CIME

P MONOGRAFIA

EL DIODOS SEMICONDUCTOR
Y SUS APLICACIONES

Autores:
Dr.C. Alberto Lastres Capote
Profesor Titular
e-mail: lastres@electica.ispjae.edu.cu

MSc. Adelaida Torres Colón

Profesora Auxiliar
e-mail: biki@electica.ispjae.edu.cu

Centro de Investigaciones en
Microelectrónica

Facultad de Ingeniería Eléctrica

ISPJAE

00/01
INDICE MONOGRAFIA EL DIODO SEMICONDUCTOR Y SUS
APLICACIONES

Pagina
1. ANALISIS CUALITATIVO DE LA UNION P-N. EL DIODO S/C 1
1.1 La unión p-n polarizada.
1.1.1 Polarización directa.
1.1.2 Polarización de inversa.
1.1.3 Polarización de directa grande.
1.2 Característica I-V del diodo. Símbolo, parámetros y expresiones.
1.3 El diodo como elemento circuital.
1.4 Modelo de gran señal del diodo.
1.4.1 Método de análisis de gran señal para circuitos con varios diodos.
1.4.2 Circuitos limitadores.
1.5 Modelo de pequeña señal del diodo.
1.6 Capacidades parásitas en la unión p-n.
1.7 Tiempos de conmutación del diodo
1.8 REGULADORES DE VOLTAJE.
1.8.1 Rectificadores.
1.8.1.1 Rectificador de media onda (RMO.
1.8.1.2 Rectificador de onda completa (ROC).
1.8.2 Filtros de ondulación.
1.8.3 Diodo zéner. Principio de operación.
1.8.3.1 Modelos del diodo zéner.
1.8.3.2 Reguladores de voltaje paralelo con diodo zener.
1.8.3.3 Variacion del voltaje de salida del regulador con diodo zéner paralelo.

Alberto Lastres Capote y Adelaida Torres Colón

MONOGRAFIA EL DIODO SEMICONDUCTOR Y SUS APLICACIONES

1. ANALISIS CUALITATIVO DE LA UNION P-N. EL DIODO S/C

Se presentará el comportamiento de la unión p-n basado en la teoría de los semiconductores estudiada
anteriormente. Una unión p-n se crea cuando un cristal monocristalino de silicio es dopado con
impurezas aceptoras (boro) de un lado y donoras (fósforo) en el otro Una representación esquemática
de esta unión para la condición de equilibrio se muestra en la figura 1.1.

Figura 1.1. Unión P-N en equilibrio.

Inicialmente, existe un gradiente de concentración a través de la unión, provocando que huecos se

difundan hacia la derecha y electrones hacia la izquierda. Cerca de la unión metalúrgica en la lado P,
los huecos que neutralizan los iones aceptores se recombinan con los electrones que se difunden a
través de la unión y desaparecen. Similarmente ocurre con los electrones de los iones donores del lado
N que desaparecen al recombinarse con los huecos provenientes por difusión del lado P. Los iones no
neutralizados alrededor de la unión (átomos aceptores inmóviles cargados negativamente y átomos
donores inmóviles cargados positivamente) se comportan como una densidad de cargas y como esta
región está desprovista de cargas móviles se le conoce como zona de transición o de carga espacial
(ZCE). El ancho de esta zona es de décimas de micrómetros. Los portadores de cargas solo existen
fuera de esta zona; a la izquierda predominan los huecos (p = NA) y a la derecha los electrones (n =
ND).
El flujo de carga antes analizado, constituye una corriente de difusión a través de la unión metalúrgica
del lado P al lado N. Por otro lado, las dos zonas de carga espacial de opuesta polaridad que existen a
cada lado de la unión, dan lugar a un campo eléctrico que atraviesan la unión del lado N (+) al lado P (-
). Este campo provoca una corriente de deriva que atraviesa la unión en la misma dirección del
campo, o sea en dirección opuesta a la corriente de difusión. Bajo condiciones de equilibrio, la
corriente total de electrones y huecos a través de la unión se hace cero:

Jn = qunnE + qDndn/dx =0
Jp = quppE - qDpdp/dx = 0
De estas expresiones se puede obtener el campo eléctrico en cualquier punto de la zona de carga
espacial. Ya que E = - dV/dx y que D/P = KT/q = VT (Relación de Einstein), el cambio de potencial

Alberto Lastres Capote y Adelaida Torres Colón

electrostático a través de la ZCE se obtiene al integrar la ecuación anterior desde -wp a wn,
obteniendose que:
Vo = KT/q ln nno/npo
donde nno y npo son las concentraciones en equilibrio de electrones del lado N y P respectivamente.
El cambio de energía potencial (qVo) que experimenta un electrón al atravesar la unión del lado N al
lado P, conocido como barrera de potencial de la unión viene dado por:

qVo =KT ln NDNA/ni2

donde Vo se conoce como voltaje de built-in a través de la unión en equilibrio y es del orden de
décimas de V. T es la temperatura absoluta en K. ND, NA y ni son las concentraciones donora, aceptora
e intrínseca respectivamente. Como ni varía exponencialmente con T, Vo cae con T típicamente a razón
de - 2 mV/oC.
La altura de la barrera de potencial aumenta al incrementar la concentración del dopaje en cada lado de
la unión. Como ni se incrementa con la temperatura, provoca que la barrera disminuya, lo cual degrada
las propiedades rectificadoras del diodo cuando T es muy elevada como se verá posteriormente.

1.1 La unión p-n polarizada.

La característica esencial de la unión p-n es permitir el flujo de portadores solo en una dirección y
virtualmente eliminarla en el sentido contrario, lo que se conoce como acción rectificadora del diodo.

1.1.1 Polarización directa. Si se aplica un voltaje VD de CD cuyo positivo esté al lado P y el negativo
al lado N como se muestra en la figura 1.2a, si se considera que todo este voltaje aparece a través de la
ZCE que por estar desprovista de portadores móviles es la región de mayor resistencia, se reduce la
barrera de potencial por una cantidad qVD. El nuevo campo aplicado se opone al que existía bajo
condiciones de equilibrio, por lo que las corrientes de deriva y de difusión a través de la unión se hacen
desiguales.. Como resultado de esta reducción de la barrera de potencial, los huecos se difunden del
lado P al N y electrones en el sentido contrario del lado N al P lo que representa una corriente de
portadores mayoritarios en el sentido del lado P al N. Una vez que ellos atraviesan la unión, tanto los
huecos como los electrones inyectados se convierten en portadores minoritarios y constituyen una
corriente de difusión de minoritarios. Esta será más grande a medida que VD sea mayor pues se
incrementa el número de portadores disponibles; se conoce como corriente de polarización de directa
ID = IF.

a) b)

Fig. 1.2 Unión P-N polarizada en: a) directa y b) inversa.

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Al polarizar en directa la unión, la energía potencial del electrón en el lado N, se incrementa en una
cantidad (-q)(-VD) = qVD con respecto al lado P, lo que reduce la barrera de potencial de la unión de
qVo en equilibrio a q(Vo - VD) al ser polarizada en directa. Por otro lado, también se reduce la carga
espacial de la unión y el ancho de la ZCE que depende del voltaje aplicado.
Por tanto, al polarizar en directa la unión p-n, se reduce la barrera de potencial y pasan huecos el lado
P al N y electrones del N al P. Definiendo a pn como la concentración de huecos en el lado N y a np
como la de electrones en el lado P, la distribución de los portadores minoritarios a cada lado de la unión
metalúrgica se muestra en la figura 1.3.

