formada por otros
componentes los cuales se van a estudiar a continuación.
Los símbolos eléctricos de los tiristores que se van a estudiar inicialmente se han
dibujado en la figura 1.36 y sus características diferenciales más importantes
respecto al SCR son:
El SCS o tiristor de doble puerta, llamado así por poseer dos puertas la de ánodo y
la de cátodo. Es un tiristor con dos puertas de control, la puerta de cátodo es igual
que la del SCR, en cambio por la puerta de ánodo se puede cebar y bloquear
aplicando un impulso entre el ánodo y su puerta. Si el impulso en la puerta de ánodo
respecto del ánodo es negativo se ceba y si es positivo se bloquea. Se fabrican para
intensidades de ánodo pequeñas y se emplean en contadores de anillo y generadores
de impulsos.
El LASCR. Es un SCR al que en el encapsulado se le ha dejado una ventana a través

de la cual se puede suministrar energía en forma de luz a la unión de control. Si esta
energía luminosa tiene la suficiente potencia como para hacer que los electrones que
atraviesan la barrera de potencial de la unión de control puedan general, por medio
de choques, nuevos pares de portadores tal y como ocurre cuando se ceba por
tensión o por temperatura, el tiristor se cebará. Estos semiconductores se fabrican
para intensidades de ánodo inferiores a 5 A.
El GTO es un tiristor unidireccional al que se puede bloquear aplicándole impulsos

negativos en la puerta. Hay varios símbolos eléctricos de este componente, en la
figura 1.36 se han dibujado dos de ellos. La caída de tensión directa es algo mayor
que la del SCR y los fabricantes aconsejan no eliminar la intensidad de puerta
durante el tiempo en el que este conduce.
90
El TRIAC, es un tiristor bidireccional, es decir puede conducir en ambos sentidos,

de ahí que a sus terminales no se les llame ánodo y cátodo sino A1 y A2. En la
figura 1.37 se ha dibujado la estructura equivalente de un triac y la curva
característica. Como se puede observar el triac puede conducir en dos cuadrantes de
la gráfica, cuadrante I y cuadrante III. En ambos cuadrantes se puede cebar
aplicando impulsos por la puerta tanto positivos como negativos, de ahí que se diga
que hay cuatro formas de cebar un triac:
Tensión Tensión
Modo
en A2 en G
I+ + +
I- + -
III+ - +
III- - -
Figura 1. 35
El triac equivale a dos tiristores en antiparalelo, en el cuadrante I la intensidad

circula por el tiristor formado por las capas P1N1P2N2 y en el cuadrante III lo
haría por el tiristor N3P1N1P2.
91
La complejidad de la estructura hace que el triac sea más delicado frente a derivadas
de intensidad (di/dt), derivadas de tensión (du/dt) y la capacidad para soportar
sobreintensidades es inferior. Se fabrican hasta unos 200 A y 1000 V.
Figura 1. 36
El segundo bloque de miembros de la familia de los tiristores que se van a estudiar

son los dibujados en la figura 1.38. Estos se utilizan para cebar a los tiristores de
potencia y sus características más importantes son:
El diodo Schockley o diodo de cuatro capas, no es más que un SCR al que no se le

ha conectado el terminal de puerta y que la unión de control se ha construido de
forma que la tensión directa de cebado sea pequeña, entre 20 y 100 V.
Figura 1. 37
Un circuito de aplicación típico es el dibujado en la figura 1.39 izquierda.
92
El PUT, o Transistor Uniunión Programable (algunos autores le llaman TUP

castellanizando el nombre). El nombre se debe a que, a pesar de ser un tiristor con la
puerta de ánodo accesible, sus características son similares a las del transistor
uniunión que estudiaremos más adelante. El funcionamiento básicamente es el
siguiente: Como a los tiristores con puerta de ánodo, para cebarlo hay que aplicar
una tensión negativa en la puerta con respecto al ánodo. Un montaje típico es el
circuito eléctrico de la figura 1.39 derecha, donde la tensión en la puerta (V G) está
fijada por el divisor de tensión formado por las resistencias R2 y R3 y la tensión en
el ánodo es la tensión del condensador el cual, al conectar el circuito, se encuentra
descargado y, por tanto, la tensión entre sus extremos es cero.
El condensador se va cargando a través de la resistencia R1, y, por tanto, la tensión

