El t�rmino sistemas microelectromec�nicos o SMEM1?2?

�del ingl�s
microelectromechanical systems o SMEM� se refiere a la tecnolog�a electromec�nica
de dispositivos microsc�picos, sobre todo los que tengan partes m�viles. Fusiona a
una nanoescala los sistemas nanoelectromec�nicos (NEMS) y nanotecnolog�a. Los SMEM
son llamados tambi�n como microm�quinas en Jap�n o tecnolog�a de microsistemas
(MST) en Europa.

Los SMEM son independientes y distintos de la hipot�tica visi�n de la

nanotecnolog�a molecular o Electr�nica Molecular. SMEM en general var�an en tama�o
desde un micr�metro (una millon�sima parte de un metro) a un mil�metro (mil�sima
parte de un metro). En este nivel de escala de tama�o, las construcciones de la
f�sica cl�sica no son siempre ciertas. Debido a la gran superficie en relaci�n al
volumen de los SMEM, los efectos de superficie como electrost�tica y viscosidad
dominan los efectos de volumen tales como la inercia o masa t�rmica. El an�lisis de
elementos finitos es una parte importante del dise�o de SMEM. La tecnolog�a de
sensores ha hecho progresos significativos debido a los SMEM. La complejidad y el
rendimiento avanzado de los sensores SMEM ha ido evolucionando con las diferentes
generaciones de sensores SMEM.3?

El potencial de las m�quinas muy peque�as fue apreciado mucho antes de que
existiera la tecnolog�a que pudiera construirlas - v�ase, por ejemplo, la famosa
lectura de 1959 de Feynman "Hay mucho espacio en lo peque�o". Los SMEM se
convirtieron en pr�cticos una vez que pudieran ser fabricados utilizando
modificaci�n de tecnolog�as de fabricaci�n de semiconductores, normalmente
utilizadas en electr�nica. Estos incluyen moldeo y galvanoplastia, grabado h�medo
(KOH, TMAH) y grabado en seco (RIE y DRIE), el mecanizado por electro descarga
(EDM), y otras tecnolog�as capaces de fabricar dispositivos muy peque�os.

Existen diferentes tama�os de empresas con importantes programas SMEM. Las empresas
m�s grandes se especializan en la fabricaci�n de componentes de bajo costo alto
volumen o paquetes de soluciones para los mercados finales como el automotriz,
biomedicina, y electr�nica. El �xito de las peque�as empresas es ofrecer valor en
soluciones innovadoras y absorber el costo de fabricaci�n con altos m�rgenes de
ventas.Tanto las grandes como las peque�as empresas realizan trabajos de I + D para
explorar la tecnolog�a SMEM.

Uno de los mayores problemas de los SMEM aut�nomos es la ausencia de micro fuentes
de energ�a con alta densidad de corriente, potencia y capacidad el�ctrica.

�ndice
1 SMEM descripci�n
1.1 Silicio
1.2 Pol�meros
1.3 Metales
2 Procesos SMEM
2.1 Procesos de Deposici�n
2.2 Fotolitograf�a
2.3 Procesos de grabado
2.4 Grabado h�medo o mojado
2.4.1 Grabado por iones reactivos (RIE)
2.4.2 Grabado profundo de iones reactivos (DRIE)
2.4.3 Grabado por difluoruro de xen�n
3 Paradigmas de los SMEM de Silicio
3.1 Micromaquinado volum�trico
3.2 Micromaquinado superficial
3.3 Micromaquinado de Alta relaci�n de aspecto (HAR)
4 Aplicaciones
5 Investigaci�n y Desarrollos SMEM
6 V�ase tambi�n
7 Referencias
SMEM descripci�n
Los avances en el campo de los semiconductores est�n dando lugar a circuitos
integrados con caracter�sticas tridimensionales e incluso con piezas m�viles. Estos
dispositivos, llamados Sistemas Micro electromec�nicos (SMEM), pueden resolver
muchos problemas que un microprocesador m�s el software o configuraci�n no ASIC
(Chip integrados de aplicaci�n espec�fica) no pueden. La tecnolog�a SMEM puede
aplicarse utilizando un sin n�mero de diferentes materiales y t�cnicas de
fabricaci�n; la elecci�n depender� del tipo de dispositivo que se est� creando y el
sector comercial en el que tiene que operar.

