UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN DE AREQUIPA

FACULTAD DE NGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE INGENIERÍA MECÁNICA-

ELÉCTRICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECÁNICA

CURSO: INSTRUMENTACIÓN Y AUTOMATIZACIÓN

TEMA: TRANSISTORES

DOCENTE: Ing. Pérez Pérez, Orlando

PRESENTADO POR:

 Hancco Solís, Ysabel Alexandra. 20143439

 Molero Soto, Dusan. 20140945
 Pacsi Nina, Ronald Daniel. 20113669
 Ramos Paredes, Jubert Angelo. 20113667

AREQUIPA, 30 DE MAYO DEL 2019

 TRANSISTORES

1. Definición:
Es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector
(C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones

de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor"
("resistencia de transferencia"). Actualmente se les encuentra prácticamente en
todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras,
reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras,
reproductores mp3, celulares, etc.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades
específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las
dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). El transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.

El transistor es simétrico a un triodo de vacío y relativamente muy pequeño

en tamaño. Transistor es una composición de dos palabras Transferencia
y Varistor. Un transistor consiste en tres capas de material semiconductor y
cada capa tiene la capacidad de transferir corriente a las otras capas. Este
dispositivo semiconductor de tres capas consiste en dos capas de material de
tipo n y una de tipo p o dos capas de material de tipo p y uno n. El primer tipo
se llama transistor npn, mientras que el otro se denomina transistor pnp,
respectivamente.

El germanio y el silicio son los materiales semiconductores más preferidos

que conducen la electricidad de forma semienergética. Por el proceso de
dopaje al material semiconductor, el resultado agrega electrones adicionales
al material o produce agujeros en el material. Las capas exteriores tienen
anchos mucho más grandes que el tipo p o el tipo n insertados, que
típicamente están en una proporción de 10: 1 o menos. Un menor nivel de
dopaje disminuye la conductividad y aumenta la resistencia de este material,
al limitar la cantidad de portadores libres.
 La diferencia entre el diodo y el transistor es: Un diodo se compone de dos
capas y una unión. El transistor está hecho de tres capas con dos
uniones. Un transistor puede actuar como un interruptor de encendido /
apagado o un amplificador.

Símbolos de transistores:

En el símbolo de un transistor, la flecha indica la dirección del flujo de

corriente.

Los estados positivo y negativo de la tensión y la dirección del flujo de

corriente, siempre están en una dirección opuesta en el transistor PNP con
respecto al transistor NPN. Sin embargo, la operación realizada por los
transistores NPN y PNP es la misma.

Modos de operación:

Hay cuatro modos de operación: saturación, corte, activo e inverso activo.

Modo de saturación : en este modo, el transistor actúa como un

interruptor. Desde el colector hasta el emisor, la corriente fluirá
incondicionalmente (cortocircuito). Ambos diodos están en estado de
polarización directa.

Modo de corte : en este modo también el transistor actúa como un

interruptor, pero no hay flujo de corriente desde el colector al emisor
(circuito abierto). No hay flujo de corriente a través de los terminales del
emisor y del colector.

Modo activo : en este modo, el transistor actúa como un amplificador

que es la corriente desde el terminal del colector al terminal del emisor
que corresponde a la corriente a través del terminal base. La base
amplificará la corriente que se mueve al terminal del colector y sale del
terminal del emisor.
 Modo activo inverso : La corriente desde el terminal del colector al
terminal del emisor corresponde a la corriente a través del terminal
base, pero este flujo es en dirección inversa.

Transistores biodegradables:
Según un artículo publicado en Technology Review, unos transistores
orgánicos totalmente biodegradables, desarrollados por investigadores de la
Universidad de Stanford, se podrían utilizar para controlar los implantes
médicos temporales colocados en el cuerpo durante una cirugía.
Los dispositivos electrónicos biodegradables “abren nuevas oportunidades para
los implantes” especialmente si no son caros, señala Robert Langer, profesor
en el MIT, que no participó en la investigación. Los implantes podrían
incorporar los dispositivos electrónicos orgánicos con polímeros biodegradables
que administren los fármacos. Los médicos podrían implantar este tipo de
dispositivos durante la cirugía, y después activarlos desde fuera con
radiofrecuencias para liberar los antibióticos en caso necesario durante la
recuperación. Estos dispositivos electrónicos podrían ayudar también a
monitorizar el proceso de curación desde el interior del cuerpo. Una vez
completada la curación, el dispositivo se disolvería en el cuerpo.

2. Tipos de transistores:
2.1. Transistor de contacto puntual
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor
capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W.
Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces
mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre.

Consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan,

muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector.
La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el
colector.
2.2. Transistor de unión unipolar
Tambien llamado transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en
inglés) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma
y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de
portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor
unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados
puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal
equivalente a la base del transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), de
cuyo funcionamiento se diferencia, ya que, en el FET, el voltaje aplicado
entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se
dividen en dos tipos los de canal-n y los de canal-p, dependiendo del tipo
de material del cual se compone el canal del dispositivo.

Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N
o uno tipo P. El drenaje y la fuente deben estar dopados de manera
contraria al canal en el caso del MOSFET de enriquecimiento, o dopados
de manera similar al canal en el caso del MOSFET de agotamiento. Los
transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de
aislamiento entre el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de

aislamiento entre el canal y la puerta:

 El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un

aislante (normalmente SiO2).
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
 El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la
unión PN del JFET con una barrera Schottky.
 En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado
HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos"
forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
 Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
 Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para
control de potencia. Son comúnmente usados cuando el rango de voltaje
drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET
 todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones
drenaje-fuente de 1 a 200 de voltaje(V).
 Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una
recuperación ultra rápida del transistor.
 Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como
biosensor, usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una
cadena para detectar cadenas de ADN iguales.
 Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino.

Características
 Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador
(interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
 Es muy sensible.

Aplicaciones
 El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS
es la base de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una
disposición donde el MOSFET de canal-p (generalmente "modo de
enriquecimiento") y el de canal-n están conectados en serie de manera que
cuando uno está encendido, el otro está apagado.
 En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través
del canal cuando se operan en el modo lineal. La convención de
 nomenclatura del terminal de drenaje y el terminal de fuente es algo
arbitraria, ya que los dispositivos están típicamente (pero no siempre)
construidos simétricamente desde la fuente al desagüe. Esto hace que los
FET sean adecuados para conmutar señales analógicas entre trayectos
(multiplexación). En este concepto se basan los tablero de mezcla de
estado sólido usados en la producción musical.
 Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran
resistencia de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como un
buffer en la configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy
comunes además en amplificadores de audio.
 Los de tipo IGBT se usan en la conmutación de las bobinas de
encendido del motor de combustión interna, donde las capacidades de
conmutación rápida y bloqueo de voltaje son importantes

2.3. Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un
transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto,
la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de
carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un
semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (gate),
drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la
base del transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo funcionamiento
se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente
controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de
canal-n y los de canal-p, dependiendo del tipo de material del cual se
compone el canal del dispositivo.

Tipo de Transistores de Efecto Campo

Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o
característica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de
efecto de campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o

uno tipo P. El drenaje y la fuente deben estar dopados de manera contraria
al canal en el caso del MOSFET de enriquecimiento, o dopados de manera
similar al canal en el caso del MOSFET de agotamiento. Los transistores de
efecto de campo también son distinguidos por el método de aislamiento
entre el canal y la puerta.

 Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de

aislamiento entre el canal y la puerta:
 El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un
aislante (normalmente SiO2).
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
 El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la
unión PN del JFET con una barrera Schottky.
 En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el
aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
 Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
 Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de
potencia. Son comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-
fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son
los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1
a 200 de voltaje(V).
 Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una
recuperación ultra rápida del transistor.
 Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor,
usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para
detectar cadenas de ADN iguales.
 Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino.

Características
 Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador
(interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
 Es muy sensible

Aplicaciones
El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS es
la base de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una
disposición donde el MOSFET de canal-p (generalmente "modo de
enriquecimiento") y el de canal-n están conectados en serie de manera que
cuando uno está encendido, el otro está apagado.

En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del
canal cuando se operan en el modo lineal. La convención de nomenclatura
del terminal de drenaje y el terminal de fuente es algo arbitraria, ya que los
dispositivos están típicamente (pero no siempre) construidos simétricamente
desde la fuente al desagüe. Esto hace que los FET sean adecuados para
conmutar señales analógicas entre trayectos (multiplexación). En este
concepto se basan los tablero de mezcla de estado sólido usados en la
producción musical.

Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran

resistencia de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como un
buffer en la configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy
comunes además en amplificadores de audio.

Los de tipo IGBT se usan en la conmutación de las bobinas de encendido

del motor de combustión interna, donde las capacidades de conmutación
rápida y bloqueo de voltaje son importantes.
2.4. Disipador de calor
Un transistor controlado por el calor, si es lo suficientemente sensible, nos
permite detectar pequeñas diferencias de temperatura. Una de las
aplicaciones más inmediatas es médica: vendajes que permiten seguir
continuamente (monitorizar) un proceso de curación.

Este dispositivo consiste en un electrolito líquido que posee iones libres y

moléculas poliméricas conductoras. Los iones, con carga positiva, se
mueven muy rápidamente, mientras que los polímeros cargados
negativamente por su tamaño muchísimo mayor se mueven mucho más
lentamente. Cuando se somete al conjunto a un foco de calor, los iones
“vuelan” al lado frío más alejado dejando atrás a los polímeros; esta
separación crea una diferencia de potencial que es la que activa el transistor

2.5. Transistor de potencia

Básicamente, las características de los transistores de potencia dependen
del tipo de transistor, del semiconductor y de la fabricación. Se emplean en
germanio (bipolares de baja tensión), principalmente de silicio y, solo para
transistores FET especiales para amplificadores de comunicación. Lo más
común en fabricación es la difusión. La velocidad de conmutación es grande
 y se emplean en convertidores cd-cd y cd-ca con diodos conectados en
paralelo inverso para proporcionar flujo bidireccional de corriente se
emplean en aplicaciones de baja a mediana potencia.

