Circuitos electrónicos I

LABORATORIO N°4

TRANSISTOR JFET COMO AMPLIFICADOR

I. OBJETIVOS

En esta práctica se pretende dar una visión general del transistor de efecto de campo de
unión(JFET), estudiar sus parámetros característicos y sus zonas de funcionamiento; y
finalmente, utilizarlo en una configuración de amplificador para poder analizar las ventajas
e inconvenientes que presentan frente a los transistores bipolares(BJT).

II. MATERIALES

 1 Osciloscopio 2 Canales con doble Sonda

 1 Generador de funciones
 1 Fuente de 35 VDC
 1 Multímetro
 1 Miliamperímetro
 1 Microamperímetro
 1 Transistor BF245C
 1 Resistencias de: 1K Ω, 2.7K Ω, 10M Ω
 2 Condensadores: 10uF-25V
 1 Potenciómetro de 10K

III. FUNDAMENTO TEORICO

El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en

varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT. Aun cuando
existen diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos, también hay muchas
semejanzas. Las diferencias principales entre los dos tipos de transistor radican en el hecho
de que: El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, como se ilustra en la
figura 1a, en tanto que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje, como se
muestra en la figura 1b.

En otras palabras, la corriente IC en la figura 1a es una función directa del nivel de IB. Para
el FET la corriente ID será una función del voltaje VGE aplicado al circuito de entrada como
se muestra en la figura 1b. En cada caso la corriente del circuito de salida la controla un
parámetro del circuito de entrada: en un caso un nivel de corriente, y en el otro un voltaje
aplicado.

En general, existen dos tipos de transistores de efecto de campo (FET), utilizados en

circuitos integrados analógicos: el transistor FET de unión (JFET) y el transistor FET de
unión metal - óxido – semiconductor (MOSFET). Los circuitos electrónicos que utilizan
transistores FETs son generalmente más costosos que sus análogos bipolares, sin
embargo, presentan una serie de características que mejoran sus prestaciones y que
justifican su utilización, como, por ejemplo, el hecho de que presenten unas altas
impedancias de entrada.

Esta práctica se centrará en la caracterización y utilización como amplificador del JFET.

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 Circuitos electrónicos I
Un transistor JFET es un dispositivo de tres terminales: compuerta (G), fuente (S) y drenaje
(D). La compuerta es el electrodo de control y el voltaje aplicado a ésta modula o controla
la corriente eléctrica que circula entre la fuente y el drenaje. El semiconductor que une los
terminales de fuente y drenaje constituye lo que se conoce como canal del dispositivo, y en
función de que éste sea tipo P o tipo N, dará lugar a transistores JFET de canal P o JFET
de canal N, respectivamente.

Transistor BJT y JFET Símbolos de transistores JFET

Figura 1. (a) controlado por corriente Figura 2. Símbolos JFET. (a) canal N
(b) controlado por voltaje (b) canal P

Curva característica del JFET canal n (IDSS=8mA y Vp=-4v)

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 Circuitos electrónicos I
IV. PROCEDIMIENTO

En el desarrollo de la práctica se va a trabajar con el transistor JFET de canal N BF245C,

cuyas características deberán investigar en la hoja de datos del fabricante. En primer lugar,
se obtendrán los parámetros característicos IDSS y Vp del JFET y que determinarán su
funcionamiento; y a continuación, se utilizará como amplificador en configuración de fuente
común.

Caracterización experimental del JFET y utilización como amplificador:

a) Medida de la corriente IDSS.

IDSS es la corriente de saturación que circula por el drenaje cuando VGS=0V. Para medirla,
implemente en el protoboard el circuito que se muestra en la Figura 3 con los respectivos
instrumentos. Esta corriente medida será IDSS, que es característica del JFET.
+32.4v

RD=1K

BF245C D
G
S

+32.4v

IDSS=_________mA
+88.8

IDSS
mA

VGS=_________v

VDS=_________v
RD=1K

BF245C D
G +88.8
+
VDS
Volts
-
S
+
+88.8
VGS
Volts -

Figura 3. Circuito utilizado para medir la corriente IDSS del JFET.

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b) Obtención del voltaje de estrangulamiento (Vp) ( pinch-off voltage).

El voltaje de estrangulamiento Vp, es el voltaje VGS donde la corriente de drenaje ID es

igual a cero. Implemente en el protoboard el circuito de la Figura 4.

Girar el potenciómetro hasta que la corriente ID que circula por el drenaje sea igual a cero
(ID=0). El máximo voltaje medido VGS será el voltaje de estrangulamiento Vp.

Es importante recordar que el transistor JFET BF245C es un transistor de canal N, por lo

tanto, el voltaje Vp será negativo. A Vp también se le denomina VGS(off).