Silicio
El silicio es el material utilizado para crear la mayor�a de los circuitos
integrados utilizados en la electr�nica de consumo en el mundo moderno. Las
econom�as de escala, facilidad de obtenci�n y el bajo costo de los materiales de
alta calidad y la capacidad para incorporar la funcionalidad electr�nica hacen al
silicio atractivo para una amplia variedad de aplicaciones de SMEM. El silicio
tambi�n tiene ventajas significativas que han surgido a trav�s de sus propiedades
f�sicas. En la forma mono cristalina, el silicio es un material Hookeano (cumple la
ley de Hooke) casi perfecto, lo que significa que cuando est� en flexi�n
pr�cticamente no hay hist�resis y, por lo tanto, casi no hay disipaci�n de energ�a.
As� como para hacer movimientos altamente repetibles, esto hace tambi�n que el
silicio sea muy fiable, ya que sufre muy peque�a fatiga y puede tener una duraci�n
de vida de servicio en el rango de billones o trillones de ciclos sin romper. Las
t�cnicas b�sicas para la producci�n de todos los dispositivos SMEM basados en
silicio son la deposici�n de capas de material, produciendo un patr�n en estas
capas por fotolitograf�a y luego grabando para producir las formas necesarias.

Pol�meros
A pesar de que la industria de la electr�nica proporciona una econom�a de escala
para la industria del silicio, el silicio cristalino es todav�a un material
complejo y relativamente costoso de producir. Los pol�meros por el contrario se
pueden producir en grandes vol�menes, con una gran variedad de caracter�sticas
materiales. Los dispositivos SMEM pueden hacerse de pol�meros, por los procesos de
moldeo por inyecci�n, estampado o est�reo litograf�a y son especialmente adecuados
para aplicaciones micro flu�dicas tales como los cartuchos desechables para
an�lisis de sangre.

Metales
Los metales tambi�n se pueden usar para crear elementos SMEM. Aunque los metales no
tienen algunas de las ventajas mostradas por el silicio en t�rminos de propiedades
mec�nicas, cuando se utilizan dentro de sus limitaciones, los metales pueden
presentar grados muy altos de fiabilidad.

Los metales pueden ser depositados por galvanoplastia, por evaporaci�n, y mediante
procesos de pulverizaci�n.

Los metales com�nmente utilizados incluyen al oro, n�quel, aluminio, cromo,

titanio, tungsteno, plata y platino.

Procesos SMEM
Procesos de Deposici�n
Uno de los elementos b�sicos en el procesamiento de SMEM es la capacidad de
dep�sito de pel�culas delgadas de materiales. En este texto asumimos que una fina
pel�cula puede tener un espesor de entre unos pocos nan�metros a unos 100
micr�metros. Los procesos de deposici�n de uso com�n son: Electroenchapado
(Electroplating), Deposici�n pulverizada (Sputter deposition), la deposici�n f�sica
de vapor (PVD) y deposici�n qu�mica de vapor (CVD).
Fotolitograf�a
Art�culo principal: Fotolitograf�a
Litograf�a en el contexto SMEM es, por lo general la transferencia de un patr�n a
un material fotosensible por exposici�n selectiva a una fuente de radiaci�n, como
la luz. Un material fotosensible es un material que experimenta un cambio en sus
propiedades f�sicas cuando es expuesto a una fuente de radiaci�n. Si nosotros
exponemos selectivamente un material fotosensible a la radiaci�n (por ejemplo,
mediante el enmascaramiento de algo de la radiaci�n) el patr�n de la radiaci�n
sobre el material es transferido al material expuesto, resultando en que las
propiedades de las regiones expuestas y no expuestas difieren.

Esta regi�n expuesta puede luego ser eliminada o tratada proveyendo una m�scara
para el sustrato subyacente. La Fotolitograf�a es t�picamente usada con metal u
otra deposici�n de pel�cula delgada, en procesos de grabado secos o mojados.

Procesos de grabado
Hay dos categor�as b�sicas de procesos de grabado: grabado mojado y seco. En el
primer caso, el material se disuelve cuando se sumerge en una soluci�n qu�mica. En
el �ltimo, el material se pulveriza o disuelve utilizando vapor iones reactivos o
un grabado de fase vapor. V�ase Williams y Muller [1] o Kovacs, Maluf y Peterson
[2] para un poco de visi�n de conjunto de las tecnolog�as de grabado SMEM.

Grabado h�medo o mojado

Art�culo principal: Grabado h�medo
El grabado por mojado qu�mico consiste en una eliminaci�n selectiva de material por
inmersi�n de un sustrato dentro de una soluci�n que la pueda disolver. La
naturaleza qu�mica de este proceso proporciona una buena selectividad, lo cual
significa que la tasa de grabado del material a grabar es considerablemente m�s
alta que la del material de la m�scara si se selecciona cuidadosamente.

