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UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS

PRIMER CLAUSTRO UNIVERSITARIO DE COLOMBIA

FACULTAD INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Laboratorio No. 01
Diseño Amplificador BJT.
Presentado a: Carolina Higuera Arias

Camargo Castillo Diego Cód.: 2221146, Sossa Rojas Álvaro Cod: 2259791

RESUMEN: En este informe se presentan los


procedimientos realizados y resultados obtenidos en la practica
1, la cual fue diseñada para elaborar un amplificador con
transistores BJT. Para esta practica de laboratorio se empleo el
transistor 2N3904 usado en su región activa para lograr la
amplificación requerida. A continuación, se evidenciarán los
resultados de la practica que incluye: los cálculos teóricos del
circuito, el montaje experimental y la simulación elaborada en
el software OrCAD.

I. INTRODUCCIÓN
Los amplificadores son algo común en la vida cotidiana, se
pueden observar en los dispositivos de audio como
grabadoras o computadores, se pueden amplificar señales de
radio, la principal acción de un amplificador como su Fig.1. Configuración de emisor común
nombre lo indica, es amplificar, ¿qué quiere decir?, los
amplificadores requieren una señal de entrada ya sea una
señal de audio como una canción o una señal de radio como
lo es la de una emisora, al accionar la parte de
amplificación como una canción en la radio se tiene un
elemento que hace que la señal se amplifique.

II. MARCO TEORICO

Para la amplificación con transistores BJT existen diferentes


configuraciones, las cuales son:

Amplificador de Emisor Común

El amplificador de emisor común es el tipo de configuración Fig.2. Configuración de emisor común con divisor de
mas usada ya que el emisor del transistor va conectado a tensión.
tierra y usado para referencia el terminal de entrada en este
caso la base y el terminal de salida el cual es el colector, otra Amplificador de Base Común
configuración es el emisor común con divisor de tensión,
nombrado así porque su terminal de base tiene como entrada La configuración de base común tiene como característica
dos resistencias, una entre el voltaje de alimentación y el que la base del transistor es la referencia del colector y el
terminal de base y otra resistencia desde el terminal de base a emisor del dispositivo, también tiene una impedancia baja de
referencia. entrada y una impedancia alta de salida.
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VCC VCC

R5 R8
91k 5.1k
C2

Q3 1u
C1 V

1u
V Q2N3904
Fig.3. Configuración de base común V2
VOFF = 0 R13
VAMPL = 20m 5.1k
FREQ = 1k R12 R11
Amplificador de Colector Común AC = 0 12k 510

La configuración de colector común o también llamado


seguidor emisor se base en que tiene una alta impedancia de 0 0 0 0
entrada y una baja impedancia de salida, contrario a las dos
configuraciones anteriores, su ganancia es aproximadamente
Fig.4. Simulación del circuito
igual a 1, lo cual hace que la señal de entrada sea igual a la
señal de salida. Para llegar a los valores de R1, R2 y RE, se utilizaron
ecuaciones en el modelo DC y modelo en pequeña señal:

6
𝐼𝐶𝑄 = (1)
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶

Como se especificó en la guía de laboratorio requería tener


un voltaje de alimentación de 12V.

A partir del modelo en pequeña señal se puede llegar a la


ecuación de Av para hallar la resistencia de emisor, la
ecuación es:

(𝑅𝐶||𝑅𝐿)
𝐴𝑉 = − (2)
𝑅𝐸

Al despejar los valores como ya se tenia que RC=RL=5.1Ω y


una ganancia de 5V/V se llegó a la conclusión de que RE es
Fig.4. Configuración de colector común o emisor seguidor. igual a:

(𝑅𝐶||𝑅𝐿)
𝑅𝐸 = | − | = 510Ω
III. PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS 𝐴𝑉

Para el desarrollo de la práctica se decidió utilizar un Con el valor de RE ya se puede hallar IcQ que es igual a
amplificador de emisor común con divisor de tensión. 1.069A.

al analizar el circuito en CD y al hacerlo con su modelo en Ahora para hallar los valores de R1 Y R2 se tienen las
pequeña señal, se pueden sacar diferentes ecuaciones con las siguientes ecuaciones:
cuales se pueden hallar las incógnitas del circuito y lograr
que cumpla con los parámetros deseados. 𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑅𝐵 = (3)
𝑅1 + 𝑅2

