PRÁCTICA No.

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INTRODUCCIÓN A LA SIMULACIÓN CON ORCAD PSPICE

1. OBJETIVOS

1.1 Objetivo general

Analizar el comportamiento del amplificador de Emisor Común (EC) mono-etapa utilizando

los diferentes tipos de análisis disponibles con la herramienta de simulación ORCAD
PSPICE.

1.2 Objetivos específicos

Familiarizar al estudiante con el uso de la herramienta de simulación ORCAD PSPICE como

complemento al proceso de diseño y análisis de circuitos amplificadores.

Identificar los principales tipos de simulación que presenta la herramienta ORCAD PSPICE
para utilizarlos como soporte al análisis y diseño de circuitos con transistores.

Obtener los parámetros de voltaje de polarización V CEQ, corriente de operación ICQ, constante
Beta del transistor y las diferentes corrientes y voltajes del circuito de prueba a partir del
modelo de pequeña señal del transistor con la herramienta de simulación.

Determinar los parámetros que pueden modificarse en el modelo utilizado por el ORCAD
PSPICE con la herramienta PSPICE MODEL.

Utilizar la herramienta PROBE de ORCAD para visualizar los diferentes resultados que se
pretenden obtener con la simulación.

2. EQUIPO NECESARIO

Computador con últimas especificaciones

Herramienta de simulación ORCAD PSPICE 10.3 o superior

3. COMPONENTES NECESARIOS

Los componentes se tomarán de las librerías que la herramienta tiene disponibles para la
simulación.

4. TRABAJO PERSONAL PREVIO

Para la simulación con ORCAD PSPICE se empleará un amplificador de emisor común (EC)
con un transistor BJT ya diseñado. Sin embargo, es necesario encontrar el modelo
matemático del circuito de EC de la Figura 1.
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5. ECUACIONES BÁSICAS

EXPRESIÓN MATEMÁTICA

Ecuación recta DC
𝛽𝑅𝐼𝑁 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 𝛽𝑉𝑇 𝑉𝐴
𝑉𝐶𝐶 𝑣𝐶𝐸 𝐴𝑣 = − ( ∗ ) 𝑟𝜋 = , 𝑟𝑜 =
𝑖𝐶 = − 𝑅𝑆 + 𝑅𝐼𝑁 𝑟𝜋 𝐼𝐶𝑄 𝐼𝐶𝑄
𝑅𝐷𝐶 𝑅𝐷𝐶

Ecuación recta AC
𝐼𝐶𝑄
𝑉𝐶𝐶 𝑣𝐶𝐸 𝑅𝐼𝑁 = 𝑅1 ||𝑅2 ||𝑟𝜋 𝑔𝑚 =
𝑖𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 + − 𝑉𝑇
𝑅𝐴𝐶 𝑅𝐴𝐶

MODELO PSPICE (PARÁMETROS DE CAMBIO)

Beta 𝛽 𝑉𝑇 = 25𝑚𝑉

Voltaje Early 𝑉𝐴

6. PROCEDIMIENTO

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6.1 Análisis en Bias Point (análisis en DC)

El análisis en el modo Bias Point se utiliza para determinar el punto de operación de cada
uno de los elementos que conforman el circuito de prueba, e identifica los parámetros del
modelo de los dispositivos activos (Transistores) que se utilizan en la simulación. Para
entender un poco mejor este perfil de simulación, vamos a desarrollar paso a paso la
implementación de un circuito amplificador asi:

1. Implemente el circuito de la Figura 1 en el área de trabajo de ORCAD PSPICE como lo

muestra la Figura 2.

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2. Seleccione de la barra de herramientas lateral derecha Place part para elegir los
elementos que conforman el circuito. Ubique cada elemento del circuito en el área de trabajo
(R, C, VCC, VSIN, VDC, Q2N2222A).

3. Seleccione las características de la fuente con doble click y configure los valores de la
fuente VSIN como los de la Tabla 1:

VSIN
Nombre Valor
VOFF 0
VAMPL 20mV
FREQ 10kHz
Tabla 1

4. Finalizado el proceso de implementación del circuito en el área de trabajo de ORCAD

PSPICE, seleccione Place net alias de la barra de herramientas lateral derecha, para darle
nombre a cada nodo. Esta acción mejorará la descripción del circuito y la identificación de
sus componentes a la hora de la simulación. En caso de presentarse un error en la
simulación, el programa le indicará los nodos en donde se encuentra dicho error y podrá
identificarlo fácilmente Figura 3.

