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CONDUÇÃO EM SÓLIDOS - II
Prof. André L. C. Conceição
DAFIS
CAPÍTULO 41 –
HALLIDAY, RESNICK.
8ª EDIÇÃO
Condução em Sólidos
Revisão
1) Parâmetros de caracterização
• Resistividade r
1
Revisão
2) Bandas de Energia
Níveis
muito
próximos
E Átomo isolado
E Sólido
4p Banda permitida
4s
3p Banda proibida
3s
Banda permitida
2p
Banda proibida
Banda permitida
2s
Banda proibida
1s Banda permitida
Revisão
3) Comparação: Isolante vs Metal
E Isolante
E Metal
Eg EF EF
Revisão
4) Metal
E Metal
T=0K
EF Energia de Fermi
DDP corrente
Ex: Para Cu
EF = 7,0 eV vF ≈ 1,6 x 106 m/s
2
Revisão
5) Número de estados ocupados
Semicondutores
Isolante
Semicondutor T=0
E E
Eg
EF
Eg EF
Semicondutores
T>0
3
Semicondutores
T=0 T>0
Concentração de portadores, n
Resistividade, r
4
Coeficiente de temperatura da resistividade, a
Cobre: T t
Silício: T n
Semicondutores dopados
dopagem
Si
5
Semicondutores tipo n
Si tipo n
Elétrons: maioria
Buracos: minoria
Semicondutores tipo p
aceitadores para Si
Si tipo p
Elétrons: minoria
Buracos: maioria
6
Energia Ed dos níveis doadores a partir da
banda de condução do Si e Ge
A junção p-n
Inomogeneidade
Junção p-n
7
Semicondutor tipo p Semicondutor tipo n
Esquema de bandas
da junção p-n
--++
Carga espacial --++
p --++
--++ n
devido a defeitos --++
ionizados
d0
log da concent.
Concentração de
doadores e
aceitadores
Posição
Teste
Quais das cinco correntes a seguir são nulas no plano da junção p-n
abaixo?
O diodo retificador
Curva característica I x U
inversamente diretamente
Diodo Retificador
8
Polarizações
diretamente inversamente
--++ ---+++
--++ ---+++
p --++
--++ n p ---+++
---+++ n
--++ ---+++
dD di
O fotodiodo
9
O fotodiodo
O laser semicondutor
O laser semicondutor
10
O transistor
O transistor
11
MOSFET
Exercícios e problemas
Suponha que o volume total de uma amostra metálica seja a
soma do volume ocupado pelos íons do metal que formam a
rede cristalina com o volume ocupado pelos elétrons de
condução. A densidade e a massa molar do sódio (um metal)
são 971 kg/m3 e 23,0 g/mol, respectivamente; o raio do íon
Na+ e 98 pm. (a) Que porcentagem do volume de uma
amostra de sódio é ocupada pelos elétrons de condução? (b)
Repita o cálculo para o cobre, que possui uma densidade,
massa molar e raio iônico de 8960 kg/m3, 63,5 g/mol e 135
pm, respectivamente.
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Exercícios e problemas
A função probabilidade de ocupação pode ser aplicada tanto a
metais como a semicondutores. Nos semicondutores, a energia
de Fermi está praticamente a meio caminho entre a banda de
valência e a banda de condução. No caso do germânio, a
distância entre a banda de condução e a banda de valência é
0,67 eV. Determine a probabilidade (a) de que um estado na
extremidade inferior da banda de condução esteja ocupado e
(b) de que um estado na extremidade superior da banda de
valência esteja ocupado. Suponha que T = 290 K.
1.0
T=290K
Ge
0.8 energia de Fermi
0.6 banda
P(E)
de
valência banda
0.4 de
condução
0.2
0.0
Exercícios e problemas
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Perguntas
Os valores de Eg para os semicondutores silício e
germânio são, respectivamente, 1,12 e 0,67 eV. Quais
das seguintes afirmações são verdadeiras? (a) As duas
substâncias têm a mesma concentração de portadores à
temperatura ambiente. (b) À temperatura ambiente, a
concentração de portadores no germânio é maior que
no silício. (c) As duas substâncias têm uma
concentração maior de elétrons que de buracos. (d)
Nas duas substâncias, a concentração de elétrons é
igual a de buracos.
T>0
& &
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Próxima aula
• Introdução à Física Nuclear
Bibliografia
Básica:
1) HALLIDAY, D.; RESNICK, R.; e WALKER, J.; Fundamentos de Física.
Volume 4: Óptica e Física Moderna. 8ª edição. Rio de Janeiro: Livros Técnicos
e Científicos Editora S.A. 2009.
2) TIPLER, P. A.; MOSCA, G.; Física para cientistas e engenheiros. Volume
3: Física Moderna. 6ª edição. Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos
Editora S.A. 2012
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