DEPARTAMENTO DE ELECTRICA Y ELECTRONICA

UNIDAD N° 2

GUIA DE PRACTICA N° 2.2

Tema: AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN CON

TRANSISTOR DARLINGTON.

1. Fecha límite de entrega

Martes 14 de mayo 2019

2. Documentación a entregar
Trabajo preparatorio solicitado.

3. Objetivos.

 Determinar el punto de operación del Transistor Darlington.

 Verificar las características del amplificador en la Configuración Emisor Común.
 Interpretar los resultados calculados, simulados y medidos.

4. Materiales y Equipos.

Materiales.

 Transistores
 Resistencias
 Capacitores
 Cables
 Protoboard

Herramientas:

 Fuente de corriente continua

 Generador de señales
 Osciloscopio.
 Multímetro.
5. Procedimiento

5.1 Implemente el circuito amplificador en la configuración Emisor Común con

Transistor Darlington.
5.2 Verifique el punto de operación del Transistor Darlington.
5.3 Aplique al amplificador una señal de entrada menor a la máxima calculada y
verifique el voltaje en los terminales: Emisor, Base y Colector.

5.3.1 Verifique la amplificación de voltaje.

5.3.2 Verifique la amplificación de corriente.
5.3.3 Verifique la impedancia de entrada.
5.3.4 Verifique la impedancia de salida del Amplificador.
5.3.5 Determine el valor de ß con el que está trabajando el Transistor Darlington.
5.3.6 Realice un cuadro con los resultados obtenidos.

6. Bibliografía.

 Dorf Richard y Svoboda James A., Circuitos eléctricos, 2006, 6ta edición.
 Boylestad,Roberth Nashelsky. Electrónica, Teoría de Circuitos, febrero 2000,
Prentica Hall
 Belove Charles. Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados, 1993, Mac. Graw Hill
Milman & Halkias. Electrónica Integrada, 1972, Mac- Graw Hill, ISBN 79-172657
 Savat, Roden, Carpenter. Diseño Electrónico, Circuitos y Sistemas, 1992,Addison –
Wesley Iberoamericana, S.A., ISBN 0-201-62925-9.
 Smith Sedra. Dispositivos Electrónicos y Amplificadores, 1909, Mac. Graw Hill
 Malvino Paul. Principios de Electrónica, 2007, Mac. Graw Hill
 DEPARTAMENTO DE ELECTRICA Y ELECTRONICA

UNIDAD N° 2

TRABAJO PREPARATORIO
LABORATORIO No. 2.2

Tema de la práctica: AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

CON TRANSISTOR DARLINGTON.

Realizado por: ………………………

1. Consultar sobre:

3.1 Curva característica de entrada y Curva característica de salida de un Amplificador

Emisor Común.

Las características para describir en forma completa el comportamiento de la

configuración de emisor común: una para la entrada o circuito de la base y una para la
salida o circuito del colector.
 Características Input
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida (VCE).
 𝑉𝐵𝐸 = 0.7[𝑉]
Ilustración 1 Curva de entrada característica.

 Características Output
La corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de
corriente de entrada (IB).

Ilustración 2 Curva de salida características.

Baja impedancia de entradas, entre 700 ohm y 1000 ohm. Un poco menos que la base
común.
Alta impedancia de salida, entre 50kohm. Más baja que la base común.

Ilustración 3 Curva de salida característica y sus partes.

Webgrafía:

http://www.kumbaya.name/ci1210/leccion%205.%20se%C3%B1ales%20y
%20compuertas/2.3%20Configuraci%C3%B3n%20de%20emisor%20com%
C3%BAn/2.3%20Configuraci%C3%B3n%20de%20emisor%20com%C3%B
An.htm
 http://slideplayer.es/slide/1662893/

3.2 ¿A qué se debe el desfase entre la señal de voltaje en la entrada y la señal de voltaje
en la salida en la Configuración Emisor Común?

Es el resultado de que ßIb establezca una corriente a través de RC la cual producirá un

voltaje a través de RC, lo opuesto al definido por V o.