5. Para la simulación de elementos semiconductores de tres terminales se debe cambiar el

parámetro de ganancia de la corriente, de lo contrario, los valores arrojados en la simulación
no corresponderán a los obtenidos en el análisis teórico.
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En este caso, para el transistor BJT el parámetro de ganancia de corriente es βf, y se
asumirá un valor de prueba de βf = 213.

6.1.1 Modificación del Beta

Para modificar el Beta del transistor BJT se procede dela siguiente manera:

1. Seleccione el transistor BJT como lo muestra la Figura 4.

2. De la barra de herramientas superior, seleccione el menú Edit/Pspice Model.

Inmediatamente aparecerá una ventana donde se define el parámetro del modelo del
transistor que ORCAD PSPICE utilizará para su simulación.

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3. Cambie el parámetro de ganancia de corriente de βf =250 por βf =213 y el voltaje Early al
valor de VA=Vaf = 300 en el editor de texto del modelo de Pspice (Pspice Model), Figura 4.

4. Para garantizar que los cambios efectuados al transistor solo sean de manera temporal,
dele un nuevo nombre al elemento. En este caso agréguele la letra J al modelo existente
Q2N2222A_J. Guarde y cierre el Pspice model.

6.1.2 Simulación del modelo

Antes de poder simular el modelo modificado configure el nuevo perfil de simulación así:

1. Seleccione de la barra de herramientas superior Pspice /New simulation Profile,

2. Para el nuevo perfil de simulación en el espacio de la caja de dialogo Name de la pestaña

Analysis, introduzca el nombre que se le quiere dar al perfil de simulación; en este caso
Bias point, Figura 6.

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3. Luego Create.

4. En la ventana emergente se configura la simulación, ó de la barra superior seleccione Edit

Simulation Setting.

5. Seleccione la pestaña Analysis e introduzca el tipo de análisis que va a realizar Analysis

type. En este caso: Bias point.

6. En la caja de dialogo Options, en la pestaña de análisis, seleccione General Settings.

7. En la misma pestaña seleccione para el archivo de salida Output File Options, la primera
opcion. Include detailed bias point information for nonlinear controlled sources and
semiconductors (OP). y Ok.

8. La visualización de los parámetros eléctricos, punto de operación de cada elemento y

voltaje de nodo que Pspice utiliza para su simulación, se puede obtener con el archivo de
salida Output File. Para ello seleccione de la barra de herramientas superior, Run pspice, la
cual activa la herramienta Probe que permite visualizar el archivo de salida.

9. Para ver los parámetros eléctricos del punto de operación en DC del modelo del transistor
Q2N2222A_J que arrojó la simulación, seleccione de la barra de herramientas superior View
/output file, Figura 7.

10. Verifique que el valor del BETADC del output file sea 213. De lo contrario, cierre el
output file y repita los pasos 1, 2, 3 del numeral 6.1.1. Luego simule el diseño. Repita este
procedimiento tantas veces sea necesario hasta conseguir el valor propuesto. Utilice el
método de ensayo y error, Figura 7.

11. Llene los valores de las variables eléctricas correspondientes al campo asignado en la
tabla como Valores de simulación, Tabla 2.

ANÁLISIS EN DC
VALOR DE
VARIABLE VALOR TEÓRICO
SIMULACIÓN
ICQ
VCEQ
VBEQ
ΒDCQ
Tabla 2

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6.2 Análisis en el tiempo (time domain)

Para el análisis en el dominio del tiempo, alimente el circuito con la fuente de señal VSIN
como muestra el circuito de la Fig. 1, y 2.

EDITOR DEL PERFIL DE SIMULACIÓN

Analysis type: Time domain
Run to time: 500us
Start saving data after: 0.1us
Options: General settings
Transient options: Maximum step size: 1us
Output file options: Include detailed bias point Ok/Aceptar
information
Tabla 3

1. De la barra de herramientas superior seleccione Pspice/ Edit Simulation Profile y

configure el tipo de simulación con los valores que presenta la Tabla 3, Figura 8:

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2. Ubique un Marcador de voltaje en la resistencia de salida y otro marcador de voltaje en la
resistencia de la fuente de entrada vs, Fig. 9.