Figura 1.3. Densidad de portadores minoritarios en función de x para la unión P-N en directa.

donde pno y npo representan las concentraciones de portadores minoritarios generados térmicamente
lejos de la unión. La concentración de huecos inyectados en exceso en la zona N (pn´ = pn - pno)
provoca la difusión de estos, que por recombinación con los electrones presentes en esta zona decrecen
exponencialmente con la distancia x como se muestra. La polarización directa al reducir la barrera
permite que más portadores crucen la unión, siguiendo la ley de la unión dada por:

pn(0) = pnoeVD/VT
que expresa la relación entre pn en x=0 y la concentración de portadores minoritarios en equilibrio
térmico lejos de la unión (pno). Para los electrones es similar. De aquí que para los huecos la corriente
que cruza la unión del lado P al N será:

Ip(x) = - Aqdpn/dx = (AqDppn´(0)) /Lp .e-x/Lp

donde A es el área transversal de la unión p-n y Lp la longitud de difusión de los huecos en la zona N.
En la zona P, la corriente de electrones tendrá una expresión similar.

1.1.2 Polarización de inversa. Si se invierte la polaridad antes analizada como se muestra en la figura
1.2b, el campo eléctrico aplicado ahora refuerza el que existía en la condición de equilibrio, por lo que
se produce un incremento de la barrera de potencial a q(Vo + VD). Esto provoca que decrezca el flujo
de portadores mayoritarios a través de la unión. Sin embargo, los portadores minoritarios no son
afectados por esta barrera de potencial y circulará una pequeña corriente del lado N al P en el sentido
opuesto a la de polarización de directa. Esta corriente IS se conoce como corriente de saturación inversa
y es muy pequeña.

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El mecanismo de conducción en este caso es el siguiente: la polarización inversa del diodo provoca que
tanto los huecos del lado P como los electrones del lado N se muevan lejos de la unión, ampliándose la
ZCE. Este proceso no puede continuar indefinidamente pues este flujo estacionario de huecos hacia la
izquierda necesita que esa misma cantidad de huecos sean suministrado a través de la unión por el lado
N. Como en la zona N existen pocos huecos, la corriente resultante es virtualmente cero. Esta pequeña
corriente IS que aparece se produce por la generación térmica de pares electrón-huecos en la zona de
carga espacial. Los huecos (portadores minoritarios) generados en el lado N son halados por el campo
eléctrico a través de la unión. De forma similar ocurre con los electrones generados en el lado P.
La variación del ancho de la ZCE con la polarización de inversa, provoca variación de la capacidad de
la unión vista esta como un capacitor de placas paralelas con la ZCE desprovista de portadores móviles
con el papel de dieléctrico.
Para polarización de inversa la distribución de portadores minoritarios a cada lado de la unión es la
siguiente: lejos de la unión metalúrgica, los portadores minoritarios tienen los valores pno y npo de
equilibrio térmico. Al aproximarse a la unión, estos son barridos rápidamente por el campo de la unión
y su densidad disminuye a cero en la unión como se muestra en la figura 1.4..

Figura 1.4. Densidad de portadores minoritarios en función de x para la unión P-N en inversa.

Polarización de directa grande.

Si el voltaje de directa a través de la unión VD se incrementa de forma tal que se aproxime al valor de
Vo, la barrera de potencial tiende a desaparecer y la corriente por el diodo crece arbitrariamente. En
realidad la barrera de potencial no llega a desaparecer completamente pues las resistencias asociadas
con el cuerpo del diodo y del contacto óhmico limitan esta corriente. Luego, cuando VD se hace
comparable con Vo, la corriente ID queda limitada por estos dos resistores parásitos distribuidos en el
lado N y P del diodo.

Característica I-V del diodo. Símbolo, parámetros y expresiones.

La característica I-V de la unión p-n, relaciona el voltaje aplicado a la unión vD con la corriente que
circula por esta iD. Se sabe que todo el mecanismo de conducción ocurre en la vecindad de la unión
metalúrgica, pero al dispositivo con sus dos terminales ánodo (lado P) y cátodo (lado N) se le conoce
como diodo de unión y su símbolo es mostrado en la figura 1.5.

Figura 1.5. Símbolo del diodo de unión.

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Para describir la ecuación del diodo con polarización de directa, la corriente de difusión que atraviesa
la unión será proporcional a la pendiente en el origen (x = 0) de la concentración de portadores
minoritarios en exceso a cada lado de la unión. Se puede demostrar que para bajos niveles de inyección
de corriente, la corriente de deriva a través de la unión polarizada en directa, es despreciable comparada
con la de difusión de portadores minoritarios. De aquí que aparezca una dependencia exponencial de ID
con VD conocida como la ecuación del diodo:

ID = IS(eVD/KVT - 1) (A)
donde el parámetro K depende del tipo de semiconductor empleado; vale 1 para germanio y varía entre
1 y 2 para silicio dependiendo de los niveles de corriente. Para valores de ID pequeños en la ZCE
dominan los efectos de recombinación sobre los de difusión y K = 2. A mayores niveles de corriente,
ID sigue una ley exponencial con VD y K = 1. Por último, para niveles altos de corriente en dependencia
del tipo de diodo y de su capacidad de corriente aparece de nuevo el dominio de la recombinación
sobre los de difusión y K = 2. En la práctica, se toma para cada diodo un valor único de K y de IS como
factores de escala, lo que permitirá evaluar la ecuación de ID en función de IS, VD, K y T.
El voltaje equivalente térmico VT es aproximadamente 25 mV a 20ºC y se calcula de:

VT = KT/q = T(K)/11600 (V)

La corriente de saturación inversa IS depende de la concentración de huecos NA del lado P y de

electrones ND del lado N, así como del área de la unión. Los valores de IS para Si oscilan entre 10-9 A y
10-18 A, en dependencia de la capacidad y del tipo de diodo. Para diodos de Ge, este valor es de tres a
cuatro ordenes mayor. La corriente de polarización de inversa IR que reportan los fabricantes en los
manuales, tiene valores mucho mayores que los que corresponden a IS pues en inversa en la práctica
dominan las corrientes de generación superficial que dependen a su vez del tipo de S/C empleado. La
corriente IR está en el orden de los PA para Ge y de nA para Si.
En la característica I-V del diodo, debido a que las corrientes de directa y de inversa del diodo difieren
en varios ordenes, se acostumbra a emplear diferentes escalas para ambas como se muestra en la figura
1.6.

Figura1.6. Característica I-V del diodo de unión.

En esta figura para polarización en directa, se destaca el voltaje de inicio de conducción VJ por debajo
del cual la corriente que circula se puede considerar despreciable (menor del 1 % del valor de la
corriente máxima dada por el fabricante para el diodo). El valor de VJ para Si se encuentra entre 0.5V y
0.6V en dependencia del tipo de diodo. Para Ge varía entre 0.1V y 0.2V.

