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Escuela De Comunicaciones Militares.

Martinez Moreno Julian Andrés 1

Conceptualización Electrónica De Potencia


Martinez Moreno Julian Andrés – julianchomm@gmail.com
Escuela De Comunicaciones Militares

- Transformador De Radiofrecuencia

Estos transformadores se caracterizan por


trabajar con frecuencias muy altas, tratando
solo frecuencias en miles (KHz) o en millones
(MHz) de Hertz. Estas frecuencias son
conocidas como radiofrecuencias o
frecuencias de radio y en la mayoría de los
casos funcionan con milésimas de voltios
(mV). Estos tipos de transformadores son muy
comunes de encontrar en antenas de un
radiorreceptor para captar las señales emitidas
desde estaciones de radio, para que estas sean
amplificadas.

A diferencia de los transformadores de fuerza


que poseen un núcleo de acero al silicio, los - Transformador De Audiofrecuencia
enrollados de los transformadores para uso
con corrientes de alta frecuencia se colocan en El transformador tiene un par de bobinas
un núcleo de ferrita, material que se obtiene delgadas de alambre de cobre conectados a
por pulvimetalurgia (o metalurgia de polvos) una estructura de metal común. La corriente
sometiéndolo a un proceso de sinterización. alterna en una bobina produce un campo
La ferrita tiene la propiedad de ofrecer muy magnético alterno. La estructura de metal da
buena respuesta a la inducción forma el campo alrededor de la segunda
electromagnética generada por las corrientes bobina, que tiene una corriente alterna
de alta frecuencia. inducida en ella. El transformador pasa
corriente alterna de un circuito a otro, además,
las diferencias entre las dos bobinas pueden
aumentar o disminuir la tensión de CA, o
realizar otras modificaciones útiles a la
corriente.
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Un cable de micrófono de largo sirve como Si se activamos cualquier dispositivo que


antena de la radio, la captación de ruido emita luz y esta llega al detector, se va a
eléctrico de las lámparas fluorescentes y otras generar una tensión en la salida, estaría
fuentes. Un tablero del amplificador o actuando como un interruptor cerrado. Si por
mezclador amplifica el ruido en la señal, lo el contrario no se activa una luz o si se activase
que resulta en un fuerte zumbido y zumbido en pero esta no llega en plena conformidad al
el sonido. Un cable balanceado cancela el detector, no se va a generar ninguna tensión en
ruido a través del uso de un par de la salida, es decir estaría trabajando como un
transformadores de audio, uno en cada interruptor abierto.
extremo. El transformador en el extremo
emisor tiene una impedancia más baja, o la
resistencia a la CA, la señal de audio a la que
en el extremo receptor.

Si se aplicara una tensión total de cinco voltios


en el diodo LED del optoacoplador y la luz
que emite el diodo LED llega al detector del
optoacoplador, se dará una tensión en la salida
de 220 voltios, por ejemplo, con esta nueva
tensión podemos activar motores, lámparas, o
dispositivos que necesiten de una tensión
mayor a la original. Esto haciendo que se
maneje la tensión baja desde un lugar
diferente, dando como pro que quien este
operando el dispositivo generador de luz no
corra ningún riesgo, ya que solo estará
manejando la tensión original.

- Transistor MOSFET
- Optoaclopador
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor
Un optoacoplador es un componente utilizado para la conmutación y amplificación
electrónico que se utiliza como transmisor y de señales. El nombre completo, Transistor de
receptor óptico (de luz), es decir pueden Efecto de Campo de Metal-Óxido-
transmitir de un punto a otro una señal Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor
eléctrica sin necesidad de conexión física ni Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la
cables (por el aire), mediante una señal constitución del propio transistor.
luminosa.
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Los MOSFET poseen 3 terminales: Gate, La puerta es el terminal equivalente a la base


Drain y Source (compuerta, drenaje y fuente). del transistor BJT (Bipolar Junction
A su vez, se subdividen en 2 tipos, los Transistor), de cuyo funcionamiento se
MOSFET canal N y los canal P. diferencia, ya que en el FET, el voltaje
aplicado entre la puerta y la fuente controla la
corriente que circula en el drenaje. Así como
los transistores bipolares se dividen en NPN y
PNP, los FET son de los tipos Canal-N y
Canal-P, dependiendo del tipo de material del
cual se compone el canal del dispositivo.

Estos transistores se caracterizan por tener una


impedancia de entrada extremadamente alta,
calculada alrededor de los 100 mega ohmios,
no tiene un voltaje de unión cuando se utiliza
Los MOSFET son sumamente utilizados en como interruptor, puede operarse para
electrónica digital, disciplina en la cual han proporcionar mayor estabilidad térmica,
desplazado a los BJT a través del tiempo. En además es muy común verlos operando en
un principio los transistores BJT causaron una amplificadores de audio.
revolución en el mundo de la electrónica,
permitiendo lograr avances a pasos - Transistor JFET
agigantados en comparación con los
desarrollos que se daban en la época anterior Como transistor de efecto campo la idea es
al descubrimiento del transistor. El controlar la corriente que circula por un canal
surgimiento del MOSFET fue posterior al del semiconductor mediante un campo eléctrico
BJT, pero las ventajas que ofrece su uso, aplicado a un terminal de puerta. A diferencia
especialmente en la electrónica de del MOSFET, la estructura que nos
microcontroladores, ha trazado una línea encontramos ahora en la puerta es una unión
divisoria entre las aplicaciones donde se polarizada en inverso (para evitar que haya
utiliza el BJT y aquellas donde es mejor corriente a través de ella).
utilizar un MOSFET.