entre los extremos del PUT irá aumentando hasta llegar a una tensión de valor:
Donde UP es la tensión necesaria en el ánodo para que se cebe el PUT, UGA es la

tensión en la puerta y UD es la caída de tensión directa del diodo (0,7 V) que hay
entre la puerta y el ánodo. En ese instante el PUT se ceba descargando el
condensador hacia la puerta del SCR.
Figura 1. 38
93
Al cebarse la tensión de ánodo disminuye y aparece, por lo tanto, una intensidad en

la puerta, de sentido inverso, que bloqueará al PUT cuando la intensidad de ánodo
baje por debajo de un valor que será función de la intensidad de puerta y que
llamaremos intensidad de valle (IV).
El SUS (Silicon Unilateral Switch) o conmutador unilateral de silicio, es un PUT al

que se le ha fijado la tensión de puerta por medio de un diodo zener, de forma que
se cebará cuando la tensión entre ánodo y cátodo sea superior en 0,7 V a la tensión
del diodo zener. En la figura 1.40 se ha dibujado el circuito eléctrico equivalente de
un SUS y de un SBS.
El SBS (Silicon Bilateral Switch) o conmutador bilateral de silicio es un

componente formado por dos SUS en antiparalelo.
El DIAC es un triac sin el terminal de puerta que se dispara a tensiones de unos 30

V.
El circuito eléctrico de la figura 1.39 izquierda, se puede aplicar a todos los

componentes estudiados en el segundo grupo menos al PUT, ya que básicamente
funcionan igual. La única diferencia es poder conducir en un sentido o los dos
sentidos, pero esto último se consigue aplicando una fuente de alimentación alterna
en vez de continua.
94
4.3.3 El UJT o transistor uniunión.

El UJT (transistor uniunión) o diodo de doble base, como se
le llamó al principio, tiene una sola unión y sus
características no tienen nada que ver con el transistor
convencional. Este es un elemento muy utilizado para cebar
tiristores, pero no pertenece a esta familia. Tiene tres
terminales llamados base una (B1), base dos (B2) y emisor
(E). En la figura 1.41.a se ha dibujado el símbolo eléctrico.
Para estudiar el funcionamiento del UJT se va a utilizar la estructura de barra

(figura 1.41.b) por ser la más intuitiva. Entre las dos bases, la barra de silicio se
comporta como una resistencia; el emisor forma un diodo con la barra de silicio
considerándose que está haciendo contacto eléctrico en un punto intermedio de ésta.
En la figura 1.41.c se ha dibujado el equivalente eléctrico del UJT, formado por el
diodo del emisor y dos resistencias equivalentes, las resistencias que posee la barra
de silicio entre la unión y cada una de las bases.
Figura 1. 39
Si se polarizan las bases con una tensión UBB, en el punto de unión del diodo con la
barra de silicio (punto A), aparecerá una tensión de valor:
95
Si la tensión en el emisor es inferior a la tensión en el punto A, el diodo estará

polarizado inversamente y por tanto la intensidad que lo atravesará será la de fugas.
Cuando la tensión en el emisor se hace igual al valor de la tensión del punto A más
la tensión de la barrera de potencial del diodo (tensión de pico), a través del diodo
empezará a circular una intensidad; esta intensidad que aparece entre el emisor y la
base hace que aumente la concentración de portadores en esta zona y, por tanto, la
resistencia de la base uno disminuye al aumentar la conductividad la cual viene dada
por la fórmula:
donde:  es la conductividad en el silicio, e es la movilidad de los electrones, p es

la movilidad de los huecos, n la concentración de electrones y p la concentración de
huecos.
Este fenómeno da lugar a que la intensidad aumente nuevamente, ya que al

