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LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRICOS 2

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE


SAN MARCOS
Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA

 RESONANCIA EN CIRCUITOS R-L-C EN SERIE

 INFORME PREVIO N°6

 CRUZADO MONTAÑEZ LUIS ERNESTO

 SILVA PAREDES JONATHAN JAVIER / 16190217


 SALAS CURO JORGE LEONARDO / 17190294
 ROJAS CAJALEÓN ESTEBAN ALEX / 17190069

10/06/2019
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELÉCTRICOS 2

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS


FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

INFORME PREVIO N°6

I. OBJETIVOS

 Estudiar en forma experimental las características de resonancia en


circuitos R-L-C en serie.

II. MARCO TEÓRICO

 Osciloscopio
 Generador de señales
 Multímetro digital
 2 puntas de prueba de osciloscopio
 Resistores de 3kΩ y 330Ω
 Bobina de 2.8H
 Condensadores de 0.01𝜇F y 470pF
 Protoboard
 Cables de conexión diversos

lll. INFORME PREVIO

1.- ¿A qué fenómeno se le conoce como resonancia? Mencione algunos


ejemplos que se presentan n la vida real.
El término resonancia se refiere a un conjunto de fenómenos relacionados con los
movimientos periódicos o casi periódicos en que se produce reforzamiento de una
oscilación al someter el sistema a oscilaciones de una frecuencia determinada.
2.- ¿Qué es el ancho de banda de un sistema?
El ancho de banda indica la frecuencia a la cual la ganancia empieza a rebasar su valor
de frecuencia baja. Por tanto, el ancho de banda indica que tan bien registrara el sistema
de un senoide de entrada.
El rango de la frecuencia 0 ≤ 𝜔0 ≤ 𝜔𝑏 en el cual la magnitud en lazo cerrado no
desciende a -3db se denomina ancho de banda del sistema.
3.- ¿Qué es el factor de calidad en un circuito R-L-C serie? ¿Cómo se determina?
El “factor de calidad” de un circuito resonante es una medida de la eficiencia con la cual
este resuena. Formalmente significa que a mayor Q más estrecho es el ancho de banda
en el cual el circuito resuena. Q está definido como la razón entre la potencia
almacenada y la potencia disipada del circuito. Hay que destacar que en un circuito la
energía sólo se almacena en un capacitor y/o una inductancia y se disipa en las
resistencias. Para circuitos resonantes serie o paralelo, como ya visto, esto es:
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𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑎𝑙𝑚𝑎𝑐𝑒𝑛𝑎𝑑𝑎 𝑖 2 |𝑋|


𝑄= = 2
𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑖𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎 𝑖 𝑅
Para un circuito R-L-C serie seria:
𝜔𝑜 𝐿
Q= 𝑅

IV. PROCEDIMIENTO

1.- Realice la simulación del circuito de la figura y complete los campos


correspondientes a las tablas.

f(Hz) V(V) Vr1(V) Vl1(v) Vc1(V) I=Vr1/R1

100 3.535 0.06875 0.101 3.636 22.9 uA

1000 3.535 0.3732 5.489 1.974 124.4 uA

f(Hz) Xc1= Vc1 /I Xl1= Vl1 /I Z=V1/I Z=(R12+( Xl1- Xc1)2

100 158777 4416 154366.9 154390

1000 15868 44123.8 28416.4 28416.6


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2.- Implementar el circuito de la figura.


3.- Ajustar el generador para que entregue una señal sinusoidal, de frecuencia 100 Hz
y de amplitud de 10 Vpp.
4.- Mida las tensiones en la resistencia, bobina y condensador con el osciloscopio y
complete los campos correspondientes a las tablas.
5.- Ajuste el generador esta vez para una frecuencia de 5 Hz y complete los campos
correspondientes a las tablas.

f(Hz) V(V) Vr1(V) Vl1(v) Vc1(V) I=Vr1/R1

100 3.37 0.0643 0.105 3.46 21.4 uA

1000 3.388 0.32635 4.93 1.727 108.8 uA

f(Hz) Xc1= Vc1 /I Xl1= Vl1 /I Z=V1/I Z=(R12+( Xl1- Xc1)2

100 161682.2 4906.5 157476.6 156804.4

1000 15873.2 45312.5 31139.7 29591.7

6.- Coloque ahora el condensador de 4.7 pF en el circuito y determinar la frecuencia


de resonancia:

1
𝜔0 = √
𝐿1 𝐶1

1
𝜔0 = √ = 174300
7𝑥4.7𝑥10−12
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8.- Ajuste el generador a una frecuencia 100 veces mayor que 𝜔0 y llene los vlores
experimentales de la tabla. Variar paulatinamente la frecuencia de 2, 5, 10, 20 y 50
veces 𝜔0 /100

f V(v) Vr1 (v) Vl1 Vc1 I(uA)= Xc1 Xl1 Z Y


(v) (v) Vr1/R1

3486 3.338 0.0016 0.08 3.65 0.533 6848030 150093 6.697MΩ 0.149µΩ

8715 3.26 0.0031 0.4 3.87 1.03 3757281 388349 3.368MΩ 0.296µΩ

17430 3.35 0.009 2.3 5.65 3 1883333 766666 1.116MΩ 0.896µΩ

34860 3.25 0.013 8.19 5.04 4.33 1163972 1891454 0.727MΩ 1.375µΩ

87150 3.12 0.029 3.75 0.38 9.66 39337.5 388198 0.348MΩ 2.873µΩ

7.-Colocar ahora la resistencia de 330Ω y llenar la tabla. Esto se hace para observar
los diferente Q de los circuitos.
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f V(v) Vr1 (v) Vl1 (v) Vc1 I(uA)= Xc1 Xl1 Z Y


(v) Vr1/R1

3486 3.46 0.00016 0.078 3.5 0.533 6566604 146341 6.420MΩ 0.155µΩ

8715 3.26 0.00034 0.083 3.52 1.33 2646616 62406 2.584MΩ 0.386µΩ

17430 3.35 0.0092 2.3 5.68 30.66 185257 75016 0.110MΩ 9.090µΩ

34860 3.25 0.015 8.2 5.09 50 101800 164000 0.062MΩ 16.12µΩ

87150 3.12 0.28 3.74 0.39 933.3 417872 4007.2 0.413MΩ 2.421µΩ

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