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République Algérienne Démocratique et

Populaire
Ministère de L’enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
Université d’Oran des Sciences et de la Technologie Mohamed Boudiaf USTO-MB
Faculté de Physique
Département de Physique Energétique

Mémoire

Présenté par : BENDAHOU Asmaa

Pour l’obtention du diplôme de Master en Physique

Spécialité : Physique Energétique et énergies renouvelables

Intitulé

ETUDE DES ENERGIES CARACTERISTIQUES DU


SILICIUM AMORPHE DANS UNE PHOTOPILE

E=
Soutenu le 19 /06/2018 devant le jury composé de m

F
U
c2

Qualité Nom et Grade A


Etb d’origine
Prénom .
Président BELFAR Abbas MCA U.S.T.O.M.BC
Rapporteur RACHED Djaaffar MCA U.S.T.O.M.BS
U
L.
E.
O
Examinateur BELDJILALI MCA U.S.T.O.M.B
Sidahmed
Examinateur BELAROUSSI Tayeb MCB U.S.T.O.M.B

M
B
Dédicace
SOMMAIRE

Remerciements
SOMMAIRESOMMAIRE

Table des matières


INTRODUCTION GENERALE ……………………………………………………………………………………………..3
CHAPITRE I : LE SOLAIRE PHOTOVOLTAIQUE ………………………………………………….8
I.1 Introduction ………………………………………………………………………………………………………………..9
I.2 Rayonnement solaire ………………………………………………………………………………………………..9
I.3 L’énergie solaire en Algérie ……………………………………………………………………………………..10
I.4 Chronologie du photovoltaïque…………………………………………………………………12

I.5 Avantage et inconvénients du solaire photovoltaïque………………………………13

I.6 Principe de fonctionnement d’une cellule solaire photovoltaïque……………14

I.7 Structure et comportement d’une jonction p-n à l’équilibre…………………….14

I.7.1 Dopage de type N et P…………………………………………………………………………15

I.7.2 Définition d’une jonction PN………………………………………………………………….15

I.7.3 La Zone de Charge d’Espace…………………………………………………………………18

I.7.4 Les caractéristiques d’une jonction PN……………………………………………….20

I.7.5 Calcule du potentiel de diffusion Vb…………………………………………………….21

I.7.6 Epaisseur de la Zone de Charge d’Espace………………………………………….22

I.8 CONCLUSION………………………………………………………………………………………………..23

Références…………………………………………………………………………………………………………..24

CHAPITRE II : L’HETEROJONCTION SILICIUM AMORPHE/SILICIUM


CRISTALLIN…………………………………………………………………………………………………………25

II.1 Introduction…………………………………………………………………………………………………26

II.2 Le silicium cristallin…………………………………………………………………………………….26

II.3 Le silicium amorphe hydrogéné………………………………………………………………...27

II.3.1 Le silicium amorphe hydrogéné……………………………………………………………27

II.3.2 Diagramme de bande…………………………………………………………………………..27

II.3.3 Métastabilité du silicium amorphe hydrogéné…………………………………….28

II.3.4 Le rôle de l’hydrogène………………………………………………………………………….28

II.4 Le silicium polymorphe………………………………………………………………………………29

II.5 Hétérojonction HIT (Hétérojunction with intrinsic thin layer) …………………29

II.5.1 Generalities…………………………………………………………………………………………….30

II.5.2 Les différentes hétérojonction pour le photovoltaïque…………………………31


SOMMAIRE

II.6 Le modèle d’Anderson………………………………………………………………………………. 32

II.7 Différentes structures des cellules HIT……………………………………………………….34

II.8 CONCLUSION……………………………………………………………………………………………….39

Références…………………………………………………………………………………………………………..40

CHAPITRE III : MODELE DE SIMULATION POUR DES CELLUES A BASE DE


SILICIUM AMORPHE…………………………………………………………………………………..……41

III.1 Modèle mathématique équivalent à une cellule photovoltaïque………………42

III.2 La caractéristique I = f(V) ……………………………………………………………………..42

III.3 Paramètres photovoltaïques ……………………………………………… …………………..43

III.3.1 courant de court-circuit (ICC) ……………………………………………………….43

III.3.2 Tension de circuit ouvert (VCO)…………………………………..……………..43

III.3.3 Facteur de forme, FF


……………………………………………….........................44

III.3.4 Le rendement ………………………………………………………... …………………..45

III.3.5 Réponse spectrale ……………………………………………………………………….45

III.4. Description du modèle de simulation …………………………………………………….45

III.4.1 Calcul des états localisés continus dans le gap ………………..........46

a- Distribution dans les queues de bandes………………………………………….47

b- Distribution au milieu du gap…………………………………………..............47

III.4.2 Expressions des courants d’électrons et de trous…………………………..48

III.4.3 Méthode de résolution ………………………………………………………………………48

III.5 Les logiciels de simulation ………………………………………………………………………..48

III.5.1 PC1D……………………………………………………………………………………………………..49

III.5.2 AMPS-1D……………………………………………………………………………………………….49

III.5.3 AFORS-HET…………………………………………………………………………………………..50

III.5.4 ASDMP…………………………………………………………………………………………………..51

III.6 CONCLUSION………………………………………………………………………………………………52

Références……………………………………………………………………………………………………………53

CHAPITRE IV : ETUDE DES ENERGIES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM


AMORPHE DANS UNE PHOTOPILE…………………………………………………………………55

IV.1 : Introduction……………………………………………………………………………………………..56

IV.2 : Représentation de la cellule……………………………………………………………………56


SOMMAIRE

IV.3 : Influence de l’énergie caractéristique ED……………………………………………..59

IV.4 : Influence de l’énergie caractéristique EA…………………………………………………62

IV.5 : CONCLUSION………………………………………………………………………………………….…65

Références………………………………………………………………………………………………………………67

CONCLUSION GENERALE………………………………………………………………………………………………..…69
INTRODUCTION GENERALESOMMAIRE

Introduction générale

3
INTRODUCTION GENERALESOMMAIRE

Avec la diminution du stock mondial d’hydrocarbures d’origine fossile


(pétrole, gaz et charbon), la croissance de la demande énergétique et la
pollution de plus en plus envahissante, les énergies renouvelables (solaire,
marine, éolienne, etc.) reviennent au premier plan de l’actualité.

L’énergie solaire photovoltaïque est l’une des énergies renouvelables la


plus utilisée. Elle consiste à convertir directement le rayonnement
électromagnétique solaire en électricité. Elle utilise pour se faire des
convertisseurs photovoltaïques ou cellules photovoltaïques ou encore
cellules solaires qui représentent l’élément de base dans la conversion
photovoltaïque.

L’utilisation des cellules solaires comme convertisseurs d’énergie solaire a


fait apparaître le besoin d’étudier ces systèmes afin de les optimiser, et
par conséquence développer l’exploitation de cette nouvelle source
d’énergie renouvelable propre et qui n’émet pas de gaz à effet de serre,
pour ces dernières raisons la branche solaire photovoltaïque mérite
vraiment d’être mise à contribution. L’expérience montre que le
fonctionnement des cellules solaires dépend fortement de plusieurs
paramètres ; internes (lié au dispositif lui-même ; la technologie
d’élaboration du dispositif photovoltaïque) et externes (lié à l’entourage du
fonctionnement : éclairement, température, etc.). L’étude de l’influence
de ces différents paramètres sur le fonctionnement des photopiles solaires
est possible à travers la connaissance de l’influence de chaque paramètre
sur la caractéristique courant-tension (I-V) de la cellule.

L’Algérie s’engage avec détermination sur la voie des énergies


renouvelables afin d’apporter des solutions globales et durables aux défis
environnementaux et aux problématiques de préservation des ressources
énergétiques d’origine fossile.
Ce choix stratégique est motivé par l’immense potentiel en énergie
solaire. Cette énergie constitue l’axe majeur du programme qui consacre
au solaire thermique et au solaire photovoltaïque une part essentielle. Le

4
INTRODUCTION GENERALESOMMAIRE

solaire devrait atteindre d’ici 2030 plus de 37% de la production nationale


d’électricité. [1]
L’Electricité photovoltaïque est donc une source d’énergie incontournable
pour l’avenir, et des efforts considérables se font dans de nombreux pays,
pour rendre cet apport d’énergie financièrement compétitif. La production
mondiale des cellules photovoltaïques ne cesse de croître depuis une
quinzaine d’année, par plusieurs entreprises et laboratoire de recherche
notant l’entreprise japonaise SANYO qui a commencé en octobre 1997 une
production de masse de modules photovoltaïques nommées structure HIT.

En effet, après une recherche de plusieurs années, l’équipe de recherche


SANYO a su trouver les solutions pour développer des cellules
photovoltaïques dont l’intérêt principale se trouve au niveau de
l’hétérojonction silicium amorphe/silicium cristallin.

Dans le présent travail, nous étudions la sensibilité de la caractéristique


I=f(V) sous éclairement aux énergies E D et EA, qui représentent les
énergies caractéristiques des queues de bande de la bande de valence et
de conduction du silicium amorphe dans la structure ITO/p-a-Si:H/i-pm-
Si :H/n-c-Si/Al.

Le premier chapitre sera consacré à l’étude des généralités sur le solaire


photovoltaïque, le rayonnement solaire, l’énergie solaire en Algérie, les
avantages et les inconvénients du solaire photovoltaïque ainsi qu’une
étude détaillée sur le comportement d’une jonction p-n à l’équilibre.

Dans le deuxième chapitre, nous présentons l’hétérojonction silicium


amorphe/silicium cristallin avec une étude des différents matériaux
constituant les cellules solaires photovoltaïque, soit le silicium cristallin, le
silicium amorphe hydrogéné et le silicium polymorphe hydrogéné, ainsi
qu’une etude détaillée du modèle d’Anderson et des différentes structures
des cellules HIT (type N et P).

Le troisième chapitre présentera les différents logiciels disponibles pour la


simulation des cellules solaires photovoltaïque, ainsi qu’une description

5
INTRODUCTION GENERALESOMMAIRE

détaillée du logiciel de simulation ASDMP (Amorphous Semiconductor


Device Modeling) utilisé pour nos simulations. Ce logiciel a été développé
par le professeur Parsathi Chatterjee [2,3,4,5] et validé par l’équipe de
recherche du professeur ROCA à l’Ecole Polytechnique de Paris, France
[6,7].

Dans le quatrième chapitre nous allons étudier les énergies


caractéristiques du silicium amorphe dans une photopile cellules HIT de
type n à base de silicium amorphe : (ITO (p-a-Si :H) /i-pm-Si/n-c-Si/Al.

6
INTRODUCTION GENERALESOMMAIRE

Références :
[1] : http://www.energy.gov.dz programme des énergies renouvelables et
d’efficacité énergétique.

[2] : Chatterjee, P., 6th Int’l PVSEC, New Delhi, Feb. 10-14 (1992) 329.

[3] : Chatterjee, P., J. Appl. Phys. 75 (1994) 1093.

[4] : Chatterjee, P., J. Appl. Phys. 76 (1994) 1301.

[5] : Chatterjee, P., F. Leblanc, M. Favre, and J. Perrin. Mat. Res. Soc.
Symp. Proc. 426 (1996) 593.

[6] : Y. Poissant, P. Chatterjee, P. Roca i Cabarrocas. J. Appl. Phys. 93


(2003) 170.

[7] : U. Dutta, P. Chatterjee, P. Roca i Cabarrocas, P. Chaudhuri, R.


Vanderhaghen. J. Non- Cryst. Solids. 338 (2004) 677.