El desfase se debe a que, cuando Vin aumenta en el semiciclo positivo provoca un

desplazamiento del punto hacia la región de saturación, lo cual causa una
disminución del VCE, llevándolo a su menor valor cuando Vin tiene el máximo
valor mientras que si Vin disminuye hasta alcanzar su valor más alto en el pico
negativo, V_CE alcanza su valor más alto lo cual produce el desfase en 180° entre Vo y
Vin.
Al aumentar la tensión de base, aumenta también la corriente de base, y aumenta la
corriente del colector un número de veces superior, igual a la ganancia de este.
El aumento de la corriente del colector hace disminuir la tensión del colector, por lo tanto,
si aumenta la tensión de la base, disminuye la tensión del colector, que da como resultado
una inversión de la base. (Boylestad, 2010)

3.3 Eficiencia de conversión de potencia, y en qué caso se produce el máximo valor.

3.4 Ventajas y desventajas de la utilización de un transistor Darlington.

2. Procedimiento
 V2
22V
R1 R4
39kΩ 10kΩ
C2

C1 Q1 470µF
2N3904
470µF Q2 R5
V1
R2 2N3904 10kΩ
0.6Vpk
1kHz 3.6kΩ
0°
R3
1.5kΩ

Para el cual se tiene los siguientes valores de los elementos:

 RE: 1.5 [k]
 R1: 39 [k]
 R2: 3.6 [k]
 RC: 10[k]
 RL: 10 [k]
 C2: 470 [uF]
 C1: 470 [uF]
 Vcc: 22 [V]
 Transistor: 2N3904
 : 100
 VBE = 0,57[V]
 Ilustración 1: Datasheet del Transistor 2N3904

En la ilustración 4 tenemos los valores máximos que a los que puede ser sometido el transistor
que se utilizara en la práctica.

2.1 Para el amplificador Emisor Común con Transistor Darlington, realice las siguientes
actividades:

2.1.1 Calcule el punto de operación del Transistor Darlington.

 Análisis de Darlington
Debido a que el transistor de Darlington está compuesto de dos transistores normales se debe
tener en cuenta lo siguiente para poder realizar los diversos cálculos.

Ilustración 2: Circuito de Darlington a un circuito con un solo transistor

En la ilustración 6 se observa como con los siguientes pasos que se mostrara a continuación
se puede llevar de un circuito que se ve complejo a uno que conocemos y sabemos cómo
realizar su análisis.

Dado que cada transistor tendrá un  diferente o igual para llevar al circuito con un solo
transistor se debe calcular el nuevo  que será llamado D para diferenciar que este es un
parámetro del transistor Darlington y que no se afectara sus valores solo su forma de ser
graficado.

Entonces para conocer el nuevo valor tenemos:

𝐼𝐶𝐷
𝛽=
𝐼𝐵1
𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶2 𝐼𝐵1 𝛽1 + 𝐼𝐵2 𝛽2
𝛽= =
𝐼𝐵1 𝐼𝐵1
𝐼𝐵1 𝛽1 + 𝐼𝐵1 (𝛽1 + 1)𝛽2
𝛽=
𝐼𝐵1
Simplificando 𝐼𝐵1 tenemos:
𝛽𝐷 = 𝛽1 + (𝛽1 + 1)𝛽2
𝛽𝐷 = 𝛽1 + 𝛽1 𝛽2 + 𝛽2
𝛽𝐷 = 𝛽1 𝛽2
Reemplazando valores de  tenemos:
𝛽𝐷 = 𝛽1 𝛽2
𝛽𝐷 = 100 ∗ 100
𝛽𝐷 = 10000
Para el VBE tenemos que dado que son dos transistores se procede a lo siguiente:
𝑉𝐵𝐸𝐷 = 𝑉𝐵𝐸 1 + 𝑉𝐵𝐸2
Reemplazando los valores tenemos:
𝑉𝐵𝐸𝐷 = 0,57 + 0.57
𝑉𝐵𝐸𝐷 = 1,14[𝑉]