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Por otro lado, para voltajes de inversa por encima de VZ aparece la región de ruptura del diodo, en
donde la corriente de inversa IR crece bruscamente con pequeños cambios en VD y que de no limitarse
lo puede destruir.
La dependencia de los parámetros del diodo con la temperatura aparece a través de VT, de IS que dobla
su valor aproximadamente por cada incremento de 10ºC y de VD que decrece a razón de -2 mV/
o
C para una corriente ID constante.
Por último, las propiedades eléctricas de los diodos se describen por sus características estáticas y
dinámicas así como por sus valores máximos permisibles que no pueden ser excedidos ni
individualmente ni en su conjunto pues se afectarían los mismos. En los manuales de diferentes
fabricantes aparecen estas características especificadas para los distintos tipos de diodos que se ofertan,
como son los diodos rectificadores, de señal, de conmutación, de baja y alta disipación de potencia,
etc. Algunas de las características eléctricas dadas para los diodos rectificadores empleados en la
conversión de CA a CD son:

tipo VR(V) IF(A) IFSM(A) VF(V) a IF(A) IR(nA) a VR(V)

SY 123 40 1 40 1.1 1 10
SY 324 150 3 100 1.1 3 10
1N 4001 100 1 50 1.3 3 5000 100
1N 4151 150 0.15 2 0.9 0.05 50 50

El diodo como elemento circuital. El circuito más simple posible con un diodo es el que se
muestra en la figura 1.7. Al aplicar una LKV se tiene que: VAA = VD + IDR (se escriben todos los
términos con mayúsculas para representar CD).

Figura 1.7. Circuito sencillo con el diodo en directa.

Si se despeja ID se obtiene que: ID =1/R ( VAA - VD). Esta ecuación contiene dos variables, por lo que
se requiere de la ecuación del diodo para resolverla analíticamente o de la característica I-V del diodo
para resolverla gráficamente.
a) Solución analítica. Para K = 1 y con polarización de directa con VD>>VT, se tiene que:

ID = IS eVD/VT , de donde: VD = VT ln ID/IS

Sustituyendo en la ecuación inicial se tiene que:

ID = 1/R (VAA - VT ln ID/IS)

Esta ecuación es del tipo trascendental y se resuelve por métodos iterativos, asignandole valores a ID
hasta que el resultado obtenido en el miembro de la izquierda sea igual que el de la derecha teniendo
como datos a R, VAA , VT e IS. Se toma como valor inicial para ID el correspondiente a VD = 0, o sea
VAA/R.

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b) Solución gráfica. Como la expresión que se desea resolver representa la ecuación de la línea de carga
con pendiente -1/R, la intercepción de esta recta dibujada en la característica I-V con la curva del diodo
dará la solución del circuito. El punto de intercepción Q se conoce como punto de operación, cuyas
coordenadas son los valores de corriente IDQ y de voltaje VDQ a través del diodo como se muestra en la
figura 1.8.

Figura 1.8. Línea de carga en la característica I-V del diodo.

Es interesante analizar los cambios que ocurren en el punto de operación del circuito analizado, cuando
VAA y R varían independientemente. Al variar VAA manteniendo a R constante, lo cual es equivalente a
conectar una fuente variable en el tiempo en serie con VAA, se observa de la figura 1.9a que al crecer
VAA sin variar la pendiente, también crece IDQ y viceversa. Note que para pequeños cambios de voltaje
(análisis de pequeña señal), las porciones de las características del diodo entre puntos adyacentes se
mantiene aproximadamente lineal. En cambio, cuando los cambios de voltaje son grandes llegando
incluso a cortarse el diodo, no se puede considerar su característica como lineal lo que se conoce como
excitación de gran señal.
Cuando se varía R manteniendo a VAA constante como se muestra en la figura 1.9b, con el cambio de la
pendiente un incremento de R provoca que IDQ decrezca.

a) b)

Fig. 1.9. Cambios en el punto de operación al variar: a) VAA y b) R.

Modelo de gran señal del diodo.

Para realizar el cálculo de las corrientes y voltajes del diodo por métodos de análisis circuitales, es
conveniente representarlo por un modelo o circuito equivalente lineal. El circuito analizado
anteriormente es no lineal pues contiene al diodo en que ID no varía linealmente con VD. Pero esta
característica no lineal del diodo puede aproximarse por una lineal (modelo lineal por tramos) como se
explicó anteriormente, sin introducirse grandes errores en el análisis. Para polarización de directa con
VD > VJ, la corriente que circula es grande y la resistencia que representa al diodo en este estado se

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denominara Rf. Como se muestra en la figura 1.10, este modelo se representa por una fuente de voltaje
de CD de valor VJ en serie con Rf con valor típico entre 5 y 50 : para silicio.

Figura 1.10. Modelo de gran señal del diodo en directa.

Para polarización en inversa sin llegar a la región de ruptura, el diodo no conduce apreciablemente y
circulará solo una pequeña corriente IS. La resistencia que representa al diodo es muy elevada y se
denominará Rr . (Rr>>Rf). El modelo para inversa se muestra en la figura 1.11, donde la fuente IS
representa la corriente de saturación inversa constante y con la presencia de Rr se toma en cuenta el
incremento de IR debido a la fuga superficial al incrementarse VR.

Figura 1.11. Modelo de gran señal del diodo en inversa.

Método de análisis de gran señal para circuitos con varios diodos.

Para resolver por Kirchoff un circuito con varios diodos, se analiza la condición de conducción de cada
diodo;; los que están polarizados en directa se sustituyen por el modelo correspondiente y los que están
en inversa por el otro. La determinación de si un diodo esta en directa o en inversa lo determina el
sentido de la corriente que circula por él o por el voltaje VD que sea mayor que VJ. (Estudiar ejemplos
resueltos 2.2 y 2.3).

Circuitos limitadores.
Estos circuitos son empleados para seleccionar una parte de la forma de onda que se transmite, por
encima o por debajo de un nivel de referencia dado, lo que es útil para conformar ondas ó para proteger
los circuitos que reciben la señal. Estos circuitos, conocidos también como recortadores, constan de
varios diodos, resistores y fuentes de CD. La forma de onda de salida puede limitarse a niveles
diferentes, intercambiando la posición de los diversos elementos y cambiando la magnitud de las
baterias.
Los diodos empleados en fuentes de alimentación son rectificadores que disipan potencias por encima
de 0.5 W y están optimizados para trabajar a 60 Hz. Los limitadores emplean por lo general diodos de
pequeña señal para potencias menores de 0.5 W a niveles de corriente de mA y para frecuencias
mayores de 60 Hz.

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 Para el circuito mostrado en la figura 1.12, se verá como se encuentra la forma de onda de salida
sustituyendo al diodo por sus correspondientes modelos de gran señal cuando está en corte ó en
conducción.

Vi = Vm sen wt

Figura 1.12. Circuito limitador.

Siempre que Vi < (VR + VJ), el diodo está cortado y Vo sigue las variaciones de Vi. La ecuación de este
tramo de recta en la característica transferencial del circuito es Vo = Vi (pendiente uno).
Cuando Vi t (VR + VJ), el diodo se polariza en directa y circulará una corriente como se muestra en el
circuito equivalente de la figura 1.13.

Figura 1.13. Circuito equivalente del limitador.

De donde por LKV se obtiene que: i = (Vi-VR-VJ)/(R+Rf)

Como Vo = Vi - iR, sustituyendo la expresión anterior de i se obtiene que:

Vo = Rf Vi/(R + Rf) + R(VR+VJ)/(R+Rf)

La pendiente de este segundo tramo es Rf /(R + Rf). Si Rf fuese cero, entonces Vo = (VR+VJ), se
limita a ese valor constante. En la figura 1.14, se muestra la característica transferencial de este circuito
que permite determinar gráficamente con la señal de entrada aplicada, la señal de salida resultante.

Figura 1.14. Característica transferencial del limitador.

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 El circuito mostrado en la figura 1.15 es un limitador de doble nivel, que convierte una sinusoide en
una onda cuadrada siempre que Vm >> (VR+VJ).