7
CHAPITRE I

Chapitre I :
Le solaire photovoltaïque

8
CHAPITRE I

I.1 Introduction :
Dans le premier chapitre nous donnerons des généralités sur la source
fondamentale de l’énergie photovoltaïque ; le soleil, son rayonnement puis
l’énergie solaire en Algérie, la chronologie du photovoltaïque, les
avantages et les inconvénients du solaire photovoltaïque, le principe de
fonctionnement d’une cellule solaire et enfin la structure et le
comportement d’une jonction p-n a l’équilibre.

I.2 Rayonnement solaire :


Le soleil a une température périphérique de l’ordre de 6000 °c comme
tout corps noir, il émet un rayonnement dans toutes les directions sous la
forme d’un spectre, c’est à dire un ensemble d’ondes de fréquences
différentes réparties selon une distribution spectrale.

Après avoir parcouru une distance d’environ 150 millions de km, le


rayonnement solaire atteint la terre avec une puissance de 1 360 W/m².
Ensuite au fur et à mesure qu’il traverse l’atmosphère, le spectre se
modifie : Des bandes d’absorption apparaissent et l’intensité diminue
légèrement. Par ciel clair, la puissance du rayonnement du soleil à 42°
d’inclinaison (AM1,5) est de l’ordre de 1.000 W/m². [1]

I.2.1 Air mass :

Pour pouvoir comparer les performances des cellules solaires et qualifier


les différents spectres solaires utilisés, la notion d’air mass (AM), ou «
masse atmosphérique » a été créée [2]. Le nombre de masse (AM) est
défini par l’équation :

1
AM= , Où θ est l’angle que fait le soleil avec son zénith.
cos θ

9
CHAPITRE I SOMMAIRE

Figure I.1 : Définition de l’air mass AMx

Figure I.2 : Spectre d’irradiance solaire.[2]

I.2.2 Les conditions standards de test STC (Standard Test


Condition):

Les conditions normalisées de test des panneaux solaires sont


caractérisées par un rayonnement de 1000 W/m2, un spectre solaire AM
1,5 et 25°C de température ambiante.

I.3 l’énergie solaire en Algérie :


L’Algérie, par sa situation géographique, bénéficie de conditions
favorables à l’utilisation des énergies renouvelables, en particulier
l’énergie solaire d’origine photovoltaïque.

10
CHAPITRE I SOMMAIRE

Dans le cadre du développement de ces énergies, plusieurs projets et


programmes solaires ont été initiés et développés par quelques entités
algériennes (CDER, ENIE) chargées de la recherche et du développement
des énergies renouvelables.

La stratégie énergétique de l’Algérie repose sur l’accélération du


développement de l’énergie solaire. Le gouvernement prévoit le lancement
de plusieurs projets solaires photovoltaïques d’une capacité totale
d’environ 800 MWc d’ici 2020. D’autres projets d’une capacité de 200 MWc
par an devraient être réalisés sur la période 2021-2030.[3]

La figure I.3 représente la consommation énergétique par habitant. Cette


figure nous permet de voir que la consommation énergétique en Algérie
depuis les années 1970 ne cesse d’augmenter. Cette augmentation est
due à l’accroissement de la population et l’évolution de train de vie des
individus.

Figure I.3 : Consommation énergétique par habitant [4]

L'Algérie possède un gisement solaire parmi les gisements les plus élevé
dans le monde. La durée moyenne d’ensoleillement dans le Sahara
algérien est de 3500 heures. Ce potentiel peut constituer un facteur
important de développement durable dans cette région s'il est exploité de
manière économique. Le tableau dessous indique le taux d'ensoleillement
pour chaque région de l'Algérie.

11
CHAPITRE I SOMMAIRE

Région Côtier Haut plateaux Sahara


Superficie (%) 4 10 68
Duré moyen 2650 3000 3500
d’ensoleillement (H/an)

Tableau I.1 : Potentiel solaire en Algérie [5]

I.4 CHRONOLOGIE DU PHOTOVOLTAIQUE :


I.4.1 Expérience de Hertz :

L’expérience de Hertz fut conduite de 1886 à 1888 par le physicien


allemand Heinrich Rudolf Hertz. Cet expérience a mis en évidence
les ondes électromagnétiques prédites par James Clerk Maxwell dans la
décennie précédente. Elle permit de confirmer la théorie de
l'électromagnétisme de Maxwell (Équations de Maxwell publiées en 1873).
L'émetteur est un circuit LC oscillant au-delà de la limite de claquage et
produisant une série d'arcs électriques. Le récepteur est une boucle dont
les extrémités sont séparées par un petit interstice. L’émission d'ondes
électromagnétiques dans le domaine radio induit un courant électrique
dans la boucle réceptrice qui se traduit par des arcs électriques.
La polarisation de l'onde électromagnétique est mise en évidence par
l'absence d'étincelle dans la boucle réceptrice lorsque celle-ci est
perpendiculaire au condensateur de l'émetteur.[6]

I.4.2 L’étude de Philipp Lenard :

Lenard étudia en 1902 comment l’énergie des électrons émis variait en


fonction de l’éclairement. Pour cela une plaque chargée négativement
était placée à proximité de la plaque éclairée par une puissante lampe à
arc dont l’intensité pouvait varier d’un facteur 1000. La plaque négative
repoussait donc les électrons. Seuls l’atteignaient (et provoquaient un
courant mesurable) les électrons d’énergie suffisamment grande pour
vaincre la répulsion. Lenard observa que si le potentiel de la plaque
négative était assez élevé, V>Vmax, aucun électron ne l’atteignait. [7]

12
CHAPITRE I SOMMAIRE

I.4.3 La théorie des quanta de Planck:

Max Planck en 1900, après des recherches acharnées, parvient à trouver


une explication théorique aux résultats expérimentaux en émettant une
hypothèse audacieuse, difficile à accepter dans le cadre de la physique
classique : l'émission de la lumière ne se produit pas de manière continue
mais par petits grains d'énergie, appelés quanta, dont les valeurs sont le
produit de la fréquence multipliée par un nombre appelé la constante de
Planck. Planck signe ainsi l'acte de naissance de la mécanique quantique.
[8]

I.4.4 Hypothèse d’Einstein:

En 1905, pour expliquer l'effet photoélectrique (l'émission d'électrons par


la lumière, phénomène à la base du fonctionnement des cellules
photovoltaïques), Albert Einstein émet une autre hypothèse : non
seulement l'absorption et l'émission de la lumière sont discontinues, mais
c'est la structure de la lumière elle-même qui est discrète, c'est-à-dire
formée de corpuscules appelés photons. L'énergie d'un photon est égale
au produit de sa fréquence multipliée par la constante de Planck. La
lumière, qu'on associait depuis des siècles à un comportement
ondulatoire, a aussi un comportement corpusculaire, comme les
particules. [9]

I.5 Avantages et inconvénient du solaire photovoltaïque :


L'énergie solaire apportée par des panneaux photovoltaïques a plusieurs
avantages : il s'agit d'une énergie inépuisable puisqu'elle est issue des
rayons du soleil et, de ce fait, elle respecte la nature et l'environnement.
C'est une énergie très fiable car il n'y a pas de risque de rupture. Par
ailleurs, l'intégration des panneaux photovoltaïques dans les habitations
est simple et l’installation est facile. Le coût de fonctionnement est faible
et l'entretien est réduit.

13
CHAPITRE I SOMMAIRE

La lumière du soleil étant disponible partout, l'énergie photovoltaïque est


exploitable aussi bien en montagne, dans un village isolé que dans les
grandes villes, dans le Nord comme dans le Sud.

Cependant cette énergie concentre aussi des inconvénients ; le coût


d’investissement des panneaux photovoltaïques est élevé, le rendement
réel de conversion d’un module est faible, lorsque le stockage de l’énergie
électrique par des batteries est nécessaire, le coût du système
photovoltaïque augmente en plus le rendement électrique diminue avec le
temps.

I.6 Principe de fonctionnement d’une cellule solaire


photovoltaïque :
Une cellule photovoltaïque est un dispositif qui permet de transformer
l’énergie solaire en énergie électrique. Cette transformation est basée sur
les trois mécanismes suivants :

 Absorption des photons (dont l’énergie est supérieure au gap) par


le matériau constituant le dispositif ;

 Conversion de l’énergie du photon en énergie électrique, ce qui


correspond à la création de paires électron/trou dans le matériau
semi-conducteur ;

 Collecte des particules générées dans le dispositif.

Le matériau constituant la cellule photovoltaïque doit donc posséder deux


niveaux d’énergie et être assez conducteur pour permettre l’écoulement
du courant d’où l’intérêt des semi-conducteurs pour l’industrie
photovoltaïque.

Afin de collecter les particules générées, un champ électrique permettent


de dissocier les paires électrons/trou créées est nécessaire. Pour cela on
utilise le plus souvent une jonction p-n. D’autres structures, comme les
hétérojonctions et les Schottky peuvent également être utilisées.

14
CHAPITRE I SOMMAIRE

I.7 Structure et comportement d’une jonction p-n a


l’équilibre :
Soient deux semiconducteurs de type n et p.Si on réalise un contact
intime entre ces deux semiconducteurs, on obtient ce que l’on appelle une
jonction p-n (fig. I.4). Il faut noter que ce contact n’est pas une simple
juxtaposition du cristal de type n avec un cristal de type p. En pratique, le
contact doit être à une échelle atomique, soit une continuité du cristal de
part et d’autre de la surface de la jonction.

Figure I.4 : Deux morceaux d’un même semi-conducteur dopé de type n et p

Figure I.5 : formation théorique d’une jonction p-n

Dans une jonction p-n (fig. I.5) à l’équilibre, non polarisée, il s’établit une
différence de potentiel Vb entre la région de type n et celle de type p.
Cette barrière de potentiel et le champ électrique associé s’opposent à la
diffusion des porteurs majoritaires d’une région à l’autre.

15
CHAPITRE I SOMMAIRE

I.7.1 Définition d’une jonction p-n :

Une jonction p-n représente la mise en contact d'une surface de cristal de


semi-conducteur dopé p avec une surface de cristal de semi-conducteur
dopé n. Cette structure permet de réaliser des diodes.

I.7.2 Dopage de type p et n :

I.7.2.1 Dopage du semi-conducteur de type n :


Considérons le cas du Silicium (colonne IV du tableau de Mendeleïev).
Introduisons des atomes dopants de la colonne V tel que le phosphore (5
électrons périphériques).

L’atome de phosphore P remplace un atome de silicium dans le réseau


(fig. I.6). L’atome P ayant cinq électrons de valence, il forme quatre
liaisons covalentes avec des atomes de silicium voisins ; il reste un
électron libre qui peut participer à la conduction électrique. L’atome de
phosphore étant donneur d’électron, on parle de dopage de type n.

Figure I.6 : Dopage de type n

I.7.2.2 Niveau « donneur » dans la Bande Interdite :


Les dopants génèrent des niveaux d’énergies dans la bande interdite. Lors
d'un dopage n, l'introduction d'atomes donneurs d'électrons entraîne
l'apparition d'un niveau d'énergie situé juste en dessous de la bande de
conduction. L'énergie nécessaire pour que les électrons passent dans la

16
CHAPITRE I SOMMAIRE

bande de conduction est plus facilement atteinte que dans un semi-


conducteur intrinsèque.

Figure I.7 : niveau donneur dans la bande interdite

On remarque que l’on a créé des électrons dans la bande de conduction


sans la présence de trous dans la bande de valence n ≠ p.

I.7.2.3 Dopage du semi-conducteur de type p :


Considérons le cas du SC Silicium (col IV). Introduisons des atomes
dopants de la colonne III (3 électrons périphériques).