disminuir el valor de la resistencia de la base uno, la tensión en el punto A es menor
y por tanto mayor la intensidad que lo atraviesa. Al aumentar las concentraciones de
electrones y huecos la conductividad aumenta y por lo tanto la resistencia disminuye
nuevamente. Este proceso se repite hasta que se llega a un nivel de concentración de
los portadores (1016 portadores/cm3) en el cual la vida de los portadores disminuye y
esto hace que se equilibre el proceso de resistencia negativa, de forma que a partir
de este punto (punto de valle), la caída de tensión en la base uno es proporcional a la
intensidad que lo atraviesa ya que la resistencia permanece prácticamente con un
valor constante.
En la figura 1.42 se ha dibujado la curva de la característica estática de emisor (no

se ha dibujado lineal para marcar los detalles), donde se ha indicado las tres zonas
de funcionamiento del UJT: Región de corte, aquí es donde el diodo está polarizado
96
inversamente y la intensidad es prácticamente cero. Región de resistencia negativa,

es la zona donde se produce la disminución del valor de la resistencia de la base
uno. Y región de saturación es aquella en la que la resistencia de base es fija y la
caída de tensión es proporcional a la intensidad que circule por ella.
Figura 1. 40
Si la intensidad de emisor decrece por debajo del valor de valle (IV), la base uno
sufre el proceso inverso, ya que al disminuir la concentración de portadores
disminuye la conductividad y por tanto aumenta el valor de la resistencia
equivalente, dando lugar al fenómeno inverso.
En la figura 1.42, junto con la curva, se ha dibujado el circuito eléctrico de una

aplicación típica. La frecuencia de oscilación será proporcional al valor de la
resistencia R1 y del condensador C. Para que este circuito oscile hay que tener en
cuenta dos limitaciones:
1. - Para que el UJT entre en la zona de resistencia negativa la intensidad que debe
de circular por la resistencia R1, cuando en el emisor hay la tensión de pico,
hacia la barra de silicio ha de ser superior al valor de la intensidad de pico del
UJT que se utilice. Por tanto debe de cumplirse que:
97
2. - Para que el UJT pueda volver a bloquearse, la intensidad que circulará a través
de R1 cuando en el emisor se tenga la tensión de valle (UV) ha de ser inferior a
la intensidad de valle IV. Por tanto ha de cumplirse que:
4.4. Acoplamientos serie y paralelo.

Si se necesitan tensiones muy elevadas o intensidades muy grandes, a veces es
necesario recurrir a acoplamientos entre componentes de potencia. El acoplamiento
de estos componentes no suele ser simple, sino que hay que acoplarles una red
ecualizadora que estabilice el sistema.
Figura 1. 41
Si se necesita acoplar dos diodos en paralelo, como la tensión que hay en cada uno
de ellos es la misma UD (figura 1.43) la intensidad que circulará por cada uno de los
diodos es muy diferente (ID1 << ID2), en este caso la
intensidad que circula por el diodo D2 es muy
superior a la del otro diodo. Para equilibrar un
sistema paralelo, se acoplan en serie con cada uno
de los componentes de potencia una bobina o
resistencia, la cual ecualiza el sistema aunque
empeora el rendimiento (figura 1.44).
Figura 1. 42
98
El valor de la resistencia se puede calcular utilizando el circuito equivalente del

diodo de la figura 1.7, siendo la ecuación de cada uno de los diodos las siguientes:
Si se le incluye la influencia de la resistencia exterior, las ecuaciones quedarán:
Como las tensiones u1 y u2 son iguales, operando tenemos que el valor de la

resistencia exterior deberá de ser:
En el caso de un acoplamiento serie, la distribución de tensión en polarización

inversa no es uniforme, de forma que, para una intensidad inversa de un valor fijo,
la tensión que habrá en cada uno de los diodos será muy diferente (figura 1.43): esto
podría llevar a algún diodo a la ruptura por avalancha. Para ecualizar este sistema se
acopla una resistencia en paralelo con cada uno de los diodos, la cual hará que la
tensión en cada diodo sea la misma.
Para calcular el valor de la resistencia que ha de ponerse se utilizara la formula