Figura 1.15. Limitador de doble nivel.

Como método de análisis general de los circuitos limitadores se recomienda identificar el estado de
conducción de cada diodo (ON ó OFF) y determinar el dominio de las variables claves que definen
dichos estados sustituyendo los diodos por los correspondientes modelos de gran señal. El número de
diodos da el número máximo de cambios de estado posible y para cada tramo lineal la pendiente tiene
que ser cero ó positiva.

Modelo de pequeña señal del diodo.

En los circuitos con diodos que presentan comportamiento ON-OFF, donde las señales aplicadas de
CD ó variables en el tiempo son grandes comparadas con el nivel de polarización, se utiliza el modelo
de gran señal para representar al diodo. En caso contrario en que las señales sean pequeñas (del orden
de los mV) en que el diodo siempre esta conduciendo, se emplea el circuito equivalente incremental o
modelo de pequeña señal para representar al diodo. Para el circuito mostrado en la figura 1.16 con
excitación constante y sinusoidal superpuestas, el punto de operación se desplaza sobre la característica
del diodo

Figura 1.16. Circuito de diodo con excitación constante y sinusoidal.

Como se observa, al ser pequeña la variación alrededor del punto de operación se puede considerar que
el tramo de la curva del diodo es lineal. Como el punto de operación se desplaza sobre la característica
del diodo por tener superpuesta una señal variable en el tiempo a una constante, la resistencia
equivalente de este que interesa es la comprendida entre Q1 y Q2 y no la de un punto como ocurría en
gran señal. Se dice que el diodo opera en condiciones de pequeña señal sí la variación en el tiempo de
su corriente o de su voltaje es mucho menor que las correspondientes al punto de operación. El resistor
que caracteriza esta operación se denomina resistencia dinámica del diodo (rd) y se calcula por la
pendiente de la curva para el punto de operación Q. Esta resistencia no es constante pues depende de T
y del punto de operación. De la expresión del diodo en directa se obtiene que:

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 gd = 1/rd = [did/dvd]Q = IDQ//KVT pues id = ISevd/KVT

A la resistencia rd calculada por esta expresión, se le debe adicionar la resistencia parasita del cuerpo
del S/C que se conoce como rb y es un parámetro de la tecnología empleada. Por otro lado, si rd se
calcula directamente por la pendiente de la curva I-V del diodo empleado, ya este valor de rb aparece
incluido y no se debe adicionar de nuevo. A 20ºC para un diodo de Si con K=2, rb=1 : e IDQ=5mA, el
valor calculado de rd será de 11:.
Para el ejemplo analizado, el circuito equivalente. de pequeña señal es el mostrado en la figura 1.17, el
cual permite analizar el comportamiento dinámico del diodo. Para el cálculo de rd se calcula IDQ con el
modelo de gran señal: IDQ = (VAA- VJ)/(Rf+RL).

Vo = VsRL/(rd + rb+RL)

Figura. 1.17. Circuito equivalente de pequeña señal.

Capacidades parásitas en la unión p-n.

En el diodo de unión están presentes dos efectos capacitivos que deben tomarse en cuenta, que
aportarán las capacidades de transición y de difusión. Ambos efectos aparecen para polarización directa
e inversa, pero se verá que uno domina al otro en cada caso. La capacidad de transición (CT) domina
para la polarización inversa mientras que la capacidad de difusión (CD) domina para la polarización
directa del diodo.
Se conoce que la densidad de portadores minoritarios en exceso o en defecto a ambos lados de la ZCE
en dependencia de estar polarizado la unión en directa o en inversa, es una función exponencial de la
distancia y depende del voltaje aplicado. Esto se muestra en la figura 1.18.

Figura 1.18 Densidad de portadores minoritarios vs x.con polarización: a)directa y b)inversa.

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Cuando se polariza en directa la unión aumenta la carga almacenada en ambos lados de la ZCE; esta
cantidad de cargas en exceso disminuye por su recombinación con los portadores mayoritarios a
medida que crece la distancia x. Al variar el voltaje a través del diodo cambia la carga almacenada en la
regiones neutras del diodo, efecto a que se le atribuye la capacidad de difusión CD. Para polarización
inversa esta capacidad es aproximadamente nula pues las densidades de portadores minoritarios a
ambos lados de la ZCE permanecen casi constantes independientemente de la tensión aplicada.
Si se aplica una señal que refuerce la polarización en directa por 'V, se obtiene un incremento 'Q en la
carga almacenada cerca de la unión. Para un diodo donde uno de los lados de la unión p-n esté mucho
más dopado que el otro, se define a CD como:

CD = ['Q/'V]Q = [d(W I)/dV]Q = [W/rd ]Q

donde W es el tiempo de vida promedio de los portadores minoritarios y representa el tiempo que
demoran los portadores en exceso en recombinarse. De la expresión anterior se puede definir a W =
rdCD, que se puede interpretar como la constante de tiempo de difusión.
Como CD = W IDQ/KVT, se incrementa al aumentar la corriente de polarización de directa, por lo que
la conmutación del estado ON al OFF se hace más lento. El modelo del diodo a pequeña señal para
polarización directa se muestra en la figura 1.19a

a) b)

Figura 1.19 Modelo de pequeña señal del diodo.para polarización: a) directa y b) inversa.

En la figura 1.19b se muestra el modelo para el diodo polarizado en inversa, en que dentro de la ZCE
existen cargas de los átomos no neutralizados que son las responsables de la creación de la barrera de
potencial existente. Esta situación simula un capacitor de placas paralelas (lado N y lado P) con un
dieléctrico (ZCE) entre los mismos. La resistencia rr es la resistencia incremental de inversa. La
capacidad de transición CT se calcula como:

CT = H A / d = A[qHND/2(Vo-VD)]1/2
donde A es el área de la unión, d es el ancho de la ZCE, H es la permitividad del S/C, y Vo es la altura
de la barrera de potencial. Ya que el ancho de la ZCE varía con la polarización de inversa. CT varía
inversamente con VD. El capacitor CT es de alta calidad pues su corriente de fuga es muy pequeña. Esta
capacidad controlada por la tensión tiene muchas aplicaciones, entre ellas como sensor de gases y como
capacitor variable (varicap).

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Tiempos de conmutación del diodo
La respuesta trasiente de un diodo manejado del estado de conducción al de corte, lo representa el
intervalo de tiempo transcurrido en que el diodo alcanza el nuevo estado estacionario. Cuando el diodo
está polarizado en directa la concentración de portadores minoritarios en exceso a ambos lados de la
unión es mayor que la de equilibrio. Para pasar al estado de corte se requiere recombinar al menos
todos los portadores en exceso. De la misma forma, con la polarización inversa la concentración de
portadores minoritarios cerca de la ZCE es inferior a la de equilibrio. Para conmutar de corte a
conducción es necesario inyectar a través de la unión cierto número de portadores. Estos dos
fenómenos ocurren en un tiempo finito que son los que determinan la velocidad de respuesta del diodo..
La secuencia de eventos que acompaña la polarización inversa de un diodo que se encuentra
conduciendo se muestra para el caso peor en la figura 1.20.

Figura 1.20 Respuesta de un diodo a un estimulo escalón.