 Análisis DC

Para calcular el punto de operación del transistor Darlington tenemos que obtener lo
siguiente:
 Corriente de la base (IB)
 Corriente del colector (IC)
 Corriente del emisor (IE)
 Voltaje de la base (VB)
 Voltaje del colector (VC)
 Voltaje del emisor (VE)
 Voltaje del colector emisor (VCE)

Para calcular el punto de operación (Q) realizamos un análisis al circuito presentado a

continuación:
V2
22V
R1 R4
39kΩ 10kΩ

Q1
2N3904
Q2
R2 2N3904
3.6kΩ

R3
1.5kΩ

Ilustración 3: Circuito
En la ilustración 7 se puede observar la parte del circuito que nos permitirá obtener diversas
fórmulas para conocer el punto de operación que tiene.
 Realizamos Thevenin en la parte de la base del transistor (RB1 y RB2) para obtener un
voltaje y una resistencia de Thevenin que nos permita obtener de manera más sencilla las
ecuaciones del punto de operación.
𝑅𝐵2
𝑉𝑇𝐻 = ∗𝑉 ①
𝑅𝐵1 ∗ 𝑅𝐵2 𝑐𝑐
𝑅𝐵2 ∗ 𝑅𝐵1
𝑅𝑇𝐻 = ②
𝑅𝐵2 + 𝑅𝐵1

 Reemplazamos valores en la ecuación ① y ②

3600
𝑉𝑇𝐻 = ∗ 22
3600 + 39000
𝑉𝑇𝐻 = 1,85 [𝑉]
39000 ∗ 3600
𝑅𝑇𝐻 =
39000 + 3600
𝑅𝑇𝐻 = 3,3[𝑘]
 Realizando Thevenin en el circuito obtuvimos el siguiente circuito:
 V2
22V
ICD R4
10kΩ

IBD
R2 Q2
2N3904
3.3kΩ

IED
V3
1.85V R3
1.5kΩ

Ilustración 4: Circuito después de realizar Thevenin

En la ilustración 8 se puede observar cómo se redujo una parte del circuito al calcular un
voltaje y resistencia de Thevenin.
Se puede ver en la ilustración 8 por cómo van las corrientes que:

𝐼𝐸𝐷 = 𝐼𝐵𝐷 + 𝐼𝐶𝐷 ③

𝐼𝐸𝐷 = (𝛽𝐷 + 1)𝐼𝐵𝐷 ④
 Realizamos una malla en el circuito y tenemos:

V2
22V
R4
10kΩ

R2 Q2
2N3904
3.3kΩ

V3
1.85V R3
1.5kΩ

Ilustración 5: Malla en el circuito reducido por Thevenin

−𝑉𝑇𝐻 + 𝑅𝑇𝐻 ∗ 𝐼𝐵𝐷 + 𝑉𝐵𝐸𝐷 + 𝐼𝐸𝐷 ∗ 𝑅𝐸 = 0 ⑤

 Ahora reemplazamos ④ en ⑤ y tenemos :
−𝑉𝑇𝐻 + 𝑅𝑇𝐻 ∗ 𝐼𝐵𝐷 + 𝑉𝐵𝐸𝐷 + (𝛽𝐷 + 1) ∗ 𝐼𝐵𝐷 ∗ 𝑅𝐸 = 0 ⑥
 Despejamos IBD de ⑥ y tenemos:
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵𝐷 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽𝐷 + 1) ∗ 𝑅𝐸
 Reemplazando valores en la ecuación de IBD tenemos:
1,85 − 1,14
𝐼𝐵𝐷 =
3,3𝑘 + (1000 + 1) ∗ 1500
𝐼𝐵 = 473,66 [𝑛𝐴]
 Despejamos ICD de la ecuación ③ y tenemos:
𝐼𝐸𝐷 = 𝐼𝐵𝐷 + 𝐼𝐶𝐷
𝐼𝐶𝐷 = 𝐼𝐸𝐷 − 𝐼𝐵𝐷 ⑦
 Ahora reemplazamos ④ en ⑦ y tenemos:
𝐼𝐶𝐷 = (𝛽𝐷 + 1) ∗ 𝐼𝐵𝐷 − 𝐼𝐵𝐷
𝐼𝐶𝐷 = 𝛽𝐷 ∗ 𝐼𝐵𝐷 ⑧
 Reemplazando valores en ⑧ tenemos:
𝐼𝐶𝐷 = 1000 ∗ 473,66[𝑛𝐴]
𝐼𝐶𝐷 = 0,473[𝑚𝐴]
 Reemplazamos valores en ④ y tenemos:
𝐼𝐸𝐷 = (1000 + 1) ∗ 0,0473[𝑢𝐴]
𝐼𝐸𝐷 = 0,473 [𝑚𝐴]

