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Implantation ionique Definition

ü
Traitement physique utilise pour doper
un substrat en silicium
ü
Consiste a « forcer » ,des charges libres
portées par les atomes ionises de Bore,
de Phosphore, d’Arsenium, dans des cristaux
de silicium.
ü
Ces ions, associes a une grande energie
cinetique suffisante, « pénétreront » dans le
substrat de silicium.
Implantation ionique
Mecanisme elementaire du dopage

Bore 5 ---- 3 électrons de valence


Phosphore 15 ---- 5 électrons de valence
Siliciume 14 ---- 4 électrons de valence
Implantation ionique
Rappel mecanisme elementaire du dopage
Bore 5 ---- 3 électrons de valence
Phosphore 15 ---- 5 électrons de valence
Silicium 14 ---- 4 électrons de valence
Implantation ionique
Rappel mecanisme elementaire du dopage
Bore 5 ---- 3 électrons de valence
Silicium 14 ---- 4 électrons de valence
Dopage P
Implantation ionique Schema bloc
Source d’ions faisceau
d’ions
Atomes dopant
Contrôleur du faisceau
ionises
( Alignement)

Faisceau
a haute énergie
Contrôleur du faisceau Accélérateur
( Alignement)

Faisceau (d’ions) a haute énergie

Distribution du dopant
substrat
Implantation ionique
Energie d’ionisation necessaire
Implantation ionique
Distribution de la densite, en profondeur

3 Distribution du dopant
atomes/cm

(µm)

Rp : intervalle de projection (µm)


ΔRp : dispersion (eparpillement)
Q: dose du faisceau d’ions
(atomes/cm )2
Implantation ionique
Distribution de la densite, en profondeur

(µm)

Rp : intervalle de projection (µm)


ΔRp : dispersion (eparpillement)
Q: dose du faisceau d’ions
(atomes/cm )2
Implantation ionique
Distribution de la densite, en profondeur
Implantation ionique
Exercice
Implanteur Ionique
Implanteur Ionique
Pourquoi l’implanteur ionique ?
Principale difficulté de la diffusion thermique 
La loi de diffusion conduit à un profil de concentration en atomes
?
dopants diminuant  …………… ……………………… à partir de la surface

non linéairement ou linéairement ?


La loi de diffusion conduit à un profil de concentration en atomes
dopants diminuant  non linéairement à partir de la surface
Comme ……par exemple !
les besoins de réalisation de jonction p-n supposent au
contraire l'obtention d'une jonction abrupte :
c.a.d le passage brutal
d'une zone p de concentration homogène en dopant de type p
à une zone n elle aussi homogène en concentration de dopant n
Implanteur Ionique Pourquoi l’implanteur ionique ?
Principale difficulté de la diffusion thermique 
Pour tenter d'homogénéiser la zone diffusée on pratique,
Ø
après arrêt du processus de dépôt en surface
(ou réduction contrôlée du débit gazeux) …….predepot
Ø
à un traitement thermique adapté des tranches de silicium. 
…….redistribution
Mais ..!!!!!!!
Ce n'est pas toujours suffisant pour obtenir une jonction très abrupte

Et………. l'on procède parfois à l'implantation directe


en profondeur d'atomes ionisés
à l'aide d'un implanteur ionique.
Implanteur Ionique…………un peu d’histoire !
ü
L’implantation ionique est utilisée depuis longtemps dans
l’industrie électronique.
ü
L’idée est de Schockley ………..
(un des inventeurs du transistor)
Ø
qui proposa l’implantation ionique pour le dopage
des semi-conducteurs dès 1951

ü
A partir de 1971, le procédé fut industrialisé pour la
fabrication des circuits intégrés
Ø
Proposé dès 1973 pour des applications mécaniques il fut rapidement utilisé
avec succès.
Ø
Des applications ont vu le jour dans l’industrie mécanique, aéronautique,
biomédicale…
Implanteur Ionique
Interaction des faisceaux d’ions avec la matière
L’implantation ionique est un procédé qui consiste à :

Ø
modifier la composition superficielle des matériaux

Ø
en faisant pénétrer des ions possédant une énergie suffisante

Ø
Cette énergie est fournie par accélération dans un champ électrique.

L’implantation ionique utilise des faisceaux d’ions d’énergie


comprise entre 10 et 400 keV :

Ø
Pour introduire pratiquement n’importe quel élément dans
n’importe quel solide.
Implanteur Ionique Interaction des faisceaux d’ions avec la matière

ü
La dose d’implantation est définie par la fluence φ
elle correspond au nombre total d’ions implantés par unité de
surface
I : Courant implanteur,
t : Temps d’implantation
q : Charge de l’électron
A : Surface d’implantation.
ü
Les ions possédant une énergie supérieure à quelques centaines d’eV
(500 eV à 300 keV) :
Peuvent traverser la surface en provoquant une succession de collisions avec les
atomes du matériau.
ü
Sous l’effet de ces collisions, les ions ont une trajectoire en « zigzag »
ü
Mais ………….à chaque collision les atomes heurtés peuvent reculer et entrer
eux-mêmes en collision avec d’autres atomes
Un seul ion d’une centaine de keV peut rencontrer une bonne centaine d’atomes et
provoquer, directement ou indirectement, la formation d’un millier de défauts
cristallins (lacunes et interstitiels). ……..Donc des espaces pour une “cohabitation”
dopant-materiaux
Implanteur Ionique
Principe des implanteurs ioniques : schema
Implanteur Ionique
Principe des implanteurs ioniques : schema
Implanteur Ionique Principe des implanteurs ioniques : etapes

Les ions sont créés dans la source


à partir de composés gazeux ou d’éléments
métalliques vaporisés ou pulvérisés
Implanteur Ionique Principe des implanteurs ioniques : etapes

Le faisceau d’ions est extrait de la source, focalisé puis accéléré à une


énergie intermédiaire (10 à 40 keV).
Il passe ensuite dans un aimant qui assure un tri des ions suivant leur
masse et permet de sélectionner l’espèce désirée qui subit
l’accélération finale.
Implanteur Ionique Principe des implanteurs ioniques : etapes

L’accélération finale se situe entre 10 et 400 keV


pour les équipements d’implantation classiques
Implanteur Ionique Principe des implanteurs ioniques : etapes

Le faisceau est ensuite balayé sur la surface du matériau


ü
soit électrostatiquement
ü
soit mécaniquement
par balayage, par déplacement du porte échantillon,
Ø
de manière à assurer un traitement uniforme
Implanteur Ionique Principe des implanteurs ioniques : etapes

Les pièces « wafers » à traiter sont généralement fixées sur des


montages refroidis pour évacuer l’énergie thermique apportée par le
faisceau d’ions.
L’implantation est effectuée sous des vides de l’ordre de
0.0001 Pa.
Les courants de faisceau délivrés varient de quelques microampères à
quelques milliampères
Implanteur Ionique

FIN……..

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