Al polarizar abruptamente en inversa para t = 0, el estado ON del diodo no varía hasta que el número
de portadores minoritarios en exceso se reduzca a cero, por lo que los mismos deben ser barridos a
través de la unión al lado donde se originaron. Este movimiento de cargas produce una corriente en la
dirección contraria. El tiempo durante el cual los portadores minoritarios en exceso se reduce a cero se
conoce como tiempo de almacenamiento (tS). Durante este intervalo de tiempo, el diodo se mantiene
conduciendo una corriente -VR/RL. A su vez, la caída de voltaje a través del diodo decrece ligeramente
debido al cambio en el sentido de la corriente y a la resistencia del diodo en conducción. Para t = tS el
exceso de portadores es cero y a partir de ese momento el voltaje del diodo tiende exponencialmente en
inversa a -VR, decreciendo también la magnitud de la corriente exponencialmente a -IS.
El tiempo transcurrido entre t1 y el tiempo en que el diodo alcanza aproximadamente el voltaje -VR se
conoce como tiempo de transición (tt). En este tiempo en que CT se está cargando, los portadores
minoritarios que están cerca de la unión se difunden hacia ésta y la atraviesan.
Los fabricantes de componentes normalmente especifican el tiempo de recuperación en inversa del
diodo (trr) para condiciones típicas de operación el cual varía entre 1ns y 1Ps en dependencia del tipo
de diodo. Este tiempo trr es la suma de tS y de tt ya definidos. Por otro lado el tiempo de recuperación de
directa (trf) es mucho menor que el de inversa y se desprecia.

13
REGULADORES DE VOLTAJE.
El uso más evidente de los diodos rectificadores lo constituye el sector de las fuentes de alimentación
de CD. en que se utilizan para realizar la conversión de CA en CD ó continua. La fuente de
alimentación constituye uno de los bloques más importante en cualquier sistema electrónico, pues sin
su adecuada polarización no podrá operar correctamente. El diagrama en bloques de una fuente de
alimentación se muestra en la figura 1.21.

Figura 1.21. Diagrama en bloques de una fuente de alimentación.

Como el diodo puede conducir fuertemente cuando se polariza en directa y reduce a un mínimo la
conducción cuando su polarización se invierte, esta propiedad rectificadora lo hace muy útil para los
circuitos de conversión AC-DC. Los voltajes de AC normalmente suministrado por el sistema
energético nacional son de 110V ó 220V rms de 60Hz. Como la mayoría de los circuitos electrónicos
requieren niveles de polarización menores que estos, en las fuentes de alimentación se utiliza un
transformador previo a la etapa de rectificación donde se convierte el voltaje sinusoidal en una señal
pulsante . Por medio de un filtraje se reduce la componente de CA de la misma con un regulador a la
salida se obtiene un nivel de voltaje constante independiente de las condiciones de carga o de las
variaciones en las amplitudes de CA a la entrada.

Rectificadores.
El estudio de los conversores de CA a CD se iniciará por los rectificadores que pueden ser de dos tipos:
de media onda y de onda completa.

Rectificador de media onda (RMO). Todo rectificador convierte una señal de entrada sinusoidal de
valor promedio igual a cero, en una señal pulsante no sinusoidal con una componente promedio
diferente de cero. La misma puede descomponerse por Fourier en una señal fundamental y en muchos
armónicos. El circuito básico del rectificador de media onda (RMO) es el mostrado en la figura 1.22.

Figura 1.22 Rectificador de media onda.

14
Como aproximación para simplificar este análisis, se considerará que para una señal sinusoidal en el
secundario del transformador vi = Vmsenwt con una amplitud Vm>>VJ, se despreciará en el diodo el
efecto de este ultimo; o sea, siempre que Vm>10V lo cual ocurre normalmente, se considerará a VJ=0.
También se considerará que la resistencia en inversa del diodo es de valor infinito. La corriente i que
circula cuando el diodo conduce en un medio ciclo, se obtiene al sustituir al diodo por la resistencia Rf
del modelo de gran señal (VJ=0) y con Rs como la resistencia del enrrollado secundario del
transformador:

i = Imsenwt para 0< wt < S donde Im=Vm/(Rs+Rf+RL)

vo= ImRLsenwt
Cuando la polaridad de Vi se invierta, entonces el diodo se corta y circulará la corriente IS, que por ser
muy pequeña hace que vo = 0. El voltaje máximo que debe soportar el diodo cuando no conduce, se
conoce como voltaje de pico inverso VPI, que para este rectificador es igual a Vm. Al seleccionar el
tipo de diodo se debe garantizar que VR > Vm.
Como por RL solo circula la corriente en un sentido y durante un semi-período (entre 0 y S), a este
circuito se le conoce como RMO. Los valores medio y efectivo de la corriente que circula son:

Un parámetro importante de las fuentes de alimentación es la regulación, que se define como la

variación del voltaje de salida de CD con el incremento de la corriente de CD por la carga. Se expresa
como:
% de regulación = 100(Vo sin carga- Vo con carga) / Vo con carga
Idealmente una fuente de CD debe proporcionar un voltaje constante independientemente del valor de
IDC. Para el RMO, la ecuación de regulación que lo modela en todo el intervalo de conducción del
diodo es:
VDC = Vm/S - IDC(RS+Rf)
Este modelo lineal que se muestra en la figura 1.23, plantea que en la salida VDC = Vm/S a circuito
abierto y que VDC decrece linealmente al incrementarse IDC por la carga.

Figura 1.23 Modelo incremental del rectificador de media onda.

15
Si en el análisis antes realizado, se toma en cuenta el valor de VJ de inicio de conducción del diodo, la
corriente por el circuito circulará durante menos de un semiciclo como se muestra en la figura 1.24 y
su valor promedio difiere del anteriormente mencionado.

vi]T1 = VmsenT1 = VJ
T1= sen-1 VJ/Vm

Figura 1.24 Variación de i al considerar VJ.

Rectificador de onda completa (ROC). Un circuito que aprovecha ambos semiciclos de Vi al utilizar
un transformador con derivación central y que puede considerarse en su operación como dos RMO que
trabajan defasados 180º, es el mostrado en la figura 1.25.

Figura 1.25 Rectificador de onda completa.

Cuando Vs tiene la polaridad mostrada, D1 conduce mientras D2 está cortado, por lo que i circulará a
través de RL de derecha a izquierda. Cuando Vs cambie de polaridad, D1 se corta y D2 conduce, pero i
se mantiene circulando con el mismo sentido a través de RL. Como se nota, cada diodo conduce solo
durante un medio ciclo de Vs. Como la corriente por la carga circula en cada semiciclo, se puede
demostrar que IDC = 2Im / S y su valor efectivo es Irms = Im / 2 . La componente de CD para este caso
el doble que para el rectificador de media onda sin tener que incrementar la amplitud Vm. La ecuación
de regulación para este caso es:

VDC = 2Vm/S - IDC(RS+Rf)

El voltaje de pico inverso VPI que como caso peor debe de ser capaz de soportar el diodo que esta
cortado cuando el otro conduce es de 2Vm.
Una variante de rectificador de onda completa con cuatro diodos, pero que evita el empleo del
transformador con derivación central que es muy costoso, es el tipo puente mostrado en la figura 1.26.

16
 vs > 0: D1 y D3 ON; D2 y D4 OFF.
vs < 0: D1 y D3 OFF; D2 y D4 ON.

Fig. 1.26 Rectificador de onda completa tipo puente.