Los transistores de potencia se clasifican en 3 categorías que son las

siguientes:

 Transistores bipolares de unión (BJT)

 Transistores Efecto de campo (FET)
 Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)

Transistores bipolares de unión (BJT)

Se forman agregando una segunda región p o n a un diodo de union pn. Con
dos regiones n y una p, se forman dos uniones, teniéndose así un transistor
NPN, y con dos regiones p y una n, se forma un transistor PNP, como se ve
en la figura posee tres terminales (colector, emisor y base).

El transistor bipolar tiene dos uniones: la unión colector – base (CBJ) y la

unión base – emisor (BEJ). Hay dos regiones n+ para el emisor del
transistor NPN, dos regiones p+ para el emisor de transistor PNP
[Secciones transversales de un BJT]

Hay tres configuraciones: colector común, base común y emisor común. La

de emisor común de NPN es la que se usa mayormente en conmutaciones.
Para un transistor PNP se invierten las polaridades de todas las corrientes y
voltajes.

Un transistor opera en tres regiones:

 Región de corte: el transistor esta abierto o apagado, la corriente de base no

es suficiente para saturarlo, y las dos uniones están polarizadas
inversamente.

 Región activa: el transistor actúa como un amplificador, en el que la

corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje
colector – emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La unión
colector – base (CBJ) esta polarizada inversamente y la unión colector –
emisor (BEJ) esta polarizada directamente.
 Región de saturación: la corriente de base es suficientemente alta como
para que el voltaje colector – emisor sea bajo, y el transistor actúa como un
interruptor. Las dos uniones (CBJ y BEJ) tienen polarización directa.

Transistores Efecto de campo (FET)

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los
FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente

(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor
de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.

Las imágenes son Símbolos esquemáticos para los JFETs canal-n y canal-p.
G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).) 1- P-chanel. 2 - N-
channel.

El Funcionamiento del Transistor de efecto de campo es distinto al del BJT.

En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los
BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en
comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede
ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento
capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y
diseño de circuitos.

Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto
de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo
de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en
estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores
de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica
digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips
digitales.

Características
 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

Transistores IGBT
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o
sea transistor bipolar de puerta de la salida.

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina

los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y
por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja
voltaje como el MOSFET. El símbolo más comúnmente usado se muestra
en la figura. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el
fenómeno de ruptura secundario como el TBJ.

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrónico

que generalmente se aplica a circuitos de potencia.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La

tensión de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de
controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy
débil en la puerta.

El IGBT de la figura es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. El

circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del BJT. El IGBT es adecuado
para velocidades de conmutación de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en
muchas aplicaciones.

Aplicación:
Cuando la base de un transistor NPN se conecta a tierra (voltaje cero) no
circula corriente del emisor al colector (el transistor esta en posición de
“fuera”). Si la base se encuentra puenteada en el sentido directo con voltaje
de al menos de 0.66 volts , una corriente circula del emisor al colector (el
transistor esta en posición de “dentro”). Si el transistor opera solo en estas
dos formas, se dice que entonces funciona como un switch.

Cuando la base del transistor se puentea en el sentido directo, la corriente

emisor – colector producira variaciones muy pequeñas en la corriente de la
base, en estas condiciones se dice que el transistor opera como un
amplificador. Esto se aplica a un transistor en el que el emisor es la
 conexión a tierra, tanto para la entrada como para la salida y se llama
“circuito emisor común”.

3. Bibliografía:
 http://tecnologiajoseroque.blogspot.com/2016/06/blog-post_16.html /27 de mayo
del 2019 – 14:10 hrs.
 https://concepto.de/transistor/ /27 de mayo del 2019 – 14:14 hrs.
 https://www.euroresidentes.com/tecnologia/avances-tecnologicos/transistores-
biodegradables /30 de mayo del 2019 – 11:10 hrs.
 https://electro-cev.blogia.com/2010/090702-transistor-de-contacto-puntual.php /30
de mayo del 2019 – 11:22 hrs.
 https://www.mecatronicalatam.com/transistor /30 de mayo del 2019 – 11:33
hrs.
 «Patent US2744970: Semiconductor signal translating devices» (en inglés). United
States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
 Robinson, C. Paul (2013). «GEORGE C. (CLEMENT) DACEY». Memorial Tributes
(en inglés) (The National Academies Press) 17. doi:10.17226/18477. Consultado el 14
de marzo de 2016.
 «Patent US2778956: Semiconductor signal translating devices» (en inglés). United
States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
 «Patent US3102230» (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 7 de marzo
de 2016.
 «1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated» (en inglés).
Computer History Museum. Consultado el 7 de marzo de 2016

 Alvarez. (10 de Mayo de 2017). Webquest. Obtenido de Webquest:

https://sites.google.com/site/transistoresfototransistores/classroom-news

 Crispin, X. (14 de Enero de 2018). Cienciaplus. Obtenido de Cienciaplus:

https://www.europapress.es/ciencia/laboratorio/noticia-primer-transistor-
electronico-accionado-calor-20170131123456.html