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Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)

Définition
dépôt d'un solide sur une surface à partir de réactions chimiques en
le phase gazeuse.

La technique s'effectue en général dans un four (chambre) dans


lequel on introduit les espèces réactantes.
Suivant les valeurs de la pression de dépôt, on modifie la qualité des
couches (propriétés structurales et électriques)
Définition : Les composantes utilisées par la technique

Un milieu
Substrat
(piece)

Source
Définition : Les composantes utilisées par la technique

ü
Une source
Endroit où le matériau à déposer, ou l’un de ses composants, est concentré (creuset,plaque
métallique, bouteille de gaz). C’est le siège de la dispersion de l’élément à déposer, sous forme
d’atomes, d’ions, et plus généralement de vapeur.
ü
Un substrat
C’est la pièce à revêtir. C’est ici qu’interviennent les phénomènes physico-chimiques : la
matière issue de la source, pure ou recombinée, vient se déposer pour conduire à la formation
de la couche
ü
Un milieu
Tout ce qui est compris entre la source et le substrat. C’est le siège du phénomène de transfert
de matières. Cela peut aussi être le siège de réactions chimiques intervenant entre les atomes
du matériau à déposer et un gaz.
Techniques d’élaboration des biomatériaux en couches minces a vide
Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
Technologie utilisée : Réacteur CVD
La chambre de dépôt : les evenements presents
La Theorie de base : Rappel sur les gaz parfaits
La Theorie de base : Rappel cinetique des gaz
La Theorie de base : Rappel cinetique des gaz

n : volume molaire

a : diametre de la molecule (supposee etre une sphere dure)


La Theorie de base : Rappel cinetique des gaz
Les mecanismes de depot
Le procédé de dépôt peut se décomposer de la façon suivante :
1. Convection du réactif gazeux (flux dynamique)
Transport physique de la matière contenant de l’énergie thermique.

2. Diffusion du réactif vers le substrat

3. Adsorption du réactif sur le substrat


4. Migration des espèces adsorbées et réaction chimique en surface => Film

5. Désorption des produits de réactions

6. Diffusion de ces produits à travers la couche limite

7. Évacuation
Les mecanismes de depot
1. Convection du réactif gazeux (flux dynamique)
2. Diffusion du réactif vers le substrat
3. Adsorption du réactif sur le substrat
4. Migration des espèces adsorbées et réaction chimique en surface => Film
5. Désorption des produits de réactions
6. Diffusion de ces produits à travers la couche limite
7. Évacuation
La theorie du depot : La diffusion
La diffusion est le résultat macroscopique de mouvements thermiques à l’échelle
microscopique.

Il se crée un flux net bien que le mouvement de chaque particules est aléatoire.
La theorie du depot : Loi de Fick
Le flux (J) est proportionnel au gradient de la concentration (n)
Premiere Loi de Fick :

Le Coefficient de diffusion D peut être approxime par la relation :

où m désigne la masse de l’espèce diffusante, a le diamètre de la molécule


(modèle de sphères dures), P la pression, T la température et k la cte de Boltzmann.
La theorie du depot : Deuxieme Loi de Fick

La relation entre les variations spatiales et temporelles de la concentration, est régit


par la deuxième loi de Fick (sans démonstration)

Qui admet pour solution (cas d’une concentration fixée a une limite)

( x etant l’epaisseur du depot) Fonction d’erreur complémentaire


a vide
En CVD thermique le substrat est chauffé :
* Pour fournir l’énergie d’activation nécessaire au déclenchement de la réaction
chimique (qui peut être une simple réaction de décomposition)
* Pour permettre une mobilité suffisante des atomes pour former la structure
désirée.
* Ces températures, sont de l’ordre de 800 à 1000°C.
* CES TEMPERATURES PEUVENT EXCEDER LES TOLERANCES DU
SUBSTRAT……………..probleme !!!!