Un atome dopant possédant trois électrons de valence, comme le bore B,


conduit à un déficit d’électron de valence dans le réseau, appelé trou. Ce
trou peut être comblé par un électron de valence d’un atome de silicium
voisin, déplaçant ainsi le trou. L’atome de bore étant accepteur d’électron,
on parle de dopage de type p (p pour positif).

Figure I.8 : Dopage de type p

I.7.2.4 Niveau « accepteur » dans la Bande Interdite :


Lors d'un dopage p, l'introduction d'atomes accepteurs d'électrons
entraîne l'apparition d'un niveau situé au-dessus de la bande de valence.

17
CHAPITRE I SOMMAIRE

L'énergie à fournir aux électrons de valence pour passer sur ce niveau


accepteur est faible, et le départ des électrons entraîne l'apparition de
trous dans la bande de valence.

Figure I.9 : Niveau accepteur dans la bande interdite

I.7.2.5 Porteurs minoritaires et majoritaires :


Semi-conducteur dopé p a une densité d'électrons n plus faible et une
densité de trous p plus élevée que le même semi-conducteur pris dans sa
configuration intrinsèque. On dit alors que :

• Les électrons sont les porteurs minoritaires.

• Les trous sont les porteurs majoritaires.

Semi-conducteur dopé n

• Les électrons sont les porteurs majoritaires.

• Les trous sont les porteurs minoritaires.

I.7.3 La Zone de Charge d’Espace, La densité volumique des


charges, Le champ électrique :

I.7.3.1 La Zone de Charge d’Espace :


Lors de la mise en contact des régions n et p (fig. I.10), un champ
électrique E est créé (champ de diffusion) dirigé du côté n vers le côté p.
Le potentiel correspondant est appelé potentiel de diffusion (barrière de
potentiel) Vb. En dehors de la zone de charge d’espace ZCE, le semi-
conducteur reste électriquement neutre.

18
CHAPITRE I SOMMAIRE

Figure I.10 : Formation de la jonction p n

I.7.3.2 La densité volumique des charges :


La densité volumique de charge  dans la zone de charge d’espace est
donnée par les équations.

(x)=0 pour x < -xp et x > xn


(x)= -q NA pour -xp< x < 0
(x)= q ND pour 0 < x < xn

Figure I.11 : Distribution volumique de charge dans la jonction p n

ND: La densité d’atomes donneurs.


NA : La densité d’atomes accepteurs

19
CHAPITRE I SOMMAIRE

I.7.3.3 Le champ électrique interne :


Il suffit, pour obtenir le potentiel et le champ électriques, d'intégrer
l'équation de Poisson :

∂ E= ρ = qN D
∂x ξ ξ Pour 0  x xn (I.1)

ρ qN A
=−
ξ ξ Pour – xp x  0 (I.2)

Où  est la densité de charge et  permittivité du semi-conducteur. D’où


en intégrant une fois:

qND
E= x +cst (I.3)
ξ

La constante d’intégration est déduite des conditions aux limites. Au delà


de cette région (x ≥ xn), le semi-conducteur est neutre. Le champ
électrique est nul et le potentiel est constant.

E (x  xn) = 0 et V(x  xn) = Vn (I.4)

qN D
E( x n )= x n + cts=0
ξ
(I.5)

Nous trouvons dans la région n :

q N D ( x −xn )
E= (I.6)
ξ

Et dans la région p :

−q N A (x+ x P)
E= (I.7)
ξ

I.7.4 Les caractéristiques d’une jonction PN :

Hypothèse de SCHOCKLEY : On admet qu'il n'y a pas de charges mobiles


dans la ZCE.

20
CHAPITRE I SOMMAIRE

La ZCE s'étend :
 de - xp à 0 du côté "p"
 de 0 à xn du côté "n"
W = xp + xn : épaisseur de la ZCE
x = -xp le semi-conducteur passe brutalement de l'état neutre (tous les
majoritaires présents) à l'état déserté (tous les majoritaires absents).

x = xn le semi-conducteur passe brutalement de l'état déserté (tous les


majoritaires absents) à l'état neutre (tous les majoritaires présents).

Figure I.12 : Caractéristiques d’une jonction p n

I.7.5 Calcul du potentiel de diffusion :

21
CHAPITRE I SOMMAIRE

La hauteur de la barrière de potentiel qui s’oppose au courant majoritaire


peut être déduite de la figure I.12 :

q V b =Ecp −Ecn (I.8)

Sachant que:
Ecp−¿ E F

kT
¿ (I.9)
¿
−¿
n p=N c e ¿
Et
Ecn−¿ E F

kT
¿ (I.10)
¿
−¿
nn=N c e ¿

E cp−¿ E
F

kT
¿
¿ (I.11)
−¿
np
=e ¿
Nc

E cp−¿ E N
F
=ln c
kT np
¿
(I.12)

Nc
Ecp =kTln ( )
np
+ EF (I.13)

De la même façon on obtient Ecn

Nc
Ecn =kTln ( )
nn
+ EF (I.14)

Nc N
q V b =kTln ( )
np ( )
+ E F −kTln c −E F
nn
(I.15)

q V b =kT ln
( ( ) ( ))
Nc
np
N
−ln c
nn
(I.16)

22
CHAPITRE I SOMMAIRE

N c nn
q V b =kTln ( np Nc )
(I.17)

nn
q V b =kT ln ( )
np
(I.18)

2
n
On a nn=N D et n p= i
NA
(I.19)

Nous obtenons :
N N
V b=
kT
q (
ln D 2 A
ni )
(I.20)

Vb: La barrière de potentiel.


Eg: Le gap.
q: La charge électrique.
Ecn: Le bas d’énergie de la bande de conduction pour les électrons.
Evp: Le maximum d’énergie de la bande de valence pour les trous.
EF: L’énergie de Fermi.
Nc: La densité d’état par unité de volume dans la bande de conduction.
NV: La densité d’état par unité de volume dans la bande de valence.
ni: La concentration intrinsèque.
nn: La concentration des électrons dans la région n dans le cas de
l’équilibre thermodynamique.
pp: La concentration des trous dans la région p dans le cas de l’équilibre
thermodynamique.
k: La constante de Boltzmann.
ND: La densité d’atomes donneurs.
NA: La densité d’atomes accepteurs. [10]

I.7.6 Epaisseur de la Zone de Charge d’Espace :


A la surface de séparation (x = 0)entre le semiconducteur de type n et p,
nous avons une continuité du champ et du potentiel électrique. Nous
avons d’après les équations (I.6) et (I.7):

23
CHAPITRE I SOMMAIRE

−q N A −q N D
E= xp = x n =−E max
ξ ξ
(I.21)
ξ ξ0
x n = Emax
qND
(I.22)
ξ ξ0
x p=Emax
qNA
(I.23)
Et sachant que :[10]
2V b
Emax = (I.24)
w
La largeur totale de la zone de charge d’espace vaut :

W =x n + x p=

(I.25)
√ 2 ξ ξ0 N A+ ND
q ( NA ND ) Vb

I.8 Conclusion :
Dans ce chapitre nous avons présenté quelques notions sur le solaire
photovoltaïque, le rayonnement solaire et nous avons aussi abordé
l'énergie solaire en Algérie. Par la suite, nous avons étudié le principe de
fonctionnement d’une cellule solaire photovoltaïque, les avantages et les
inconvénients du solaire photovoltaïque ainsi que la structure et le
comportement d’une jonction p-n à l’équilibre.

REFERENCES :
[1] ANNE LABOURET, PASCAL CUMUNEL JEAN-PAUL BRAUN, BENJAMIN
FARAGGI Cellules solaires. Les bases de l’énergie photovoltaïque,. 5e
édition, Dunod, Paris, 2010 ©

[2] MECHAI Fazia, mémoire de magister, Etude et simulation des


structures photovoltaïques a base de chalcogénures de métaux de
transition, Université Mouloud Mammeri de Tizi-ouzou ,07/04/2016

[3] République Algérienne Démocratique et populaire. Ministry of Energy


23/11/2017

24
CHAPITRE I SOMMAIRE

[4] Jean-Herman Guay, Thèse de Doctorat, perspective monde, 6.7.2016.

[5] BENGUEHZA Mohammed lakhdar, MEMOIRE MAGISTER, impact de


l'espace entre les deux vitrages sur le rendement d'un capteur solaire, 24
- 2 – 2009

[6] Expérience de Hertz, F.W. vannare Modern physics. P rentice-Hall


1962 p 30

[7] Physics class XII, Satya Prakash, V. K. Publications 2016

[8] Noyaxet partials science et Histoire, Effet photo-electrique


subatomique 1895-1938

[9] Facts and Mysteries in Elementary Pariticle Physics – Martinus Veltman


(World Scientific 2003.

[10] RACHED Djaaffar, Thèse de Doctorat, Etude et modélisation d’une


cellule HIT à base de silicium polymorphe. USTO, 2010.

25
CHAPITRE II

Chapitre II :
L’hétérojonction silicium amorphe /
silicium cristallin

26
CHAPITRE II SOMMAIRE

II.1. INTRODUCTION :
En octobre 1997, l’entreprise japonaise SANYO a commencé une
production de masse de modules photovoltaïque nommés ‘structure HIT’
(Hétérojunction with Intrinsic Thin layer). En combinant la bonne
performance du silicium cristallin et le bas coût de production du silicium
amorphe, cette technologie a permis d’atteindre de hauts rendements tout
en diminuant le prix de revient. SANYO a ensuite perfectionné ses cellules
jusqu’à atteindre des valeurs record du rendement de conversion(25%
pour une surface de 102cm2[1,2] et 19.4% en module [3]). Le silicium
amorphe déposé à basse température est le principal avantage de la
structure HIT créé par le groupe de recherche SANYO.[4]

II.2. LE SILICIUM CRISTALLIN


II.2.1 Définition :
Le silicium cristallin (c-Si) est le matériau de base de la microélectronique.
Il est aussi utilisé dans le domaine de la conversion photovoltaïque, pour
ses propriétés semi-conductrices, et parce qu’il est aisé de le doper. La
structure du silicium cristallin est telle que chaque atome de silicium est
lié à quatre atomes, forment ainsi les sommets d’un tétraèdre régulier
(fig.I.1). Son coût de fabrication reste l’inconvénient majeur [5]

Figure II.1 : structure du silicium cristallin

II.2.2 processus de fabrication :


Le silicium est fabriqué à partir du sable quartzeux ou silice. Ce dernier est
chauffé dans un four électrique en présence du carbone à haut
température pour ainsi obtenir du silicium métallurgique ou MG-Si, La

27
CHAPITRE II SOMMAIRE

pureté du MG-Si est de l’ordre de 98 à 99%. Après un traitement chimique


pour aboutir à du silicium de qualité électronique qui se présente sous
forme liquide, le silicium est coulé sous forme de lingot suivant un
processus de cristallisation. Il est ensuite découpé en wafers. Par la suite,
ce silicium pur va être dopé avec les éléments dopants (Phosphore,
Bore...) afin de lui donner ses propriétés de semi-conducteur N ou P. Avec
un très bon rendement les cellules à base du silicium cristallin ont une
durée de vie importante plus ou moins 30 ans.

II.3 LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE :


II.3.1 Le silicium amorphe hydrogéné :
Le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) est un matériau semi conducteur.
Il a été découvert vers les années soixante. Au départ, ce matériau n’était
pas utilisable à cause de sa grande densité de défauts. Vers la fin des
années soixante, Chittick a découvert que 99.9 % des défauts étaient
saturés par l’hydrogène. Comme le silicium cristallin, le silicium amorphe
possède la structure tétraédrique c'est-à-dire, chaque atome est lié aux
quatre atomes voisins par des liaisons covalentes, mais il présente des
distorsions aléatoires. En conséquence de ce désordre, certaines liaisons
se cassent pour former des liaisons pendantes.