+15v

ID ID=_________mA
+88.8
mA

VGS(off)=Vp=_______v

-7v VDS=_________v
RD=1K

BF245C D
G +88.8
+
10k VDS
50%

Volts
-
S
+
+88.8
VGS
Volts -

Figura 4. Circuito utilizado para medir el voltaje de estrangulamiento Vp

c) Utilización de JFET como amplificador.

Primeramente implemente en el protoboard el circuito de la Figura 5, donde se muestra el

esquema de un circuito amplificador basado en JFET en configuración de fuente común.

Alimente el circuito adecuadamente y excite el circuito con una señal de entrada sinusoidal
de frecuencia 2KHz y variar la amplitud según la tabla 1 y 2 para cada caso.

Visualice con el canal I del osciloscopio la señal a la entrada del circuito y con el canal II la
señal a la salida del circuito.

Calculé la ganancia en tensión del circuito Av=Vo/Vi para cada amplitud de la Tabla 1.

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+15v
OSCILLOSCOPE
A

B
RD
1k C

GENERADOR D

SINUSOIDAL
Sine BF245C D
C1
G
f=2kHz S
10uF SWITCH
Variar amplitud
segun tabla
RG
10M RS C2
2.7k 10uF

Figura 5. Circuito utilizado para medir la ganancia de amplificador de pequeña señal con transistor
JFET en configuración de fuente común

Determinar la ganancia del amplificador y graficar la señal de entrada y salida variando la

amplitud según la tabla 1, con el SWITCH cerrado.

f=2KHz
Amplitud 1mV 10mv 100mv 500mv 800mv 1v 1.5v
Ganancia
Av=Vo/Vi
Tabla1

Determinar la ganancia de amplificador y graficar la señal de entrada y salida variando la

amplitud según la tabla 2, con el SWITCH abierto.

f=2KHz
Amplitud 1mV 10mv 100mv 500mv 800mv 1v 1.5v
Ganancia
Av=Vo/Vi
Tabla 2

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V. PRESENTACION DE INFORME

1. Mostrar una captura de imagen de los circuitos de los puntos a) y b) con los valores
que se visualizan en los instrumentos virtuales.

2. Completar la siguiente tabla

Transistor VALOR SEGÚN

VALOR MEDIDO EN
BF245C HOJA DE VALOR SIMULADO
LABORATORIO
DATOS
IDSS
Vp (VGS(OFF)

3. Completar la tabla1 y tabla 2

SWITCH CERRADO
Amplitud 1mV 10mv 100mv 500mv 800mv 1v 1.5v
Ganancia
Av=Vo/Vi

SWITCH ABIERTO
Amplitud 1mV 10mv 100mv 500mv 800mv 1v 1.5v
Ganancia
Av=Vo/Vi

4. Presentar las imágenes de las señales de entrada y salida del punto c) para cada
amplitud de la tabla 1 con el SWITCH cerrado.

5. Determinar matemáticamente la corriente de drenaje de polarización(IDQ) y el voltaje

puerta-fuente de polarización(VGSQ) del circuito amplificador (figura 3), considerar
como datos la IDSS y Vp obtenidos en los puntos a) y b). (Sugerencia ver ejemplo 7.2
Boylestad 10ED pag. 419)

IDQ=________ VGSQ=______

6. Completar la tabla con los valores de IDQ y VGSQ

Transistor VALOR
BF245C VALOR OBTENIDO VALOR MEDIDO EN
OBTENIDO CON
TEORICAMENTE LABORATORIO
EL SIMULADOR

IDQ

VGSQ

VI. ANEXO. Hoja de datos del transistor JFET BF245C

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NXP Semiconductors Product specification

BF245A; BF245B;
N-channel silicon field-effect transistors
BF245C

FEATURES PINNING
 Interchangeability of drain and source connections PIN SYMBOL DESCRIPTION
 Frequencies up to 700 MHz. 1 d drain
2 s source
APPLICATIONS 3 g gate
 LF, HF and DC amplifiers.

DESCRIPTION
1
handbook, halfpage 2
General purpose N-channel symmetrical junction 3 d
field-effect transistors in a plastic TO-92 variant package. g
s

MAM257
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package. The
Fig.1 Simplified outline (TO-92 variant)
gate-source input must be protected against static
and symbol.
discharge during transport or handling.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT

VDS drain-source voltage   30 V
VGSoff gate-source cut-off voltage ID = 10 nA; VDS = 15 V 0.25  8 V
VGSO gate-source voltage open drain   30 V
IDSS drain current VDS = 15 V; VGS = 0
BF245A 2  6.5 mA
BF245B 6  15 mA
BF245C 12  25 mA
Ptot total power dissipation Tamb = 75 C   300 mW
yfs forward transfer admittance VDS = 15 V; VGS = 0; 3  6.5 mS
f = 1 kHz; Tamb = 25 C
Crs reverse transfer capacitance VDS = 20 V; VGS = 1 V;  1.1  pF
f = 1 MHz; Tamb = 25 C

1996 Jul 30 2