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Diseño de un sistema filtro-amplificador para RF implementado con tecnologı́a de

microstrip.
Lucas Mariano Grigolato
Ingenierı́a en Telecomunicaciones
Laboratorio IV - Instituto Balseiro

10 de junio de 2019

I. INTRODUCCIÓN

Este trabajo práctico final de simulación tiene como


objetivo integrar los conocimientos adquiridos durante
el cursado mediante el diseño de un amplificador de RF
cuya entrada se filtra con un filtro pasabajos, los cuales
deben cumplir con los siguientes requerimientos:
Figura 1: Esquema en bloques ilustrativo del módulo a
Filtro pasabajos: diseñar en el que se muestran algunas requerimientos
del diseño y cómo se conectarán el filtro pasabajos en la
• Implementación con tecnologı́a micros-
entrada, las redes de adaptación del amplificador y el
trip utilizando el material Rogers RO3003
circuito de polarización del transistor
0.050”1ED/1ED
• Diseño basado en una topologı́a realizada a
partir de la transformación de Richards y las
la respuesta más plana disponible en la banda de paso,
identidades de Kuroda
lo que permitirı́a cumplir fácilmente el requerimiento de
• Frecuencia de corte fc = 4 GHz las pérdidas de inserción, pero no decae con la suficiente
• Pérdidas de inserción máximas = 0,85 dB pendiente en la banda de transición como para cumplir
el requerimiento de la atenuación mı́nima de 28 dB a 6
• Atenuación de 28 dB a 6 GHz
GHz. Debido a que no tenemos requerimientos sobre la
Amplificador: fase del filtro se decidió utilizar un filtro Chebyshev de
tipo 1, el cual cuenta con una pendiente muy pronunciada
• Implementación utilizando el transistor en la banda de transición a costo de tener “ripple” en la
ATF54143 de la empresa Avago banda de paso, el cual puede ser limitado en su amplitud
• Frecuencia central f0 = 3, 2 GHz durante el diseño.
• Factor de calidad Q = 8
• Potencia de salida de 13 dBm para una poten-
cia de entrada de 1 dBm en el filtro. A. Diseño con componentes pasivos.
• Pérdida de retorno mayor a 15 dB
La primer parte del diseño es realizar un modelo con
• Implementación de las redes de adaptación
componentes pasivos del filtro utilizando la tabla de valo-
utilizando tecnologı́a microstrip utilizando el
res prototipos normalizados del filtro Chebyshev [1]. Para
mismo material que en el filtro.
esto se utilizó la tabla correspondiente a un ripple en la
Además de estos requerimientos, las impedancias de banda de paso de 0,5 dB.
entrada y de salida deben estar adaptadas a 50 Ω. Un La atenuación de un filtro Chebyshev a una dada fre-
esquema ilustrativo del diseño a realizar puede verse en cuencia viene dada por:
la Figura 1.
"  0 #
2 f
II. DISEÑO DE FILTRO PASABAJOS. AdB = 10 log10 1 + ε Cn2 con (1)
fc
p
Debido a que la respuesta del filtro fijará la potencia ε= 10RdB/10 − 1 (2)
que deberá tener el amplificador se comenzó con el diseño
de este. Para ello lo primero que debe hacerse es elegir  0
qué tipo de filtro cumple mejor con los requerimientos a y siendo Cn2 ffc el polinomio de Chebyshev de orden n
cumplir. Por ejemplo, un filtro de tipo Butterworth tiene evaluado en:
2

elementos normalizados del filtro Chebyshev, ya que de


 0   esta manera la transformación es directa cambiando a
f f las inductancias por stubs en cortocircuito de impedan-
=cosh B con (3)
fc fc cia zsc = ln y los capacitores por stubs en circuito abierto
de impedancia zoc = 1/cn . Luego de realizar esta trans-
 
1 −1 1
B = cosh (4) formación se pueden incluir elementos unitarios en los
n ε
extremos del filtro sin alterar la respuesta del mismo, ob-
La frecuencia normalizada a la que se espera tener al teniendo el circuito que se observa en la Figura 3.
menos 28 dB de atenuación es:

f28 dB 6 GHz
= = 1, 5 (5)
fc 4 GHz

Utilizando las Ecuaciones 1, 2, 3, 4 y 5 se implementó


un programa que calculaba la atenuación para los prime-
ros 7 órdenes del filtro Chebyshev a una frecuencia de 6
GHz, encontrando que el orden mı́nimo para alcanzar el Figura 3: Transformación de Richards utilizando los
requerimiento de 28 dB de atenuación es 5. componentes normalizados del modelo del filtro con
Para este orden tenemos los valores de componentes componentes pasivos. En los extremos se agregaron
pasivos normalizados a 50 Ω: elementos unitarios que no alteran la respuesta del
filtro.
c1 = 1, 807 l2 = 1, 303 c3 = 2, 691
l4 = 1, 303 c5 = 1, 807 El paso siguiente es utilizar las identidades de Kuroda
[2] que se muestran en las Figuras 4a y 4b para llevar
de los cuales podemos obtener los valores reales utilizan-
esta forma a un diseño de implementación más práctica
do:
con stubs en circuito abierto.

cn
Cn = (6)
2πfc · RL
RL · ln
Ln = (7)
2πfc
(a)
cuyos valores se muestran en el esquema del circuito de
la Figura 2.

(b)

Figura 4: Primera (a) y segunda (b) identidad de


Kuroda [2].

Figura 2: Esquema del circuito con componentes pasivos Aplicando la primer identidad de Kuroda al circuito de
para el filtro pasabajo Chebyshev de orden 5. la Figura 3 y agregando nuevamente elementos unitarios
en los extremos se obtiene el circuito de la Figura 5.
La respuesta de este filtro se muestra en la Sección II C.

B. Conversión del diseño a microstrip.

El primer paso para llevar el modelo del filtro de com-


ponentes pasivos a un diseño del tipo microstrip es uti-
lizar la transformación de Richards [2] para convertir las
inductancias y los capacitores en stubs en cortocircuito Figura 5: Primer paso de la transformación utilizando
y circuito abierto, respectivamente. Una forma cómoda las identidades de Kuroda.
de hacer esta tarea es trabajando con los componentes
normalizados a 50 Ω que se obtuvieron de la tabla de Repitiendo este proceso se llega al circuito de la Figu-
3

ra 6 que es el filtro con elementos normalizados a 50 Ω


utilizando lı́neas de transmisión ideales.

Figura 6: Esquema final del filtro con elementos


normalizados utilizando lı́neas de transmisión ideales.

El último paso consiste en llevar este modelo a un di-


seño implementado con tecnologı́a microstrip utilizando
el sustrato requerido. Para lograr esto se utilizó la he-
rramienta linecalc del software ADS, el cual entrega los
anchos y largos de las lı́neas de microstrip para ciertas
caracterı́sticas de un sustrato. El diseño final obtenido
puede verse en la Figura 7.

Figura 8: Respuesta del filtro diseñado con componentes


pasivos y el realizado con microstrips junto con la
variación de sus parámetros S11 y S22 en función de la
frecuencia.

Figura 7: Diseño final del filtro Chebyshev de orden 5 obliga a que el amplificador tenga una ganancia de po-
utilizando tecnologı́a microstrip. tencia mı́nima que cubra esta pérdida para obtener una
potencia de salida de 13 dBm para una entrada de 1
dBm. Por ende la ganancia del amplificador deberá ser
de al menos 12,58 dB. Considerando que al implemen-
tar las redes de adaptación no se logre un diseño ideal se
C. Simulación del filtro diseñado. tendrá en cuenta una pérdida de adaptación y se diseñará
el amplificador para que su ganancia sea de 13 dB en la
En la Figura 8 pueden verse superpuestas las respues- frecuencia central de trabajo.
tas de los filtros implementados con componentes pasivos
y con tecnologı́a microstrip, ası́ como también la varia-
ción de los módulos de sus parámetros S11 y S22 , para A. Polarización del transistor a utilizar.
una resistencia de entrada y de carga de 50 Ω.
Se observa que el diseño en microstrip termina teniendo El primer paso en el diseño del transistor es buscar
una mejor pendiente en la banda de transición que el una polarización adecuada que nos permita entregar la
diseño con componentes pasivos, cumpliendo ambos con ganancia requerida. Basándose en la hoja de datos del
el requisito de tener al menos 28 dB de atenuación en fabricante para el transistor ATF54143 [3] se eligió la
f = 6 GHz, aún cumpliendo también con el requisito de polarización con VDS = 4 V e IDS = 60 mA, la cual
la pérdida de inserción máxima de 0,85 dB, logrando una provee una máxima ganancia disponible MAG = 18,67
pérdida máxima de 0,58 dB en el filtro con microstrip. Se dB. Utilizando el “application note” incluido dentro de
observa también que tanto el |S11 | como el |S22 | tienden la hoja de datos se obtuvo el circuito de polarización de
a 0 en la banda de paso y a 1 en la banda de rechazo, la Figura 9.
indicando reflexión nula y total respectivamente, y que
Las resistencias R1 , R2 , y R3 fijan las tensiones del
la frecuencia de corte en ambos casos es fc = 4 GHz.
gate y del drain del transistor, polarizándolo en el punto
requerido. Las resistencias R4 y R5 limitan la corriente
por el gate de manera tal de poder despreciarla a la hora
III. DISEÑO DEL AMPLIFICADOR. de fijar su tensión mediante el divisor resistivo de R1 y
R2 . Los capacitores C2 y C4 proveen una impedancia de
El haber determinado que la pérdida de inserción máxi- valor pequeño en la banda de operación del amplificador.
ma del filtro implementado con microstrip es de 0,58 dB Los capacitores C1 y C3 son capacitores de desacople que
4