Algunos materiales mono cristalinos, como el silicio, tendr�n diferentes tasas de

grabados dependiendo en la orientaci�n cristalogr�fica del sustrato. Esto se conoce
como grabado anisotr�pico y uno de los ejemplos m�s comunes es el grabado del
silicio en KOH (hidr�xido de potasio), donde los planos<111> del Silicio se graban
aproximadamente 100 veces m�s lento que otros planos (orientaciones
cristalogr�ficas). Por lo tanto, grabando un agujero rectangular en un (100)- una
oblea de silicio resulta en un grabado de ranuras en forma de pir�mide con paredes
en �ngulo de 54.7�, en lugar de un agujero con paredes curvas como podr�a ser el
caso del grabado isotr�pico, donde los procesos de grabado progresan a la misma
velocidad en todas las direcciones. Agujeros largos y estrechos en una m�scara
producir�n surcos en el silicio. La superficie de estas ranuras puede ser
autom�ticamente suavizadas si el grabado se lleva a cabo correctamente, con las
dimensiones y los �ngulos siendo extremadamente precisos.

El grabado Electroqu�mico (CEPE) para una eliminaci�n selectiva del dopante del
silicio es un m�todo com�n para automatizar y controlar selectivamente el grabado.
Se requiere un diodo de juntura p-n activo, y cualquier tipo de dopante puede
actuar como material resistente al grabado ("detenci�n del grabado"). El Boro es el
dopante m�s com�n de detenci�n del grabado. En combinaci�n con el grabado mojado
anisotr�pico como se ha descrito anteriormente, el ECE se ha utilizado con �xito
para el control del espesor del diafragma de silicio en sensores de presi�n piezo-
resistivos de silicio. Las regiones selectivamente dopadas pueden ser creadas tanto
por implantaci�n, difusi�n, o deposici�n epitaxial de silicio.

Grabado por iones reactivos (RIE)

Art�culo principal: Grabado por iones reactivos
En el grabado por iones reactivos (RIE), el sustrato se coloca dentro de un reactor
en el que se introducen varios gases. El plasma es pulsado en la mezcla de gases
utilizando una fuente de energ�a de RF, rompiendo las mol�culas del gas en iones.
Los iones son acelerados y reaccionan con la superficie del material siendo
grabado, formando otro material gaseoso. Esto se conoce como la parte qu�mica del
grabado por iones reactivos. Tambi�n hay una parte f�sica que es de naturaleza
similar al proceso de deposici�n por pulverizaci�n. Si los iones poseen energ�a
suficientemente alta, pueden impactar a los �tomos fuera del material a ser grabado
sin una reacci�n qu�mica. Es una tarea muy compleja desarrollar procesos de grabado
en seco que equilibren grabado qu�mico y f�sico, ya que hay muchos par�metros a
ajustar. Al cambiar el equilibrio es posible influir en la anisotrop�a del grabado,
ya que la parte qu�mica es isotr�pica y la parte f�sica altamente anisotr�pica, la
combinaci�n puede formar paredes laterales, que tienen formas desde redondeadas a
verticales.

Grabado profundo de iones reactivos (DRIE)

Art�culo principal: Grabado profundo de iones reactivos
Una subclase de la RIE, que contin�a creciendo r�pidamente en popularidad es la RIE
profunda (DRIE). En este proceso, las profundidades de grabado de cientos de
micr�metros pueden ser alcanzados con paredes casi verticales. La principal
tecnolog�a se basa en el llamado "proceso de Bosch" [3], llamado luego de que la
empresa alemana Robert Bosch, presentara la patente original, donde dos
composiciones de gases diferentes se alternan en el reactor. Actualmente hay dos
variaciones de la DRIE. La primera modificaci�n consiste en tres pasos (el proceso
de Bosch, tal como se utiliza en la herramienta UNAXIS), mientras que la segunda
variaci�n s�lo consiste en dos pasos (ASE utilizado en la herramienta de STB). En
la 1 � Modificaci�n, el ciclo de grabado es el siguiente: (i) SF6 grabado
isotr�pico; (ii) C4F8 pasivaci�n; (iii) SF6 grabado anisoptr�pico para limpieza de
suelo. En la 2 � variaci�n, los pasos (i) y (iii) se combinan.