II.3.2 Diagramme de bande :


La figure I.2 représente le diagramme de bande du silicium amorphe
d’après le modèle de Davisson et Mott [6].

28
CHAPITRE II SOMMAIRE

Figure II.2 : Diagramme des bandes d’Energie du silicium amorphe hydrogéné et du


silicium cristallin

Dans les bandes (valence et conduction), les états sont étendus et les
porteurs participent à la conduction. Les états dans ces queues sont
localisés. Les porteurs dans ces états participent à l’absorption. Pour cette
raison le gap optique est légèrement inférieurs au gap de mobilité. Ces
états de queues de bandes sont modélisés par une exponentielle. La
largeur de la queue de bande de valence est plus large que celle de la
queue de bande de conduction [7]. Ce qui explique le fait que le dopage
de type p est plus difficile dans le a-Si: H. Les défauts profonds dus aux
liaisons pendantes peuvent être modélisés par deux gaussiennes (l’une

0/−¿
pour les défauts de caractère accepteur ¿ , l’autre de caractère
D
donneur D
+¿0
)

II.3.3 Métastabilité du silicium amorphe hydrogéné :

29
CHAPITRE II SOMMAIRE

Les propriétés du silicium amorphe hydrogéné évoluent défavorablement


lorsque le matériau est soumis à un éclairement prolongé, un passage du
courant, une injection de porteurs ou à certains d’autres phénomènes. On
dit qu’il vieillit. L’effet le plus connu et le plus handicapant de la
métastabilité est la création de défauts par éclairement prolongé On
désigne ce phénomène par ‘‘effet Staebler et Wronski’’, du nom des
premiers auteurs l’ayant étudié [8]. Ce phénomène est heureusement
réversible en soumettant le matériau à un recuit à une température de
l’ordre de 170°C.

II.3.4 Le rôle de l’hydrogéné :


Le rôle de l’hydrogène est de saturer les liaisons pendantes. Il rend le
silicium amorphe utilisable. Sans hydrogène, la densité des liaisons
pendantes serait de l’ordre de 1019/cm-3 et le gap optique de 1.2 eV
environ ce qui le rend impossible à doper. L’hydrogène permet de réduire
les liaisons pendantes de 99.99 %. De plus, en se liant aux atomes de
silicium (liaisons covalentes), il entraîne la disparition d’une partie des
états localisés. Ceci se traduit par une diminution de la pente des queues
de bande et une augmentation du gap optique. Mais, une incorporation
excessive de l’hydrogène peut entraîner la rupture des liaisons faibles et
l’introduction de nouvelles liaisons pendantes. Un équilibre donc se met en
place.

II.4 LE SILICIUM POLYMORPHE :

En 1997, un nouveau matériau a été découvert au Laboratoire de


Physique des Interfaces et des Couches Minces (LPICM) à l’Ecole
Polytechnique de Paris, nommé silicium polymorphe hydrogéné (pm-
Si:H), ou autrement dit, silicium amorphe nanocristallin. De façon
générale, le silicium polymorphe hydrogéné (pm-Si:H) est un mélange de
a-Si:H et de zones de silicium nanocristallines. Ces particules
nanocristallines d’une taille de 1 à 10 nm, sont formées dans le plasma.

30
CHAPITRE II SOMMAIRE

Ce sont elles qui améliorent les propriétés optiques et électroniques par


rapport au a-Si:H.[9]

Le découvert du Silicium polymorphe a remis la question de stabilité du


Silicium amorphe au goût du jour. Ce dernier est défini comme étant un
matériau hétérogène qui consiste en agrégats de Silicium et de
nanocristallites incorporés au sien d’une matrice amorphe. [4]

II.5 HETEROJONCTION HIT (Heterojunction with


Intrinsic Thin layer):
II.5.1 Generalities:

Une hétérojonction est une jonction p-n correspondant au contact de deux


semiconducteurs différents dont l’un est dopé p et l’autre n. Une
hétérojonction est formée lorsque les 2 semiconducteurs sont en contact.
Sa réalisation s’effectue par croissance cristalline d’un matériau sur l’autre
et nécessite l’utilisation de semiconducteurs ayant des propriétés
cristallines voisines (la taille des atomes doit notamment être assez
proche).

Selon le type du dopage utilisé pour les semiconducteurs, deux


hétérojonctions se distinguent :

• Les premières sont les hétérojonctions isotypes, pour lesquelles les deux
semiconducteurs sont de même type (Fig. II. 3).

• Les secondes sont les hétérojonctions anisotypes, pour lesquelles les


deux semiconducteurs sont dopés différemment [1] (Fig. II. 4).

31
CHAPITRE II SOMMAIRE

Figure II.3 : Diagramme de bande d’une hétérojonction isotype : (a) avant contact, (b)
après contact.

Figure II.4 : Diagramme de bande d’une hétérojonction anisotrope : (a) avant contacte
(b) après contacte

II.5.2 Les différentes hétérojonctions pour le photovoltaïque :


Différentes combinaisons de matériaux sont possibles pour former des
hétérojonctions adaptées à l’application photovoltaïque. Le tableau II.1
donne un aperçu des hétérojonctions les plus connues et les plus étudiées
[10]. Les paramètres les plus importantes basées sur le modèle
d’Anderson y sont donnés et permettent d’évaluer le rendement maximal.

Hétérojonctions E g1 Eg2 X1 X2 ∆ EC Vd ηmax


Mat1/Mat2 (eV) (eV) (eV) (eV) (eV) (V) (%)
n-ITO/p-InP 3.35 1.35 4.50 4.38 -0.12 1.43 24.0
n-ITO/p-CdTe 3.35 1.50 4.50 4.28 -0.22 1.48 21.3
n-ITO/p-Si 3.35 1.12 4.50 4.05 -0.45 0.87 17.6
n-ZnSe/p-Ge 2.67 0.66 4.09 4.13 0.04 0.51 14.8
n-ZnSe/p-Si 2.67 1.12 4.09 4.05 -0.03 0.93 17.5
n-CdS/p-InP 2.42 1.35 4.50 4.38 -0.12 1.08 15
n-CdS/p-CdTe 2.42 1.50 4.50 4.28 -0.22 1.13 12.8
n-ZnO/p-CdTe 3.30 1.50 4.35 4.28 -0.07 1.33 18.9
n-ZnSe/p-GaAs 2.67 1.43 4.09 4.07 -0.02 1.26 17.5
n-CdS/p-CuInSe2 2.42 1.04 4.50 4.00 -0.50 1.88 19.0
AlGa.As/GaAs 2.1-2.4 1.43 4.00 4.07 0.07 1.35 26.0

32
CHAPITRE II SOMMAIRE

Tableau II.1:performances de différentes hétérojonctions (‹‹ Mat›› signifie matériau)[11]

II.6 LE MODELE D’ANDERSON :


Le modèle d’Anderson est le modèle de base pour décrire les conditions de
mise en contact de deux matériaux semiconducteurs. Ce modèle est basé
sur les propriétés électroniques des matériaux que sont le gap Eg, la
permittivité électrique ε, l’affinité électronique . Lors du raccordement
des bandes de conduction et de valence, la différence entre les gaps et les
affinités électroniques sont à l’origine des discontinuités.

Dans ce modèle, on considère que le transport de charges se fait par


injection dans les régions quasi-neutres et aussi par les phénomènes de
génération/recombinaison dans la zone de charge d’espace. On considère
aussi que les quasi-niveaux de Fermi ne varient pas dans la zone de
charge d’espace. Le raccordement des bandes de conduction et de valence
se fait en respectant les relations suivantes [12]:

Le désaccord de la bande de conduction ∆ E c =q(❑2−❑1)


(II.1)

Le désaccord de la bande de valence ∆ E v =q ( ❑1 −❑2 )+ Eg 1−E g 2 (II.2)

La tension de diffusion q V di =q V d 1 +q V d 2
(II.3)

Avec V d1 , V d2 : Tension de diffusion de chaque région.

Ces discontinuités influent beaucoup sur la qualité de l’interface


amorphe/cristalline et la structure de bande à l’interface (Relations II.1 et

II.2).
II.6.1 modèle d’Anderson dans le cas d’une cellule HIT de type P :
Les discontinuités de bandes EC et EV d’après la figure II.5 et d’après les
relations II.1 et II.2 :
∆ E c =e( χ 2− χ 1 )

∆ EV =Eg1−Eg2 −e( χ 2− χ 1 )
V dn+ δ n1 =Eg 2−δ p 2 (II.4)

33
CHAPITRE II SOMMAIRE

V dn−V d 1=V d 2−∆ Ec (II.5)

En tirant Vdn de l’équation (II.4) et en le remplaçant dans (II.5), nous


trouvons le potentiel induit:
V d =V d 1 +V d 2 =Eg 2 −δ p 2−δ n 1 +∆ E c (II.6)

Vd est la tension de diffusion dans une hétérojonction de type p.

Figure II.5 : Diagramme de bande d’une hétérojonction en face avant a-Si :H(n)/c-Si(p)

II.6.2 Modèle d’Anderson dans le cas d’une cellule HIT de type N :

Le calcul du potentiel induit se fait d’après la figure II.6 et d’après les


relations II.1 et II.2 :

E g1 =V d 1 +∆ E c +V d 2 +δ n 2+ δ p 1 (II.6)
V d 1 +V d 2=Eg 1 −Δ Ec −δ n 2−δ p 1 (II.7)

De l’équation (II.1 et II.2) on trouve


Δ E c =Eg1−Eg2− Δ Ev
(II.8)
On remplaçant Ec dans (II.7) et on trouve :
V d =V d 1 +V d 2 =Eg 2 −δ n 2−δ p 1 +∆ E v (II.9)

34
CHAPITRE II SOMMAIRE

Pour la structure type n/p, il apparaît une différence de hauteur de bande


ΔEc au niveau de la bande de conduction nettement moins prononcée (fig.
II.5) La courbure de bande s’avère être d’une importance considérable
dans l’établissement du champ électrique à l’interface.
A l’inverse, la structure type p/n possède une différence de hauteur de
bande ΔEv au niveau de la bande de valence (fig. II.6) qui entraîne une
courbure de bande assez conséquente

Figure II.6 : Diagramme de bande d’une hétérojonction en face avant a-Si :H(p)/c-Si(n)

II.7 DIFFERENTES STRUCTURES DES CELLULES HIT :


II.7.1 Structure HIT comprenant un substrat dopé n :
L’entreprise japonaise SANYO fut la première entreprise à produire des
modules photovoltaïques nommés structures HIT [13]. La structure HIT
possède l’avantage principal qui est l’utilisation de silicium amorphe
déposé à basse température. Le grand intérêt de ce type de cellule sont
les rendements qui sont supérieurs à 25% en laboratoire sur du silicium
monocristallin dopé n à des températures inférieures à 300°C. Après
plusieurs années de recherche, SANYO a su trouver les solutions pour
développer des cellules photovoltaïques dont l’intérêt principal se trouve

35
CHAPITRE II SOMMAIRE

au niveau de l’hétérojonction silicium amorphe/silicium cristallin. De


simples cellules de type a-Si:H(p)/c-Si(n) ont été fabriquées. Ces
hétérojonctions avaient des tensions en circuit ouvert (V oc) et facteur de
forme (FF) toujours inférieurs à ceux des cellules conventionnelles. Cela
s’est expliqué par la forte recombinaison à l’interface amorphe/cristallin.
De plus, le silicium amorphe hautement dopé possède une forte densité de
défauts au milieu du gap. Ce phénomène a été largement diminué en
insérant une couche de silicium amorphe intrinsèque qui possède moins
de niveaux pièges. Cela améliore la tension en circuit ouvert et en
conséquence le rendement de la cellule. Le tableau ci-dessous [14]
présente les valeurs de tension en circuit ouvert V oc, courant de court-
circuit Icc, facteur de forme FF et rendement η sur des cellules de surface
égale à 1 cm² avec et sans couche intrinsèque.