Con la polaridad mostrada, D1 y D3 se polarizan directamente mientras que D2 y D4 están cortados. La

corriente por RL circulará de arriba hacia abajo. Si se invierte la polaridad de la señal de entrada, D1 y
D3 se cortan mientras que D2 y D4 conducen , manteniendo el mismo sentido la corriente por RL. Para
este ROC son válidas todas relaciones antes presentadas aunque se debe tener presente que la corriente
en cada semiciclo circula a través de dos diodos. Por otro lado el VPI para este caso es de Vm.

Filtros de ondulación.
A pesar que el rectificador disminuye la ondulación a la salida, esto es insuficiente para numerosas
aplicaciones como ocurre en los amplificadores y receptores de radio. Por esta razon se recurre al
empleo de filtros que de forma económica atenúe la ondulación antes de llegar a la carga RL. El filtraje
más empleado consiste en conectar un capacitor de valor elevado en paralelo con la carga, como se
muestra en la figura 1.27 para el caso del RMO.

Figura 1.27 RMO con filtro C.

Si a la menor frecuencia f de operación se cumple que: 1/2SfC << RL ó lo que es lo mismo, si wRLC
>> 1, las componentes variables de i no circularán por RL. Esto se garantiza utilizando valores de C
entre 200 PF y 1000 PF.
El principio de operación de este circuito se basa en que el capacitor almacena energía durante el
período de conducción del diodo y entrega parte de esta a RL cuando el diodo deja de conducir. De esta
manera, es mayor el tiempo durante el cual la corriente circula por RL lo que reduce la ondulación a la
salida como muestra la figura 1.28.
Para la polaridad de vi mostrada, para Vm >> VJ y considerando que inicialmente el capacitor se
encuentra descargado, en t = 0 el diodo comienza a conducir y el capacitor a cargarse hasta que para
wt = S/2 alcanza su valor máximo cercano a Vm. En este instante la corriente de carga del capacitor se
hace cero. Como Vi comienza a decrecer en el tiempo y la variación del voltaje en el capacitor VC no es
tan rápida, el diodo se corta pues el cátodo está a un voltaje mas positivo que el ánodo. Entonces C
comienza a descargarse a través de RL como se muestra a continuación.

17
 Fig. 1.28 Formas de onda del RMO con filtro C.

Si C es de valor elevado, para el RMO el tiempo de descarga del capacitor (T2) es aproximadamente el
período T de la señal de entrada. La mayor corriente por RL circula en el instante que el diodo se corta
en que VC = Vm. El capacitor se descarga exponencialmente a través de RL con una constante de
tiempo (W) igual a RLC hasta que nuevamente vs > VC en que el diodo vuelve a conducir y se repone la
energía perdida en la descarga. Este proceso se repite indefinidamente en el RMO. Es de destacar que
el VPI por la presencia del capacitor es el doble que sin él, o sea 2Vm.
Con relación a las corrientes que circulan, en un inicio que el capacitor está descargado, él se opone a
variaciones bruscas de su voltaje pero no de la corriente. Esto provoca que en t=0 donde C se comporta
como un cortocircuito, pueda circular una gran corriente conocida como de irrupción (IFSM), solamente
limitada pos RS y Rf. De ser necesario para proteger al diodo, se le añade en serie una resistencia
limitadora (Rlim). Esta corriente pico no repetitiva se calcula para la condición de peor caso de:

IFSM = Vm/(RS + Rf + Rlim)

Por otro lado, si se usara rectificación de onda completa como muestra la figura 1.29, el tiempo de
descarga de C sería menor y aproximadamente T/2 para valores elevados de C en que se cumpla que T2
>> T1.

VNRmax = Vm
VNRmax = Vm
VNRmin = Vm - Vr VNRmin = Vm - Vr

Fig. 1.29 Formas de onda del ROC con filtro C.

Se define como voltaje de ondulación ó de ripple (Vr) a la desviación total (pico a pico) del voltaje en
RL debido a la descarga del capacitor. Como variación del voltaje de salida ocurre alrededor de un valor
promedio VDC, se utilizara la siguiente expresión para definir el modelo aproximado del rectificador
(RMO ó ROC) con filtro C:

VDC = Vm - Vr/2
La fundamentación de este modelo se basa en que para valores elevados de C en que wRLC >>1, la
descarga exponencial de este puede considerarse como lineal. Para expresar a Vr en función de IDC y de

18
C, se considerará como aproximación que durante el tiempo T2 en que el diodo no conduce, el
capacitor se descarga con una corriente constante IDC, por lo que la cantidad de carga que pierde es
IDCT2 para un cambio de voltaje en el capacitor de Vr. De donde:

Vr = 'Q/C = IDC T2/C

Mientras mayor sea el valor de C, mejor es el filtraje y más plana es la señal Vo, por lo que Vr será
menor. Para esta condición T1 << T2 por lo que T2 se aproximará a T/2 para el caso del ROC y a T para
el caso de RMO. Como T=1/f, donde f=60 Hz en Cuba, el voltaje de ondulación se puede estimar de:

En el ROC: Vr = IDC / 2fC, Ro=1 / 4fC y se modela como: VDC = Vm - IDC / 4fC.
En el RMO: Vr= IDC / fC, Ro=1 / 2fC y se modela como: VDC = Vm - IDC / 2fC.

Como se observa, se cumple que Vr/2=IDCRo. El voltaje de ondulación varía directamente proporcional
a IDC e inversamente proporcional con C. Los valores de estos capacitores electrolíticos son altos
(mayores de 100 PF) y debe respetarse su polaridad. Del modelo aproximado se nota que a menor valor
de RL en que se incrementa IDC, menor será VDC y mayor Vr.
La corriente pico repetitiva (IFM) que circula por el diodo al conducir durante el intervalo T1, se calcula
realizando las siguientes aproximaciones: Al ser T2>>T1. como en estado estacionario la carga
entregada por el capacitor en T2 (IDCT2) debe ser recuperada en T1 (IFMT1), esta corriente que carga a C
se considerará constante y con valor IFM >> IDC. De la condición de cargas antes planteada, se obtiene
que:

IFM T1 = IDC T2 donde T2 es igual a T para el RMO y a T/2 para el ROC.

Se puede demostrar que T1 se calcula para el modelo planteado donde la señal para el estado
estacionario varía entre un valor máximo de Vm para wt1=S/2 y un valor mínimo de (Vm-Vr) para wto,
de acuerdo con la expresión:

T1 = 1/w(2Vr/Vm)1/2

El circuito equivalente que representa a estos dos rectificadores con filtro C mostrado en la figura 1.30,
es el mismo de la figura 1.23 pero con V= Vm y su correspondiente valor de Ro. También del modelo
empleado se destaca que para las aproximaciones realizadas Vr/2 es igual a IDCRo.

VDC = Vm - Vr/2 = Vm - IDCRo

Figura 1.30. Circuito equivalente del rectificador con filtro C.

Como el rectificador con filtro C es muy utilizado por ser económico, basado en las consideraciones
antes expresadas se calculará siempre a la salida el voltaje promedio VDC alrededor del cual aparece la
variación Vr/2, o sea, el nivel de salida será (VDC ± Vr/2). Como se verá a continuación esta es la señal
de entrada del regulador de voltaje, que como se constituye el último sub-bloque de la fuente de
alimentación.

19
DIODO ZÉNER. PRINCIPIO DE OPERACIÓN.
Se fabrican diodos del tipo Zéner, cuya operación fundamental es con la polarización inversa en la
región de ruptura de su característica de salida. El voltaje de ruptura VZ caracteriza esta región como
muestra la figura 1.31.

Figura 1.31 Característica I-V del Zener.