Ambas variaciones funcionan de manera similar. El C4F8 crea un pol�mero sobre la

superficie del sustrato, y en el segunda, la composici�n del gas (SF6 y O2) graba
el sustrato. El pol�mero es inmediatamente pulverizado lejos por la parte f�sica
del grabado, pero s�lo en las superficies horizontales y no en las paredes
laterales. Desde el pol�mero s�lo se disuelve muy lentamente en la parte de la
qu�mica de grabado, se acumula en las paredes laterales y los protege de grabado.
Como resultado de ello, el grabado se pueden alcanzar relaciones de aspecto de 50 a
1. El proceso puede ser utilizado f�cilmente para grabar completamente a trav�s de
un sustrato de silicio, y las tasas de grabado son 3-4 veces m�s altas que el
grabado mojado.

Grabado por difluoruro de xen�n

El difluoruro de xen�n (XeF2) es un grabador por fase de vapor seco isotr�pica para
silicio originalmente aplicada en SMEM en 1995 en la Universidad de California, Los
�ngeles [4] [5]. Originalmente usada para la liberdari�n de estructuras de metal y
diel�ctricas por medio del cortado del silicio, XeF2 tiene la ventaja de no tener
pegado por viscosidad a diferencia del grabado mojado. Su selectividad de grabado
es muy alta, lo que le permite trabajar con fotoresistencia, SiO2, nitruro de
silicio, y diversos metales para enmascarar. Su reacci�n al silicio es "libre de
plasma", es puramente qu�mico y espont�neo y a menudo es operado en modo pulsado.
Se encuentran disponibles modelos de la acci�n del grabado est�n disponibles[6], y
laboratorios universitarios y diversas herramientas comerciales ofrecen soluciones
utilizando este enfoque.

Paradigmas de los SMEM de Silicio

Micromaquinado volum�trico
Art�culo principal: Micromaquinado volum�trico
Micromaquinado volum�trico es el paradigma m�s antiguo de los SMEM basado en
silicio. Todo el grosor de una oblea de silicio se utiliza para la construcci�n de
las micro-estructuras mec�nicas. [2] El silicio es mecanizado utilizando diversos
procesos de grabado. La uni�n an�dica de placas de vidrio u obleas de silicio
adicionales se utilizan para a�adir caracter�sticas tridimensionales y para
encapsulaci�n herm�tica. El microm�quinado volum�trico ha sido esencial para que
los sensores de presi�n de alto rendimiento y aceler�metros que han cambiado la
forma de la industria de los sensores en los 80's y 90's.

Micromaquinado superficial
Art�culo principal: Micromaquinado superficial
El microm�quinado superficial utiliza deposici�n de capas sobre la superficie de un
sustrato como material estructural, en lugar de utilizar el sustrato mismo. [7] El
micromaquinado superficial se cre� a fines de los 80 para hacer el microm�quinado
de silicio m�s compatibles con la tecnolog�a de circuito integrado plano, con el
objetivo de la combinaci�n de SMEM y circuitos integrados en la misma oblea de
silicio. El concepto original del micromaquinado superficial se basa en delgadas
capas de silicio policristalino modelado como estructuras mec�nicas m�viles y
expuestas por grabado de sacrificio de las subcapas de �xido. Electrodos en peine
interdigital son utilizados para producir fuerzas en plano y detectar movimientos
en plano de forma capacitiva. Este paradigma SMEM ha permitido a la manufactura de
acelerometros de bajo costo, por ejemplo sistemas de Bolsas de aire para
autom�viles (Air-bags) y otras aplicaciones donde bajos rendimientos y/o altos
rangos de "g" son suficientes. Mecanismos Anal�gicos han sido pioneros en la
industrializaci�n del micromaquinado superficial y han realizado la co-integraci�n
de los SMEM y los circuitos integrados.

Micromaquinado de Alta relaci�n de aspecto (HAR)

Ambos micromaquinados volum�trico y superficial son todav�a usados en la producci�n
industrial de los sensores, las boquillas de chorro de tinta y otros dispositivos.
Pero, en muchos casos, la distinci�n entre estos dos ha disminuido. La nueva
tecnolog�a de grabado, el grabado profundo por iones reactivos ha hecho posible
combinar el buen desempe�o t�pico del micromaquinado volum�trico con estructuras en
peine y operaciones en plano t�picas de micromaquinado superficial. Si bien es
com�n en el micromaquinado superficial tener espesores de capa estructurales en el
rango de 2 �m, en el micromaquinado HAR el espesor es de 10 a 100 �m. Los
materiales com�nmente utilizados en el micromaquinado HAR son silicio
policristalino denso, conocido como epi-poly, y las obleas pegadas de silicio-
sobre-aislante (SOI), si bien los procesos para las obleas de silicio volum�tricas
tambi�n han sido creadas (SCREAM). Pegando una segunda oblea mediante fritura de
vidrio, la uni�n an�dica o uni�n de aleaci�n se utiliza para proteger las
estructuras SMEM. Los circuitos integrados est�n normalmente no combinados con el
micromaquinado HAR. El consenso de la industria en este momento parece ser que la
flexibilidad y la reducci�n en complejidad obtenidos teniendo las dos funciones
separadas parece pesar m�s que la peque�a penalidad en el envasado. pipi

