UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SANMARCOS

LA DECANA DE AMÈRICA
FACULTAD DE INGIENERIA ELECTRÒNICA,
ELECTRICA Y TELECOMUNICACIONES

INFORME PREVIO
DIODOS SEMICONDUCTORES

ALUMNO
CARDENAS ZEGARRA ALEX ARMANDO

DOCENTE
Cortez Galindo, Hernán

FACULTAD
INGIENERÍA ELECTRÓNICA

LIMA – PERU
2019
 TRANSISTORES JFET , POLARIZACION, GANANCIAS

 OBJETIVO

Estudiar en forma experimental el transistor unipolar JFET, formas de polarización,

operación en altera, configuraciones y limitaciones

INFORME PREVIO

I. TRANSISTOR JFET 2N5484

- 2N5484 es un transistor de propósito general J-FET canal N, fabricado

de silicio y diseñado para ser utilizado en aplicaciones como amplificador de
alto rendimiento y mezclador de señales de radio frecuencia (RF), funciona
muy bien en los rangos de frecuencia VHF y UHF, además de ofrecer una alta
ganancia (Gps 13 dB a 400 MHz), alta calidad de amplificación y capacidad
de conmutación de alta velocidad

a) CARACTERISTICAS

 Voltaje compuerta drenaje (VGD): 25V

 Voltaje compuerta fuente (VGS): 25V
 Corriente de drenaje (ID): 30mA
 Corriente de compuerta (IG):10mA
 Potencia de disipación (PD):350mW
 Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1pF
 Resistencia drenaje fuente (RDS(on)): 100Ω
 Temperatura de operación de la unión (Tj): -55 a 150ºC
 Encapsulado: TO-92
 Sustituto: NTE415

b) APLICACIONES

 Dentro de las muchas aplicaciones de este dispositivo tenemos: Amplificador

mezclador y oscilador de alta frecuencia e interruptores de capacitancia muy
baja.
Funcionamiento del transistor BJT

Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor). De acuerdo con la unión de sus

componentes se clasifican en transistores de tipo NPN y PNP:

Fig. 1. Transistores PNP y NPN

 El funcionamiento de un transistor BJT puede ser explicado como el de dos diodos PNP
pegados uno a otro.
 En este esquema (condición directa), la unión Base – Emisor (BE) actúa como un diodo
normal.
 Note en la gráfica el flujo de electrones y huecos, siendo la corriente de huecos menor.
 A partir de ese momento, mediante el mismo mecanismo del diodo, se produce una
corriente de base a emisor.

Fig. 2. Comportamiento de un transistor NPN

De acuerdo con la Ley de Kirchoff:

 Fig. 3. Sentidos de la corriente en un NPN
Donde ß es el factor de amplificación (20 – 200)
Para analizar la característica i – v de un transistor se debe tomar los siguientes pares, los
cuales originan una familia de curvas.

Puede distinguirse cuatro zonas del transistor:

 REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están conectadas en contra. La corriente de
base es muy pequeña, y no fluye, para todos los efectos, corriente al emisor.
 REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un amplificador lineal. La unión BE
está conectada en directo y la unión CB está en reversa.
 REGION DE SATURACION: Ambas uniones están conectadas en directo. Cuando un
transistor trabaja en esta región este funciona como interruptor.
 REGION DE RUPTURA: Que determina el límite físico de operación del transistor.
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
 La selección del punto de trabajo de un transistor se realiza a través de
diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones y corrientes.
 La polarización con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable por
carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva térmica que
autodestruye el transistor.
 La polarización con una fuente es mucho más estable aunque el que más se utiliza con
componentes discretos es el circuito de auto polarización.
 La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturación al
mantener su tensión colector-base positiva.
A continuación se muestran esquemas de polarización y algunas formulas
para poder implementar estos circuitos.
La polarización con una fuente (con resistencia de emisor)

La polarización con dos fuentes (con resistencia de emisor)

La polarización con divisor de tensión (con resistencia de emisor)

Auto polarización (con resistencia de emisor)

II. SIMBOLOGIA

Símbolo Descripción Símbolo Descripción

Transistor NPN
Se puede encontrar
representado con o Transistor PNP
sin círculo
Símbolo genérico

Transistor NPN Transistor PNP

Transistor PNP con

colector unido a la Transistor tunel
cubierta

Transistor UJT-P Transistor UJT-N

Uniunión Uniunión

Transistor
Fototransistor
multiemisor NPN
 Transistor de Transistor Schottky
avalancha NPN NPN

Transistor JFET, canal Transistor JFET,

N canal P

Transistor JFET, canal Transistor JFET,

N canal P

Transistor JFET, canal Transistor JFET,

N canal P

PUT, Uniunión Transistor

programable Darlington NPN

Transistor Darlington
Transistor Sziklay
NPN
 BIBLIOGRAFÍA

https://www.simbologia-electronica.com/index.htm
https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=11