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Jose Fermin
University of Zulia
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All content following this page was uploaded by Jose Fermin on 27 April 2016.
Nanoestructuras magnéticas I:
Estructura y Fabricación
luz.academia.edu/JoseFermin
José R. Fermin
Abril 2016
Nanoestructuras típicas
Nanopartículas. Magnetos
moleculares
Granulares
Nanohilos
Nanotubos
- Segregación de fases
- Procesamiento coloidal
- Crecimiento en solución-líquido-sólido
-Evaporación catódica
- MBE
- e-deposition
-Ion-deposition
Métodos biológicos
- Biomineralización
Esquema de Fabricación
Iónes
Átomos
Neutros
Energía térmica Moléculas
Láser
Materia
prima:
Reacciones química
gas,
líquido, fragmentos-medio
Plasma Descomposición
sólido de transporte
Iones, moléculas
Transporte
MCS Medio
Gaseoso / líquido
Película
Nucleación
resultante
Crecimiento
Propiedades Deposición en
Disipación
Caracterización de energía el sustrato
Aplicaciones
Deposición Física de Vapor
Directo
Alterno
Reactivo
Asistido
Esquema básico
De la cocina a la mesa
Condiciones de fabricación:
•Target-substrate distance: 9 cm
•Presión de trabajo: 3.3 x 10-3 Torr (Ar)
•Pureza de los elemento: 99.9%
•Ar 99.999%
•Temperatura del substrato :170ºC-200ºC
•Input power: 20 W
•Tasa de crecimiento: 0.1 Å/s -1 Å/s
•Espesores(d):
30 Å<d(Fe)<300 Å
•Presión de base: 1.2 x 10-7 Torr
Protocolo de crecimiento
(receta)
Nano-estructura
Cámara de deposición
(Gourmet)
(horno)
El espesor es el parámetro estructural más importante
Pseudomorfismo
d ( t dep ) a t dep b ,
a = hW/ (h2+l2)2 ve2
d(tdep) = 0.355 tdep+80.025
pseudomorfismo
250
b = hWM0 /4 (h2+l2)2 ve2
200
150
d
d(Å)
100
50
0 tC
0 100 200 300 400 500
tdep(seg)
d < dC
d > dC
d >> dC
¿Qué ocurre durante el crecimiento?
Película
+ + +
Substrato
AlAs(100)
AlAs(100) Fe(100)
GaAs(100)
AlAs(100) Si(111)
AlAs(100)
Relación de Epitaxia
S f
a0 a0 a0
f f f
a0 a0
Medición de la Epitaxia
Fermin, et. al.
a0 Ga
a0
As
GaAs(001) Fe(001)
[010]
[110]
[100]
O
Mg
a0
a0
Fe(001) MgO(001)
[010]
[110]
[100]
KS 1/d “
Efectos de superficie e interface
E0V E = E0V - 2 KS / d0
N N
V di V
E E 0 Ei E0
i 1 i 1 d0
N 1 N N
di V dN V E0V N
dN V V dN V
E Ei Ei EN E0 E0 di E0 E0 E0 ,
i 1 i 1 i 1 d0 d0 d0 i 1 d0 d0
2 KS
E E0V KS d N E0V
d0
M
superficie
M||
Anisotropia interfacial
(uniaxial):
EU= KU sin2 ( U)
KU : constante de anisotropia
Deformación de los planos de la
interface pelicula debido al equilibrio de las
fuerzas elásticas interfaciales:
dislocaciones
d d
d
KU d –1
Rugosidades
4
K rough 2 2
KU KU a02
d
2
K rough 2
KS KS
d