Magnitud Fase[◦ ]
S11 0,691 155,992
S12 0,0707 46,393
S21 4,47 51,618
S22 0,046 119,44

Tabla I: Parámetros S del transistor para la polarización


implementada en la frecuencia central f0 = 3, 2 GHz
.

parámetros y se obtuvo la máxima ganancia disponible


Figura 9: Esquema de polarización del transistor MAG = 17,262 dB y el factor de estabilidad de Rollet
ATF54143 basado en las especificaciones del fabricante K = 1, 015, lo cual indica que este diseño es incondicio-
[3] nalmente estable.

evitan que tensión continua entre o salga del amplifica- B. Diseño de red de salida.
dor. Las inductancias L1 y L2 son inductancias “choke”
que evitan que la señal de entrada o salida llegue a la
fuente de polarización. Una vez definida la polarización se prosiguió con el di-
seño de la red de adaptación de salida, la cual en este caso
Una vez armado el diseño se midieron los parámetros
definirá la ganancia y el factor de calidad del amplifica-
S del transistor en función de la frecuencia para esta po-
dor. Utilizando el software SmithChart se cargaron los
larización, cuya respuesta puede verse en la Figura 10.
parámetros S del transistor polarizado para la frecuencia
central de operación y se dibujaron los cı́rculos de estabi-
lidad, el cı́rculo de ganancia constante 13 dB y el cı́rculo
de factor de calidad Q = 8. Lo primero que se observa
es que los cı́rculos de estabilidad no cruzan la carta, por
ende cualquier curva que se genere para cruzar por los
puntos requeridos no provocará un diseño inestable.
Partiendo desde el centro de la carga, que corresponde
a la impedancia de carga ZL = 50 Ω se sale con un stub
en cortocircuito en derivación hasta llegar a un punto de
la curva de Q = 8, y luego se agrega una lı́nea en serie
hasta alcanzar un punto de la circunferencia de ganancia
de 13 dB. Este recorrido puede verse en la Figura 11.
Este diseño realizado con la carta de Smith aún no
está implementado en microstrip, sino que son lı́neas de
transmisión ideales, por ende para pasar el diseño a una
implementación en microstrip nuevamente se recurrió a
la herramienta linecalc de ADS para obtener las confi-
guraciones de lı́neas correspondientes. El diseño final de
la red de salida puede verse en la Figura 12.

C. Diseño de red de entrada.

Habiendo diseñado ya la red de salida sólo resta definir


el criterio de diseño para la red de entrada. En general,
Figura 10: Respuesta de la magnitud en dB (lı́nea se busca que la red de entrada adapte de la mejor manera
continua) y de la fase (lı́nea punteada) de los la entrada del transistor a él mismo, de manera de poder
parámetros S del transistor para la polarización entregar la mayor potencia desde la fuente hacia él, pero
implementada. este no siempre es el caso. En general, según el criterio
que se haya tenido durante la construcción de la red de
Particularmente para la frecuencia central f0 = 3, 2 salida, puede que se haya optado por fijar una ganancia
GHz se tienen los parámetros que se indican en la Tabla del amplificador mayor sobreestimando las pérdidas de
I. potencia que puedan existir, como también puede ocurrir
Utilizando el software SmithChart se cargaron estos que alguna variación en algún parámetro también incurra
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xión en la fuente haciendo:

 ∗
S12 S21 ΓL
ΓS = S11 + (9)
1 − ΓL · S22
Este valor puede introducirse directamente en
SmithChart para que automáticamente calcule el valor
de ZS que será al cual se deberá adaptar la impedan-
cia de entrada de 50 Ω. Una vez obtenido este valor, se
introduce el punto en la carga de Smith y se repite el
proceso de llegar desde el punto de 50 Ω (que en este
caso corresponde a la impedancia de entrada), hasta el
punto ZS , teniendo en consideración de que ninguno de
los puntos definidos podrán cruzar las curvas de Q = 8,
ya que, si este fuese el caso, se estarı́a definiendo un Q
nodal mayor al requerido. El procedimiento de diseño de
la red de entrada utilizando carta de Smith se muestra
en la Figura 13.