Voc Jsc
HIT FF (%) η (%)
(mV) (mA/cm²)
ITO/p-a-Si:H/n-c-Si/métal 570 30.0 72.0 12.3
ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-c-
600 33.5 74.0 14.8
Si/métal

Tableau II.2 : Caractéristiques J = f (V) sur des cellules HIT de surface égale à 1 cm²
avec et sans couche intrinsèque de silicium amorphe.

La mise en place d’un champ de surface arrière (BSF : Back Surface Field)
pour former une barrière de potentiel à l’arrière de la cellule empêchant
les porteurs minoritaires d’aller se recombiner sur la surface arrière ainsi
qu’une texturation de surface pour confiner la lumière pour augmenter le
nombre de porteurs photo générée permettent d’obtenir un haut
rendement [14] sont résumé dans le Tableau II.3.

HIT Voc (mV) Jsc (mA/cm²) FF (%) µ (%)


ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-c-
638 37.9 77.5 18.7
Si/BSF/métal + texturation
ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-c-Si/i-a-Si/
644 39.4 79.0 20.0
n+-a-Si:H/métal + texturation

36
CHAPITRE II SOMMAIRE

Tableau II.3: Caractéristiques J = f (V) sur des cellules HIT de surface égale à 1 cm²

La figure II.7 représente une structure HIT. Du silicium amorphe dopé p


est déposé à basse température (250°C) pour constituer l’émetteur et du
silicium amorphe dopé n pour le champ arrière.

Figure II.7 : Structure HIT fabriquée par SANYO

La structure HIT est présentée de façon symétrique [15,16]. La symétrie


permet d’obtenir un éclairement des deux côtés et les dépôts se font à
une température de 200°C. La couche anti-réfléchissante (TCO : Oxyde
Transparent Conducteur) sur du silicium amorphe dopé p côté émetteur et
dopé n. Côté face arrière, le TCO est déposer pour la réalisation du champ
de surface arrière BSF. Cette couche d’oxyde transparent conducteur
permet d’établir la liaison entre le silicium amorphe dopé de chaque côté
de la cellule et les contacts métalliques servant d’électrode. Les couches
de silicium amorphes déposées par la méthode PECVD (Plasma Enhanced
Chemical Vapor Deposition) sont déposées directement sur le substrat.

II.7.2 Structure HIT comprenant un substrat dopé p :


Plusieurs laboratoires européens ont débuté des recherches suite au
succès obtenu par l’entreprise SANYO mais en utilisant un substrat de
type p, plus largement utilisé dans l’industrie photovoltaïque. Le silicium
de type p utilisé vient du recyclage du silicium de l’industrie

37
CHAPITRE II SOMMAIRE

microélectronique. Le groupe le plus avancé est constitué du laboratoire


allemand de Hahn Meitner-Institut de Berlin en collaboration avec
l’Université de Hagen. Ce groupe est parvenu à fabriquer des cellules sur
substrat non texturé d’une épaisseur de 350μm avec BSF, possédant un
rendement de 16.2%.

Une étude de simulation destinée à comparer les différences entre les


structures de type n et p a été publié par R. Stanglen travaillant au sein
de l’équipe allemande [17,18]. La structure est représentée par la figure
II.8.

Figure II.8 : Structure HIT simulée par R. Stanglen

II.8 CONCLUSION :
Dans ce chapitre, nous avons commencé par présenter quelques notions
indispensables sur le silicium cristallin, le silicium polymorphe et le silicium
amorphe hydrogéné ainsi que le rôle de l’hydrogène.

Nous avons par la suite décrit l’intérêt du concept de l’hétérojonction pour


application aux cellules photovoltaïques. D’abord, nous avons vu les
généralités sur les cellules à hétérojonction ainsi que les différentes
hétérojonctions pour le photovoltaïque, ensuite nous avons présenté le

38
CHAPITRE II SOMMAIRE

principe physique de l’hétérojonction en s’appuyant sur le modèle


d’Anderson, qui met en évidence la présence de discontinuités aux
raccordements des bandes engendrées par des gaps différents.

La fin du chapitre a été entièrement consacrée à l’étude des différentes


structures des cellules HIT de type n et p. En conclusion, la structure HIT
comprenant un substrat dopé n développée par l’entreprise japonaise
SANYO donnent de meilleurs rendements que la structure des cellules de
type p développées par les laboratoires Européens.

39
CHAPITRE II SOMMAIRE

Références:
[1] Yan XU, THÈSE DE DOCTORAT, Fabrication et caractérisation des films
CuInGaSe2 par pulvérisation cathodique Etude des défauts par la
spectroscopie des pièges profonds par la charge, UNIVERSITÉ DE NANTES,
23 juin 2014
[2] T. Kinoshita, D. Fujishima, A. Yano, A. Ogane, S. Tohoda, K.
Matsuyama, Y. Nakamura, N. Tokuoka, H. Kanno, H. Sakata, M, Taguchi,
E. Maruyama. Proceedings of the 26th European Photovoltaic Solar Energy
Conference, Hamburg (2011) 871-874. The approaches for high efficiency
HIT solar cell with very thin (<100mm) silion wafer over 23%.
[3] Panasonic Electric Works Europe AG, Nouveu module photovoltaique à
face arriere noire, 16.01.2018
[4] D.RACHED, “mémoire magister. Elaboration d’une hétérostructure
silicium Cristallin c-Si/ silicium Amorphe a-Si :H”, 29/09/2004
[5]R.B.Wehrspohn, S.C.Deane, I.D.French and M.JPowell,J.Non-Cryst.
Solids 266-269 (2000) 459.R.C.Chittik, J. H. Alexander, H. F. Sterling, J.
Electrochem. Soc, 116, (1969) 77.
[6] E.A Davis et N.F Mott.phil . Mag 22.903 (1970)
[7] T.Tiedje, J.M.cebulka,D.L.Morel et B.Abélés , phys.Rev,Lett.46,1425
(1981)
[8] D.L. Staebler and C.R. Wronski, “Reversible conductivity changes in
discharge-produced amorphous Si” Appl. Phys. Lett. 31 (1977) 292
[9] D.RACHED Thèse de Doctorat. ”Etude et modélisation d’une cellule HIT
à base de silicium polymorphe”. USTO.10/01/2010
[10] Y.Veschetti. Thése de Doctorat. ”Modélisation caractérisation et
réalisation de nouvelles structures photovoltaïque sue substrat de silicium
mince”. Louis Pasteur Strasbourg I.25/10/2005
[11]A.L.Fahren.Bruch, R.H.Bube : ’’Fundamentals of solar cells’’. Academic
press,1983

40
CHAPITRE II SOMMAIRE

[12] D.DJCHNOM. Thèse de Doctorat. ”Cellules photovoltaïques silicium à


hétérojonctions et à structure interdigitée en face arrière”. PARIS-SUD
11.15/06/2010
[13] https://eu-solar.panasonic.net/en/panasonic-hit-sanyo-history.htm
[14] Sawada, Terada, Tsuge, Baba, Takahama, Wakisaka, Tsuda, Nakano.
"Highefficiency a- Si/c-Si heterojunction solar cell". First WCPEC ;dec 5-
9,1994 ; Hawaii.
[15]T. Kawamoto, T. Baba, Sakata, M., U. Oota. "HIT Cells-high-efficiency
Crystalline Si cells with novel structure. Progress in photovoltaïcs".
Res.Appl.2000; 8: 503-513.
[16]Takahama, Tagushi, Matsuyama, Tanaka, Tsuda, Nakano, Kuwano.
"High Efficiency Single- and Poly-crystalline Silicon Solar Cells using ACJ-
HIT Structure". 11TH E.C.photovoltaic solar energy conference,12-16
October, 1992 Montreux.
[17]Stangl,Froitzheim, Elstner, Fuhs. "Amorphous/crystalline silicon
heterojunction solar cells, a simulation study". European conference Rome
2002.
[18]Froitzheim, Stangl, Elstner, Schmicht, Fuhs. "Interface recombination
in amorphous/crystalline silicon solar cells, a simulation study" European
conference Rome 2002

41
CHAPITRE III

Chapitre III :
Modèle de simulation pour des
cellules à base de silicium amorphe

42
CHAPITRE IIISOMMAIRE

III.1 MODELE MATHEMATIQUE EQUIVALENT A UNE


CELLULE PHOTOVOLTAIQUE :
Le modèle mathématique qui décrit le comportement d’une cellule
photovoltaïque se trouve à partir de celui d’une jonction PN. En plus du
photo-courant Iph, proportionnel à l’éclairement, ainsi qu’un terme
modélisant les phénomènes internes. Le courant I issu de la cellule
s’écrit [1] :

V +Rs I
¿
q ¿−1
¿ (III.1)
exp ¿
(V + R s I )
I =I ph + −I s ¿
R sh
V + Rs I
¿
q ¿−1
¿ (III.2)
exp ¿
I d=I s ¿

Iph : photo-courant, ou courant généré par l’éclairement (A)


Is : courant de saturation de la diode (A)
Id : courant direct (A)
Rs : résistance série du matériau et des contacts (W)
Rsh : résistance shunt (c’est-à-dire de fuite) (W)
q : charge de l’électron (q=1,602.10-19 C)
V : tension aux bornes de la jonction (v)

43
CHAPITRE IIISOMMAIRE

Figure III.1 : schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque

III.2 LA CARACTERISTIQUE I=f(V) :


La caractéristique courant-tension sous éclairement nous permet de
déterminer le comportement d’une cellule solaire et à partir de laquelle
nous pouvons déduire ses caractéristiques sa puissance et son rendement.

A partir de la caractéristique I(V), on peut déduire les paramètres


électriques suivants [1] :

 Le courant de court-circuit ICC obtenu à V=0.


 La tension en circuit ouvert VCO obtenue à I=0.
 La valeur du courant Im à la puissance maximale de fonctionnement de
la cellule.
 La valeur de la tension à la puissance maximale de fonctionnement V m.

III.3 PARAMETRES PHOTOVOLTAIQUES :


Pour modéliser de façon précise le comportement d’une cellule
photovoltaïque, il faut prendre en compte ses paramètres dominants.

44
CHAPITRE IIISOMMAIRE

Figure III.1 : Caractéristique I-V d’une cellule solaire sous obscurité et sous éclairement

III.3.1 Courant de court-circuit (Icc) :


Le courant de court-circuit Icc est le courant qui circule à travers la
jonction sous illumination sans application de tension. Il croit avec
l'intensité d'illumination de la cellule et dépend de la surface éclairée, de
la longueur d'onde du rayonnement, de la mobilité des porteurs et de la
température.

III.3.2 Tension de circuit ouvert (Vco) :


La tension de circuit ouvert Vco est la tension mesurée lorsqu'aucun
courant ne circule dans le dispositif photovoltaïque. Elle dépend
essentiellement du type de cellule solaire (jonction pn, pin, jonction
Schottky) ainsi que des matériaux des couches. De plus, La tension de
circuit ouvert dépend de l'éclairement de la cellule. L'expression de Vco
dans le cas d'un courant nul est donnée par:

I
V co =
kT
q (
ln ⁡ ph +1
Is ) (III.3)

Deux régimes peuvent être observés suivant le degré d’éclairement :

Régime de faible flux lumineux :

I ph I
Dans ce cas, Iph ≪ Is, ce qui permet d’écrire ln ( Is )
+1 ≈ ph ,
Is

45
CHAPITRE IIISOMMAIRE

kT
∗I ph
d’où V = q
co
Is
c’est la zone de comportement linéaire de la cellule.