siguiente:
donde:
99
 Utot – Es la tensión inversa total a soportar por los semiconductores

acoplados.
 URW – Es la tensión inversa de trabajo de los semiconductores.
 IR – Intensidad inversa medida a la tensión URW.
 n – El número de semiconductores.
La ecualización anterior es de tipo estático, pero no soluciona todos los problemas

en el acoplamiento serie, sino que hay que recurrir a otro tipo para ecualizarlo
dinámicamente y así compensar la diferencia en los tiempos de recuperación. Este
problema es más complejo en tiristores y la solución a este problema es la conexión
de un condensador en paralelo con cada uno de los diodos / tiristores. El cálculo es
complejo y será conveniente utilizar los datos del fabricante. Junto al condensador
se coloca en serie con éste una resistencia pequeña para evitar los efectos que
tendría la descarga del condensador directamente sobre los componentes (figura
1.45).
Figura 1. 43
4.5. Autoevaluación.
1. - El biselado que se realiza a los diodos sirve para:
a. Que la intensidad que lo atraviesa pueda ser mayor.
b. Que la tensión en conducción sea menor.
c. Que la intensidad superficial se reduzca.
100
2. - El tiempo de recuperación inversa en los diodos:

a. No tiene influencia apreciable en el funcionamiento de los diodos en
ninguna circunstancia.
b. Sólo influye si el diodo conduce poca intensidad.
c. Influye siempre, siendo sus efectos más apreciables a frecuencias de
funcionamiento mayores.
3. - Las causas principales en el retraso en la respuesta de los transistores de unión

son:
a. La capacidad colector-emisor y la tensión de avalancha.
b. Las capacidades parásitas y el tiempo necesario para la difusión de los
portadores.
c. La intensidad de base y la tensión en el colector.
4. - Los MOS de potencia, son MOSFET del tipo:

a. De empobrecimiento.
b. De enriquecimiento.
c. Es un híbrido entre ambos.
5. - Los IGBT, son:

a. Un tipo especial de transistores MOS.
b. Un transistor de unión al que se le ha conectado un transistor MOS como
elemento de control.
c. Un transistor MOS al que se le ha conectado un transistor de unión como
elemento de control.
6. - Los tiristores son:

a. Componentes semiconductores con tres capas mediante las cuales se
controla el paso de intensidad por él.
101
b. Componentes semiconductores con tres uniones mediante las cuales se

controla el paso de intensidad por él.
c. Componentes semiconductores con tres capas y tres uniones mediante las
cuales se controla el paso de intensidad por él.
7. - Un tiristor se puede cebar mediante:

a. Un impulso de intensidad aplicado en la puerta.
b. Una tensión inversa.
c. Una señal eléctrica aplicada en el ánodo.
8. - Los tiristores se desceban (bloquean):

a. Cuando se le aplica un impulso en la puerta.
b. Cuando la intensidad de ánodo se hace menor que la intensidad de
mantenimiento.
c. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo vale cero.
9. - El triac es:
a. Un tiristor que conduce en los dos sentidos.
b. Un tiristor que conduce en un solo sentido.
c. Un tiristor que se usa solo para cebar a los otros tiristores.
10. - El UJT, es:

a. Un transistor con una ganancia de intensidad muy grande.
b. Un tiristor que se utiliza para cebar tiristores.
c. Un semiconductor con una sola unión y que se utiliza para cebar tiristores.
102

Electrónica III Clase 3

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UNIVERSIDAD SANTIAGO DE CALI

IV. DIODOS Y TRANSISTORES DE POTENCIA

Las características eléctricas deseables en los

En la tabla siguiente se comparan las características más importantes de los diodos

Tipos UF (V) IR TJ (ºC) UFRM (V) IF(AV) (A)

El silicio es el material utilizado normalmente reservándose el germanio en sistemas