Figura 11: Representación en carta de Smith de la red


de adaptación de salida. La circunferencia verde
representa los puntos de ganancia constante de 13 dB.
Las curvas fucsia representan los puntos de Q = 8.

Figura 12: Esquema de la red de adaptación de salida


utilizando tecnologı́a microstrip. Se indican los anchos y
los largos de las lı́neas empleadas. Figura 13: Representación en carta de Smith de la red
de adaptación de entrada. Las curvas fucsia representan
los puntos de Q = 8.
en un aumento de la misma. En estos casos la red de en-
trada funciona como un ajuste fino de la ganancia final, Finalmente, se transformó el diseño obtenido con
pudiendo disminuir la misma disminuyendo la adapta- SmithChart a un diseño utilizando tecnologı́a microstrip
ción en ella, con el costo de tener una menor pérdida de utilizando linecalc. El resultado se muestra en la Figu-
retorno, y por ende, una mayor señal reflejada hacia la ra 14.
fuente.
A partir de la carta de Smith de la red de salida se
obtuvo el último punto de la misma, correspondiente a la D. Simulaciones del amplificador diseñado.
impedancia ZL con la cual se puede obtener el coeficiente
de reflexión de la carga ΓL de la siguiente manera: Una vez se tuvo la implementación completa del am-
plificador se realizaron distintas simulaciones para verifi-
ZL − Z0 car su funcionamiento. En primer lugar se midieron los
ΓL = (8) parámetros S del amplificador utilizando el entorno de si-
ZL + Z0
mulación de ADS. Los resultados se muestran en la Figura
Teniendo ΓL se puede encontrar el coeficiente de refle- 15.
6

La siguiente simulación consistió en analizar la respues-


ta temporal del amplificador dada una fuente de entrada
senoidal de 10 mV de amplitud. Los resultados pueden
verse en la Figura 16.

Figura 14: Esquema de la red de adaptación de entrada


utilizando tecnologı́a microstrip. Se indican los anchos y
los largos de las lı́neas empleadas.

Figura 16: Tensión, corriente y potencia instantánea de


salida y de entrada en función del tiempo.

Se observa que para esta amplitud de tensión de entra-


da se generan unos 0,25 µW de potencia de entrada, que
generan a una potencia de salida de 5 µW, lo que equi-
vale a una ganancia de 13 dB, esto quiere decir que para
esta potencia el amplificador no se encuentra en compre-
sión. Se observa también un desfasaje entre la tensión y
corriente de entrada y salida. Esto se debe a que la fase
del parámetro S21 no es nula, sino que vale 24,3◦ .

E. Integración del diseño.

Como paso siguiente se realizó la simulación del con-


junto filtro-amplificador completo, haciendo hincapié en
los parámetros S21 y S11 .

Figura 15: Respuesta de la magnitud de los parámetros


S del amplificador en función de la frecuencia. En el
caso de S21 se indican el ancho de banda, la frecuencia
central, y las frecuencias en dónde su magnitud cae 3
dB con respecto a la magnitud máxima.

Se obtuvo una frecuencia central f0 = 3, 23 GHz lo


cual difiere en un 1 % con el requerimiento inicial. El
ancho de banda obtenido es de 390 MHz, el cual define
un Q = 8,28, que difiere con un 3,5 % con respecto al
requerimiento final. La ganancia del amplificador en la
frecuencia central es de 12,97 dB, lo cual está en concor- Figura 17: Respuesta en frecuencia de la magnitud de
dancia con el requerimiento de diseño. Las pérdidas por los parámetros S21 y S22 en función de la frecuencia
retorno se observan en la magnitud del parámetro S11 . Se para el conjunto filtro-amplificador.
observa que para la frecuencia de trabajo tiene un valor
de -43,33 dB el cual es casi el triple que lo que se requerı́a Vemos que incluyendo el filtro se produce una desadap-
en un inicio. tación que corre la frecuencia central hasta f00 = 3, 29
7

