Universidad Nacional Mayor de

San Marcos
Laboratorio de Dispositivos Electrónicos

EXPERIENCIA N°1:
DIODOS SEMICONDUCTORES

HORARIO: Sábado 8:00 – 10:00 h

TIPO DE INFORME: FINAL

N⁰ INFORME: 1

PROFESOR:

MESTAS JOSE LUIS

ALUMNO:
DIAZ YGNACIO RICHARD ALEXANDER 17190154
LOPEZ MACAVILCA JAZMIN ZULEMA 18190143
GÓMEZ GERÓNIMO HENRY GABRIEL 17190112

LIMA – PERÚ
2019
 INTRODUCCION

OBJETIVOS

 Utilizar las características de operaciones de los diodos semiconductores

 Calcular corriente y voltajes del diodo.
 Comparar las mediciones realizadas analizar y expresar sus diferencias

TEORÍA

DIODO SEMICONDUCTOR

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección. De
forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo
de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima
de ella como un circuito cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
convertir una corriente alterna en corriente continua.

PRINCIPIO DE OPERACIÓN DE UN DIODO

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor del tipo P
tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones).

Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son
empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material N.

En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los
electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado p son empujados al lado P. En
este caso los electrones en el semiconductor o se mueven y en consecuencia no hay corriente. El
diodo se puede hacer trabajar de 2 diferentes maneras:
CORRIENTE DE POLARIZACION DIRECTA

El diodo permite la circulación de corriente sólo cuando se encuentra polarizado en forma directa, que
es cuando el terminal ánodo tiene polaridad positiva con respecto al terminal cátodo; en este caso, se
dice que el diodo se comporta como un conductor, y se produce una circulación de corriente por el
circuito, en el sentido convencional.

CORRIENTE DE POLARIZACION INDIRECTA

Cuando el diodo se polariza en forma inversa, (negativo en el ánodo y positivo en el cátodo), a nivel
práctico, éste se comporta como un circuito abierto, es decir, no circula corriente. Pero realmente sí
existe una cierta corriente, que por ser tan pequeña no se considera a efectos prácticos. Dicha corriente
se denomina corriente inversa de fugas (IR), y es muy dependiente de la temperatura. Su valor es del
orden de nA en el silicio, y de mA en el germanio.
CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO:

 Tensión umbral, de codo o de partida (V γ). La tensión umbral (también llamada

barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona
de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera
de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1%
de la nominal.

 Corriente máxima (Imax). Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir

el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que
puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

 Corriente inversa de saturación (Is). Es la pequeña corriente que se establece al polarizar

inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la
temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de10º en la temperatura.

 Tensión de ruptura (Vr). Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación;
en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta
la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante, hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los
que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En
polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de
saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía
cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conducción Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como
cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea
pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. Para tensiones inversas entre 4
y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos
efectos.

Otros Tipos de Diodos:

Diodo Rectificador
Diodo Zener
Diodo Varactor
Diodo emisor de luz
Diodo laser
Diodo estabilizador
Diodo Tunel
Diodo Pin
Diodo Backward
Diodo Scottky
Fotodiodos
PROCEDIMIENTO:
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversas del diodo de silicio, registrando
los datos en la Tabla 1.1:

Tabla 1.1
Rdirecta Rinversa
659 Ω O.L

2. Implementamos el circuito de la fig. 1.1.

a) Ajustando la tensión de salida de la fuente de tensión (empezando de 0V), observar y medir
la corriente y la tensión directa del diodo. Llenando estos datos en la Tabla 1.2
b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos y realizar las
mediciones llenando los datos en la Tabla 1.3

Tabla 1.2
Vcc (V) 0.51 0.58 0.6 0.69 0.8 0.91 1.18 1.72 2.2 2.72
Id (m A) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd (V) 0.5 0.53 0.56 0.59 0.63 0.65 0.68 0.71 0.73 0.74

Tabla 1.3
Vcc (V) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Id (m A) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Vd (V) 0 1.98 3.96 5.93 7.94 9.98 11.86 14.84 17.88

3. Usando el ohmímetro ahora pasaremos a medir la resistencia directa e inversa del diodo de
germanio, registrando los datos en la Tabla 1.4
Tabla 1.4
Rdirecta Rinversa
0.278Ω O.L

4. Repetir el circuito de la figura 1.1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2.
Procediendo a llenar las Tablas 1.5 y 1.6
Tabla 1.5
Vcc (V) 0 0.26 0.3 0.34 0.44 0.56 0.84 1.16 1.37 1.58 1.9
Id (m A) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 15.0 20.0
Vd (V) 0 0.24 0.25 0.27 0.29 0.3 0.33 0.36 0.37 0.38 0.39

Tabla 1.6
Vcc (V) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Id (m A) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Vd (V) 0 0.93 1.96 3.88 5.98 7.92 9.9 11.89 14.84 17.8 19.8
 CUESTONARIO:
1. Construir el gráfico Id = F (Vd) con los datos de las tablas 1.2 y 1.3 (Si). Calcular la resistencia
dinámica:

𝑉𝑑𝑛 − 𝑉𝑑𝑛−1
𝑟𝑑𝑛 =
𝐼𝑑𝑛 − 𝐼𝑑𝑛−1

Escriba
𝑉 aquí
− la𝑉ecuación.
0.53 − 0.5 𝑉𝑑7 − 𝑉𝑑6 0.68 − 0.65
𝑑2 𝑑1
𝑟𝑑2 = = = 0.3𝛺 𝑟𝑑7 = = = 0.012𝛺
𝐼𝑑2 − 𝐼𝑑1 0.2 − 0.1 𝐼𝑑7 − 𝐼𝑑6 5 − 2.5
𝑉𝑑3 − 𝑉𝑑2 0.56 − 0.53 𝑉𝑑8 − 𝑉𝑑7 0.71 − 0.68
𝑟𝑑3 = = = 0.15𝛺 𝑟𝑑8 = = = 0.006𝛺
𝐼𝑑3 − 𝐼𝑑2 0.4 − 0.2 𝐼𝑑8 − 𝐼𝑑7 10 − 5
𝑉𝑑4 − 𝑉𝑑3 0.59 − 0.56 𝑉𝑑9 − 𝑉𝑑8 0.73 − 0.71
𝑟𝑑4 = = = 0.075𝛺 𝑟𝑑9 = = = 0.004𝛺
𝐼𝑑4 − 𝐼𝑑3 0.8 − 0.4 𝐼𝑑9 − 𝐼𝑑8 15 − 10
𝑉𝑑5 − 𝑉𝑑4 0.63 − 0.59 𝑉𝑑10 − 𝑉𝑑9 0.74 − 0.73
𝑟𝑑5 = = = 0.05𝛺 𝑟𝑑10 = = = 0.002𝛺
𝐼𝑑5 − 𝐼𝑑4 1.6 − 0.8 𝐼𝑑10 − 𝐼𝑑9 20 − 15
𝑉𝑑6 − 𝑉𝑑5 0.65 − 0.63
𝑟𝑑6 = = = 0.02𝛺
𝐼𝑑6 − 𝐼𝑑5 2.5 − 1.6

POLARIZACION
DIRECTA

POLARIZACION
INVERSA
 2. Construir el gráfico Id = F (Vd) con los datos de las tablas 1.5 y 1.6 (Ge). Calcular la resistencia
dinámica:
𝑉𝑑2 − 𝑉𝑑1 0.24 − 0 𝑉𝑑7 − 𝑉𝑑6 0.33 − 0.3
𝑟𝑑2 = = = 1.2𝛺 𝑟𝑑7 = = = 0.012𝛺
𝐼𝑑2 − 𝐼𝑑1 0.2 − 0 𝐼𝑑7 − 𝐼𝑑6 5 − 2.5
𝑉𝑑3 − 𝑉𝑑2 0.25 − 0.24 𝑉𝑑8 − 𝑉𝑑7 0.36 − 0.33
𝑟𝑑3 = = = 0.05𝛺 𝑟𝑑8 = = = 0.01𝛺
𝐼𝑑3 − 𝐼𝑑2 0.4 − 0.2 𝐼𝑑8 − 𝐼𝑑7 8−5
𝑉𝑑4 − 𝑉𝑑3 0.27 − 0.25 𝑉𝑑9 − 𝑉𝑑8 0.37 − 0.36
𝑟𝑑4 = = = 0.05𝛺 𝑟𝑑9 = = = 0.005𝛺
𝐼𝑑4 − 𝐼𝑑3 0.8 − 0.4 𝐼𝑑9 − 𝐼𝑑8 10 − 8
𝑉𝑑5 − 𝑉𝑑4 0.29 − 0.27 𝑉𝑑10 − 𝑉𝑑9 0.38 − 0.37
𝑟𝑑5 = = = 0.025𝛺 𝑟𝑑10 = = = 0.002𝛺
𝐼𝑑5 − 𝐼𝑑4 1.6 − 0.8 𝐼𝑑10 − 𝐼𝑑9 15 − 10
𝑉𝑑6 − 𝑉𝑑5 0.3 − 0.29 𝑉𝑑11 − 𝑉𝑑10 0.39 − 0.38
𝑟𝑑6 = = = 0.01𝛺 𝑟𝑑11 = = = 0.002𝛺
𝐼𝑑6 − 𝐼𝑑5 2.5 − 1.6 𝐼𝑑11 − 𝐼𝑑10 20 − 15

POLARIZACION
DIRECTA

POLARIZACION
INVERSA
 3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas:
En ambos casos podemos notar diferencias en la polarización directa e inversa:
 Para la polarización directa en ambos casos la resistencia dinámica es pequeña, por lo que el
diodo se comporta como un circuito cerrado y deja fluir libremente la corriente.
 Para la polarización inversa en ambos casos la resistencia dinámica es demasiado alta, por lo que
el diodo se comporta como circuito abierto impidiendo el paso de la corriente.

4. Exponer sus conclusiones en el experimento:

 Al momento de medir las resistencias en polarización directa e inversa, notamos que el
multímetro nos botaba dos casos distintos: En el caso de una resistencia en polarización
directa obteníamos un valor pequeño de resistencia, sin embargo en el caso contrario que
es de polarización inversa obteníamos O.L (overload) que nos daba a entender una
resistencia demasiado alta.
 Se pudo conocer la gran utilidad de los diodos como son los casos de armar un circuito
recortador o un circuito sujetador para diversas utilidades como la generación de señales
de pulso, circuitos corta picos, etc.

BIBLIOGRAFIA

 https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.php

 https://www.studocu.com/es/document/universidad-nacional-mayor-de-san-

marcos/introduccion-a-las-ciencias-e-ingenieria/ejercicios-obligatorios/dispositivos-electronicos-

informe-final-3/3010751/view

 http://www.ifent.org/lecciones/diodo/curva.asp