 Para conocer VED por el grafico de la ilustración 8 sabemos que:

𝑉𝐸𝐷 = 𝐼𝐸𝐷 ∗ 𝑅𝐸
 Reemplazando valores en la ecuación de VED tenemos:
𝑉𝐸𝐷 = 0,473[𝑚𝐴] ∗ 1500
𝑉𝐸𝐷 = 0,709[𝑉]
 Al igual que la ecuación de VED la ecuación de VBD se puede deducir de la ilustración 8:
𝑉𝐵𝐷 = 𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵𝐷 ∗ 𝑅𝑇𝐻
 Reemplazando valores en la ecuación de VBD tenemos:
𝑉𝐵𝐷 = 1,85 − (0,0473)(3,3𝑘)
𝑉𝐵𝐷 = 1,84[𝑉]
 La ecuación de VCED al igual que las anteriores se puede obtener con la ilustración 8:
 𝑉𝐶𝐸𝐷 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸𝐷 = 22 − (0,473𝑚𝐴)(10𝑘 + 1,5𝑘)
𝑉𝐶𝐸𝐷 = 16,55[𝑉]

 Para calcular VCD se puede también deducir de la ilustración 6 y tenemos:

𝑉𝐶𝐷 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐸
 Reemplazando valores en la ecuación de VCD tenemos:
𝑉𝐶𝐷 = 22 − 16,55 − 0,709
𝑉𝐶𝐷 = 4,74[𝑉]
 Para obtener la recta de carga estática tenemos la siguiente ecuación:
−𝑉𝐶𝐸𝐷 𝑉𝑐𝑐
𝐼𝐶𝐷 = + ⑨
𝑅𝐶 𝑅𝐶

 El siguiente grafico nos indica si nuestro circuito sirve como amplificador:

ICD

𝑉𝑐𝑐
𝑅𝐶
Si cumple con este gráfico el
circuito trabaja como
amplificador
ICD

VCE
VCE VCC

Gráfico 1: Recta de carga estática

 Los valores obtenidos de ⑨ reemplazamos en el grafico 1 para saber si nuestro circuito

sirve como amplificador

ICD
 2,2 𝑚𝐴

Dado que cumple con este gráfico

el circuito trabaja como
amplificador
0,473[mA]

VCED
16, 55[V] 22[V]

Gráfico 2: Recta de carga estática del circuito

Por lo tanto el punto de operación del circuito se encuentra en:

𝑄[16,5 𝑉; 0,473 𝑚𝐴]

2.1.2 Verifique el punto de operación del transistor.

Ilustración 6: Simulación de IBD en el circuito

Como se puede observar en la ilustración 10 la corriente obtenida en IBD no es

similar a la que se calculó en el ítem anterior debido a que esta corriente tiende
a variar por diversos factores en este punto.
 Ilustración 7: Simulación de IED en el circuito

Dado que el valor que se obtuvo de IED en la simulación es similar al que se

calculó se puede decir que la corriente en el emisor se encontro correctamente.

Ilustración 8: Simulación de ICD en el circuito

Como se puede observar la corriente simulada y calculada de ICD son

simulares por lo que se puede concluir que lo calculado está correcto.
 Ilustración 9: Simulación de VCD en el circuito

Como se puede ver en la ilustración 13 el voltaje en VCD es similar a lo que

se calculo por lo que nuestros diferentes calculos fueron correctos.