Aplicaciones
Aplicaciones comunes incluyen:

Impresoras de inyecci�n de tinta, que utilizan piezoel�ctricos o burbuja t�rmica de

eyecci�n para depositar la tinta sobre el papel.
Aceler�metros en los autom�viles modernos para un gran n�mero de finalidades, entre
ellas el despliegue de colch�n de aire (airbag) en las colisiones.
Aceler�metros en dispositivos de electr�nica de consumo, tales como controladores
de juegos (Nintendo Wii), reproductores multimedia personales y tel�fonos m�viles
(Apple iPhone) [8] y una serie de C�maras Digitales (varios modelos Canon Digital
IXUS). Tambi�n se usa en ordenadores para estacionar el cabezal del disco duro
cuando es detectada una ca�da libre, para evitar da�os y p�rdida de datos.
Giroscopios SMEM modernos utilizados en autom�viles y otras aplicaciones de
orientaci�n para detectar, por ejemplo, un rolido y desplegar una cortina air-bag
m�s o activar el control din�mico de estabilidad.
Sensores de presi�n de Silicio, por ejemplo, en sensores de presi�n de neum�ticos
de autom�viles, y en sensores de presi�n arterial desechables.
Pantallas por ejemplo, el chip DMD en un proyector basado en la tecnolog�a DLP
posee en su superficie varios cientos de miles de microespejos.
Tecnolog�a de conmutaci�n de fibra �ptica que se utiliza para tecnolog�a de
conmutaci�n y alineaci�n para comunicaciones de datos.
Proyector de cine digital : Philippe Binant4? realiz�, 2000, la primera proyecci�n
de cine num�rico p�blico de Europa, fundada sobre la aplicaci�n de un SMEM
desarrollado por Texas Instruments.5?
Aplicaciones Bio-SMEM aplicaciones en medicina y tecnolog�as relacionadas con la
salud desde Lab-On-Chip (laboratorios en un chip) a An�lisis Micro Total
(biosensores, sensores qu�micos) para MicroTotalAnalysis (biosensor, chemosensor).
Aplicaciones IMOD en la electr�nica de consumo (sobre todo pantallas en los
dispositivos m�viles). Se utiliza para crear tecnolog�a pantalla de modulaci�n
interferom�trica - reflexiva.
El Adams Golf DiXX Digital Instrucci�n Putter usa SMEM, concretamente un
microsistema de navegaci�n inercial para analizar los factores del movimiento del
swing, incluyendo el camino, el tiempo, la velocidad y los niveles de vibraci�n de
la mano.
Microscopia de fuerza at�mica o AFM: Los sensores de fuerza (micropalancas) usados
en AFM son en s� sistemas microelectromec�nicos producidos con t�cnicas de
microfabricaci�n. Con estos pueden obtenerse medidas de fuerzas en el rango de pN
(piconewton) a nN (nanonewton), as� como levantar topograf�as de superficies a
escala at�mica.
Aceleraci�n dr�matica del tiempo de mezclado en micro fluidos.6?
Investigaci�n y Desarrollos SMEM
Los investigadores en SMEM utilizan diversas herramientas de software de ingenier�a
para llevar un dise�o desde el concepto a la simulaci�n, prototipado y ensayos. El
an�lisis por elementos finitos (Finite element methods, FEM) es una parte
importante en el dise�o de los SMEM. Simulaci�n din�mica, del calor, y el�ctrica,
entre otras, pueden ser realizadas por ANSYS y COMSOL, as� como por COVENTOR. Otro
software, como SMEM-PRO, se utiliza para producir una composici�n del dise�o
adecuado para la entrega a la empresa de fabricaci�n. Una vez que los prototipos
est�n listos, los investigadores pueden probarlos utilizando diversos instrumentos,
entre ellos vibr�metros de escaneo doppler l�ser, microscopios, y estroboscopios.