Régime des flux lumineux suffisamment intenses :

I ph
Dans ce cas, Iph ≫ Is, Soit ≫1 ,
Is
I ph I ph
D’où V co =ln
q Is
C’est le domaine de comportement logarithmique.

K : Constante de Boltzmann
T : Température
Iph : Courant de photon
Is : Courant de saturation
q : Charge élémentaire de l’électron

III.3.3 Facteur de forme, FF :


Le facteur de remplissage (ou de forme) FF est le rapport de la puissance
électrique maximale fournie par la cellule sur la puissance optimisée. Le
facteur de forme indique le degré d’idéalité de la caractéristique I-V de la
cellule.
Im V m
FF=
I CC V oc
(III.4)
III.3.4 Le rendement � :
C'est le rendement énergétique externe de conversion de puissance. Il est
défini par la relation suivante avec Pin est la puissance lumineuse
incidente :

Pmax FF . I cc . V co
η= =
P¿ P¿
(III.5)
Le rendement peut être optimisé en augmentant le facteur de forme, le
courant de court-circuit et la tension à circuit ouvert. C'est un paramètre

46
CHAPITRE IIISOMMAIRE

essentiel, car la seule connaissance de sa valeur permet d'évaluer les


performances de la cellule.

III.3.5 Réponse spectrale :


La réponse spectrale est la principale technique de caractérisation de la
dimension optique de la cellule. On définit cette dernière comme le
nombre de paires électron-trou collectées par un photon incident en
fonction de la longueur d’onde à V=0 [2]

J sc ( λ)
RS ( λ )=
eϕ (λ)
(III.6)

Jsc(λ) : Densité de courant générée en fonction de la longueur d’onde,


e: Charge élémentaire,
eϕ(λ) : Flux incident en fonction de la longueur d’onde.

Ainsi, pour chaque longueur d’onde, la réponse spectrale est le produit de


deux probabilités :

 Que le photon soit absorbé par la cellule et crée une paire électron-trou.
 Que cette paire soit collectée.

III.4 DESCRIPTION DU MODELE DE SIMULATION :


Le modèle de simulation utilisé est constitué d’un modèle électrique et
d’un modèle optique.

δ ² ψ (x) ρ( x)
L’équation de Poisson : =
δx ² ε
(III.7)

L’équation de continuité des trous et des électrons :

1 ∂ J p( x )
G ( x ) −R ( p ( x ) , n ( x ) ) − =0
q ∂x
(III.8)

47
CHAPITRE IIISOMMAIRE

1 ∂ Jn ( x )
G ( x ) −R ( p ( x ) , n ( x ) ) + =0
q ∂x
(III.9)
La densité de charge effective :
+¿
p x −n x + pT ( x )−nT ( x )+ N ¿net
( ) ( ) (III.10)
ρ ( x )=q ¿
∂ ψ (x)
Le champ électrique : E=
∂x
(III.11)
ɛ : Constante diélectrique,
E : Champ électrique,
ψ(x) : Position de l’énergie du niveau du vide,
x : Position dans le dispositif,
p et n : Densités des trous et des électrons dans la bande de valence et
de conduction,
q : Charge électrique,
R : Taux de recombinaison,
PT et nT : Densité des trous et des électrons piégés respectivement,
N+net : Densité de dopage effective,
G : Taux de génération de paires électron-trou,
Jp et Jn : Densités de courant des trous et des électrons respectivement,
E Fp E Fn
et : Quasi niveaux de Fermi des trous et des électrons.

III.4.1 Calcule des états localisés continus dans le gap :


La figure III.2 représente les deux différents types de distribution des
états localisés continus dans le gap intégrés dans le programme.

Etats donneurs Etats Accepteurs


GD0 GA0

Etats donneurs Etats Accepteurs

GD0 GA0

Gmg Gmg
Elow Eda Eup

Ev (a) Ec

EcU (U-shaped
Ev dans le gap (a) Modèle en
Figure III.2 : Distribution des états localisés
model). (b) modèle en (b)deux gaussiennes

48
CHAPITRE IIISOMMAIRE

Le symbole PT(x) représente les états accepteurs dans le gap par unité de
volume.

Ces états perdent leurs électrons dans la bande de valence, et donc P T


représente le nombre de trous piégés par unité de volume.

De même, nT représente les états donneurs dans le gap par unité de


volume. Ces états gagnent les électrons de la bande de conduction, et
donc nT représente le nombre d’électrons piégés par unité de volume.

Dans les deux modèles, les états donneurs dans le gap sont représentés
par (D+/0). Les états accepteurs sont représentés par (D-/0).

a-Distribution dans les queues de bande :


Dans le programme, les queues de bande des états donneurs sont
modélisées par l’équation :

gDT ( E )=G D 0 exp [ −E /E D ] (III.12)

E est mesurée à partir de EV.


Les queues de bande des états accepteurs sont modélisées par
l’équation :

g AT ( E' )=G A 0 exp [−E' / E A ] (III.13)

E’ est mesurée à partir de Ec.


g représente la densité d’états (D.O.S. (cm-3 eV-1)).
ED et EA représentent les énergies caractéristiques des queues de bande
de la bande de valence et de conduction.
b-Distribution au milieu du gap :

Le modèle en U (U-shaped model) :


Dans le modèle en U, la densité d’états dans le gap est une valeur
constante égale à Gmg. Cette région plate est alors ajoutée à la région
exponentielle des queues de bandes pour ainsi compléter le modèle en U.

Le modèle en gaussiennes :

49
CHAPITRE IIISOMMAIRE

Dans ce modèle, la distribution de la densité d’états dans le gap est


modélisée en utilisant deux gaussiennes. Dans le cas du silicium amorphe
hydrogéné (a-Si :H), la séparation entre les deux pics des deux
gaussiennes est estimée à0.5 eV. C’est l’énergie de corrélation.

La première gaussienne se compose d’états donneurs (D +/0) de densité


d’états NAG cm-3. La deuxième gaussienne (D-/0) se compose d’états
accepteurs de densité d’états NDG cm-3.

III.4.2 Expression des courants d’électrons et de trous :


Le courant de dérive est provoqué par l’action d’un champ électrique qui
accélère les porteurs. Ils acquièrent alors une vitesse proportionnelle au
champ au travers d’un facteur de mobilité µ :

J n=qn μ n E
J n=qp μ p E

Hors des zones du champ électrique, le courant de diffusion devient


majoritaire. Il exprime la tendance des porteurs, à se répandre dans les
zones de plus faible concentration. Le courant de diffusion est donc
proportionnel au gradient de concentration dans la structure.

J n=q Dn ∇ n
J n=−q D p ∇ p

Dn et Dp sont les coefficients de diffusion.


III.4.3 Méthode de résolution :
A l’équilibre thermodynamique, il n’y a que l’équation de Poisson à
résoudre. Il s’agit d’une équation différentielle non linéaire du second
ordre. Hors l’équilibre thermodynamique, les variables inconnus sont :

E Fp E F
ψ(x), , n .

L’équation de Poisson ψ=ψ(x) et les équations de continuité sont résolus


simultanément à partir de la méthode des différences finies et de Newton-
Raphson afin d’obtenir le potentiel électrostatique, et le quasi-niveau de

50
CHAPITRE IIISOMMAIRE

Fermi des trous et des trous et des électrons à tout point dans le
dispositif.

III.5 LES LOGISIELS DE SIMULATION :


Le but de la simulation est de comprendre physiquement la structure
développée et d’analyser les possibilités de son amélioration. Pour cela, il
est nécessaire d’utiliser un logiciel capable de simuler les cellules solaires
à base de silicium.

III.5.1 Le logiciel PC1D :


PC1D est un logiciel simple et efficace pour simuler des structures à une
dimension de préférence monocristallines. Le groupe de recherche SANYO
a optimisé la structure HIT avec ce logiciel. Il est conçu pour les matériaux
de type cristallins et essentiellement pour le monocristallin. Sachant que
dans le silicium amorphe, la densité de défauts n’est pas homogène
partout dans le matériau, la valeur de la durée de vie doit être fixée à une
durée de vie « moyenne ». PC1D se base sur le calcul du potentiel
électrostatique, et les potentiels de Fermi des électrons et des trous. Voici
une liste de ses principaux paramètres :

 Epaisseur de la région,
 Type de matériau,
 Mobilité des porteurs,
 Constante diélectrique,
 Largeur de la bande interdite,
 Concentration intrinsèque,
 Indice de réfraction en fonction de la longueur d’onde,
 Coefficient d’absorption en fonction de la longueur d’onde,
 Valeur du niveau de dopage,

51
CHAPITRE IIISOMMAIRE

 Recombinaison des porteurs s’exprimant à travers la durée de vie et la


mobilité,
 Recombinaison en face avant et arrière. [3]

III.5.2 Le logiciel AMPS-1D :

Le logiciel AMPS-1D (Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)


a été développé par le professeur J.Fonash et son équipe à l’Université de
Pennsylvanie. Le logiciel est distribué gratuitement [6]. Ce logiciel permet
d’analyser les phénomènes de transport dans les structures de types
optoélectroniques. Il utilise les équations de continuité et de Poisson pour
analyser le comportement des structures. Son atout principal est la
possibilité de simuler différents types de matériaux allant du
monocristallin au matériau amorphe en passant par le polycristalin ou
multicristallin.

AMPS ne permet pas de simuler : les profils de dopage, l’éclairement des


deux côtés de la cellule et ne prend pas en compte l’indice de réfraction de
chaque matériau.

AMPS donne accès au :

 Rendement,
 Tension en circuit ouvert,
 Densité de courant de court-circuit,
 Structure de bande,
 Durée de vie,
 Réponse spectrale,
 Recombinaison,
 Caractéristique I-V sous éclairement et dans l’obscurité…etc.

52
CHAPITRE IIISOMMAIRE

En conclusion, AMPS-1D présente beaucoup d’intérêt au niveau de la


rigueur de modélisation du matériau amorphe. Cependant, il est important
de préciser que AMPS-1D ne possède pas toutes les options pour simuler
la structure HIT entière. De plus, le temps de calcul est très long comparé
à PC1D.[3]

III.5.3 Le logiciel AFORS-HET :

AFORS-HET (Automate FOR Simulation of HETerostructures) est un outil


de simulation numérique qui permet de simuler des dispositifs semi-
conducteurs. Une séquence arbitraire de couches peut être modélisée, en
spécifiant les propriétés des couches et leurs interfaces. Aux extrémités,
des contacts de types métal/semi-conducteur ou métal/isolant/semi-
conducteur peuvent être choisis. Le programme résout les équations de
base des semi-conducteurs présentées plus haut.

Plusieurs variétés de techniques de caractérisations sont possibles : la


réponse courant- tension, le rendement quantique interne, mesure
d’impédance…

De plus, ce logiciel permet de simuler les densités d’états de défauts de la


même façon qu’AMPS-1D. Ainsi, on peut choisir une densité constante
pour du silicium monocristallin, tandis qu’il sera possible de simuler les
queues de bande et liaisons pendantes pour le silicium amorphe. Son
utilisation est très facile et le temps de calcul très court. [3]

III.5.4 ASDMP :

ASDMP (Amorphous Silicon Device Modelling Program) est un programme


de simulation monodimensionnel des cellules solaires. Ce programme a
été développé par Professeur Parsathi Chatterjee à partir de 1992 [6]. Son
rôle principal est de simuler des cellules en silicium amorphe (a-Si :H) ou
polymorphe (pm-Si :H) ou des combinaisons de ceux-ci avec différents
matériaux. La nouveauté a été l’introduction dans les distributions de type
gaussienne pour les états donneurs et accepteurs. Dans ce modèle, la

53
CHAPITRE IIISOMMAIRE

recombinaison et le piégeage dans les états de défauts ont été considérés


en utilisant la statistique Shockley-Read-Hall [4].