Los diodos Zéner se usan como elementos de referencia de voltaje, pues mantienen entre sus terminales
un voltaje casi constante a pesar de que la corriente a través del mismo pueda tener variaciones
relativamente grande. Para lograr esto en su diseño y construcción debe garantizarse que su resistencia
incremental rZ en esta región de operación sea muy pequeña y que soporte la disipación de potencia a
que está sometida. La máxima corriente permisible (IZM) en la región de regulación del Zéner, limita la
máxima densidad de potencia soportable por éste.
Por otro lado, el Zéner mantendrá un voltaje de referencia casi constante entre sus terminales siempre
que se garantice que la corriente que circula a través del diodo sea superior a la corriente IZK que
delimita el codo de la curva a partir del cual su voltaje es -VZ casi constante.
Los mecanismos físicos que provocan la operación en la región de ruptura de estos diodos son dos:
avalancha y zéner. Aparecerá un mecanismo u otro en dependencia del nivel de dopaje de las uniones.
En un diodo polarizado en inversa, al incrementarse el voltaje se incremente el campo eléctrico a través
de la ZCE. Los portadores minoritarios generados térmicamente en esta zona que superan la barrera de
potencial, adquieren tal velocidad que al chocar con la red cristalina provocan rupturas de los enlaces
covalentes. Se produce una ionización en la ZCE apareciendo la generación de pares electrón-hueco. El
campo aplicado provoca que el hueco generado en la parte N de la ZCE sea inyectado a la parte P,
mientras que el electrón generados en su parte P pase a través de la unión metalúrgica a la parte N,
Estos portadores minoritarios inyectados debido al campo aplicado, pueden adquirir una energía
cinética tal que al chocar con la red cristalina crean nuevos pares de electrón-hueco. Como cada nuevo
portador que se genere, puede producir portadores adicionales al chocar con la red, este proceso
acumulativo se conoce como multiplicación de avalancha. Esto provoca grandes corrientes de inversa y
el diodo se dice que opera en la región de ruptura por avalancha. Este mecanismo de ruptura ocurre en
diodos ligeramente dopados por lo que VZ resulta relativamente alto (mayor de 6V) y con un
coeficiente de temperatura positivo.
Si se incrementa el nivel de dopaje de las regiones N y P del diodo, se puede reducir el valor de VZ. Sin
embargo, a medida que VZ disminuye y alcance un valor cercano a 6V, aparece otro mecanismo
denominado ruptura zener. El mecanismo de ruptura zener ocurre cuando la intensidad de campo
eléctrico en la ZCE alcanza valores tan alto como 2x107 V/m, en que el campo es capaz por sí mismo
de romper los enlaces covalentes de la ZCE. De nuevo el hueco es arrastrado al lado N y el electrón al
P. Esto provoca que circule una corriente de inversa grande a través de la unión la cual aumenta
bruscamente con un pequeño incremento del voltaje de inversa. Como ya se dijo, el VZ obtenido para
este caso es menor de 6V y su coeficiente de temperatura es negativo.

20
El funcionamiento en la región de ruptura de los diodos zener, que operen bajo el mecanismo de
avalancha o zéner, no lo perjudica en modo alguno siempre que no se excedan los límites de máxima
disipación permisible dada por el fabricante. Controlando adecuadamente el nivel de dopajes de las
uniones se obtienen valores de VZ entre 1V y 200V así como disipaciones de potencia hasta de 50W.
Los principales parámetros que caracterizan al diodo zener son:

IZK corriente de codo o mínima de regulación.

IZM corriente máxima permisible
VZ voltaje de ruptura nominal.
rZ resistencia incremental en la región de ruptura.
PZM disipación de potencia permisible.
CT coeficiente de temperatura de VZ.

En la región de ruptura del Zéner, se produce un ligero incremento de VZ cuando se incrementa la

corriente inversa que circula por éste, debido a la existencia de la resistencia dinámica o incremental rZ.
El valor de rZ en la región de regulación del diodo en que la corriente inversa es mayor que IZK y menor
que IZM, es aproximadamente constante aunque en realidad decrece ligeramente al incrementarse esta.
Su valor típico es de algunos ohm y debe ser lo menor posible para lograr una adecuada regulación de
voltaje. La operación del Zéner en la región del codo cuando aparece la ruptura es muy ruidosa por lo
que se acostumbra a diseñar con valores algo mayor que IZK. Por otro lado, si el fabricante no
especifica el valor de IZK se estima entre el 5% y el 10% de IZM.
El valor de VZ varía con la temperatura . El coeficiente de temperatura de VZ (CT) se define como el
cambio en % de VZ por cambio en oC de la temperatura del zener. Puede ser positivo ó negativo como
ya se vió y se valor típico está en el rango de ± 0.1%/oC. Si VZ > 6V donde predomina la ruptura por
avalancha, CT > 0. Si VZ < 6V donde domina la ruptura zéner, CT < 0. El cambio resultante en el valor
de VZ debido a la variación en la temperatura ('T = T - TA), se calcula de:

'VZ = VZ´- VZ = CTVZ 'T/100

A continuación se presentan las características de diferentes diodos Zéner comerciales:

Tipo VZ a I Z rZ a IZ IZM IZK PZM

KC119A 1.71/2.09V a 10mA 15: a 10mA 100mA 1mA --
KC191C 9.1V a 10mA 18: a 10mA 20mA 3mA 0.2W
KD482A 8.2V a 5mA 25: a 5mA 96mA 1mA 1W
KD510A 10V a 5mA 25: a 5mA 79mA 1mA 1W

Existen diodos de referencia compensados en temperatura con valores de VZ virtualmente constante

sobre un rango de temperatura amplio. Se integran por la combinación de un diodo Zéner en inversa
con CT > 0 conectado en serie con un diodo en directa con CT < 0 como muestra la figura 1.32. Como
ejemplo de esta referencia está el 1N8341 de la Motorola, de silicio con VZ = 6.2V, rZ =10: y CT =
±0.005 %/oC a 7.5 mA en un rango de -55ºC a 100ºC.

Figura 1.32 Diodo de referencia.

21
MODELOS DEL DIODO ZÉNER.
El modelo equivalente de un Zéner que opera en la región de ruptura para CD y en pequeña señal se
muestra en la figura 1.33.

a) b)

Figura 1.33 Modelos del Zener a) en directa y b) incremental.

El valor de rZ se busca en los catálogos o se calcula del recíproco de la pendiente de la característica

inversa del diodo en regulación para el rango de operación. CT representa la capacidad de la unión que
depende del área del diodo y varía inversamente con la raíz cuadrada del voltaje de inversa aplicado.
Para los diodos Zéner de potencia puede valer hasta 10000 pF.

REGULADORES DE VOLTAJE PARALELO CON DIODO ZENER.

La aplicación más evidente del Zéner, lo constituye el regulador de voltaje paralelo, en que el diodo se
conecta en paralelo con la carga RL. En esta conexión se trata de mantener el voltaje de salida al valor
aproximado de VZ. independientemente de las variaciones del voltaje no regulado de entrada, de la
corriente por la carga y la temperatura. Esto se logra fácilmente siempre que rZ sea pequeña. El Zéner
puede ser usado en el regulador de voltaje paralelo, pero presenta limitación por su capacidad de
corriente y de disipación de potencia admisible. En este circuito, el Zéner debe que ser capaz de
soportar una corriente superior a la máxima que circule por la carga. Existen otros tipos de reguladores
tipo serie o con realimentación negativa en que se eliminan estos inconvenientes como se verá
posteriormente.
En la figura 1.34 se representa por su circuito equivalente al rectificador con filtro C y al regulador
paralelo donde el generador equivalente de entrada es de valor Vm; Ro representa la resistencia interna
del rectificador con filtro C de valor 1/4fC para el ROC y 1/2fC para el RMO de acuerdo con su
ecuación de regulación. RA representa la resistencia limitadora que determina la corriente de entrada al
regulador.

