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ELECTRÓNICA ANALOGICA

CODIGO: AE3010

LABORATORIO N° 04
“TRANSISTOR FET”

1- CAPIRA VILCA, REYNA LUZ


Alumnos:

Grupo : B Nota:
Semestre : 3er
Fecha de entrega : Hora:
ANALISIS DE TRABAJO SEGURO (ATS)

FECHA
01 04 19
TAREA: Laboratorio 04: EL TRANSISTOR FET DIA MES AÑO

LABORATORIO X AMBIENTE R1

FIRMA
EQUIPO DE
DOCENTE: Prof. Ulises Gordillo TALLER SESION Nº TRABAJO

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Capira Vilca, Reyna Luz
ALUMNOS
(Apellidos y Nombres)

CARACTERISTICAS DE EQUIPOS Y HERRAMIENTAS


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OTROS
PASOS DE LA TAREA RIESGOS MEDIDAS DE CONTROL
(ESPECIFICAR PARA
CADA CASO)

1 Ingreso del laboratorio X Con cuidado y evitar el desorden


2 Verificar que todo esté en buen
estado
3 Analizar el informe del laboratorio
4 Recibir las indicaciones
5 Adquirir los instrumentos de medición
X Ser ordenadamente al traer
y
materiales
6 Montar el circuito
7 Energizar la fuente X Realizar una revisión al circuito que todo esté en orden
8 Tomar las mediciones
9 Desmontar el circuito Desmontar ordenadamente
10 Devolver los materiales X Llevar cada instrumento donde corresponda
11 Ordenar y limpiar
I. OBJETIVOS
 Realizar la implementación de circuitos de polarización de transistores FET
 Analizar la respuesta de polarización de transistores FET.
 Implementación de Circuitos Amplificadores.

II. MATERIAL Y EQUIPO


 Resistencias
 Transistor FET
 Fuente de Corriente Continua
 Módulos Lucas Nulle

III. SEGURIDAD

Tener cuidado con el tipo y niveles de


voltaje que suministran a las tarjetas

Antes de utilizar el multímetro, asegurarse


que esta en el rango y magnitud eléctrica
adecuada.

Tener cuidado en la conexión y en la


desconexión de los equipos utilizados

IV. PROCEDIMIENTO

1. Actividades Previas

Inventario:
Dispositivo Cantidad
Protoward 1
Multimetro 1
Transistor FET 1

Mediciones:

Componente: Valor
Resistencia 100 K 98.4 ohms
Resistencia 1K 997.6 ohms
Nro. DD-106
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Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

2. Medición de Transistor:
CODIGO
Componente: Valor
GS 0.82 mV
GD 0.82 mV
DS Entre 5 y 10 ohms
Tipo FET

3. Esquematizar un Circuito de Polarización Fija, real:

4. Análisis Matemático del circuito armado con Polarización Fija real:


Nro. DD-106
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Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

5. Realice los cálculos para los siguientes datos

RG = 100k
RD = 1k
VDD = 12V
𝑽𝑮𝑺
𝑰𝒅 = 𝑰𝑫𝑺𝑺(𝟏 − )
𝑽𝑷
𝑽𝑺 𝟐
VGG= VRG + VGS 𝑰𝒅 = 𝟖𝒎𝑨(𝟏 − )
−𝟑𝟓
VGG= 0 + VGS
VGS= VGG…… I Id=8mA…… II

VDD= VRD + VDS


VDS= VDD – ID×RD……. III

VDS= 12 – 8 × 1
VDS= 4

6. Coloque la Fuente de Base a 0V e incremente hasta conseguir que la corriente en Drenador Id sea 0mA,
llene la tabla:

Vg -0 V -0.5 V -1 V -1.5 V -2 V -2.5 V -3 V


Id (mA) 7.7 5.5 4.1 2.6 1.4 0.6 0

¿Cuáles son los valores?:


Idss = 7.7 ohms
Vp = -3 V

7. Grafique la curva de entrada o de control de un Jfet:


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Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

8. Que forma tiene y que función cumple dicha curva graficada?

Tiene forma de una parabola, esa es la curva de control de


transferencia que cierra el canal logrando que con un voltaje (VGS) se
obtenga una corriente (IVS).

9. Implemente el JFET como Swith Electrónico

10. ¿Cómo responde el JFET?

Como un interruptor controlado por voltaje

Responda a las siguientes preguntas:

a) ¿Qué representa el Valor 𝐼𝐷𝑆𝑆?


La máxima corriente, es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor,
al aumentar VDS, cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 vol.

b) ¿Qué representa el valor 𝑉𝑝?

El voltaje de estrangulamiento, es la tensión de puerta que produce el corte en el


transistor FET.

c) ¿Qué denota la función característica de un Transistor FET? Explique.

Efecto de campo, la operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET


de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.
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Tema : Código :
TRANSISTOR FET Semestre:
Grupo :

CONTROLAN UN VOLTAJE DE ENTRADA PARA QUE ESTE PUEDA SER


EXPRESADO LA CANTIDAD DE CORRIENTE QUE SE TIENE ENTRE DRENADOR Y
SURTIDOR.

I. OBSERVACIONES.
 La unión de un P y un N es un diodo que genera una región de agotamiento en un
JFET
 Cuando polarizamos inversamente en un JFET se ensancha con un voltaje infinito
y al canal lo pone más angosto, hasta que en un punto los canales se cierran.
 El Iss y Vp son datos de fabricación.

II. CONCLUSIONES.
 Con un voltaje se controla corriente entre drenador y surtidor en los canales de
N y P.
 Son transistores de simple unión.
 La zona óhmica es donde trabaja una resistencia y no debemos usarla.
 Si queremos un punto de máxima excursión simétrica debemos usar la zona de
saturación.
 En la zona de saturación debemos buscar el centro.
 En el caso del JFET de canal N, la unión puerta canal, se encuentra polarizada en
inversa, por lo que prácticamente no entra ninguna corriente a través del terminal
de la puerta.
 Los transistores de canal p se polarizan aplicando una tensión negativa entre
drenador y fuente (VDS) y una tensión positiva entre puerta y fuente (VGS). De
esta forma, la corriente circulará en el sentido de la fuente hacia el drenador.