Les caractéristiques électriques fournies par ce modèle physique sont la


densité de courant en fonction de la tension de polarisation I(V) et la
réponse spectrale RS(λ) aussi bien pour une jonction simple que pour une
jonction double de la cellule solaire [5]. Ce logiciel a été utilisé pour
étudier les propriétés des détecteurs de température à base de a-Si:H [6].

Le logiciel ASDMP est conçu sous Fortran et il fonctionne sous


l’environnement Linux. Tout est organisé autour du fichier exécutable qui
contient le code de résolution du système d’équations. Exécuté seul il
génère la caractéristique I(V) à l’obscurité ou sous lumière dans les
fichiers de sortie.

En pratique le type de fichiers de sortie est multiple en fonction des


grandeurs concernées : on a pour le potentiel et les quasi-niveaux de
Fermi, pour les charges libres ou piégées, pour les bandes de conduction
et de valence, pour la densité de charge, pour le champ électrique, pour la
recombinaison totale, pour la recombinaison spécifique dans tous les états
donneurs ou dans tous les états accepteurs, pour les courants des
électrons et des trous (chaque fichier est spécifié à l’obscurité ou sous
lumière).

III.6 CONLUSION :
Dans ce chapitre nous avons présenté le modèle mathématique équivalent
d’une cellule solaire, puis nous avons défini la caractéristique I(v) qui est
la principale technique pour caractériser une cellule, ainsi que les
paramètres photovoltaïques : le courant de court-circuit, la tension de
circuit ouvert, le facteur de forme, le rendement et la réponse spectrale.

Nous avons décrit par la suite le modèle de simulation utilisé. Ce dernier


est constitué d’un modèle optique et d’un modèle électrique qui résout

54
CHAPITRE IIISOMMAIRE

simultanément l’équation de Poisson et les équations de continuité des


trous et des électrons.

La fin de ce chapitre a été entièrement consacrée à la description des


différents logiciels de simulation des cellules solaires : PC1D, AMPS-1D,

AFORS-HIT.

Nous avons particulièrement décrit le logiciel ASDMP (Amorphous


Semiconductor Device Modeling Program ) que nous allons utiliser pour
effectuer nos simulations.

Références :
[1]Yannick Veshetti, Modélisation, caractérisation et réalisation de
nouvelles structures photovoltaïque sur substrat de silicium mince. Thèse
de doctorat Université de Louis Pasteur Strasbourg I. 2005.
[2] y. Poisson « Etude et optimisation des cellules solaires photovoltaïque
en couches minces de silicium polymorphe »., Thèse de doctorat, Ecole
polytechnique.
[3]COULIBALY Ibrahima, KONE Foussény,mémoir de Master, Etude
comparative de l’électrode de contact avant des structures HIT de type n
et p pour application photovoltaïque, U.S.T.O, 17/06/2013.
[4] N. Palit, P. Chatterjee., Sol. En. Mat. and Sol. Cells. 53 (1998) 235.
[5] P. Chatterjee, R. Vanderhagen, B. Equer, Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
420 (1996) 233.
[6]S.M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices”, John Wiley & Sons Inc.,
1981.

55
CHAPITRE IIISOMMAIRE

56
CHAPITRE IV

Chapitre IV:

Etude des énergies caractéristiques


du silicium amorphe dans une
photopile

57
CHAPITRE IV

IV.1 INTRODUCTION :
L’expérience montre que nous obtenons les meilleurs résultats pour une
structure HIT de type n développée par les japonais par rapport à celle
dopée p dans les laboratoires Européens [1,2]. Toutefois, il a été déduit
que théoriquement le diagramme de bande n’est pas forcément plus
avantageux pour la structure de Sanyo [3].

Dans ce chapitre nous allons étudier les énergies caractéristiques du


silicium amorphe dans une photopile cellules HIT de type n à base de
silicium amorphe : (ITO (p-a-Si :H) /i-pm-Si/n-c-Si/Al).Nous allons utiliser
comme logiciel de simulation ASDMP développé par le professeur Parsathy
Chatterjee [4,5,6].

IV.2 PRESENTATION DE LA CELLULE :

La structure que nous avons simulée, représentée dans la figure IV.1, est
composée de 6 couches successives, chaque couche a ses propres
paramètres (Epaisseur, GAP, Densité de dopage donneur N D, Densité de
dopage accepteur NA, Affinité électronique, Densité de défauts donneurs,
Densité de défauts accepteurs, Mobilité des électrons, Mobilité des Trous,
Densité d’état dans la bande de conduction N C et Densité d’état dans la
bande de valence NV). Ces paramètres sont résumés dans le tableau IV.1.

Figure IV.1 : Structure HIT ITO/p-a-Si :H/i-pm-Si :H/n-c-Si/Al utilisée dans nos
simulations.

58
CHAPITRE IVSOMMAIRE

IV.2.1 La couche fenêtre d’oxyde d’indium (In2O3) dopé à l’étain :

Dans une cellule photovoltaïque, l’électrode de contact avant doit allier


transparence pour que les photons incidents puissent photogénérer des
paires électron-trou dans la couche active (couche n-c-Si) et conductivité
afin de collecter les trous provenant de la couche p.

Dans nos simulations, nous avons utilisé comme oxydes transparent


conducteur (TCO) de l’oxyde d’indium (In2O3) dopé à l’étain appelé
communément ITO (Indium Tin oxide). L’ITO répond aux exigences qui
incombent à l’électrode de contact avant. IL est considéré comme le TCO
possédant les meilleures propriétés optoélectroniques. La rugosité de sa
surface permet de réduire les coefficients de réflexion à l’interface ITO/
couche p. D’ailleurs, cette couche d’ITO constitue une couche anti-reflet
pour certaines longueurs d’onde, augmentant l’intensité transmise à la
couche active. Le matériau doit être de qualité élevée pour minimiser la
recombinaison à l’interface. [7]

IV.2.2 L’émetteur et la couche active:

La majorité des photons sont absorbés au niveau de l’émetteur et la


couche active. L’émetteur est la première couche après la couche fenêtre
qui reçoit la lumière. Dans notre cas, l’émetteur est constitué d’une
couche de silicium amorphe hydrogéné dopée p (p-a-Si :H). Cette couche
est mince (110 Å) et fortement dopée p. Pour la couche active ou
l’absorbeur, nos cellules sont constituées d’une couche de silicium
cristallin dopée n (n-c-Si). Cette couche est plus épaisse. Elle est de
l’ordre de 300 m. Le dopage de la couche active joue un rôle primordial
dans l’amélioration des performances de la cellule solaire. Un faible
dopage de l’absorbeur donne une bonne durée de vie et un fort coefficient
de diffusion pour les porteurs minoritaires, ce qui améliore leur longueur
de diffusion :

l=√ Dτ avec D le coefficient de diffusion et � la durée de vie du porteur


minoritaire.

59
CHAPITRE IVSOMMAIRE

Il faut donc bien optimiser le dopage de l’absorbeur. On note ici que la


longueur de diffusion et la durée de vie du porteur minoritaire sont les
paramètres clé pour le choix des matériaux. [8]

IV.2.3 Champ arrière BSF :

La couche BSF (Back Surface Field) sert à minimiser les recombinaisons


en face arrière de la cellule. Elle est obtenue par transition abrupte du
dopage sur la face arrière de la cellule solaire dans la zone même du
contact ohmique. L’introduction de cette couche permet d’améliorer les
caractéristiques électriques de la pile solaire, en particulier la tension de
circuit ouvert. La minimisation des recombinaisons en face arrière par la
couche BSF permet aussi l’amélioration de la réponse spectrale pour les
fortes longueurs d’onde. Ceci apporte alors une augmentation de la
densité de courant de court-circuit et de la tension en circuit ouvert. [7]

Le tableau suivant résume les paramètres de chaque couche :

Paramètre p-a-Si :H p-a-Si :H i-pm-Si :H n-c-Si


d (µm) 0.00110 0.003 300
Χ (ev) 3.90 3.95 4.22
Eac (ev) 0.27 0.92 0.6
Eµ (ev) 1.90 1.96 1.12
La densité du dopage ND (cm-3) 0 0 9.1014
La densité du dopage NA (cm-3) 1019 0 0
NDTOT,NATT (cm-3) 1019 1014 3.1011
GD0, GA0 (cm-3eV-1) 4.1021 4.1021 1020
µn (cm2/Vs) 20 30 1000
µp (cm2/Vs) 4 12 450
NC , N V 2.1020 2.1020 5.1018
b0 (eV) 1.4

bL (eV) 0.06

Tableau IV.1. Principaux paramètres de simulation de la structure


HIT ITO/p-a-Si:H/i-pm-a-Si:H/n-c-Si/Al.

 d (µm): Epaisseur de la couche

 χ (ev) : représente l’affinité électronique,

 Eµ (eV) : représente le gap de mobilité

 Eac (eV) représente l’énergie d’activation


60
CHAPITRE IVSOMMAIRE

 GD0 et GA0 (cm-3 eV-1) représentent un pré-facteur exponentiel des


états donneurs et accepteurs dans les queues de bandes,

 µn et µp (cm2/V s) représentent les mobilités des électrons et des


trous,

 NC et NV représentent les densités effectives d’états des électrons et


des trous de la bande de conduction et de valence,

 NDTOT : Densité de défauts donneurs,

 NATOT : Densité de défauts accepteurs,

IV.3 Influence des énergies caractéristiques ED:

Dans cette partie, nous avons étudié la sensibilité de la caractéristique


courant-tension I=f(V) sous éclairement par rapport à l’énergie ED, qui
représentent l’énergie caractéristique de la bande de conduction de
l’émetteur de la structure ITO/p-a-Si:H/i-pm-a-Si:H/n-c-Si/Al.

Pour réaliser nos simulations, nous avons utilisé le logiciel ASDMP


(Amorphous Semiconductor Device Modeling Program), développé par le
professeur Parsathi Chatterjee. Dans ce logiciel, les états donneurs sont
modélisés par l’équation ci-dessous :

−E
gDT ( E )=G DO exp ⁡[ ]
ED
(IV.1)

g représente la densité d’états (D.O.S (cm-3 eV-1))

Donc pour étudié l’effet de ED sur les caractéristiques I=f(V), nous l’avons
fais varié de 0.1 à 0.9eV. Une augmentation de ED de la couche p-a-Si :H
accroît les états donneurs dans le gap par unité de volume, ce qui va agir
considérablement sur la qualité de la couche fenêtre des cellules étudiées.
En effet, cette augmentation va augmenter les recombinaisons des trous
de la couche p-a-Si :H.

Les quatre graphes ci-dessous IV.2 (a), IV.2 (b), IV.2 (c) et IV.2 (d)
représentent respectivement la variation de la densité de courant de court

61
CHAPITRE IVSOMMAIRE

circuit Jsc, de la tension en circuit ouvert V oc, du facteur de forme FF et du


rendement  en fonction de ED sous éclairement de la structure HIT
(ITO/p-a-Si: H /i-pm-Si: H /n-c-Si /Al).