Figura 1.34 Circuito equivalente del rectificador y regulador.

22
 El voltaje no regulado a la entrada del regulador (VNR), toma en cuenta todas las variaciones que
sufre el voltaje en la línea de CA y por ripple en el rectificador. El valor del VNR, de acuerdo con las
aproximaciones realizadas para los rectificadores con filtro C, se expresará como (VDC ± Vr/2).
Debe quedar claro que se puede analizar el regulador a partir del VNR que varía aproximadamente
entre Vm y (Vm - Vr) , donde RA será quién limite a la corriente I = IZ + IL.
Planteando las ecuaciones de malla en el circuito equivalente se tiene que:

Vm = (IZ + IL)R + Vo donde R = Ro + RA

Vo = ILRL = IZrZ + VZ

Despejando IL y sustituyendo en la expresión anterior de Vm se tiene que:

IZ = {Vm - (1 + R/RL)VZ} / {rZ + R(1 + rZ/RL)} (1)

Esta expresión (1) da la posibilidad de calcular la corriente por el Zéner para un rectificador y un
regulador paralelo dado si se conoce el valor de Vm, que en dependencia con las variaciones del voltaje
de línea puede tener un valor máximo o mínimo. Si rZ es muy pequeña, la corriente que circula por RA
es casi constante al igual que Vo.
Si se analiza la ventaja de este regulador frente al rectificador con filtro C, se destaca que la variación
del VNR será mayor a medida que aumente IDC producto de la caída en su Ro. En cambio, el añadir al
Zéner en paralelo con la carga RL, la variación total del voltaje de salida se reduce pues con relación a
la carga su nueva resistencia interna es (R ll rZ ), de valor mucho menor.
Análisis de casos extremos:
Si RL es constante, se deduce de la ecuación anterior que IZ es máxima cuando Vm sea máxima y
viceversa. Por otra parte, con Vm constante para RL mínima (que corresponde con IL máxima), la IZ es
mínima y viceversa.
Mientras menor sea rZ más constante permanece Vo. En general rZ es de algunos Ohm por lo que si se
considera la salida casi constante, toda la variación de Vm se cae en R.
Por último, como I es aproximadamente constante, cuando IZ es máxima, IL es mínima y viceversa. La
IZ máxima en caso peor ocurre para Vm máxima y viceversa.
De acuerdo con este análisis, se pueden plantear las siguientes ecuaciones:

Vo max = Vm max – (IZ max + IL min)R (2)

Vo min = Vm min – (IZ min + IL max)R (3)

De cualquiera de estas expresiones se puede calcular el valor de R que limita la corriente I que es casi
constante si rZ es pequeña. Como método de diseño se recomienda calcular R de la expresión (3), para
garantizar que circule por la carga la IL máxima deseada y que la disipación de potencia en el Zéner sea
mínima.
Como caso peor se calcula RL min cuando Vm y VZ sean mínimos, de acuerdo con:
RL min = Vo min / IL max
donde Vo min = (VZ + IZ minrZ) (VZ min)

Con la ecuación (2) se comprueba que el diseño cumple con la condición de que IZ max sea menor que la
IZM especificada por el fabricante. Para el caso peor en que IL min=0, se obtiene que la corriente máxima
promedio por el Zener es:
IZ max = (Vm max – VZ) / (R + rZ) (VZ min)
De donde:
Vo max = (VZ + IZ maxrZ) (VZ max)

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Como caso peor la potencia disipada por el zener se calcula de:

PZ max = IZ max(IZ maxrZ + VZ) < PZM

En lo adelante, se empleará la notación IZ min para el valor mínimo promedio al analizar el

comportamiento de CD del regulador, que para caso peor sale de:

IZ min = (Vm min – VZ – IL maxR) / (R + rZ) (VZ max)

El valor IZK que da el fabricante, garantiza la operación del Zéner en la zona de regulación fuera de la
curvatura en su característica de ruptura. Por tal motivo, en ningún momento la IZ instantanea por el
zener puede ser menor que IZK si se quiere mantener la regulación. Por tanto, para el diseño del
regulador se empleará IZ min inst = IZK, que es la corriente mínima instantánea que circula por el Zéner
cuando el voltaje instantáneo VNR alcance su valor mínimo de (VDC – Vr/2), o lo que es lo mismo
(Vm- Vr) de acuerdo con el modelo empleado.
Como Vr = 2IDCRo, de la expresión (3) se obtiene que con IZK se puede calcular el valor de RA máximo
que asegure que el Zener no salga de regulación:

2Ro + RA max = (Vm min –Vo min) / (IZK + IL max)

Además, para un circuito ya diseñado se puede calcular el valor de IZ min inst de:

IZ min inst = [Vm min – VZ – IL max(2Ro+ RA)] / [(2Ro+ RA) + rZ] (VZ max)

VARIACION DEL VOLTAJE DE SALIDA DEL REGULADOR CON DIODO ZÉNER

PARALELO.
Depende de tres factores: el voltaje de entrada Vi, la corriente de carga IL y la temperatura T:
Vo = f(vi, IL, T).
La variación total de vo se representa matemáticamente como:

'vo = dvo/dvi('vi) + dvo/dIL('IL) + dvo/dT('T) = SV'vi + Rsal'IL+ ST'T

donde SV se conoce como factor de estabilización del voltaje de línea (r 0.5% para un cambio de 10%
en la línea); Rsal es la resistencia de salida equivalente de Thevenin del regulador que se calcula al
eliminar RL, conectar un generador de voltaje V a la salida y cortocircuitar todas las fuentes de voltaje
independientes; CT es el coeficiente de variación de vo con la temperatura (no normalizado). A menor
valor de estos tres coeficientes, mejor será la regulación de vo.
Para el análisis de la variación de vo con vi, que depende fundamentalmente de las variaciones de VNR
y del valor de rZ, en la figura 1.35 se muestra el modelo incremental resultante al cortocircuitar las
fuentes de voltaje constante.

Vro = Vrc[(rZllRL)/(RA+ rZllRL)] = SVVrc

Si rZ<<RL: SV = rZ/(R+ rZ)

Figura 1.35 Modelo incremental para el cálculo de SV.

24
 Para minimizar las variaciones de vo con variaciones de vi , RA debe ser mucho mayor que rZ.
Por otro lado al variar IL, varía vo pues IZ tiene que cambiar, alterando la caída en rZ Esto se representa
por Rsal que del circuito equivalente de Thevenin mostrado en la figura 1.36, se tiene que:

Rsal = V/I = rZllR

Figura 1.36 Modelo incremental para el cálculo de Rsal.

Si se considera que la temperatura es constante (ST = 0) y se analiza la variación total del voltaje de
salida ('vo) debido al ripple en el capacitor (Vrc) y a la variación de la corriente por la carga 'IL = (IL
max – IL min), se tiene que:

'vo = Vrc[(rZllRL)/(RA+ rZllRL)] + (rZllR)'IL

De esta última expresión se ve que el parámetro que optimiza simultáneamente a SV y a Rsal es la rZ

del Zéner seleccionado, que debe tener el valor mínimo posible.

25