GHz, lo cual difiere en un 2,8 % con respecto al requeri-


miento de diseño. También se aumenta un poco el ancho
de banda, teniendo un nuevo Q’ = 7,65. Estas variaciones
se deben a que en la frecuencia de trabajo el filtro tiene
un valle en el ripple que produce que la red de entrada
del amplificador no quede adaptada al filtro. Esto influye
también en las pérdidas por retorno, ya que se ve que el
pico del S11 ya no se encuentra en 3,2 GHz y tiene un
valor mayor al anterior, lo que significa que ahora hay me-
nos pérdidas por retorno. Para la frecuencia de 3,2 GHz
no se cumple con el requerimiento de que S11 < −15 dB.
Finalmente se realizó una simulación de la potencia de
salida del conjunto filtro-amplificador en función de la
frecuencia de entrada para una potencia de entrada de
1 dBm y se obtuvo que para una frecuencia de entra-
da de 3,2 GHz la potencia de salida es de 13,4 dBm, lo
Figura 19: Potencia de salida con respecto a la potencia
cual difiere en un 3 % con respecto al requerimiento. Esta
de entrada del amplificador en dBm para el tono
simulación puede verse en la Figura 18.
fundamental f0

G. Ensayo de dos tonos.

Finalmente se realizó un ensayo de dos tonos para es-


timar la distorsión de intermodulación de tercer orden
(IP3). Para lograr esto se excitó al amplificador con una
fuente de dos tonos, uno de f1 = 3, 15 GHz y otro de
f2 = 3, 25 GHz. Luego se realizó una simulación de las
variación de la potencia de los picos fundamentales y los
picos de intermodulación en función de la potencia de
entrada del amplificador. Como para potencias bajas los
picos de intermodulación varı́an con la amplitud de la
entrada al cubo y los fundamentales son proporcionales
a la amplitud, la pendiente de la potencia de los picos de
intermodulación expresada en dB será el triple que la de
Figura 18: Respuesta en frecuencia de la potencia de
los picos fundamentales. Esto puede verse en la Figura
salida en dBm del conjunto filtro-amplificador para una
20, en donde se muestran los resultados de este ensayo
potencia de entrada de 1 dBm.
de dos tonos.

F. Ensayo de un tono.

Para realizar el ensayo de un tono se realizó un barrido


en potencia en la entrada del amplificador y se observa
la potencia de salida. Los resultados de este ensayo se
consiguieron siguiendo la guı́a “Gain Compression Simu-
lation” [4], y se muestran en la Figura 19.
Como puede verse en la figura, el punto de compresión
de 1 dB se alcanza para una potencia de entrada de -1,4
dBm, lo cual provoca que para una entrada de 1 dBm,
aún teniendo en cuenta las pérdidas de inserción del filtro,
el amplificador se encuentre trabajando en una zona de
no linealidad. Una solución a este problema serı́a intentar
Figura 20: Ensayo de dos tonos y estimación del IP3
otra polarización que aleje el punto de compresión de 1
para el amplificador diseñado.
dB o utilizar otro transistor.
8

Con estas mediciones se observa que el punto de inter- de RF para trabajar en el rango de frecuencias entre 3
sección de tercer orden IP3 puede tomarse como IIP3 = y 3,4 GHz con frecuencia central en 3,2 GHz. Se explicó
14, 7 dBm si se lo considera referido a la entrada, o el desarrollo y las consideraciones de diseño que se tuvie-
OIP3 = 27, 6 dBm si se lo considera referido a la sali- ron en la construcción de cada módulo. Se midieron las
da. respuestas en frecuencia tanto del filtro como del amplifi-
cador con sus redes de adaptación, analizando las pérdi-
das de potencias presentes, y explicando las causas de
las discrepancias que se tuvieron con los requerimientos
IV. CONCLUSIONES iniciales. Finalmente se realizaron los correspondientes
ensayos de uno y dos tonos encontrando los puntos de
En este trabajo práctico se realizó el diseño de un siste- compresión de 1 dB y la distorsión de intermodulación
ma conformado por un filtro pasabajos y un amplificador de tercer orden IP3.

[1] B. J. Bowick, C. and C. Ajluni, RF Circuit Design, 2nd


Edition (Elsevier, 2008).
[2] D. M. Bowick, Microwave Engineering, 4th Edition (Wi-
ley, 2012).
[3] Avago, “ATF-54143 - Datasheet,” https://www.
broadcom.com/docs/AV02-0488EN (2012).
[4] Keysight, Gain Compression Simulation (2011).

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