33,70

33,68
courant de court circuit (mA/cm²)

33,66

33,64

33,62

33,60

33,58

33,56

33,54

33,52

33,50
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10
ED (ev)

0,6958
Tension de circuit ouvert (v)

0,6956

0,6954

0,6952

0,6950

0,6948
0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,09 0,10
ED (ev)

62
CHAPITRE IVSOMMAIRE

0,80

0,79

0,78
Facteur de Forme
0,77

0,76

0,75

0,74

0,73
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10
ED(eV)

18,8

18,6

18,4

18,2
Rendement %

18,0

17,8

17,6

17,4

17,2

0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10


ED (eV)

Graphes IV.2 (a-d) : Les caractéristiques I = f (V) sous éclairement de la structure


ITO/p-a-Si:H /i-pm-Si:H /n-c-Si / Al en fonction de ED.

D’après ces graphes, nous pouvons constater une nette diminution de la


caractéristique I= f (V) des cellules étudiées lorsqu’on augmente ED dans
la couche p-a-Si :H. En effet, le FF chute de 0.79 à environ 0.73 ce qui
mène à une diminution du rendement de 18.6 à 17.2. Cette diminution

63
CHAPITRE IVSOMMAIRE

est due à l’augmentation des recombinaisons dans la couche p,


spécialement pour de grandes valeurs de ED.

1,30E+019
1,20E+019 ED= 0.01 eV
ED =0.09 eV
1,10E+019
le taux de recombinaisons (cm s )
-3 -2

1,00E+019
9,00E+018
8,00E+018
7,00E+018
6,00E+018
5,00E+018
4,00E+018
3,00E+018
2,00E+018
1,00E+018
0,00E+000
-1,00E+018
1E-7 1E-6 1E-5

Position (cm)

Graphe IV.3 : Recombinaisons sous éclairement AM1.5 en fonction de la position dans la


structure ITO/p-a-Si:H /i-pm-Si: H /n-c-Si / Al pour ED = 0.01 -0.09 (eV)

Le graphe IV.3 ci-dessus représente les recombinaisons sous éclairement


AM1.5 en fonction de la position dans la structure ITO/p-a-Si:H /i-pm-Si:
H /n-c-Si / Al pour des énergies caractéristiques ED = 0.01 eV et ED=0.09
eV.

Nous pouvons vérifier sur ce graphe IV.3 qu’une augmentation de ED,


c’est à dire une augmentation des états donneurs dans la couche p-a-
Si:H provoque une augmentation des recombinaisons, ce qui détériore les
performances des cellules solaires HIT étudiés.

64
CHAPITRE IVSOMMAIRE

IV.4 Influence de l’énergie caractéristique EA :

De la même manière, nous avons étudié la variation de l’énergie


caractéristique EA qui représente l’énergie caractéristique de la bande de
valence de l’émetteur de la structure ITO/p-a-Si:H/i-pm-a-Si:H/n-c-Si/Al.

Pour réaliser nos simulations, nous avons toujours utilisé le logiciel ASDMP
(Amorphous Semiconductor Device Modeling Program), développé par le
professeur Parsathi Chatterjee. Dans ce logiciel, les états accepteurs sont
modélisés par l’équation ci-dessous :

'
[ '
g AT ( E )=G A0 exp −E / E A ]
(IV.2)

g représentant la densité d’états (D.O.S. (cm-3eV-1)).

Les quatre graphes ci-dessous IV.4 (a), IV.4 (b), IV.4 (c) et IV.4 (d)
représentent respectivement la variation du courent de court-circuit J sc, de
la tension du circuit ouvert V oc, du facteur de forme FF et du rendement 
en fonction de EA sous éclairement de la structure HIT (ITO/p-a-Si: H /i-
pm-Si: H /n-c-Si /Al).

Nous pouvons constater d’après ces graphes que les caractéristiques I = f


(V) sous éclairement des structures ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si: H/n-c-Si/Al en
fonction de EA restent inchangées.

65
CHAPITRE IVSOMMAIRE

33,62

courant de court circuit (V)

33,60

33,58

33,56

33,54
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10
EA (eV)

0,72

0,71
Tension de circuit ouvert (V)

0,70

0,69

0,68

0,67

0,66
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10
EA ( eV)

66
CHAPITRE IVSOMMAIRE

0,84

0,82

Facteur de Forme
0,80

0,78

0,76

0,74

0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10


EA (eV)

19,0

18,8

18,6
Rendement %

18,4

18,2

18,0
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10
EA (eV)

Graphes IV.4 (a-d) : Les caractéristiques I = f (V) sous éclairement de la structure


ITO/p-a-Si:H /i-pm-Si:H /n-c-Si / Al en fonction de EA.

En effet, ni le Voc ni le FF ne change ce qui n’influe pas sur les rendements


des cellules étudiées. Une augmentation de EA accroît les états accepteurs
dans le gap ce qui implique une augmentation des recombinaisons des

67
CHAPITRE IVSOMMAIRE

électrons de la couche p-a-Si:H, ce qui n’influe pas sur la collecte des


trous.

IV.5 CONCLUSION :

Dans ce chapitre, nous avons présenté dans un premier temps la structure


de la cellule HIT de type n que nous avons utilisé dans nos simulation
(ITO/p-a-Si:H :H/i-pm-Si :H/n-c-Si/Al).

Nous avons travaillé avec le logiciel ASDMP en faisant varier les énergies
caractéristiques des états donneurs et des états accepteur ED et EA de la
couche fenêtre p-a-Si:H et enfin nous avons interprété les différents
résultats obtenus.

D’après les différents graphes obtenus, nous avons conclu qu’une


augmentation de ED dans la couche p-a-Si :H détériore les performances
des cellules étudiées. En effet, le FF chute de 0.79 à environ 0.73 ce qui
mène à une diminution du rendement de 18.6 à 17.2. Cette diminution
est due à l’augmentation des recombinaisons dans la couche p,
notamment pour de grandes valeurs de ED.

Nous avons vérifié sur le graphe IV.3 qu’une augmentation de ED, c’est à
dire une augmentation des états donneurs dans la couche p-a-
Si:H provoque une augmentation des recombinaisons cellules solaires HIT
étudiés

La variation de l’énergie caractéristique EA nous a montré que ni le V oc ni


le FF ne change ce qui n’influe pas sur les rendements des cellules
étudiées. Une augmentation de EA accroît les états accepteurs dans le gap
ce qui implique une augmentation des recombinaisons des électrons de la
couche p-a-Si:H :H, ce qui n’influe pas sur la collecte des trous.

68
CHAPITRE IVSOMMAIRE

Références :

[1] Tagushi, Kawamoto, Tsuge, Baba, Sakata, Morizane, Uchihashi, Oota.


“HIT Cells-highefficiency Crystalline Si cells with novel structure”. Progress
in photovoltaïcs, Res.Appl.2000; 8: 503-513.

[2] M.Tanaka, S.Okamoto, S.Tsuge, S.Kyama. “Development of HIT solar


cells with more than 21% conversion efficiency and commercialisation of
highest performance HIT modules”. 3rd World Conference on Photovoltaic
Energy Conversion, Osaka, Japan May 2003. p. 38.

[3] M.Rahmouni, D.Rached, R.Mostefaoui, P.RocaiCabarrocas,


P.Shatterjee. International conference for renewable energies and
sustainable development ICRESD_07. Abou-BekrBelkaid university,
Tlemcen 21-24 May 2007.

[4] N. Palit, P. Chatterjee, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 53 (1998) 235.

[5] N. Palit, Ph.D. Thesis, “Energy Research, Indian Association for the
Cultivation of Sciences”, India, 2000.

[6] Y. Poissant, P. Chatterjee, P. Roca i Cabarrocas, J. Appl. Phys. 93


(2003) 170.

[7] D.RACHED, Mémoire de magister, Elaboration d’une hétérostructure


silicium cristallin c-Si/silicium amorphe a-Si:H, U.S.T.O, 29/09/2004.

[8] Yannick Veshetti, Modélisation, caractérisation et réalisation de nouvelles

structures photovoltaïque sur substrat de silicium mince, Université de Louis


Pasteur Strasbourg I. 2005.

69
CHAPITRE IVSOMMAIRE

70
SOMMAIRE

CONCLUSION ET PERSPECTIVES

71
CONCLUSION ET PERCPECTIVES

Afin de rendre les systèmes photovoltaïques économiquement intéressants


pour des applications terrestres à grande échelle, des piles solaires de
rendement élevé et à bon marché sont exigées.

Les piles solaires HIT (Hétérojunction with Interinsic Thin layer) peuvent
facilement satisfaire ces critères, vu qu’elles présentent l’avantage d’un
fort potentiel d’augmentation de rendement, une fabrication à faible
budget thermique (T<250 °C), une meilleure tenue en température et une
application adaptée au substrat mince.

Pour cela, il est impératif d’analyser et d’affiner notre compréhension des


différents facteurs limitant les performances de ces cellules.

Dans ce travail nous avons effectué une étude sur les énergies
caractéristiques des états donneurs et des états accepteurs du silicium
amorphe dans une photopile HIT, ce mémoire comporte deux parties :

La première partie (chapitre I,II,III) a présenté des généralités sur le


photovoltaïque, l’étude des différents matériaux qui constituent les
cellules solaires HIT, par la suite nous avons présenté le modèle
d’Anderson en précisant l’importance des discontinuité de bandes au
niveau des raccordement entre le silicium amorphe et le silicium cristallin,
nous avons aussi expliqué brièvement la différence entre la structure HIT
comprenant un substrat dopé p (HIT de type p) et dopé n (HIT de type n).

La fin de cette parite a eté consacré à l’étude du modèle de


simulation et logiciel ASDMP utilisé dans nos simulations des cellules HIT à
base deux matériaux différents, qui sont le silicium amorphe hydrogéné
(a-Si:H) et le silicium cristallin de type n (n-c-Si).
La deuxième partie (chapitre IV), a porté sur l’étude d’une structure
HIT de type n. Nous avons présenté notre cellule à étudier et le rôle des
différentes couches qui la compose. Nous avons étudié la sensibilité de la
caractéristique I=f(V) sous éclairement en faisant varier les énergies
caractéristiques des états donneurs et des états accepteurs E D et EA de la
couche fenêtre p-a-Si:H.

72
CONCLUSION ET PERCPECTIVESSOMMAIRE

Les résultats que nous avons obtenus nous permettent de conclure


que :
L’augmentation de ED dans la couche p-a-Si :H détériore les performances
des cellules étudiées. En effet, le FF chute de 0.79 à environ 0.73 ce qui
mène à une diminution du rendement de 18.6 à 17.2. Cette diminution
est due à l’augmentation des recombinaisons dans la couche p,
notamment pour de grandes valeurs de ED.

Nous avons vérifié sur le graphe IV.3 qu’une augmentation de ED, c’est à
dire une augmentation des états donneurs dans la couche p-a-
Si:H provoque une augmentation des recombinaisons des cellules solaires
HIT étudiés

La variation de l’énergie caractéristique EA nous a montré que ni le V oc ni


le FF ne change ce qui n’influe pas sur les rendements des cellules
étudiées. Une augmentation de EA accroît les états accepteurs dans le gap
ce qui implique une augmentation des recombinaisons des électrons de la
couche p-a-Si:H :H, ce qui n’influe pas sur la collecte des trous.

PERSPECTIVES :
1- Des mesures expérimentales seraient nécessaires pour confirmer
les résultats obtenus.
2- L’étude de l’influence de la densité d’état de l’interface présente entre
le c-Si et pm-Si:H par rapport à la variation de b0 serait essentielle,
sachant qu’elle joue un rôle déterminant dans la qualité des cellules
photovoltaïques.
3- L’étude de la sensibilité des durées de vie des porteurs minoritaires 
dans la couche active des deux structures HIT serait intéressante et cela
en faisant varier les sections efficaces de capture des défauts chargés
et neutres dans les queues de bandes et dans le gap.

73
CONCLUSION ET PERCPECTIVESSOMMAIRE

74