4.1.1. Diodos, fabricación y capsulas

 Se fabrica un cilindro monocristalino de semiconductor tipo N (Ge o Si) de

Para eliminar los problemas de las imperfecciones superficiales se somete éstas a un

Mediante este proceso, se consiguen fundamentalmente: Reducir la corriente

El encapsulado del diodo debe resolver tres problemas: El aislamiento de la pastilla

La cápsula depende de la intensidad nominal del diodo. En la figura 1.4 se ha

4.1.2. Diodos. Parámetros estáticos.

Cuando el diodo está polarizado inversamente:

En la figura 1.5 se muestra estos valores para ello se ha dibujado la curva

Cuando el diodo está polarizado directamente:

En la figura 1.6 se muestra la curva característica directa de un diodo real y un

Donde iF y uF son la intensidad y la tensión instantáneas en el diodo.

El circuito equivalente de un diodo polarizado directamente (figura 1.7a) se puede

Si en la ecuación anterior se sustituye el valor uF por su valor equivalente, se

Donde, como ya se ha dicho, IF(AV) es el valor de la intensidad media e IF(RMS) es la

Para facilitar el diseño, los fabricantes proporcionan las curvas de la potencia

4.1.3. Diodos. Parámetros dinámicos.

Los sistemas electrónicos de potencia van evolucionando hacia una velocidad de

La velocidad de un diodo viene limitada por dos fenómenos: Recuperación inversa

4.1.3.1. Diodos. Recuperación inversa.

En los diodos, el paso del estado de conducción al

En la figura 1.8 se representa la intensidad de recuperación en función del tiempo,

A la intensidad de pico inversa IRRM, se le llama intensidad de recuperación y la

Los picos de intensidad inversa producen unos picos de potencia en el diodo, si la

En la figura 1.9 se muestra la influencia de este fenómeno en un rectificador de

rectificación a 50 kHz, donde la influencia es muy grande. En estas figuras, la

4.1.3.2. Diodos. Recuperación directa.

Si al conmutar de conducción a corte la zona de carga espacial estaba llena de

4.2. TRANSISTORES DE POTENCIA

Los diferentes tipos de transistores de potencia que se encuentran en el mercado

 Pmáx - Es la potencia máxima que pueden disipar.

4.2.1. Transistores de unión. Características estáticas.

 ICM - Intensidad máxima de colector.

Los semiconductores de potencia en conmutación interesa que se comporten como

Se puede mejorar el comportamiento del transistor en corte cortocircuitando la base

En saturación lo que interesa es que la caída de

La potencia máxima que nos da el fabricante, normalmente, es para una temperatura

4.2.2. Transistores de unión. Características dinámicas.

Para el estudio del funcionamiento dinámico de los transistores, se va a utilizar el

 Con el interruptor abierto la base está polarizada por medio de las

En esta secuencia se definen dos tiempos diferentes:

La suma de ambos tiempos se define como el tiempo de excitación te.

Al abrir el interruptor (ir de saturación a corte) la intensidad de base se anula

En este proceso se pueden definir los siguientes intervalos de tiempos:

 tal - tiempo de almacenamiento. Es el tiempo que transcurre desde la

A la suma de ambos tiempos se le denomina tiempo de apagado ta.

El cálculo de estos tiempos es difícil, e, indiscutiblemente, se hacen menores

4.2.3. Transistores de unión. Circuitos de protección.

En la figura 1.14 se han dibujado tres circuitos de protección muy utilizados.

Los dos circuitos primeros protegen al transistor contra el efecto de la bobina

En el primer circuito la descarga se produce a través del diodo zener al superarse,

En el segundo circuito la bobina se descarga directamente a través del diodo, ya que

El tercer caso proporciona una protección más eficaz ya que la tensión en el

Su funcionamiento se produce en dos fases: cuando el transistor pasa a corte, la

Donde IC es la intensidad que circula por la carga en el instante en que se produce el

La otra circunstancia que ha de tenerse en cuenta, es que hay que dimensionar la

Donde Tmín es el tiempo mínimo en el que el transistor esta saturado.