Ilustración 10: Simulación de VBD en el circuito

Dada la ilustración 14 se puede comprobar que el VBD calculado fue correcto

debido a que ese valor es similar al de la simulación.
 Ilustración 11: Simulación de VED en el circuito

Como se puede apreciar en la ilustración 15 el valor de VED es similar al

calculado por lo que podemos decir que nuestros cálculos fueron correctos.

Ilustración 12: Simulación de VCE en el circuito

Verificando el valor obtenido de VCE y comparando con el calculado podemos ver

que son muy parecidos por lo que podemos concluir que nuestros cálculos fueron
realizados correctamente.
 2.1.3 Calcule Zin, Zo, Av, AI.
 Análisis AC

V2
22V
R1 R4
39kΩ 10kΩ
C2

C1 Q1 470µF
2N3904
470µF Q2 R5
V1
R2 2N3904 10kΩ
0.6Vpk
1kHz 3.6kΩ
0°
R3
1.5kΩ

Para el análisis en Ac se usa un circuito equivalente como el que se muestra a

continuación:
C
B1
ib1
ie1

ib2

E2

Al igual que en  el hfe cambia y también el hie debido a lo que se dijo anteriormente que
ahora son dos transistores con los que trabajados entonces tenemos:

𝑣𝑏𝑒𝐷
ℎ𝑖𝑒 =
𝑖𝑏1
𝑖𝑏1 ℎ𝑖𝑒1 + 𝑖𝑏2 ℎ𝑖𝑒2
ℎ𝑖𝑒𝐷 =
𝑖𝑏1
𝑖𝑏1 ℎ𝑖𝑒1 + 𝑖𝑒1 ℎ𝑖𝑒2
ℎ𝑖𝑒𝐷 =
𝑖𝑏1
 𝑖𝑏1 ℎ𝑖𝑒1 + (ℎ𝑓𝑒1 + 1)𝑖𝑏1 ℎ𝑖𝑒2
ℎ𝑖𝑒𝐷 =
𝑖𝑏1
ℎ𝑖𝑒𝐷 = ℎ𝑖𝑒1 + (ℎ𝑓𝑒1 + 1)ℎ𝑖𝑒2
ℎ𝑖𝑒𝐷 = (ℎ𝑓𝑒1 + 1)𝑟𝑒1 + (ℎ𝑓𝑒1 + 1)(ℎ𝑓𝑒2 + 1)𝑟𝑒1
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒𝐷 = (ℎ𝑓𝑒1 + 1) + (ℎ𝑓𝑒1 + 1)(ℎ𝑓𝑒2 + 1)
𝐼𝐸1 𝐼𝐸2

(ℎ𝑓𝑒1 + 1)(ℎ𝑓𝑒2 + 1)26𝑚𝑉 26𝑚𝑉

ℎ𝑖𝑒𝐷 = + (ℎ𝑓𝑒1 + 1)(ℎ𝑓𝑒2 + 1)
𝐼𝐸1 (ℎ𝑓𝑒2 + 1) 𝐼𝐸2

52𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒𝐷 = (ℎ𝑓𝑒𝐷 + 1)
𝐼𝐸2 1A

Una vez analizado el circuito en forma general, pasamos a analizar de forma específica para
nuestro circuito.

hie1

3.6kΩ hfc1ib1
V4
RB1 RB2 RC RL
0.6Vpk
1kHz 39kΩ 3.6kΩ 10kΩ 10kΩ
0°

RE
1.5kΩ

Para calcular la ganancia de voltaje aplicamos las siguientes fórmulas:

𝑣𝑜 − 𝑖𝑐 (𝑅𝑐 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑖𝑛 ℎ𝑖𝑒 𝑖𝑏 + 𝑖𝑒 (𝑅𝐸 )
Por definición:
ℎ𝑖𝑒 = (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑟𝑒
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
𝑖𝑐 = (ℎ𝑓𝑒 ∗ 𝑖𝑏 )
 𝑖𝑐
ℎ𝑓𝑒 =
𝑖𝑏

−ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 (𝑅𝑐 ||𝑅𝐿 )

𝐴𝑣 =
𝑖𝑏 (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑟𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑖𝑏 (𝑅𝐸 )

−ℎ𝑓𝑒 (𝑅𝑐 ||𝑅𝐿 )

𝐴𝑣 =
(ℎ𝑓𝑒 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 )

−(𝑅𝑐 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = ①
(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 )

26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸𝐷

26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
0,473𝑚𝐴
𝑟𝑒 = 54,96[] ②
Reemplazamos ① en ② y valores.

10𝑘||10𝑘
𝐴𝑣 = −
54,96Ω + (1,5𝑘)
𝐴𝑣 = −3,21
Para el cálculo de Zin tenemos que:

𝑉𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 =
𝐼𝑖𝑛

𝐼𝑖𝑛((𝑅𝐵1 ||𝑅𝐵1 ) ||𝑍𝑖𝑛𝑇)

𝑍𝑖𝑛 =
𝐼𝑖𝑛

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑇𝐻 ||𝑍𝑖𝑛𝑇

𝑉𝑖𝑛𝑇 = −𝑖𝑏 ∗ ℎ𝑖𝑒 − 𝑅𝑡ℎ ∗ 𝑖𝑏

𝑉𝑖𝑛𝑇 𝑖𝑏 ∗ ℎ𝑖𝑒 + 𝑅𝐸 ∗ 𝑖𝑒
𝑍𝑖𝑛𝑇 = =
𝐼𝑖𝑛𝑇 𝑖𝑏
 𝑖𝑏 (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑟𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑖𝑏 𝑅𝐸
𝑍𝑖𝑛𝑇 =
𝑖𝑏
𝑍𝑖𝑛 𝑇 = (ℎ𝑓𝑒 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 )

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑡ℎ||(ℎ𝑓𝑒𝐷 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 )

|ℎ𝑓𝑒𝐷 | = |𝛽𝐷|
∴ |ℎ𝑓𝑒𝐷 | = |10000| ①
𝑍𝑖𝑛 = 3300||(10000 + 1)(54,96 + 1,5𝐾)
𝑍𝑖𝑛 = 3299,3[]

Para la ganancia de corriente se tiene que:

𝐴𝑣 ∗ 𝑍𝑖𝑛
𝐴𝑖 = −
𝑅𝐿
(−3.18) ∗ (3299,2  )
𝐴𝑖 = −
10𝑘

𝐴𝑖 = 1,05

Por último la impedancia de salida se derivada de:

𝑖𝑜 𝑅𝐶
𝑍𝑜 =
𝑖𝑜

𝑍𝑜 = 𝑅𝐶

𝑍𝑜 = 10𝑘

2.1.4 Grafique el diagrama de voltajes.

2.1.5 Determine el valor máximo del voltaje de entrada que se puede aplicar sin
producir distorsión en la señal de salida.
2.1.6 Utilizando un voltaje de entrada menor al máximo calculado, simule el voltaje
del amplificador en cada terminal.
2.1.6.1 Verifique la ganancia de voltaje.
2.1.6.2 Verifique la ganancia de corriente.
2.1.6.3 Verifique la Impedancia de entrada.
 2.1.6.4 Verifique la impedancia de salida.

Ilustración 10 Voltaje de salida potenciómetro al 100%.

Ilustración 11 Voltaje de salida potenciómetro al 35%.

Valor de la impedancia de salida ≈ 3.5[𝑘Ω]

2.1.6.5 Realizar el cuadro con los resultados obtenidos.

3. Preguntas:
 3.1 ¿Cuál es la función del Transistor Darlington?
3.2 ¿En qué región de operación está trabajando su Transistor Darlington?
3.3 ¿Cuál es el valor de ß con el que está trabajando el Transistor Darlington?
3.4 ¿Cuáles son las características del amplificador implementado?

Fecha: ………………………..