3. Para simular el circuito de prueba, seleccione Pspice/Run del menú de la barra de

herramientas superior.

4. Automáticamente se habilita la herramienta Probe de ORCAD PSPICE que nos permite

visualizar las gráficas de la señal de voltaje con respecto al tiempo como un osciloscopio
virtual, Figura 10.

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5. Llene la Tabla 4 con los valores max. y min. de la señal de voltaje. Igualmente consulte
los valores de pequeña señal del transistor presentes en el Output File y ubíquelos en la
tabla.

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 ANÁLISIS EN EL TIEMPO
VALOR VALOR
VARIABLE
TEÓRICO SIMULACIÓN
Vi(pk)
Vo(pk)
AV
βACQ
rπ
gm
Φ(fase)
Tabla 4

6. Grafique un periodo de las señales de entrada y la salida del circuito respectivamente en la

Figura 11.

6.2.1 Margen de Fase

1. Para medir la diferencia de fase entre la señal de salida y la señal de entrada mantenemos
el perfil de simulación en el dominio del tiempo Time domain.

2. Activamos nuevamente Probe con Run pspice.

3. En la barra de herramientas superior de Probe seleccionamos Trace/Evaluate

Measurement.
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4. Ya en la ventana para la evaluación de medidas, Evaluate Measurement, procedemos a
seleccionar la medida que queremos evaluar en Funciones ó Macros, se elige del listado la
función PhaseMargin (1, y 2), Para los valores 1y 2 Escriba la expresión en el espacio en
blanco en Trace Expressions : (V(Vo),V(Vs:+)) tome las variables de la lista total Full List,
Figura 12.

5. Para ver los datos en la pantalla de probe View / Measurement Result, Figura 13.

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6.3 Análisis en el dominio de la frecuencia

1. Para iniciar el análisis en frecuencia es necesario agregarle a la fuente Vsin la siguiente

propiedad: AC = 1.

2. Para realizar dicho cambio, seleccione primero la fuente VSIN, luego en la barra de
herramientas superior Edit / Property Editor: En el editor de propiedades del elemento, en la
casilla AC ingrese el valor de 1 y de la barra de herramientas apply. No cierre la ventana,
para visualizar las propiedades del elemento, elegimos de la barra de herramientas Dysplay
properties / Name and value / Ok. Ya está, la fuente se encuentra lista para tener un valor
fijo de voltaje VAC = 1 y variar su frecuencia.

3. Para configurar la simulación editamos de la barra de herramientas

Edit simulation settings

Analysis type: Ac sweep/noise.
Options: General settings

4. AC sweep type: Logarithmic.

Start Frecuency: 0.1hz
End Frecuency: 10Ghz
Points / Decade: 100.
Aceptar.

5. Elija de la barra de herramientas un marcador de nivel de voltaje Voltage/Level Marker y

ubíquelo a la salida del circuito. Seleccione Run pspice.

6. Analice el grafico y encuentre los valores para los que la ganancia cae a un 70.7% de su
valor máximo y llene la Tabla 5.

ANALISIS EN FRECUENCIA
VALOR
VARIABLE
SIMULACIÓN
FL
FH
BW
Tabla 5

7. CONCLUSIONES

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8. BIBLIOGRAFÍA

A. Gullo, J. (1992). Diseño Electrónico: Circuitos y Sistemas. Argentina.

Boylestad, Robert L. (1997). Electrónica: Teoría de Circuitos. México.

Horenstein, Mark. (1997). Microelectrónica: Circuitos y Dispositivos. México.

Malvino, Albert Paul. (2000) Principios de Electrónica. (6ta Edición). España.

Neamen, Donald A. (1999). Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos, Tomo I. México.

Savant, C.J., Roden Martin S., Carpenter Gordon. (2000). Diseño Electrónico. Circuitos y
Sistemas. (3ra edición). México.

Sedra, Adel. (2006). Circuitos Microelectrónicos, (5ta Edición). México.

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