SENATI

ESCUELA SUPERIOR DE TECNOLOGÍA

“Transistor MOSFET”
Curso: Comp. Electrotécnicos Integrantes: Paul Gonzales B.
Profesor: Ing. Aníbal Salazar G. Jean De la Cruz R.
Carrera: Tec. Ing. Electrónica Bryan Arias Salinas
Grupo: N° 3
Mosfet de Empobrecimiento
 Mosfet de Empobrecimiento

Está compuesto de una pieza de

material tipo n con una zona p a la
derecha y una puerta aislada a la
izquierda.

Los electrones que circulan desde

la fuente hacia el drenador deben
pasar a través del estrecho canal
entre la puerta y la zona p.
 Mosfet de Empobrecimiento

Una capa delgada de dióxido de

silicio ( SiO2 ) se encuentra en el lado
izquierdo del canal.

El dióxido de silicio es un material

aislante.

En un MOSFET la puerta es metálica y

debido a que se encuentra aislada del
canal, una corriente de puerta
despreciable circula aún cuando
la tensión de puerta es positiva.

.
 Mosfet de Empobrecimiento

La alimentación V(DD) obliga a los

electrones a circular desde la fuente
hacia el drenador, éstos circulan por
el canal estrecho a la izquierda del
sustrato p .

Cuanto más negativa sea la tensión

de puerta, menor será la corriente de
drenador.

Cuando la tensión de puerta es lo

suficientemente negativa, la corriente
de drenador se interrumpe
Mosfet de Enriquecimiento
 Mosfet de Enriquecimiento

El sustrato p se extiende a lo ancho

hasta el dióxido de silicio. Debido a
esto, no existe un canal n entre la
fuente y el drenador

Cuando la tensión de puerta es

nula, la corriente entre la fuente y
el drenador es nula.
 Mosfet de Enriquecimiento

La única forma de obtener

corriente es mediante una tensión
de puerta positiva.

Cuando la puerta es positiva, atrae

electrones libres dentro de la
región p y éstos se recombinan con
los huecos cercanos al dióxido de
silicio.
 Mosfet de Enriquecimiento

La tensión V(GS) mínima que crea

la capa de inversión de tipo n se
llama tensión umbral ( V(GS)(th) ).
Cuando V(GS) es menor que
V(GS)(th), la corriente de drenador
es nula.

Cuando V(GS) es mayor que

V(GS)(th) , una capa de inversión
tipo n conecta la fuente al
drenador y la corriente de
drenador es mucho mayor.
Símbolo
 Símbolo Eléctrico

Cuando V(GS) = 0 , el MOSFET de

enriquecimiento está en corte al no
haber canal de conducción entre la
fuente y el drenador.

El símbolo eléctrico presente una

línea de canal a trazos para indicar
esta condición de corte.

La orientación de la flecha indica si

el dispositivo es de canal n o de
canal p .
Fin