𝑅2 ∗ 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐵𝐵 = (4)
𝑅2 + 𝑅1
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Al hacer un análisis de malla desde la base hasta el emisor se VCC VCC

tiene que:

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 (5) 117.8uA 1.186mA


R5 R8
91k 5.1k

Para hallar el valor total de RB que cumpla con la indicación C2

de ser mayor a 10kΩ y que asegure una estabilidad en el Q3 1u


C1 1.186mA V
amplificador se usa la siguiente ecuación:
11.23uA
1u
V Q2N3904
-1.197mA
𝑅𝐵 = 0.1 ∗ 𝛽 ∗ 𝑅𝐸 = 0.1 ∗ 200 ∗ 510Ω = 10200Ω 0A
V2
VOFF = 0 R13
VAMPL = 20m 106.6uA 1.197mA 5.1k
FREQ = 1k R12 R11
Al tener este valor se puede despejar todas las ecuaciones AC = 0 12k 510 0A

anteriores para encontrar los siguientes valores de R1, R2 y


VBB:
0 0 0 0
𝑅1 = 11492𝑘Ω
𝑅2 = 90𝑘Ω
𝑉𝐵𝐵 = 1.35𝑉 Fig.5. Medidas de corriente de la simulación
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6𝑉
𝐼𝐶𝑄 = 1.069𝑚𝐴

Usando valores comerciales de los valores de resistencias


como 12kΩ y 91kΩ ya se completa todo el diseño del
amplificador, al realizar el paralelo con los valores
comerciales se tiene una RB de 10.6kΩ.

Al comparar los datos teóricos, prácticos y simulados se


puede notar algunas diferencias en cuanto a IcQ y VceQ:

VCC VCC

12.00V
12.00V

Fig.6. Medida de voltaje Vce practica


R5 R8
91k 5.1k
C2
5.954V
0V
Q3 1u
C1 V
5.954V
1u
V Q2N3904
0V
V2 1.279V
VOFF = 0 R13
VAMPL = 20m 610.3mV 5.1k
FREQ = 1k R12 R11
AC = 0 12k 510

0V
0V
0V 0V

0 0 0 0

Fig.4. Medidas de voltaje de la simulación

Fig.7. Medida de Ic practica


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Como se puede notar en cada una de las imágenes y los V. CONCLUSIONES


cálculos teóricos hay una diferencia entre los valores de cada
una de las formas de las cuales se tomaron los resultados. • El amplificador cumplió satisfactoriamente la
ganancia deseada prácticamente.
Por ultimo se tiene la señal de salida del amplificador en la
simulación y practica: • Al no tener valores exactos de ciertos parámetros
del dispositivo usado no se pueden dar valores
exactos de Ic o Vce.
100mV • A partir del software OrCAD se pueden tener
resultados más cercanos alterando los
parámetros del modelo del dispositivo.

0V
VI. REFERENCIAS

1. BOYLESTAD, Robert y NASHELSKY, Louis.


Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. 8va ed. Pearson.
-100mV
0s 0.5ms 1.0ms 2. SEDRA, Abel y Smith, Kenneth. Circuitos
V(R13:2) V(C1:1)
Time microelectrónicos. 4ta ed. OXFORD
Fig.8. Señales de salida (Roja) y entrada (Verde) de la UniversityPress.
simulación 3. Datasheet 2N3904:
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3904-
D.PDF

Fig.9. Medición de las señales de salida (Azul) y entrada


(Amarilla)

IV. ANALISIS DE RESULTADOS

Al comparar cada uno de los resultados se tienen


diferentes razones por las cuales las medidas son
distintas en algunos casos, como la corriente Ic y el
voltaje Vce, estos valores cambian en lo teórico,
practico y simulado, al no tener un valor exacto del β
practico puede haber diferencias o por otros aspectos
como lo es la temperatura, o los valores de las
resistencias no son exactos, estos motivos pueden alterar
el comportamiento del dispositivo creando diferencias
en los resultados obtenidos.

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