- Transistor FET

También llamado transistor de efecto campo


(Field-Effect Transistor, en inglés) es un
transistor que usa el campo eléctrico para
controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un
solo tipo de portador de carga, por lo que
también suele ser conocido como transistor
unipolar. Es un semiconductor que posee tres
terminales, denominados puerta (gate),
drenaje (drain) y fuente (source).
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En ella vemos un semiconductor tipo P en Hay dos versiones de IGBT conocidas como
cuyos extremos conectamos los terminales de IGBT PT (Punch Through, "estructura de
fuente y drenador. A su vez se encuentra entre perforación") e IGBT NPT (Non Punch
dos semiconductores tipo N sobre los que se Through, "estructura de no perforación"), la
conecta el terminal de puerta. La región N+ diferencia radica en que el IGBT NPT no tiene
que se encuentra enterrada en la parte inferior capa de separación n+ y presenta una caída de
del dispositivo sirve para minimizar tensión en estado on, menor. Un IGBT con
resistencias parásitas. Estas resistencias están estructura de PT presenta velocidades de
asociadas a los caminos que debe seguir la conmutación más bajas.
corriente hasta llegar a la zona activa del
dispositivo. La aplicación de una diferencia de
potencial entre fuente y drenador da lugar a un
flujo de huecos (portadores mayoritarios en el
canal) entre estos dos terminales. Es un
dispositivo unipolar, al igual que el MOSFET,
pues no participan portadores minoritarios en
la corriente.

- Transistor IGBTS

El transistor IGBT (del ingles, Insulated Gate - Varistor


Bipolar Transistor, Transistor Bipolar de
Puerta Aislada) procede esencialmente de la Un varistor es una resistencia variable, que se
tecnología MOSFET de potencia; por lo que utilizan comúnmente en los circuitos de
su estructura y funcionamiento son similares. protección. Un tipo común de varistor es un
Es un transistor hibrido que combina un varistor de óxido metálico, que utiliza la
MOSFET y un BJT, por eso tiene terminales propiedad de resistencia no lineal de óxido de
puerta (del MOSFET), colector y emisor (de zinc para formar una resistencia variable cuya
BJT) El material de partida es una oblea tipo resistencia a las caídas de corriente a medida
P. Su estructura consiste en 4 capas (PNPN), que aumenta la tensión.
la unión adicional PN creada reduce la
resistividad y la caída de tensión Vce(on) en La Conmutación de cargas inductivas pueden
conducción, esto se conoce como producir picos de alto voltaje en exceso de la
"Modulación de la resistividad" y permite tensión nominal del producto switch. Las
aumentar la intensidad. Sin embargo la unión cargas inductivas conforman una familia de
adicional P introduce un transistor parasito, dispositivos que tienen bobinas de
que en caso de ser activado puede destruir el conductores como parte integral de su diseño.
dispositivo. Ejemplos de cargas inductivas incluyen
bobinas de los relés, motores y bobinas. Este
tipo de cargas necesitan ser tratados
correctamente cuando se cambia, ya que
almacenan la energía cuando la corriente pasa
a través de ellos.
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Esta energía tiene que ir a algún lugar cuando


la corriente de carga inductiva se interrumpe.
Si no hay un camino alternativo para la
corriente, un alto voltaje se desarrollará hasta
lograr una ruptura del dieléctrico y se produce
un arco.

- MOC 3010

El optoaislador MOC3010 se compone de


arseniuro de galio sin diodo emisor de
infrarrojos, ópticamente junta un interruptor
de silicio bilaterales y está diseñado para
aplicaciones que requieren disparo aislado de
TRIAC, bajo la corriente de conexión de CA
aislada, el aislamiento eléctrico de alta (un
pico 7500V), de alto voltaje del detector
enfrentamiento, a un bajo costo y tamaño.

Un optoacoplador, también llamado


optoaislador o aislador acoplado ópticamente,
es un dispositivo de emisión y recepción que
funciona como un interruptor activado
mediante la luz emitida por un diodo LED que
satura un componente opto electrónico,
normalmente en forma de fototransistor o
fototriac. De este modo se combinan en un
solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor
y un fotorreceptor cuya conexión entre ambos
es óptica. Estos elementos se encuentran
dentro de un encapsulado que por lo general es
del tipo DIP. Se suelen utilizar para aislar
eléctricamente a dispositivos muy sensibles.